「scatterometry」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a scatterometry system having a high sensitivity and providing a precision to improve the overlay measurement.例文帳に追加

高感度を有し、オーバレイ測定の改善された精度を提供するスキャトロメトリシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

The structure determination device 80 measures a size of a pattern structure on a wafer surface before the etching processing using the scatterometry method.例文帳に追加

構造判別装置８０は、エッチング処理前におけるウェハ表面のパターン構造の寸法を、スキャトロメトリ法を用いて測定する。 - 特許庁

Alignment of the template with a previously formed layer on a substrate, in one embodiment, is accomplished by using scatterometry.例文帳に追加

一実施形態では、基板上に予め形成された層に対するテンプレートの整列は散乱計測を用いて行われる。 - 特許庁

A scatterometry device having an illumination aperture diaphragm is provided with a field diaphragm in an intermediate image to control a spot size on a substrate.例文帳に追加

照明開口絞りを有するスキャトロメトリ装置において、中間像に視野絞りを設けて、基板上のスポットサイズを制御する。 - 特許庁

To measure more precisely the line width formed on a wafer in the optical line width measurement performed by using scatterometry technology.例文帳に追加

スキャテロメトリ技術を用いて行われる光学式の線幅測定において，ウェハ上に形成された線幅をより正確に測定する。 - 特許庁

In the scatterometry method, the difference target having sensitivities, which are different from each other, for a related parameter is printed in a calibration matrix to obtain a difference spectrum.例文帳に追加

スキャトロメトリ法では、関係パラメータに対してそれぞれ異なる感度を有する差ターゲットが、キャリブレーションマトリックスでプリントされ、差スペクトルが得られる。 - 特許庁

To provide a method for judging a parameter of a target structure not-so-sensitive to the change of a structure therebelow from scatterometry data.例文帳に追加

下にある構造体の変化に対してそれほど敏感でないターゲット構造体のパラメータをスキャトロメトリデータから判定する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method and a processing system that accurately evaluate the surface structure of a workpiece in a non-destructive manner, which has undergone a prescribed processing by the scatterometry method.例文帳に追加

スキャトロメトリ法により所定処理後の被処理体の表面構造を非破壊で正確に評価する処理方法及び処理システムを提供する。 - 特許庁

To provide a processing method and a processing system that control a predetermined condition based upon a surface structure of a workpiece evaluated by a scatterometry method.例文帳に追加

スキャトロメトリ法により評価した被処理体の表面構造に基づいて所定条件を制御する処理方法及び処理システムを提供する。 - 特許庁

In the scatterometry technique, roughness values can be obtained by the use of a model including surface layer with variable parameters associated with a refractive index.例文帳に追加

スキャトロメトリ方法において、屈折率に関連する可変パラメータを有する表面層を含むモデルを使用することによって、ラフネスの値を取得することができる。 - 特許庁

To provide a technology for adequately controlling processing steps or the like by using, for example, both of CD-SEM and scatterometry in regard to a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。 - 特許庁

In a scatterometry, targets with varying sensitivity with respect to object parameters are printed in calibration matrix, and a different spectrum is acquired.例文帳に追加

スキャトロメトリ測定方法では、対象パラメータに対して感受性が異なる様々なターゲットを、キャリブレーションマトリクスに印刷し、異なるスペクトルを取得する。 - 特許庁

If the coordinates of the flaw by the scatterometry method coincide with those of the foreign matter or crack, the flaw is determined to be not the flaw during nano-imprinting and, if the coordinates of the flaw do not coincide with those of the foreign matter or crack, the flaw is determined to be the flaw during nano-imprinting.例文帳に追加

スキャットロメトリー法による欠陥の座標が異物あるいは傷の座標と一致すれば、ナノプリント時の欠陥ではないと判断し、一致しなければナノプリント時の欠陥と判断する。 - 特許庁

