「plasma enhanced CVD」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a film depositing system by applying a plasma CVD method, in which plasma uniformity and long time stability are enhanced and the deposited film excellent in the uniformity of film quality can easily be obtained with high reproducibility, and also to provide a film deposition method.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法を適用して、堆積膜形成を行う際、プラズマ均一性、長時間安定性を向上させ、膜質の均一性に優れた堆積膜を、簡易に再現性よく形成することが可能な堆積膜形成装置、ならびに堆積膜形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of shortening the time required for the operations which are heretofore necessary for replacing the interior of a container with a gaseous raw material before deposition is performed by firing a gaseous raw material system plasma and regulating the pressure in the container to deposition pressure when a gas barrier thin film like a DLC film is deposited within the container by a plasma enhanced CVD process.例文帳に追加

容器内部にＤＬＣ膜などのガスバリア性薄膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する場合、原料ガス系プラズマを着火して成膜を行なうまでに容器内部を原料ガスに置換し且つ容器内部圧力を成膜圧力に調整する操作が必要となる。 - 特許庁

A method, for depositing tungsten-based liner layer 52/barrier layer 54 on a substrate 40 by using preferably a high density plasma enhanced CVD process, such as an ionized metal plasma(IMP) process, or another process where sputter flux of a material from a target is ionized, is provided.例文帳に追加

本発明は、好ましくはイオン化金属プラズマ（ＩＭＰ）プロセスなどの高密度プラズマＰＶＤプロセスや、ターゲットからの材料のスパッタフラックスをイオン化するその他のプロセスを用い、基板４０上にタングステンベースのライナ層５２／バリヤ層５４を堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

As a result, an ECR protective film using only the material gas for CVD film deposition or only the material gas for sputtering film deposition can be formed, and further, a protective film having properties intermediate between the properties of the ECR plasma enhanced CVD protective film and those of the ECR sputtering protective film can also be formed.例文帳に追加

そのため、ＣＶＤ成膜用ガスまたはスパッタ成膜用ガスのみを用いたＥＣＲ保護膜を成膜できるとともに、ＣＶＤ成膜用ガスおよびスパッタ成膜用ガスの両方を供給してＥＣＲ成膜を行うことにより、ＥＣＲプラズマＣＶＤ保護膜とＥＣＲスパッタ保護膜との中間的性質を有する保護膜を形成することもできる。 - 特許庁

To provide an induced current preventing method by which the flowing of induced current to a conductive film, such as a W film, adhering to the inner surface of an electromagnetic wave transmission window can be prevented and energy loss, etc., due to the induced current can be prevented and also to provide a plasma enhanced CVD system.例文帳に追加

電磁波透過窓の内面に付着するＷ膜などの導電性膜に誘導電流が流れるのを防止して、この誘導電流によるエネルギー損失などを防止することができる誘導電流防止方法及びプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

A mixed gas containing SiH_4, N_2, and NH_3 is used as reaction gas when a silicon nitride film 9 for protecting and insulating a surface, where the silicon substrate 1 is ground, and the film is formed by a parallel flat plate type plasma-enhanced CVD system at a single frequency.例文帳に追加

シリコン基板１を研削した面を保護、絶縁するためのシリコン窒化膜９を形成する際に、反応ガスとしてＳｉＨ_４、Ｎ_２、ＮＨ_３を含む混合ガスを用い、単一周波数の平行平板型プラズマＣＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

The transparent conductive film is deposited onto the base material by the method where an atmospheric pressure plasma enhanced CVD system is used and a gaseous mixture used when depositing a thin film using the system contains, other than inert gas, at least an organometallic compound, inorganic gas and an organic compound of ≤200 molecular weight as reactive gas.例文帳に追加

大気圧プラズマＣＶＤ装置を使用し、これにより薄膜を形成方法する際の混合ガスを、不活性ガスの他に、反応性ガスとして、少なくとも１）有機金属化合物、２）無機ガス及び３）分子量２００以下の有機化合物を含有する方法で基材上に透明導電膜を形成させる。 - 特許庁

To provide a method for forming a deposit film of amorphous silicon film by a plasma enhanced CVD method, by which a deposit film excellent in image characteristics and electrical properties can be formed stationarily by improving a method for heating a cylindrical base material holding means which is set in a reactor vessel.例文帳に追加

反応容器内に設置された円筒状支持体保持手段の加熱方法を改良することで、画像特性及び電気特性が良好な堆積膜を定常的に形成しうるプラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン膜の堆積膜形成方法を提供することにある。 - 特許庁

A pre-shaped die is manufactured by machining and polishing a superalloy essentially consisting of tungsten carbide as a blank to a desired shape, then coating the surface thereof with silicon as a protective layer by a plasma enhanced CVD process, and further, coating the surface thereof with a chromium nitride of 1 μm in thickness.例文帳に追加

タングステンカーバイトを主成分とする超合金を素材として、所望の形状に切削・研磨した上にプラズマＣＶＤ法によりシリコンを保護層としてコートし、さらにその上に１μｍの厚さのクロム窒化物をコートして予備形状金型を製造する。 - 特許庁

Malfunction of process in the plasma enhanced CVD system is confirmed by a method comprising a step for determining the historical gradient of partial pressure line as a function of time, a step for calculating a new gradient of line based on partial pressure measurements by the residual gas analyzer 63, a step for comparing the historical gradient with the new gradient, and a step for delivering a signal to an operator.例文帳に追加

時間の関数として分圧のラインのヒストリカルな勾配を求めるステップと、残留ガス分析器６３による分圧測定に基づいたラインの新規な勾配を計算するステップと、ヒストリカルな勾配と新規な勾配を比較するステップと、オペレータに信号を送るステップとを含む方法により、プラズマ増強型化学気相堆積システム内のプロセス不調を確認する。 - 特許庁

A plasma enhanced CVD system for processing one or more flat panel display substrate comprises a process chamber 133 arranged to contain gas, a residual gas analyzer 63 arranged to analyze and feed back gas in the process chamber, and a controller 250 for monitoring feedback from the gas analyzer.例文帳に追加

１枚以上のフラットパネルディスプレイ基板を処理するためのプラズマ増強型化学気相堆積システムであって、ガスを含有するように構成されたプロセスチャンバ１３３と、プロセスチャンバ内のガスを分析するとともにフィードバックをするように構成された残留ガス分析器６３と、ガス分析器からのフィードバックをモニタするためのコントローラ２５０を備えている。 - 特許庁

The substrate transfer cart for transferring a substrate in the in-line type plasma enhanced CVD system has a substrate electrode 16a capable of holding a rectangular substrate of a size of ≥90 cm per side and a counter electrode 16d which is disposed in a manner to face a substrate 1 held by the substrate electrode 16a and is integrally connected to the substrate electrode 16a via an insulating member 16c.例文帳に追加

インライン型プラズマＣＶＤ装置において基板を搬送するための基板搬送カートは、１辺が９０ｃｍ以上の矩形の基板を保持し得る基板電極１６ａと、その基板電極１６ａに保持された基板１と対面して配置されかつ絶縁部材１６ｃを介して基板電極１６ａと一体に結合される対向電極１６ｄを含んでいる。 - 特許庁