「plasma enhanced CVD」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PLASMA-ENHANCED CVD SYSTEM, AND SIDE ANTENNA COIL STRUCTURE FOR CVD例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置およびＣＶＤ用サイドアンテナコイル構造 - 特許庁

VERY LOW PERMITTIVITY PLASMA-ENHANCED CVD FILM例文帳に追加

非常に低い誘電率プラズマ強化ＣＶＤ膜 - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD APPARATUS AND DISCHARGING ELECTRODE例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置及び放電用電極 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE AND PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM例文帳に追加

光導波路の製造方法およびプラズマＣＶＤ装置 - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM AND DEPOSITION METHOD USING THE SAME例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置及びそれを用いた成膜方法 - 特許庁

METHOD OF PRECOATING PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置のプリコート方法 - 特許庁

CLEANING DEVICE FOR PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置 - 特許庁

METHOD FOR CLEANING PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING DEPOSIT FILM BY PLASMA ENHANCED CVD METHOD例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成方法 - 特許庁

INDUCED CURRENT PREVENTING METHOD AND PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM例文帳に追加

誘導電流防止方法及びプラズマＣＶＤ装置 - 特許庁

DIODE PARALLEL FLAT PLATE TYPE PLASMA-ENHANCED CVD SYSTEM例文帳に追加

平行平板型プラズマＣＶＤ装置 - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD APPARATUS AND TEMPERATURE MAINTENANCE METHOD THEREOF例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法 - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM, AMORPHOUS SILICON-BASED THIN FILM, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置、非晶質シリコン系薄膜及びその製造方法 - 特許庁

SUBSTRATE TRANSFER CART USED IN IN-LINE TYPE PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM例文帳に追加

インライン型プラズマＣＶＤ装置において用いられる基板搬送カート - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置および薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide a plasma-enhanced film forming method and a plasma- enhanced CVD apparatus which forms an oxide film, without causing reduction deterioration of device elements.例文帳に追加

素子の還元劣化を招くことなく酸化膜を形成することができるプラズマ成膜方法及びプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置、光電変換素子および光電変換素子の製造方法 - 特許庁

Next, a plasma-enhanced CVD refractory metal nitride layer is deposited on the refractory metal layer.例文帳に追加

次にこの耐熱金属層上にプラズマＣＶＤ耐熱金属窒化物層を堆積させる。 - 特許庁

COMBINATORIAL THIN FILM DEPOSITION METHOD AND COMBINATORIAL PLASMA-ENHANCED CVD APPARATUS例文帳に追加

コンビナトリアル薄膜形成方法及びコンビナトリアルプラズマＣＶＤ装置 - 特許庁

To make a rectilinear carbon nanotube (CNT) by performing perpendicular orientation to high density in a plasma enhanced CVD process.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法において、高密度に垂直配向し、直線状のＣＮＴを簡易に作製する。 - 特許庁

ECR PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM FOR CARBON NANOTUBE THIN FILM DEPOSITION, AND METHOD OF DEPOSITION FOR THE THIN FILM例文帳に追加

カーボンナノチューブ薄膜形成ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置及び該薄膜の形成方法 - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM, METHOD OF MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC ELEMENT, AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置並びに光起電力素子の製造方法及び光起電力素子 - 特許庁

To provide a cleaning device for plasma enhanced CVD system having a superior etching capacity.例文帳に追加

エッチング性能の優れたプラズマＣＶＤ装置用クリーニング装置を提供する。 - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置、光電変換素子および光電変換素子の製造方法 - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD SYSTEM FOR LARGE-DIAMETER CARBON NANOTUBE THIN FILM DEPOSITION, AND METHOD OF DEPOSITION FOR THE THIN FILM例文帳に追加

大口径カーボンナノチューブ薄膜形成プラズマＣＶＤ装置及び該薄膜の形成方法 - 特許庁

The silicon nitride film which functions as the gas barrier film may also be formed by a plasma enhanced CVD process in place of a catalytic CVD process.例文帳に追加

触媒ＣＶＤ法に代えて、プラズマＣＶＤ法などによってガスバリア膜である窒化シリコン膜が形成されてもよい。 - 特許庁

To perform thin film deposition with superior reproducibility by stably producing gas plasma in manufacturing a thin film by plasma enhanced CVD.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により薄膜を製造する場合において、ガスプラズマを安定して発生させることにより、再現性よく薄膜の形成を行う。 - 特許庁

To provide a technique of improving the reproducibility of the film thickness of a deposited SiO2 film in a plasma-enhanced CVD method.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法において、成膜されたSiO_2膜の膜厚の再現性を高くする技術を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD apparatus in which deposition rate can be enhanced when a film is deposited on a substrate.例文帳に追加

この発明は基板に成膜する際に、その成膜速度を向上させることができるようにしたプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。 - 特許庁

To confine the number of particles of ≥1 μm adhered on a substrate to a prescribed number or below when forming a glass film by a plasma enhanced CVD method.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によってガラス膜を形成する際に、基板上へ付着する１μｍ以上のパーティクルの数を所定の数以下にする。 - 特許庁

To provide a plasma enhanced CVD system that can significantly reduce the amount of fine particles entrapped in a film during the formation of the film.例文帳に追加

