「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(158ページ目) - Weblio英語例文検索

A base layer 10 is formed in the second opening with a recessed cross-section by etch back and connected to the outer base 6 on the sidewall of the second opening.例文帳に追加

ベース層１０は、第２の開口の内部に、エッチバックの手法により断面凹状に形成され、第２の開口の側壁で外部ベース６と接続される。 - 特許庁

The patterned conductive layer (3) includes a plurality of first and second electrode units (31, 32), and a plurality of first and second conductive lines (33, 34).例文帳に追加

パターン化導電層（３）は、複数の第一及び第二の電極ユニット（３１、３２）と、複数の第一及び第二の導電線（３３、３４）とを含む。 - 特許庁

By this setup, a high-concentration carrier layer 3a is electrically connected to the second pad electrode 33 through the contact electrode 17 and the second wiring electrode 45.例文帳に追加

これにより、高濃度キャリア層３ａは、コンタクト電極１７及び第２配線電極４５を通して第２パッド電極３３に電気的に接続される。 - 特許庁

Furthermore, a first spacer 4 and a second spacer 5 are formed between the first reflecting mirror 2 and second reflecting mirror 3 and the active layer 1.例文帳に追加

また、第１の反射鏡２及び第２の反射鏡３と活性層１との間に、それぞれ第１のスペーサ４及び第２のスペーサ５を形成する。 - 特許庁

The electrical double-layer capacitor includes a first and a second capacitor cell 1 and 2 and a storage container 3 for storing the first, and second capacitor cells 1 and 2.例文帳に追加

電気二重層キャパシタは、第１及び第２のキャパシタセル１、２と、第１及び第２のキャパシタセル１、２を収納する収納容器３とを備える。 - 特許庁

This write conductor layout structure for a magnetic memory cell contains a data storage layer having a first width in a first direction and a second width in a second direction.例文帳に追加

磁気メモリセルのための書込導体レイアウト構造は第1の方向の第1の幅と第2の方向の第2の幅とを有するデータ記憶層を含む。 - 特許庁

The second electrode 11b is arranged such that one portion of the porous dielectric layer 14 is sandwiched by the first electrode 13 and the second electrode 11b.例文帳に追加

第２電極１１ｂは、前記第１電極１３と第２電極１１ｂとによって多孔質誘電体層１４の一部が挟まれるように配置される。 - 特許庁

A first discharge electrode 23 is installed at the bottom of the main through hole 34, and a second discharge electrode 24 is installed on the top of the second insulating layer.例文帳に追加

その主スルーホール３４の底に第１放電電極２３を設ける一方、第２絶縁層の上面に第２放電電極２４を設ける。 - 特許庁

The second set is disposed on the second layer of the substrate and has at least two working zones diagonally opposed and spatially offset relative to one another.例文帳に追加

第２セットは基板の第２レイヤ上に配置され、対角線上に対向し互いに空間的にオフセットされた少なくとも２つのワーキング・ゾーンを有する。 - 特許庁

A nonvolatile resistance change element comprises a first electrode 1, a second electrode 2, and a resistance change layer 3 disposed between the first electrode 1 and the second electrode 2.例文帳に追加

第１電極１と、第２電極２と、第１電極１と第２電極２との間に配置された抵抗変化層３とが設けられている。 - 特許庁

Further in the upper surface of the semiconductor layer 4, a second field-effect transistor having a second gate electrode and constituting the memory circuit is formed.例文帳に追加

また、半導体層４の上面内には、第二のゲート電極を有し、メモリ回路を構成する第二の電界効果型トランジスタが形成されている。 - 特許庁

The first specific resistance of the first region 17a of the first gallium nitride-based semiconductor layer 17 is smaller than the second specific resistance of the second region 17b.例文帳に追加

第１の窒化ガリウム系半導体層１７の第１の領域１７ａの第１の比抵抗は第２の領域１７ｂの第２の比抵抗より小さい。 - 特許庁

Thereafter, a second dopant of a second conductivity type is implanted into the substrate 1 on the first main side and is diffused into the substrate 1 to form a base layer.例文帳に追加

その後で、第二の導電性タイプの第二のドーパントが、第一のメインサイドで基板１の中に注入され、基板１の中に拡散され、ベース層を形成する。 - 特許庁

The organic EL light emitting device has the first electrode and a second electrode arranged on a substrate, and at least a light emitting layer is laid between the first and the second electrodes.例文帳に追加

