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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > reverse flashの意味・解説 > reverse flashに関連した英語例文

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reverse flashの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 14



例文

A capacitor in a light adjusting circuit 29 accumulates a reverse current flowing through the light adjusting sensor for flash lamp 23.例文帳に追加

ストロボ用調光センサ23を流れる逆電流を調光回路29内のコンデンサで蓄積する。 - 特許庁

A reverse surface of a substrate W, on a front surface of which a resist film RF is formed by applying photoresist coating liquid, is irradiated with flash light from a flash lamp FL.例文帳に追加

フォトレジストの塗布液が塗布されることによって表面にレジスト膜RFが形成された基板Wの裏面にフラッシュランプFLからフラッシュ光が照射される。 - 特許庁

The reverse biasing limits source current IS for the cell to be programmed during flash programming compaction or entire array.例文帳に追加

逆バイアスによりフラッシュプログラミング圧縮中にプログラムされるセルもしくはアレイ全体のソース電流ISが制限される。 - 特許庁

The flash light irradiation abruptly rises the temperature of the reverse surface of the substrate W to cause heat conduction from the reverse surface to the front surface, and the resist film RF formed on the front surface is heated to perform after-coating bake treatment.例文帳に追加

フラッシュ光照射によって急激に昇温した基板Wの裏面から表面に向けて熱伝導が生じ、表面に形成されているレジスト膜RFが加熱されて塗布後ベーク処理が行われる。 - 特許庁

例文

By irradiating the reverse surface of the substrate W with flash light, regardless of the kind of the resist film RF formed on the front surface, flash-light absorption rate of the substrate W becomes constant so that the resist film RF can be heated to a fixed processing temperature.例文帳に追加

基板Wの裏面にフラッシュ光を照射しているため、表面に形成されたレジスト膜RFの種類にかかわらず、基板Wのフラッシュ光吸収率は一定となり、レジスト膜RFを一定の処理温度に加熱することができる。 - 特許庁


例文

To prevent a voltage drop caused by a reverse current electric charge generated at the standstill of a boosting circuit in an internal power source circuit to be used for a flash memory.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリに用いられる内部電源回路において、昇圧回路の停止時に発生していた逆流電荷による電圧降下を阻止できるようにする。 - 特許庁

The polarity conversion circuit P2 is provided with a second inversion connection circuit impressing a double reverse voltage of the booster capacitor C2 to a negative electrode of the flash tube by the induction of the first inversion connection circuit.例文帳に追加

極性変換回路P2は、第1反転接続回路の導通で、増圧コンデンサC2の2倍反転電圧を閃光管の負極に印加する第2反転接続回路を有する。 - 特許庁

A PPR current is given so that an electric current density ratio F/R at a forward electrolysis and a reverse electrolysis becomes not smaller than 1/0.2 and smaller than 1/1 in a period of a forward electrolysis of 1 to 50 msec and a reverse electrolysis of 2 to 5 msec after a flash plating is performed.例文帳に追加

フラッシュめっきを行った後、正電解時間1−50msec、逆電解時間0.2−5msecの周期で、正電解と逆電解との電流密度比であるF/R比が1/0.2以上で1/1よりも小さな値となるようPPR電流を加える、ビアフィリング方法。 - 特許庁

A digital controller 11 for repairing the chip digitally control the application of heating current pulse from a heating current pulse adjusting device 10 and reverse charge voltage from a reverse charge voltage adjusting device 9 to flash the electron gun chip 3 under heating and repair the shape.例文帳に追加

更に、電子銃チップ3に対する加熱電流パルス調整装置10からの加熱電流パルスおよび逆電荷電圧調整装置9からの逆電荷電圧の付与をチップ修復ディジタル制御装置11でディジタル制御することにより、電子銃チップ3に対して加熱フラッシングおよび形状修復が行われる。 - 特許庁

例文

The first light emitting part 200 and the second light emitting part 300 is arranged on the same side of one face and may have a timing at which each of them is on-off flash driven to appear as if flashing lights rotate in the mutually reverse direction, or at which at least either one discontinues flashing.例文帳に追加

第1の発光部200及び第2の発光部300は、同一面側に環状に配置され、互いに逆方向に回転するように点滅駆動されるタイミングと、少なくとも一方が停止するタイミングとを有していてもよい。 - 特許庁

例文

When a flash trigger switch 46 is closed, the automatic restarting operation of the flash charging circuit 30 is secured by connecting the charging circuit start terminal to the trigger switch by making good use of a restart diode 55 which is biased in a reverse direction, and when the trigger switch is open, the start terminal is separated from the voltage of the capacitor on the trigger circuit through the diode 55.例文帳に追加

フラッシュトリガスイッチ46(トリガスイッチと略す)を閉じると、自動的にフラッシュ充電回路30を再始動させることは、充電回路始動端末を、逆方向にバイアスされている再始動ダイオード55を利用してトリガスイッチに接続して保証され、ダイオード55により、始動端末は、トリガスイッチが開かれている時はトリガ回路上にあるコンデンサの電圧から分離している。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device such as a flash memory is constructed in such a manner that when a power cut-off has occurred during writing or erasing operation, a rewriting operation is executed to change a threshold voltage in the reverse direction by interrupting ongoing operation.例文帳に追加

フラッシュメモリのような不揮発性半導体記憶装置において、書込みまたは消去動作中に電源遮断が発生した場合には、実行中の動作を中断してしきい値電圧を逆方向へ変化させる書戻し処理を行なうように構成した。 - 特許庁

For instance, the flash memory reads search data corresponding to the storage data stored in the block, from a top page of each block in a reverse consulting search mode and compares these search data with nonsearch data from a controller to send a block address and a page address of the search data coincident with the nonsearch data back to the controller.例文帳に追加

たとえば、フラッシュメモリは、逆引き検索モードにおいて、各ブロックの先頭ページより、そのブロックに記憶された記憶データに対応する検索データを読み出し、その検索データとコントローラからの非検索データとを比較し、非検索データに一致する検索データのブロックアドレスおよびページアドレスをコントローラに送り返す。 - 特許庁

例文

In the fail-safe CPU 13, a position sensor 14 detects that the switch 10 is fix-opened or reverse-opened, and when the opening direction is matched with the direction indicated by conversion command information stored in the flash memory 15, the opening signal 27 indicating the present opening direction is outputted to a KR relay 31.例文帳に追加

また、フェールセーフCPU13は、転てつ機10が定位開通または反位開通にあることを位置センサ14が検知しており、かつこの開通方向とフラッシュメモリ15に記憶されている転換指令情報の示す方向とが一致するとき、現在の開通方向を表わした開通方向表示信号27をKRリレー31に出力する。 - 特許庁




  
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