「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(155ページ目) - Weblio英語例文検索

A first group III nitride base layer 2 and a second group III nitride base layer 3 including at least Al are formed on a base material 1 in order.例文帳に追加

基材１上に、少なくともＡｌを含有した第１のIII族窒化物下地層２及び第２のIII族窒化物下地層３を順次に形成する。 - 特許庁

A heterojunction surface formed on the boundary surface between the first layer and second layer is disposed on a crystal surface perpendicular to a (0001) crystal surface.例文帳に追加

前記第１層と前記第２層との境界面に形成されたヘテロ接合面は、（０００１）結晶面に垂直な結晶面上に位置している。 - 特許庁

The gas diffusion layer has a first opposed face facing the gas flow distribution plate and a second opposed face facing a catalyst layer and has gas diffusion performance.例文帳に追加

ガス拡散層は、ガス配流板に対向する第１対向面と触媒層に対面する第２対向面とを有すると共に、ガス拡散性を有する。 - 特許庁

Besides, the fineness of constitutive fibers in the first fiber layer 1 is 0.5-3.3 dtex, and the fineness of constitutive fibers in the second fiber layer 2 is 2.2-11 dtex.例文帳に追加

また第１繊維層１の構成繊維の繊度は０．５〜３．３ｄｔｅｘであり、第２繊維層２の構成繊維の繊度が２．２〜１１ｄｔｅｘである。 - 特許庁

The second layer contains at least a rare earth element and oxygen wherein the content ratio of rare earth element to iron is larger than that in the first layer.例文帳に追加

また、第２の層は、少なくとも希土類元素及び酸素を含み、且つ、鉄に対する希土類元素の含有割合が第１の層よりも大きい層である。 - 特許庁

When the second synthetic resin layer 13 is colored with a white pigment having shielding properties, the color developability of the first synthetic resin layer 12 can be enhanced.例文帳に追加

また、第２合成樹脂層13を遮蔽性を有する白色顔料で着色すると、より第１合成樹脂層12の発色性が向上できる。 - 特許庁

The first Al_X1Ga_1-X1N layer 19 is positioned between the second Al_X2Ga_1-X2N layer 21 and the group III nitride semiconductor substrate 13.例文帳に追加

第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ層１９は、第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層２１とIII族窒化物半導体基板１３との間に位置する。 - 特許庁

When the thicknesses of both scintillator crystal layers (m) and (n) are compared with each other, the first scintillator crystal layer (m) is thinner than the second scintillator crystal layer (n).例文帳に追加

そして、両シンチレータ結晶層ｍ，ｎの層厚さを比較すれば、第１シンチレータ結晶層ｍの方が、第２シンチレータ結晶層ｎよりも薄くなっている。 - 特許庁

A first conductor layer 3, a second conductor layer 7 and an interlayer insulation film 4 are formed on a semiconductor substrate 1 on which a protective film 2 has been formed.例文帳に追加

保護膜２が形成された半導体基板１上に、第１導体層３、第２導体層７及び層間絶縁膜４が形成されている。 - 特許庁

The second diffusion wiring layer is provided with the same shape and the dimension as the first diffusion wiring layer in a non-contact state with the electrode film.例文帳に追加

また、第２拡散配線層は、電極膜に対して非接触の状態で、かつ第１拡散配線層と同一の形状及び寸法で設けられている。 - 特許庁

A lower second DBR mirror layer 13 inside the lower DBR mirror layer 11 includes an oxidation section 30 around a region corresponding the light emission region 16A.例文帳に追加

下部ＤＢＲミラー層１１内の下部第２ＤＢＲミラー層１３は、発光領域１６Ａと対応する領域の周辺に酸化部３０を有する。 - 特許庁

The thin film has traces in two directions, and the printed circuit board has a first conductive layer and a second conductive layer on both sides of a ground plane.例文帳に追加

薄膜層は二方向へのトレースを有し、プリント回路基盤は第一導体層及び第二導体層を１つのグランドブレーンの両面上に有している。 - 特許庁

At least a first metal wiring layer and a second metal wiring layer are arranged on a semiconductor substrate 30 in the ascending order from the semiconductor substrate 30.例文帳に追加

半導体基板３０上に少なくとも第１の金属配線層、第２の金属配線層を半導体基板３０から近い順番に配置する。 - 特許庁

A first spacer layer is formed between the source and the gate above the active region, and a second spacer layer is formed between the drain and the gate above the active region.例文帳に追加

第１のスペーサ層が、活性領域の上方でソースとゲートの間にあり、第２のスペーサ層が、活性領域の上方でドレインとゲートの間にある。 - 特許庁

A second trench is formed in the silicon layer 23 adjacent to the first trench and extends through the embedded oxide layer 22 into the silicon substrate 21.例文帳に追加

第２のトレンチは、第１のトレンチに隣接するシリコン層２３に形成され、埋め込み酸化物層２２を突き抜けてシリコン基板２１の中へ延びる。 - 特許庁

The N_2 gas flow is then stopped to deposit by sputtering a third refractory metal-silicon-nitrogen layer 18 on top of the second refractory metal-silicon-nitrogen layer.例文帳に追加

