「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(159ページ目) - Weblio英語例文検索

A first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a third semiconductor layer are formed by forming a first element separation region 110a extending to an insulating layer, and a third element separation region 110b on a substrate 10 on which there are formed in order a support substrate 10a, the insulating layer 10b, and a semiconductor layer 10c.例文帳に追加

支持基板１０ａと絶縁層１０ｂと半導体層１０ｃとが順に形成された基板１０に、絶縁層に到達する第１素子分離領域１１０ａおよび第３素子分離領域１１０ｂを形成することで第１半導体層、第２半導体層および第３半導体層を形成する。 - 特許庁

This device includes an adhesive layer 204, an insulating layer 208 made of a base material having a first resistivity, an electrode layer 212, a hybrid/adhesive layer 214, and a workpiece support layer 216 made of a base material and a dopant having a second resistivity wherein the resistivity of the resultant workpiece support layer is lower than the first resitivity.例文帳に追加

装置は、接着層２０４と、第１の固有抵抗を有するベース材料で作られた絶縁層２０８と、電極層２１２と、ハイブリッド／接着層２１４と、ベース材料、及び第２の固有抵抗を有するドーパントで作られ、最終固有抵抗が第１の固有抵抗よりも低くされたワークピース支持層２１６とを含む。 - 特許庁

A light-emitting element array is configured by forming a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer sequentially on a semi-insulating substrate, forming an anode electrode on the first semiconductor layer, and forming a cathode electrode on the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層上にカソード電極が形成されて構成される。 - 特許庁

The nitride layer 3 is formed sequentially with a conductive polymer layer 4 consisting of polypyrrole to cover around the nitride layer 3; and a cathode 5, with a first conductive layer 5a containing carbon grains, and a second conductive layer 5b containing silver grains to cover around the first conductive layer 5a.例文帳に追加

窒化物層３上には、窒化物層３の周囲を覆うようにポリピロールからなる導電性高分子層４と、カーボン粒子を含む第１導電層５ａおよび第１導電層５ａの周囲を覆うように形成された銀粒子を含む第２導電層５ｂが積層された陰極５とが順次形成されている。 - 特許庁

The upper electrode includes a first electrode layer (9a) facing the dielectric film and a second electrode layer (9b) which is formed on the upper layer side of the first electrode layer and is electrically connected to a conductive layer through a first contact hole (33) opened in the first electrode layer, the dielectric film, and the first interlayer insulating film.例文帳に追加

上側電極は、誘電体膜に面する第１電極層（９ａ）と、１電極層よりも上層側に形成され、第１電極層、誘電体膜及び第１層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホール（３３）を介して導電層に電気的に接続された第２電極層（９ｂ）とを有する。 - 特許庁

Even when the Al percentage composition of the evaporation preventing layer 6 is not changed, the Eg of the layer 6 on the second underlying layer 3 changes from that of the layer 6 on the first underlying layer 2 and a current (Hall) can be efficiently injected into a quantum well active layer by efficiently concentrating the current to an area having a small Eg only.例文帳に追加

蒸発防止層６のＡｌ組成比を変化させなくても第１下地層２上と第２下地層３上とで蒸発防止層６のＥｇが変化し、Ｅｇが小さい領域のみに効率よく電流を集中させて、量子井戸活性層に効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁

In the panel constituted by forming a base coating layer 3 on the uneven surface of a substrate 2 having unevenness and applying a topcoating layer on the base coating layer 3, the top coating layer is composed of at least two layers, that is, a first top coating layer 11 and a second top coating layer 12 formed by at least twice coating the substrate 2 with an acrylic urethane coating material.例文帳に追加

凹凸を有する基板２の凹凸面上にベースコート３を形成し、その上にトップコートを施してなるパネルであって、該トップコートがアクリルウレタンクリア塗料を少なくとも２度重ね塗りをすることによって形成された少なくとも２層の第1トップコート１１と第２トップコート１２とからなるパネル。 - 特許庁