基板の上に配置された第１の電極と第２の電極との間に、少なくとも発光層を備えた有機ＥＬ発光素子である。 - 特許庁

The operational logic gates 20, the first subgroup 22, and the second subgroup 24 are formed on the substrate layer, with the first subgroup 22 being spaced from the second subgroup 24.例文帳に追加

オペレーショナルロジックゲート(20)、第1サブグループ(22)及び第2サブグループ(24)は、基板層上に形成され、第1サブグループ(22)は、第2サブグループ(24)から間隔をおいて配置される。 - 特許庁

The first organic electroluminescent diode comprises a first electrode, a second electrode, and a first organic light emitting layer disposed between the first and second electrodes.例文帳に追加

第１有機電界発光ダイオードは第１電極、第２電極及び第１電極と第２電極間に位置する第１有機発光層を具備する。 - 特許庁

The surface emitting laser includes a first mirror 110, a second mirror 120 and an active layer 160 formed between the first and second mirrors 110 and 120.例文帳に追加

第１のミラー１１０と、第２のミラー１２０と、該第１のミラー１１０と該２のミラー１２０との間に形成されている活性層１６０とを有する。 - 特許庁

A nonvolatile memory device comprises first and second control gates 304, 305 formed above a substrate 301 via a second gate insulating layer 306 made of an ONO film.例文帳に追加

基板３０１の上方にＯＮＯ膜からなる第２のゲート絶縁層３０６を介して第１及び第２のコントロールゲート３０４，３０５が形成されている。 - 特許庁

A soft magnetic laminate, having ≤500 Å thickness and constituted of a soft magnetic layer and a non-magnetic layer or a first soft magnetic layer and a second soft magnetic layer, having a crystal structure different from that of the first soft magnetic layer is provided between a non-magnetic substrate and a perpendicalar magnetic recording layer.例文帳に追加

非磁性基板と、垂直磁気記録層との間に、５００オングストローム以下の厚さを有する軟磁性層及び非磁性層から構成されるか、あるいは第１の軟磁性層及び第１の軟磁性層と異なる結晶構造を有する第２の軟磁性層から構成される軟磁性積層体を設ける。 - 特許庁

The level display pad 5 consists of two layers, i.e. a first layer of a metal layer 5b, formed by plating on a metal layer 5a which is formed simultaneously with the substrate electrode 21 on the wiring board 2, and a second layer 5c, formed on the first layer of metal layer 5b and comprising a material that is to be removed by an organic solvent.例文帳に追加

レベル表示パッド５は、２層からなり、配線基板２の基板電極２１と同時に形成された金属層５ａの上にめっきによって形成された第１層である金属層５ｂと、第１層である金属層５ｂの上に形成され有機溶剤によって除去される材質からなる第２層５ｃからなる。 - 特許庁

The support member includes an insulation layer 212, a first wiring layer 214 disposed on a side closer to a second face 211B with respect to the insulation layer, and a first plug 216 which is through the insulation layer at a location where the seconde region of the first electrode and a first wiring layer overlap with each other in a plan view, and which connects the first wiring layer and the first electrode.例文帳に追加

支持部材は、絶縁層２１２と、絶縁層よりも第２面２１１Ｂ側に配置された第１配線層２１４と、平面視で第１電極の第２領域及び第１配線層が重なる位置にて絶縁層を貫通して第１配線層と第１電極とを接続する第１プラグ２１６とを含む。 - 特許庁

Since the impurity diffusion prevention layer 8 composed of In_yGa_1-yN is formed in proximity to the active layer 5; p-type impurities existing in the p-type clad layer 10, the p-type second guide layer 9, etc. can be accumulated in the impurity diffusion prevention layer 8, thereby preventing the diffusion of the p-type impurities into the active layer 5.例文帳に追加

活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 - 特許庁

Thicknesses of the first adsorption layer (36)-the fourth adsorption layer (39) are made thicker in order of the first adsorption layer (36), the second adsorption layer (37), the third adsorption layer (38) and the fourth adsorption layer (39), and a thickness ranging over from the upstream of an air flow to the downstream thereof is substantially uniformized, when the adsorbent (35a) is swollen by absorbing the moisture.例文帳に追加

そして、第１吸着層（36）〜第４吸着層（39）の厚みは、第１吸着層（36）、第２吸着層（37）、第３吸着層（38）、第４吸着層（39）の順に大きくなっており、吸着剤（35a）が吸湿により膨潤すると、空気流の上流側から下流側にかけての厚みが略均一となる。 - 特許庁