次に、Ｎ_2ガスのフローが停止され、第３の耐熱金属−ケイ素−窒素の層１８が第２の耐熱金属−ケイ素−窒素の層上にスパッタ付着される。 - 特許庁

An electronic ink layer is located on the thin-film transistor array substrate, and a common electrode and a second substrate are sequentially located on the electronic ink layer.例文帳に追加

電子インク層が薄膜トランジスタアレイ基板の上に配置され、共通電極および第２の基板が電子インク層の上に順次配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises a substrate, an insulating layer having an opening, first and second phase metal silicide layers and a conductive layer formed thereon.例文帳に追加

基板、開口部を有する絶縁層、第１相及び第２相のメタルシリサイド層及びその上に形成された導電層を含む半導体装置が提供される。 - 特許庁

A layer information detecting means 126 holds output of the first and the second demodulation means 122 and 123 and detects layer information by the timing signal.例文帳に追加

層情報検出手段１２６は、このタイミング信号により第１、第２の復調手段１２２，１２３の出力を保持して、層情報を検出する。 - 特許庁

The cross-point memory array comprises first and second sets of transverse electrodes (502, 504), and they are separated by a storage layer (75) including at least one semiconductor layer (72).例文帳に追加

交点メモリアレイは、第1および第2の組の横断電極(502,504)を含み、それらが少なくとも1つの半導体層(72)を含む記憶層(75)によって分離される。 - 特許庁

The fluororubber mixture of the first layer 1 and the fluororesin of the second layer 2 are cross-linked in a lot in the manufacturing method.例文帳に追加

上記第一層１のフッ素ゴム混和物及び上記第二層２のフッ素樹脂を一括して架橋する耐熱耐油絶縁電線の製造方法。 - 特許庁

In a second in-plane direction DR2, p^- semiconductor layer 2 includes conductive parts 21 to 23, and the p^+ semiconductor layer 3 includes conductive parts 31 to 33.例文帳に追加

第２の面内方向ＤＲ２において、ｐ^−半導体層２は導電部２１〜２３を含み、ｐ^＋半導体層３は、導電部３１〜３３を含む。 - 特許庁

A first and a second high-permittivity oxide film, 103 and 104, are successively laminated between an upper electrode layer 105 and a lower electrode layer 102.例文帳に追加

上部電極層１０５と下部電極層１０２間に第１および第２高誘電率酸化物膜１０３、１０４の積層を順に形成する。 - 特許庁

The first semiconductor layer 102 is formed of a silicon carbide semiconductor and the second semiconductor layer 103 is formed of a group III nitride semiconductor.例文帳に追加

第１の半導体層１０２は炭化珪素半導体から構成され、第２の半導体層１０３はＩＩＩ族窒化物半導体から構成されている。 - 特許庁

The second inductor 320 is provided in the m-th wiring layer (t≥m≥n+2) of the multilayer wiring layer 400 and is located above the first inductor 310.例文帳に追加

第２インダクタ３２０は、多層配線層４００の第ｍ配線層（ｔ≧ｍ≧ｎ＋２）に設けられ、第１インダクタ３１０の上方に位置している。 - 特許庁

A via contact B is composed of a first close contact layer 109 (titanium film), a second close contact layer 110 (titanium nitride film), and a tungsten plug 111 (tungsten film).例文帳に追加

ヴィアコンタクトＢは、第１の密着層１０９（チタニウム膜）、第２の密着層１１０（窒化チタン膜）及びタングステンプラグ１１１（タングステン膜）からなる。 - 特許庁

The second semiconductor layer is formed of a semiconductor alloy, having a composition graded in a direction substantially perpendicular to the first surface of the first semiconductor layer.例文帳に追加

第２半導体層は、第１半導体層の第１の面にほぼ垂直な方向に勾配付けされた組成を有する半導体合金から形成される。 - 特許庁

The average particle size of zeolite particles (28) which constitute the first particle layer (21) is adjusted to be larger than that of zeolite particles (26) which constitute the second particle layer (22).例文帳に追加

第１粒子層（21）を構成するゼオライト粒子（28）の平均粒径は、第２粒子層（22）を構成するゼオライト粒子（26）の平均粒径よりも大きくなっている。 - 特許庁

Additionally, the occupying ratio Rh in the second cermet electrode layer 64 is increased, thus improving the NOx resolution of the detection electrode layer 64.例文帳に追加

また、第２のサーメット電極層６４に占めるＲｈの割合を多くすることによって、該検出電極４２のＮＯｘ分解能力は向上する。 - 特許庁

A big area anode electrode 15 for impressing a voltage on the active layer 13 and a small area cathode electrode 16 are arranged on the second contact layer 14.例文帳に追加

活性層１３に電圧を印加するための大面積のアノード電極１５及び小面積のカソード電極１６を第２のコンタクト１４上に配置する。 - 特許庁

The anisotropic conductive film 7 is made of a laminated body having a first layer 7A in contact with the polyimide film 2 and a second layer 7B in contact with the glass substrate 5.例文帳に追加