(1) The optical information recording medium has at least a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, an intermediate layer and a reflective layer in this sequence on a transparent substrate and the intermediate layer comprises materials containing at least one metal selected from Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W, and carbon and oxygen.例文帳に追加

（１）透明な基板上に、少なくとも第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、中間層、反射層をこの順に有し、中間層がＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの金属と炭素及び酸素を含有する材料からなる光情報記録媒体。 - 特許庁

The support member includes an insulation layer 212, a first wiring layer 214 disposed on a side closer to a second face 211B with respect to the insulation layer, and a first plug 216 which is through the insulation layer at a location where the pyroelectric body and a first wiring layer overlap with each other in a plan view, and which connects the first wiring layer and the first electrode.例文帳に追加

支持部材は、絶縁層２１２と、絶縁層よりも第２面２１１Ｂ側に配置された第１配線層２１４と、平面視で焦電体及び第１配線層が重なる位置にて前記絶縁層を貫通して第１配線層と第１電極とを接続する第１プラグ２１６と、を含む。 - 特許庁

In a power MOSFET, having a p+-type embedded layer 9 in an n--type drift layer 1, a p+-type carrier injection layer 10 connected to a second gate electrode 11 is formed at the side of a p-type base layer 4 to inject holes into the n--type drift layer 1 from the p+-type carrier injection layer 10 at turning on.例文帳に追加

ｎ−型ドリフト層１中にｐ＋型埋込み層９を有するパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、ｐ型ベース層４の側方に第２のゲート電極１１に接続されたｐ＋型キャリア注入層１０を設け、ターンオン動作時にｐ＋型キャリア注入層１０からホール（正孔）をｎ−型ドリフト層１中に注入する。 - 特許庁

The first quantum wave interference layer serves as an electron reflective layer by setting the wavelength of electrons injected to each layer equal to odd times of the quarter of wavelength of quantum wave and the second quantum wave interference layer serves as an electron transmission layer by setting the wavelength of electrons injected to each layer equal to even times of the quarter of wavelength of quantum wave.例文帳に追加

第１の量子波干渉層は注入された電子の各層における量子波の波長の４分の１の奇数倍に設定して電子反射層とし、第２の量子波干渉層は注入された電子の各層における量子波の波長の４分の１の偶数倍に設定して電子透過層とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the unit cell 1 for a fuel cell comprises the step of firing a laminate 2 obtained by laminating a first layer 23 yet to be fired to become the intermediate layer 13, a second layer 241 yet to be fired to become the dense electrode layer 141, and a third layer 242 yet to be fired to become the porous electrode layer 142 in this order.例文帳に追加

焼成により中間層１３になる未焼成の第１層２３と、焼成により緻密質電極１４１層になる未焼成の第２層２４１と、焼成により多孔質電極層１４２になる未焼成の第３層２４２とが、この順で積層されてなる積層体２を焼成する工程を経る。 - 特許庁

It is further effective that the coating layer 4 has a two-layer structure composed of a first coating layer (flexible layer) formed on the rubber surface of the lip 3 by thermally treating a solution containing polyorganosilazane, and a second coating layer (compact layer) formed thereon by thermally treating a solution containing perhydropolysilazane and polyorganosilazane.例文帳に追加

さらにコーティング層４は、リップ３のゴム表面に、ポリオルガノシラザンを含む溶液を熱処理して得られる第１のコーティング層（柔軟層）を形成し、さらにその上に、パーハイドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含む溶液を熱処理して得られる第２のコーティング層（緻密層）を形成した２層構造とするのが効果的である。 - 特許庁

This solid oxide fuel cell is provided with at least an electrolyte layer having oxide ion conductivity, a first electrode layer arranged on one side of the electrolyte layer, and a second electrode layer arranged on the other side of the electrolyte layer; and is further provided with a fine layer disposed on the electrolyte layer side of the second electrode layer and having the oxide ion conductivity and airtightness.例文帳に追加

