「refresh cycle time」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The dynamic memory is required to perform a refresh operation in a fixed cycle even at the time of the power down mode.例文帳に追加

ダイナミックメモリは、パワーダウンモード時においても一定の周期でリフレッシュ動作を行う必要がある。 - 特許庁

To reduce current consumption at the time of auto-refresh, to improve the reliability of a cell, and to improve the margin of a cycle time in FCRAM having a 'Late Write' function.例文帳に追加

「Late Write」機能を有するFCRAM において、オートリフレッシュ時の消費電流の低減、セル信頼性の向上、サイクルタイムのマージンアップを図る。 - 特許庁

To secure a long refresh cycle time by securing long data maintain period even when there is certain current leakage from a memory cell.例文帳に追加

メモリセルから少々の電流洩れがあっても、データ保持時間を長く確保して、長いリフレッシュサイクル期間を得る。 - 特許庁

When a leakage level is very low or is undetectable, a refresh-cycle time is increased by a large amount for example, to twice.例文帳に追加

リーク・レベルが非常に低いか、検出不能な場合には、リフレッシュ・サイクル時間は大幅に増加され、例えば２倍にされる。 - 特許庁

When a refresh cycle, a precharge cycle, RAS latency, CAS latency or RAS-to-CAS delay occurs, a refresh/clock control circuit 2 stops an internal clock S10 to be supplied to registers 21-31 for a time corresponding to the delay.例文帳に追加

リフレッシュサイクル、プリチャージサイクル、ＲＡＳレイテンシ、ＣＡＳレイテンシ、またはＲＡＳ ｔｏ ＣＡＳディレイが生じた場合、リフレッシュ／クロック制御回路２が、遅延に応じた時間、レジスタ２１〜３１に供給する内部クロックＳ１０を停止する。 - 特許庁

Power is saved by the flexibility allowed at the time of determining which sub-array should be refreshed in each new refresh cycle.例文帳に追加

電力は、どのサブアレイが各々の新しいリフレッシュサイクルにおいてリフレッシュされるかを決定する際の柔軟性により、節約される。 - 特許庁

If it is impossible to refresh the memory, a reference relationship is established so as to use the data within the refresh cycle of the external memory, while if it is possible to refresh the memory, the external memory is refreshed within the idle time.例文帳に追加

リフレッシュができない場合には使用データが外部メモリのリフレッシュサイクル以内に符号化において使用されるように参照関係を設定し、リフレッシュを行うことが可能な場合には、空き時間内に外部メモリのリフレッシュを行う映像符号化装置。 - 特許庁

Even when the operations of all the systems are stopped, a clock DRAMCLK is supplied at the time of performing refresh so that the refresh of the DRAM 4 can be performed in a prescribed timing in each cycle of a control sequence.例文帳に追加

すべての系統の動作が停止していても、リフレッシュを行う時にはクロックＤＲＡＭＣＬＫを供給し、制御シーケンスの各周期毎の所定のタイミングでＤＲＡＭ４のリフレッシュを行う。 - 特許庁

To provide an active cycle control circuit of a semiconductor storage device attaining cyclic refresh operation even if there is no read cycle time limit of the semiconductor storage device, and to provide a method therefor.例文帳に追加

半導体記憶装置のリードサイクル時間制限が無くても周期的なリフレッシュ動作を可能にした半導体記憶装置のアクティブサイクル制御回路、及び方法を提供する。 - 特許庁

When leakage is normal or within a normal range, a refresh-cycle time is optimized, and power consumption used for DRAM refreshing is minimized.例文帳に追加

リークが普通か、または通常範囲内の場合、リフレッシュ時間が最適化され、ＤＲＡＭリフレッシュに使用される消費電力は最小化される。 - 特許庁

When the mode register control part 7 obtains indication of refresh time change from the control firmware 6, after a memory cycle performed now is finished, the mode register control part 7 makes a memory bus idle once, and generates a mode register setting cycle for setting refresh interval of a memory to be short.例文帳に追加

モードレジスタ制御部７はリフレッシュ時間変更の指示を制御ファームウェア６から得ると、現在行われているメモリサイクルが終了した後に一旦メモリバスをアイドルにし、メモリのリフレッシュ間隔を短く設定するためのモードレジスタ設定サイクルを生成する。 - 特許庁

In an initial cycle, when the row address strobe signal reverse RAS is transited to perform a first time reverse RAS only refresh, receiving a control signal externally inputted is started.例文帳に追加

イニシャルサイクルにおいて、１回目の／ＲＡＳオンリリフレッシュを行うためにロウアドレスストローブ信号／ＲＡＳが遷移すると、外部入力されるコントロール信号の信号受け付けを開始する。 - 特許庁

To provide a charge/discharge control method of an alkaline battery that can avoid overcharging and over-discharging while avoiding a memory effect without conducting a refresh cycle that requires a long time, and a power supply system.例文帳に追加

長時間を要するリフレッシュサイクルを行うことなくメモリー効果を回避しつつ、過充電および過放電をも回避できる、アルカリ蓄電池の充放電制御方法および電源システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device in which refresh operation is not required, a cycle time and power consumption are equal to those of an ordinary SRAM, and the occupation area of a memory cell is smaller than that of the ordinary SRAM.例文帳に追加

リフレッシュ動作が不要で、サイクルタイムと消費電力が通常のＳＲＡＭと同等であり、かつメモリセルの占有面積が通常のＳＲＡＭよりも小さい半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To reduce power consumption by refresh cycle extension or to improve the reliability of stored contents by defining δL<δH in bit line potential change Δ+δH at the time of 'H' read and bit line potential change -Δ+δL at the time of 'L' read.例文帳に追加

Ｈ’読み出し時におけるビット線電位変化Δ＋δＨと‘Ｌ’読み出し時におけるビット線電位変化−Δ＋δＬにおいてδＬ＜δＨとすることにより、リフレッシュ周期延長による消費電力を低減し又は記憶内容の信頼性向上させる。 - 特許庁

Especially, only when a difference between the measured or calculated parameter and the latest transmitted value exceeds a limit after the communication of the parameter executed finally, or only when the time from communication of parameters executed at the last exceeds a predetermined refresh-cycle, a new monitoring parameter value is transmitted.例文帳に追加

特に、最後に行われたパラメータの通信以降に、測定または計算されたパラメータと、最も最近伝送された値との間の違いが限界を越えた時だけ、または、最後に行われたパラメータの通信からの時間が事前に設定されているリフレッシュ周期を越えた時だけに、新しい監視パラメータ値が伝送される。 - 特許庁