The information layer 8 includes a recording layer 2 capable of recording and reproducing the information by irradiation with a laser beam 7 of a designated wavelength, a first protecting layer 1 arranged on a side for an incoming laser beam to the recording layer 2 and a second protecting layer 3 arranged on an opposite side of the incoming laser beam to the recording layer 2.例文帳に追加

情報層８は、所定波長のレーザー光７を照射することにより情報の記録及び再生が可能な記録層２と、記録層２に対しレーザー光入射側に配置された第１の保護層１と、記録層２に対しレーザー光入射側と反対側に配置された第２の保護層３とを含んでいる。 - 特許庁

The dielectric member produced by the method has a first fluorite type oxide layer, a second fluorite type oxide layer, a third ABO_3 perovskite type oxide dielectric layer, and a fourth ABO_3 perovskite type oxide dielectric layer on the substrate, and has a {100} oriented perovskite type dielectric layer formed on the fourth ABO_3 perovskite type oxide layer.例文帳に追加

基板上に少なくとも、第一の蛍石型酸化物層、第二の蛍石型酸化物層、第三のABO_3ペロブスカイト型酸化物導電層、第四のABO_3ペロブスカイト型酸化物導電層を有し、第四のABO_3ペロブスカイト型酸化物導電層上に｛１００｝配向であるペロブスカイト型誘電層を形成する。 - 特許庁

To avoid this problem, selective etching is performed on a first cap layer 5 by using a phosphoric acid based etchant after the layer is subjected to etching using the hydrochloric acid-based etchant so as to remove the first cap layer 5 including a portion of the second cap layer 6 and the alteration product D that remain on the first cap layer 5 from a cladding layer 4.例文帳に追加

そこで、塩酸系エッチャントによるエッチングに引き続き、リン酸系エッチャントを用いて、第１のキャップ層５を選択エッチングすることにより、第１のキャップ層５に残留する第２のキャップ層６の一部と変質物Ｄとを、第１のキャップ層５と共にクラッド層４の表面から除去する。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes a second layer laminated on the first layer, and having two substrates and a liquid crystal layer formed between the two substrates, wherein a part of a substrate facing to the first layer between the two substrates is stuck to a substrate of the first layer, to be thereby laminated on the first layer.例文帳に追加

また、液晶表示素子は、第一の層に積層された層であって、二つの基板と、二つの基板間に形成された液晶層とを有し、二つの基板のうち第一の層に対向する基板の一部が第一の層の基板と接着されることで、第一の層に積層された第二の層を有する。 - 特許庁

A first insulating layer 150 having an opening for exposing a drawing area of the first wiring layer 140 is provided on one main surface of an insulating resin layer 130, and a second insulating layer 152 is provided on the first insulating layer 150 so as to expose the opening of the first insulating layer.例文帳に追加

絶縁樹脂層１３０の一方の主表面に第１の配線層１４０の引き出し領域が露出する開口部を有する第１の絶縁層１５０が設けられており、第１の絶縁層１５０の上に第１の絶縁層の開口部が露出するような第２の絶縁層１５２が設けられている。 - 特許庁

In a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer which exhibits a blue phase is sandwiched between a first substrate and a second substrate, a pixel electrode layer is electrically connected to a drain electrode layer of a transistor and a common electrode layer is electrically connected to a conductive layer formed by the same step as the drain electrode layer via an interlayer film.例文帳に追加

第１の基板と第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、層間膜を介して画素電極層はトランジスタのドレイン電極層と、共通電極層はドレイン電極層と同工程で形成される導電層と電気的に接続する。 - 特許庁

Between the lower electrode 2 and the function layer 5a, a second polycrystalline semiconductor layer 3b, which has a lower speed of anodization with the electrolytic solution as compared with the first polycrystalline semiconductor layer and which is to serve as a stop layer that selectively anodizes the first polycrystalline semiconductor layer, is provided directly under the function layer 5a.例文帳に追加

下部電極２と機能層５ａとの間において機能層５ａの直下に、第１の多結晶半導体層よりも電解液による陽極酸化速度が遅く第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層３ｂが設けられている。 - 特許庁

A mixture layer 9 composed of a hole transport material and a metal oxide material is formed, on a surface of the anode 2 on the side of the light emitting layer 5, by laminating a first hole transport layer 3a, a metal oxide layer 4, and a second hole transport layer 3b in this order on the surface of the anode 2 on the side of the light emitting layer 5.例文帳に追加