上記目的を達成するために本発明は、酸化物イオン伝導性を有する電解質層と、上記電解質層の一方側に配された第１電極層と、上記電解質層の他方側に配された第２電極層とを少なくとも備えた固体酸化物型燃料電池において、上記第２電極層の上記電解質層側に設けられ、酸化物イオン伝導性および気密性を有する緻密層を備えることを特徴とする固体酸化物型燃料電池を提供する。 - 特許庁

Similarly, a static capacitance is formed between a second slide electrode 60 and a second chassis 32 by facing the second slide electrode 60 with the second chassis 32 with a paint layer 3204 inbetween in a state that the second slide electrode 60 electrically connected to the first chassis 22 is in slide contact with the second chassis 32.例文帳に追加

同様に、第１のシャーシ２２に電気的に接続された第２の摺動電極６０が第２のシャーシ３２の摺接した状態では、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２が塗装層３２０４を挟んで位置することにより、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２の間に静電容量が形成される。 - 特許庁

The metal layer 6 has a first surface at the side of the organic EL layer 9, and a second surface at the side of the oxide conductive layer 7, and the concentration of the low work-function metal on the first surface is larger than that of the one on the second surface.例文帳に追加

金属層６は、有機ＥＬ層９の側の第１表面および酸化物導電層７の側の第２表面を有し、第１表面における前記低仕事関数金属の濃度は、第２表面における前記低仕事関数金属の濃度よりも大きい。 - 特許庁

A second conductive padding diffusion layer 22 is formed in a part over the second conductive semiconductor layer 21 and the first conductive semiconductor layer 23 in a region where at least a first conductive high voltage system insulated gate version transistor B is formed.例文帳に追加

少なくとも第１導電型高電圧系絶縁ゲート型トランジスタＢを形成する領域の、第２導電型の半導体層２１と第１導電型の半導体層２３とに跨る部分に、第２導電型の埋め込み拡散層２２が形成されている。 - 特許庁

In activating the gate electrode, the semiconductor layer is formed by being brought into contact with the insulating layer on the first and the second doping layers and in the gap, so that current can flow directly between the first and the second portions of the first conductive layer across the gap.例文帳に追加

ゲート電極の活性化時に、電流が、ギャップを横切って第１導電層の第１部分と第２部分の間で直接流れるように、半導体層が、第１部分および第２部分のドーピング層の上と、ギャップ内で絶縁層に接触して形成される。 - 特許庁

The magnetic layer 13 comprises CoCr or a CoCr alloy, the second magnetic layer 15 comprises CoCrPt or a CoCrPt alloy and the first and the second magnetic layers 13 and 15 are anti-ferromagnetically exchange coupled via the RuB alloy layer 14.例文帳に追加

第１磁性層１３はＣｏＣｒまたはＣｏＣｒ合金からなり、第２磁性層１５はＣｏＣｒＰｔまたはＣｏＣｒＰｔ合金からなり、第１磁性層１３と第２磁性層はＲｕＢ合金層１４を介して反強磁性的に交換結合する。 - 特許庁

The display panel 100 includes a first substrate 10, a second substrate 11 and a display medium layer 23, wherein the first substrate is disposed in the side nearer to the illumination device of the display medium layer 23, while the second substrate is disposed in the observer side of the display medium layer 23.例文帳に追加

表示パネル１００は、第１基板１０と、第２基板１１と、表示媒体層２３とを有し、第１基板は表示媒体層２３の照明装置側に配置されており、第２基板は表示媒体層２３の観察者側に配置されている。 - 特許庁

The luminescent element part has a luminescent layer 24 for generating light by electroluminescence, first and second electrodes 30 and 40 for injecting charge into the luminescent layer, and first and second dielectric multilayer films 20a and 20b disposed in a form catching the luminescent layer.例文帳に追加

発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層２４と、発光層に電荷を注入するための第１，第２電極３０，４０と、発光層を挟む状態で配置される第１および第２誘電体多層膜２０ａ，２０ｂと、を有する。 - 特許庁