An overlay error between the first and second structures is determined by analyzing the measured optical signals from the periodic targets using a scatterometry overlay technique based on the predefined offsets.例文帳に追加

散乱計測オーバレイ技術を用いて既定義されたオフセットに基づいて周期的ターゲットからの前記計測された光学信号を分析することによって第１および第２構造間のオーバレイ誤差が決定される。 - 特許庁

An overlay error is determined between the first and second structures by analyzing the measured optical signals from the periodic targets using a scatterometry overlay technique and based on the predefined offsets.例文帳に追加

散乱計測オーバレイ技術を用いて既定義されたオフセットに基づいて周期的ターゲットからの前記計測された光学信号を分析することによって第１および第２構造間のオーバレイ誤差が決定される。 - 特許庁

An inspection region 2 is designated using design information 1, region division 3 for measurement by a scatterometry method is performed, and pattern classification 4 of obtained and detected data is performed to classify patterns into a periodic region 5 and a non-periodic region 6.例文帳に追加

設計情報１を用いて検査領域２を指定し、スキャットロメトリー法によって測定するための領域分割３を行い、得られた検出データをパターン分類４し、周期領域５と非周期領域６に分類する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device, dimensions or the like relating to a processing step of manufacturing a semiconductor device are measured by both of the CD-SEM (a first measurement means) and the scatterometry (a second measurement means) (S202, S203 or the like).例文帳に追加

本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。 - 特許庁

To prevent an unknown parameters of one or more product layers having an effect on the measurement of the object profile, the thickness of the one or more product layers is measured prior to measuring the profile of the scatterometry object on the layer(s).例文帳に追加

オブジェクトプロファイルの測定に影響を与える１つ以上の生成物層の不明なパラメータが生じないように、層上にあるスキャトロメトリオブジェクトのプロファイルを測定する前に１つ以上の生成物層の厚さが測定される。 - 特許庁

In this way, the defect or foreign matter of the groove structure is inspected by optical scatterometry technology.例文帳に追加

スキャトロメトリ法ではプローブ光の入射角を変化させるなど、これまでの磁気ディスク検査装置にはない煩雑な測定が必要であるが、上述したように複数個の光源や光ディテクタを用いる等、測定時間短縮の手段も提供できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a target capable of providing a scatterometry target, and of reducing the size of a diffraction grating of the target without impairing a further high-order diffraction order when the pitch of the diffraction grating is smaller than the wavelength of a measurement radiation beam.例文帳に追加

スキャトロメトリターゲットを提供すること、およびターゲットの回折格子のサイズが低減するのを可能にするが、回折格子のピッチが測定放射ビームの波長よりも小さい場合に、より高次の回折次数を損なわないターゲットの製作方法を提供すること。 - 特許庁

A first mark M1 and a second mark M2 are formed on the surface of a wafer W, as a mark M measured by scatterometry, so that they are a line and space pattern in which they are repeated on the surface of the wafer W in the direction orthogonal to each other at a different pitch.例文帳に追加

スキャッタロメトリによって計測されるマークＭとして、第１マークＭ１と第２マークＭ２とのそれぞれを、ウエハＷの面において互いに直交する方向であって互いに異なったピッチで繰り返されたライン・アンド・スペース・パターンになるように、ウエハＷの面に形成する。 - 特許庁

In the inspection of the flaw of a disk substrate 1 during nano-imprinting, the disk substrate 1 is irradiated with the light from a first light source containing a plurality of wavelengths through a half mirror 7 and an object lens 8 and the reflected light from the disk substrate 1 is thrown on a spectroscope 9 through the object lens 8 and the half mirror 7 to inspect the disk substrate 1 by a scatterometry method.例文帳に追加

ナノインプリント時の欠陥の検査は複数の波長を含む第１の光源からの光をハーフミラー７、対物レンズ８を介してディスク基板１に照射し、反射光を対物レンズ８、ハーフミラー７を介して分光器９に入射させることによってスキャットロメトリー法により検査する。 - 特許庁