陽極２の発光層５側の面に、第一のホール輸送層３ａと金属酸化物層４と第二のホール輸送層３ｂとがこの順で積層されることによって、陽極２の発光層５側の面にホール輸送材料と金属酸化物材料とからなる混合層９が形成される。 - 特許庁

Further, the other side not provided with the near IR ray absorption layer 12 of the transparent resin film 11 is provided, successively from the transparent resin film 11 side, with a second interference layer 14, a hard coat layer 15, and a reflection reducing layer 18 composed of a high refractive index layer 16 and a low refractive index layer 17.例文帳に追加

更に、透明樹脂フィルム１１の近赤外線吸収層１２が設けられていない他方の面には、透明樹脂フィルム１１側から順に、第二の干渉層１４、ハードコート層１５並びに高屈折率層１６及び低屈折率層１７よりなる減反射層１８が設けられている。 - 特許庁

This surface material for the electric carpet is composed of a polypropylene film 1, a first polyolefin resin layer 3, a glass nonwoven fablic layer 4, a second polyolefin resin layer 5, and a felt layer 6 successively stacked, the film 1 is provided with a decorative layer 2 on its rear face, and an adhesion face with the film 1, of the first polyolefin resin layer 3 is oxidized.例文帳に追加

上から順に、ポリプロピレンフィルム１、第１のポリオレフィン系樹脂層３、ガラス不織布層４、第２のポリオレフィン系樹脂層５、フェルト層６が積層され、上記フィルム１は、裏面に装飾層２が形成され、上記第１のポリオレフィン系樹脂層３の上記フィルム１との接着面が表面酸化処理されている。 - 特許庁

The resistance of a contact part of a conductive layer (wiring layer IL2), in a first via hole VH with a deep via depth BDE and a wiring layer IL1, is set smaller than the resistance of a contact part of the conductive layer (wiring layer IL2) in a second via hole VH with a shallow via depth BDE and the wiring layer IL1.例文帳に追加

ビア深さＢＤＥの深い第１のビアホールＶＨ内の導電層（配線層ＩＬ２）と配線層ＩＬ１との接触部の抵抗は、ビア深さＢＤＥの浅い第２のビアホールＶＨ内の導電層（配線層ＩＬ２）と配線層ＩＬ１との接触部の抵抗よりも小さくなっている。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element where a reflection layer composed of a plurality of layers having different refractive indeces is formed on a substrate and a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are formed thereon in sequence, an area including a semiconductor impurity of high concentration is provided in the periphery of the reflection layer and first clad layer.例文帳に追加

基板上に、屈折率の異なる複数の層から成る反射層を設け、この反射層上に、第一のクラッド層、活性層、および第二のクラッド層を設けた半導体発光素子において、前記反射層と第一のクラッド層の周辺部に半導体不純物を高濃度に含有する領域を設けた。 - 特許庁

The processing method of substrate for removing a resist layer 3 and a polymer layer 5 form a substrate W following etching comprises a first step for rendering the surface part 6 of a resist layer 3 and a polymer layer 5 existing on a substrate W to be hydrophilic, and a second step for subsequently removing the resist layer 3 and the polymer layer 6 with a processing liquid.例文帳に追加

エッチング後の基板Ｗからレジスト層３およびポリマー層５を除去する基板処理方法であって、基板Ｗ上に存在するレジスト層３およびポリマー層５の表面部分６を親水性にする第１工程と、その後処理液によりレジスト層３およびポリマー層６を除去する第２工程とを具備する。 - 特許庁

Thus, it is difficult for heat conducted through the first metal layer 28 to be conducted to the upper shield layer 27 via the first organic insulating layer 30, but easy to be conducted to a second metal layer 23 via a gap layer 25 made of an inorganic insulating material higher in thermal conductivity than the organic insulating layer.例文帳に追加

これによって前記第１金属層２８に伝わった熱が、前記第１有機絶縁層３０を介して前記上部シールド層２７にまで伝わりにくく、前記有機絶縁層よりも熱伝導率の高い無機絶縁材料からなるギャップ層２５を介して第２金属層２３に伝わりやすい。 - 特許庁

It is further effective that the coating layer 4 has a two layer structure composed of a first coating layer (flexible layer) formed on the rubber surface of the seal member 3 by thermally treating a solution containing polyorganosilazane, and a second coating layer (compact layer) formed thereon by thermally treating a solution containing perhydropolysilazane and polyorganosilazane.例文帳に追加