製膜時に膜中に取り込まれる微粒子の量を著しく低減することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method by which the exchanging frequency of the substrate placing section of a plasma enhanced CVD system can be reduced, by prolonging the service life of the section.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置の基板載置部を長寿命化して、その交換頻度の低減を図ることができるクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

PLASMA ENHANCED CVD DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM SOLAR BATTERY例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置およびそれを用いた薄膜製造方法並びに薄膜太陽電池の製造方法 - 特許庁

A plasma enhanced CVD system further comprises an infrared ray end point detection assembly 200 coupled with the exhaust port 152.例文帳に追加

プラズマ増強型化学気相堆積システムは、更に、排気口１５２に結合された赤外線用終点検出アセンブリ２００を含んでいる。 - 特許庁

To provide a plasma enhanced CVD system with which the observation over the entire part of a plasma state is possible and the uniformity by the film thickness and film quality can be promptly discriminated from the distribution state of the plasma.例文帳に追加

プラズマ状態の全体を観察可能で、そのプラズマの分布状態により膜厚や膜質による均一性を即座に判断することのできるプラズマＣＶＤ装置の提供にある。 - 特許庁

When the substrate 5 is processed by the plasma CVD processing using only the plasma generation means 31 or by plasma enhanced catalyst CVD processing using the combination of the heated catalyst 10 and the plasma generation means 31, the plasma generation means 31 is located between the catalyst 10 and the substrate 5 as shown in (b) of the diagram.例文帳に追加

プラズマ生成手段３１だけを用いるプラズマＣＶＤ処理あるいは加熱した触媒体１０とプラズマ生成手段３１とを併用するプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理が行われるときは、（ｂ）に示すように、プラズマ生成手段３１が触媒体１０と基板５との間に位置する。 - 特許庁

Plasma-enhanced CVD of metal nitride layer comprises forming a plasma of a metal-containing compound, nitrogen containing gas, and a hydrogen-containing gas to deposit a metal nitride layer on a substrate.例文帳に追加

金属窒化物層のプラズマＣＶＤは、金属含有化合物、窒素含有ガス、及び水素含有ガスのプラズマを形成させて基体上に金属窒化物層を堆積することからなる。 - 特許庁

To suppress production of particles, prevent ions from impinging onto a substrate and improve a plasma distribution in the proximity of the substrate, when a silicon oxide film is deposited on a large-area substrate by plasma-enhanced CVD using TEOS.例文帳に追加

大面積基板にプラズマを利用したＣＶＤによりＴＥＯＳを用いてシリコン酸化膜を成膜する場合、パーティクルの発生を抑制し、基板へのイオン入射を防止し、基板近傍でのプラズマ分布を良好にする。 - 特許庁

In such a plasma CVD system, film deposition rate is enhanced by limiting a gap 52 at film deposition process, thereby reducing a plasma sealing region 54.例文帳に追加

このように構成されたプラズマＣＶＤ装置では、成膜工程時には隙間５２を狭めプラズマ封止領域５４を小さくして成膜速度の向上を図る。 - 特許庁

The method for cleaning the plasma enhanced CVD system for depositing a desired film on a substrate by vapor phase deposition within a plasma enhanced CVD reaction chamber consists in introducing and blowing inert gas from outside to the dust which contains vapor phase deposited powder or flakes and is un-stably adhered to regions exclusive of the surface of the substrate 4 within the reaction chamber 1, thereby blowing the dust off the dust.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ反応室内で気相析出によって基板上に所望の膜を堆積するためのプラズマＣＶＤ装置をクリーニングする方法において、反応室１内で基板４上以外の領域において不安定に付着している気相析出粉末またはフレークを含むダストに対して不活性ガスを外部から導入して吹付けることによってそれらのダストを吹飛ばすことを特徴としている。 - 特許庁

The carbonaceous linear structural material is grown to cross link between the counter electrodes with the catalyst layer 7 as the starting point by a plasma enhanced CVD method while applying voltage between the counter electrodes.例文帳に追加

対向電極間に電圧を印加しながら、プラズマ強化ＣＶＤ法によって、触媒層７を起点として対向電極間を架橋するように、炭素系線状構造材料を成長させる。 - 特許庁

To provide a silica layer having an excellent chemical resistance even when the silica layer is formed by a plasma enhanced CVD process and to provide an antireflection film utilizing this silica layer.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により形成した場合であっても耐薬品性に優れているシリカ層を提供すること、及び当該シリカ層を利用した反射防止フィルムを提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide an ECR(electron coupling resonance) film deposition system capable of forming a protective film by means of ECR sputtering and ECR plasma enhanced CVD selectively or simultaneously.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法およびＥＣＲプラズマＣＶＤ法を選択的にまたは同時に用いて保護膜の成膜ができるＥＣＲ成膜装置の提供。 - 特許庁

To provide a combinatorial thin film deposition method by which device structure can be optimized with high efficiency and also to provide a combinatorial plasma-enhanced CVD system using this method.例文帳に追加

極めて効率よく、素子構造の最適化を実現し得るコンビナトリアル薄膜形成方法およびこの方法を使用するコンビナトリアルプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma enhanced CVD system which can shorten the time required for hydrogenating the polycrystalline silicon of a thin film transistor(TFT) and forming a transparent film on the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴの多結晶体シリコンの水素化処理と透明膜成膜処理との工程の短縮を図ることができるプラズマＣＶＤ装置およびＴＦＴ製造方法を提供する。 - 特許庁