In the case of a multilayer disk, although distance from laser beam incident side (protective layer side) will become larger after the second information recording and reproducing layer, the system margin is enlarged by widening a track pitch, or lengthening the minimum mark length after the second layer.例文帳に追加

多層ディスクの場合、第２の情報記録再生層以降はレーザ光入射側（保護層側）から距離が離れていくことになるが、第２層以降、トラックピッチを広くしていくこと、或いは最小マーク長を長くしていくことでシステムマージンを大きくする。 - 特許庁

The receiving apparatus comprises at least a first module for forming a transport layer and a second module for forming an application layer, the application layer comprising a first sub-module 3 for decoding video, and a second sub-module 7 for displaying the video.例文帳に追加

受信装置は、トランスポート層を実行する第１のモジュールと、アプリケーション層を実行する第２のモジュールとを少なくとも具備し、アプリケーション層は、ビデオの復号化を実行する第１のサブモジュール３と、前記ビデオの表示を実行する第２のサブモジュール７とを有する。 - 特許庁

The first and second diodes share a first diffusion layer connected to the ground potential line, and the third and fourth diodes share a second diffusion layer which is connected to the power supply voltage line and has a different conductivity property from the first diffusion layer.例文帳に追加

第１および第２のダイオードは、接地電位線に接続された第１の拡散層を共有し、第３および第４のダイオードは、電源電圧線に接続された、第１の拡散層とは異種の導電性の第２の拡散層を共有している構成である。 - 特許庁

An adhesive agent laminate includes: a first adhesive agent layer including a first resin having an adhesive property; and a second adhesive agent layer laminated on the first adhesive agent layer and including a second resin having an adhesive property and a filler.例文帳に追加

本発明に係る接着剤積層体は、接着性を備えた第１の樹脂を含有する第１の接着剤層と、接着性を備えた第２の樹脂及びフィラーを含有し、上記第１の接着剤層に積層された第２の接着剤層と、により構成される。 - 特許庁

The signal recorded in the first recording layer are reproduced by the beam flux having first power, while a beam flux having second power larger than the power of the first beam is made to pass through the first recording layer to reproduce the signals recorded in the second recording layer.例文帳に追加

そして、第１のパワーの光束によって第１の記録層に記録された信号を再生し、また、第１の光パワーよりも大きい第２のパワーの光束を第１の記録層を通過して、前記第２の記録層に記録された信号を再生する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a substrate 20 wherein a first region 12 and a second region 14 are defined, and which includes an insulation layer 24 and a semiconductor layer 26 formed on the insulation layer 24; and MOSFETs 30 and 50 formed in the first and second regions, respectively.例文帳に追加

第１領域１２及び第２領域１４が設定されている、絶縁層２４及び絶縁層上に形成された半導体層２６を有する基板２０と、第１及び第２領域にそれぞれＭＯＳＦＥＴ３０及び５０とを備えて構成されている。 - 特許庁

A first layer 12 of a paste for an electrode is formed on a flat plate 10 by first squeeging, a second layer 14 of paste for an electrode is formed by second squeeging, and a third layer 16 of paste for an electrode is formed by third squeezing.例文帳に追加

１回目のスキージングによって平板１０上に電極用ペーストの第１の層１２を形成し、２回目のスキージングによって電極用ペーストの第２の層１４を形成し、３回目のスキージングによって電極用ペーストの第３の層１６を形成する。 - 特許庁

In a VA mode liquid crystal panel, a first slow axis is generated on a first alignment layer by irradiation with light such as UV to arrange main chains of molecules of the alignment layer and a second slow axis is generated on a second alignment layer by irradiation with light.例文帳に追加

ＶＡモードの液晶パネルにおいて、第１の配向膜には紫外線等の光照射によって、配向膜の分子の主鎖を揃えることにより第１の遅相軸を生じさせ、第２の配向膜にも光照射により第２の遅相軸を生じさせる。 - 特許庁