さらにコーティング層４は、シール部材３のゴム表面に、ポリオルガノシラザンを含む溶液を熱処理して得られる第１のコーティング層（柔軟層）を形成し、さらにその上に、パーハイドロポリシラザン及びポリオルガノシラザンを含む溶液を熱処理して得られる第２のコーティング層（緻密層）を形成した２層構造とするのが効果的である。 - 特許庁

This superconductive cable core has a first superconductor layer 3 disposed around a winding core 1, an electric insulation layer 6 disposed around the first superconductor layer 3, a second superconductor layer 7 disposed around the electric insulation layer 6, and a temperatures monitoring layer 10 storing at least one optical fiber 11.例文帳に追加

巻芯１の周囲に配置される第１の超電導体層３と、第１の超電導導体層３の周囲に配置される電気絶縁層６と、電気絶縁層６の周囲に配置される第２の超電導体層７と、少なくとも１本の光ファイバ１１を収めた温度モニタリング層１０とを有する。 - 特許庁

The light emitting element array has a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer formed in order on a semi-insulating substrate, and also has an anode electrode formed on the first semiconductor layer and a cathode electrode 30 formed on the fourth semiconductor layer 28.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層２８上にカソード電極３０が形成されて構成される。 - 特許庁

The surface emitting type semiconductor laser 1000 comprises a luminous section 100; a commutation section 200; a first conductive layer 300 for electrically connecting an upper mirror layer 140 and an upper semiconductor layer 270; and a second conductive layer 400 for electrically connecting a lower mirror layer 120 and a lower semiconductor layer 250.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１０００は、発光部１００と、整流部２００と、上部ミラー層１４０及び上部半導体層２７０を電気的に接続する第１の導電層３００と、下部ミラー層１２０及び下部半導体層２５０を電気的に接続する第２の導電層４００と、を含む。 - 特許庁

The trench power MOSFET comprises a first conductivity-type epitaxial layer 2, a second conductivity-type body layer 3, and a first conductivity-type source diffusion layer 7 on a first conductivity-type semiconductor substrate 1; further comprises a trench gate electrode 22 which penetrates the source diffusion layer 7 and the body layer 3, and is formed in a trench reaching the epitaxial layer 2.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１の上部には、第１導電型のエピタキシャル層２、第２導電型のボディ層３、第１導電型のソース拡散層７を備え、ソース拡散層７及びボディ層３を貫通しエピタキシャル層２に達するトレンチ内部に形成されるトレンチゲート電極２２を備える。 - 特許庁

A first transparent dielectric layer 2, a reproduction layer 3 which is in the in-plane magnetization state at normal temperature and in a perpendicularly magnetized state accompanied by temperature rise, a second transparent dielectric layer 11, a metal film layer 4, a recording layer 5 consisting of a perpendicularly magnetized film and a protective layer 6 are successively formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、第１の透明誘電体層２と、室温において面内磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態となる再生層３と、第２の透明誘電体層１１と、金属膜層４と、垂直磁化膜からなる記録層５と、保護層６とを順次形成する。 - 特許庁

A circuit substrate 65 on which a high frequency superimpose circuit 40 is formed is a multi-layer substrate, the high frequency superimpose circuit 40 is formed in a fourth layer 74 located at the innermost part of a shield case of the multi-layer substrate, a third layer 73 is a power source circuit, and a whole second layer 72 is a ground layer.例文帳に追加

上記高周波重畳回路４０が形成された回路基板６５を多層基板とし、この多層基板のシールドケースの最も内側に位置する第４層７４に上記高周波重畳回路４０を形成するとともに、第３層７３を電源回路とし、第２層７２を全面グランド層とする。 - 特許庁

In this HBT, a collector layer is comprised of a first collector layer 26, in contact with a collector contact layer 25 and a second collector layer 27 in contact with a base layer 28, and is further formed of an intrinsic collector region facing a mesa type emitter layer 29 and an external collector region outside the intrinsic collector area.例文帳に追加

ＨＢＴにおいて、コレクタ層を、コレクタコンタクト層２５に接する第１のコレクタ層２６とベース層２８に接する第２のコレクタ層２７とで構成するとともに、メサ型のエミッタ層２９に対向する真性コレクタ領域とこの真性コレクタ領域の外側に位置する外部コレクタ領域とで形成している。 - 特許庁