異方性導電フィルム７は、ポリイミドフィルム２と接する第１層７Ａと、ガラス基板５と接する第２層７Ｂとを有する積層体からなる。 - 特許庁

A through hole 36 formed in a core substrate 30 comprises a first electrolytic plating layer 24, an electroless plating film 26, and a second electrolytic plating layer 28.例文帳に追加

コア基板３０に形成されたスルーホール３６は、第１電解めっき層２４と、無電解めっき膜２６と、第２電解めっき層２８とからなる。 - 特許庁

A lamination body 11 has an organic layer 6 having at least a luminous layer interposed between a transparent electrode (first electrode) 3 and a back surface electrode (second electrode) 7.例文帳に追加

積層体１１は少なくとも発光層を有する有機層６を透明電極（第１電極）３と背面電極（第２電極）７とで挟持する。 - 特許庁

The silicon oxide layer 4 effectively prevents the amorphous silicon from being formed in an early stage of the formation of the second silicon layer 5 of a microcrystalline silicon film.例文帳に追加

酸化シリコン層４は，微結晶シリコン膜である第２シリコン層５の形成の初期段階においてアモルファスシリコンが形成されることを効果的に防止する。 - 特許庁

This manufacturing method is to manufacture the organic EL device having an organic functional layer including an organic luminescent layer 110b between a first electrode 111 and a second electrode.例文帳に追加

第１電極１１１と第２電極との間に有機発光層１１０ｂを含む有機機能層を有した有機ＥＬ装置の製造方法である。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a semiconductor stack including a light-emitting layer, a reflective layer, a supporting substrate, a first junction electrode, and a second junction electrode.例文帳に追加

半導体発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、反射層と、支持基板と、第１接合電極と、第２接合電極と、を有する。 - 特許庁

The aluminum-containing layer 7 and the silicon-containing layer 8 constitute an electrode forming laminate 9 for forming a second surface side electrode 5.例文帳に追加

アルミニウム含有層７とシリコン含有層８とによって、第２面側電極５を形成するための電極形成用積層体９が構成されている。 - 特許庁

AN n+ diffusion layer 16 is formed on the second element region 15, and the n+ diffusion layer 16 and a substrate 11 constitute a pn junction diode.例文帳に追加

第２の素子領域１５上には、ｎ＋拡散層１６が形成されており、ｎ＋拡散層１６と基板１１とは、ｐｎ接合ダイオードを構成する。 - 特許庁

For instance, the on-chip lens 10 has a first lens layer 11 having a relatively high refractive index, and a second lens layer 12 having a relatively low refractive index.例文帳に追加

例えば、オンチップレンズ１０は、相対的に屈折率の高い第１のレンズ層１１と、相対的に屈折率の低い第２のレンズ層１２とを有する。 - 特許庁

A first metal layer 10 is formed on the tantalum film 8, and a second metal layer 11 for filling the through hole 6 is formed thereon.例文帳に追加

タンタル膜８上には第１金属層１０が形成されており、その上には貫通孔６を充填する第２金属層１１が形成されている。 - 特許庁

The patch antenna for receiving and/or transmitting circularly polarized RF signals includes a first radiating layer and a second radiating layer disposed substantially parallel to each other.例文帳に追加

円形偏波ＲＦ信号を受信及び又は送信するパッチアンテナが、互いに略平行に配置される第１放射層及び第２放射層を含む。 - 特許庁

For actual use, a first electrode is formed on the NiAl layer 5 and a second electrode is formed on the n+-GaAs layer 3 exposed by etching.例文帳に追加

尚、実際の使用には、ＮiＡl層５上に第１の電極を形成し、エッチングで露出したｎ^+-ＧaＡs層３上に第２の電極を形成する。 - 特許庁

Next, a second inorganic film 8 of, e.g. silicon oxide is formed on the silicon layer 6 and is patterned by photolithgraphy using a photoresist layer 10.例文帳に追加

次に、シリコン層６の上にたとえばシリコンの酸化物による第２の無機膜８を形成し、フォトレジスト層１０を用いたフォトリソグラフィーによりパターン化する。 - 特許庁

Then, by etching back, parts of the doped polysilicon layer 21 and the non-doped polysilicon layer 23 other than in the first trench 6 and the second trench 7 are removed.例文帳に追加

その後、エッチバックにより、ドープドポリシリコン層２１およびノンドープポリシリコン層２３における第１トレンチ６および第２トレンチ７外の部分が除去される。 - 特許庁

Then, the flow of N_2 gas is stopped and a third heat-resistant metal-silicon-nitrogen layer is adhered in the sputtering manner onto the second heat-resistant metal-silicon-nitrogen layer.例文帳に追加

次に、Ｎ_２ガスのフローが停止され、第３の耐熱金属−ケイ素−窒素の層が第２の耐熱金属−ケイ素−窒素の層上にスパッタ付着される。 - 特許庁