The optical semiconductor device has the first semiconductor layer of a first conduction type which is formed on a semiconductor substrate 1 of a first conduction type, and a second semiconductor layer of a second conduction type formed on the first semiconductor layer 2 and having a light-receiving region.例文帳に追加

光半導体装置は、第１導電型の半導体基板１の上に形成された第１導電型の第１半導体層と、該第１半導体層２の上に形成され、受光領域を有する第２導電型の第２半導体層とを有している。 - 特許庁

A substrate 1 for suspension includes an insulation layer 2, a first conductor 3 provided at one side plane of this insulation layer 2, a second conductor 4 provided at the other side plane of the insulation layer 2, and a metal substrate 5 laminated on the second conductor 4.例文帳に追加

本発明によるサスペンション用基板１は、絶縁層２と、この絶縁層２の一方の面に設けられた第１導体３と、絶縁層２の他方の面に設けられた第２導体４と、この第２導体４に積層された金属基板５とを備えている。 - 特許庁

In an FET 1, a second nitride semiconductor layer 104 is provided on a first nitride semiconductor layer 103, and a source electrode 106 and a drain electrode 107 are provided such that at least a part of the source electrode 106 and the drain electrode 107 contacts the second nitride semiconductor layer 104.例文帳に追加

ＦＥＴ１では、第１窒化物半導体層１０３の上に第２窒化物半導体層１０４が設けられ、少なくとも一部が第２窒化物半導体層１０４に接するようにソース電極１０６およびドレイン電極１０７が設けられている。 - 特許庁

A representative printing member 300 has a topmost layer 306 that is ink-receptive and does not significantly absorb imaging radiation, a second layer 304 thereunder that is hydrophilic and absorbs the imaging radiation and a metal substrate 302 under the second layer 304.例文帳に追加

代表的印刷部材３００はインク受容性で且つ顕著にはイメージング放射線を吸収しない最上層３０６、親水性で且つイメージング放射線を吸収するその下の第２層３０４、及び第２層３０４の下の金属基板３０２を有する。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery is characterized in a multilayer separator consisting of the first layer of cross-linked polyethylene minute porous membrane and the second layer of non-cross-linked polyethylene minute porous membrane, in which the second layer is abutted with a positive plate.例文帳に追加

非水電解質二次電池において、架橋したポリエチレン微多孔質膜の第１の層と、架橋していないポリエチレン微多孔質膜の第２の層とを有する多層セパレータであって、正極板に前記第２の層が当接されてなることを特徴とする。 - 特許庁

On a first conduction type semiconductor substrate 101, a first conduction type lower clad layers 103, 104, an active layer 106, a first upper clad layer 108 of a second type, and a second upper clad layer 109 of the conduction type are formed in order.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１０１上に順に積層された第１導電型の下クラッド層１０３,１０４、活性層１０６、第２導電型の第一上クラッド層１０８、および第２導電型の第二上クラッド層１０９を備える。 - 特許庁

The thin film capacitor comprises a first electrode thin film 12, a second electrode thin film 16, and a dielectric thin film 14 which is composed of a tantalum oxide layer 14b and an aluminum oxide layer 14a adjacent to the tantalum oxide layer 14b and is located between the first and second electrode thin films.例文帳に追加

第一の電極薄膜１２及び第二の電極薄膜１６と、それらの間に配置された酸化タンタル層１４ｂ及びこれに隣接した酸化アルミニウム層１４ａとにより形成される誘電体薄膜１４とを含む薄膜キャパシタとする。 - 特許庁

In the third step, a first etching is made to the extent that the resin remains on the part of the second layer corresponding to the pattern and the rest part of the first layer is exposed and a second etching is made to the remaining resin and the exposed first layer.例文帳に追加

第３ステップでは、パターンに対応する部分の第２の層上に樹脂が残存し、かつ他の部分の第１の層が露出した状態となるまで第１のエッチングを行い、残存した樹脂と露出した第１の層に対して第２のエッチングを行う。 - 特許庁

A first decorative layer 6 having a pattern 4 resolved into states of network dots and a second decorative layer 10 having a pattern 8 resolved into the states of network dots are provided on a base 2, and the second decorative layer 10 is formed of ink having multi-reflection properties.例文帳に追加

基材２上に、網状点状に分解された図柄４を有する第１の装飾層６と、網状点状に分解された図柄８を有する第２の装飾層１０とを備え、前記第２の装飾層１０は、多重反射性インキで形成する。 - 特許庁

In a V section for which the second grain layer 3 is laminated in the vertical direction so that the side of a standing wall section WL of a base die BM is covered, a plurality of tube members 9 are arranged in order to circulate air by connecting the first grain layer 2 and the second grain layer 3.例文帳に追加

ベース型ＢＭの立壁部ＷＬの側方を覆うように、第２粒層３が鉛直方向に積層されているＶ部には、第１粒層２と第２粒層３とを連結して空気を流通させるために、複数のチューブ部材９が配置されている。 - 特許庁

Furthermore, a nonconductive acoustic matching layer is included which has a first surface on the electrode side and a second surface on the opposite side of the first surface, and a conductive acoustic matching layer is included which is disposed on the second surface side of the nonconductive acoustic matching layer.例文帳に追加

さらに電極側の第１の面と、第１の面の反対側である第２の面とを有する非導電性音響整合層を備え、また、非導電性音響整合層の第２の面側に配置された導電性音響整合層を備えている。 - 特許庁

The transfer material has at least three layers of a first metal layer 101 as a carrier, a second metal layer 103 to be transferred to the substrate as a wiring pattern, and a release layer 102 for sticking the first and second metal layers so that these layers can be released.例文帳に追加

キャリアとしての第１の金属層１０１と、配線パターンとして基板へ転写される第２の金属層１０３と、第１および第２の金属層を剥離可能に貼り合わせる剥離層１０２との少なくとも３層を有する転写材である。 - 特許庁

A first intermediate rubber layer 7 is extruded to be molded on the the outer periphery of the first metal laminated sheet 17 and a tape-like second metal laminated sheet 19 is wound around the outer periphery of the first intermediate rubber layer 7 in a roll-like state to form a second impermeable layer 9.例文帳に追加

そして、第１の金属ラミネートシート１７の外周に第１の中間ゴム層７を押し出し成形し、テープ状の第２の金属ラミネートシート１９をこの第１の中間ゴム層７の外周にスシ巻きして第２の非透過層９を形成する。 - 特許庁

A flap layer 7 for covering the carrier segmentation portion 5d is superposed thereon, the flap layer 7 has a flap layer segmentation portion 7d and is segmented into a flap first section 71 and a second section 72, and the sections are partially joined with the carrier first section 51 and the second section 52 respectively.例文帳に追加

キャリア分断部５ｄを覆うフラップ層７を積層し、該フラップ層７にフラップ層分断部７ｄを設け、フラップ層第一部分７１、第二部分７２に分断し、これらをそれぞれ部分的に、キャリア第一部分５１、第二部分５２に接合する。 - 特許庁

A p-type second well 23 and an n-type layer 24 in a stray diffusion layer type output circuit are formed in self-alignment ways to completely deplete the p-type second well 23 around the n-type layer 24 and eliminate the parasitic capacity around the peripheral part of the junction.例文帳に追加

浮遊拡散層型出力回路におけるｐ型第二ウエル２３とｎ型層２４を自己整合で形成することによって、ｐ型第二ウエル２３をｎ型層２４の周辺で完全に空乏化し接合周辺部分の寄生容量をなくした。 - 特許庁

In the organic EL device 100, the sealing membrane 60 is formed over a region wider than a pixel region 10a on the upper layer of a second electrode layer 83, and in this state, the first substrate 10 and the second substrate 20 are stuck with an adhesive layer 91.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１００では、第２電極層８３の上層に画素領域１０ａよりも広い領域にわたって封止膜６０を形成しておき、この状態で、第１基板１０と第２基板２０とを接着剤層９１で貼り合せる。 - 特許庁