「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(154ページ目) - Weblio英語例文検索

The upper laminate has structure, where a non-magnetic layer 5y is sandwiched by a first ferromagnetic layer 5x and a second one 5y in a thickness direction.例文帳に追加

上部の積層膜は、非磁性層５ｙを第１の強磁性層５ｘ及び第２の強磁性層５ｙで厚み方向に挟んだ構造を有する。 - 特許庁

The optical information recording/reproducing device registers the predetermined area in the second layer corresponding to the defect position of the first layer, as the defective area.例文帳に追加

また、光情報記録媒体は、第１の層の欠陥の位置と対応する第２の層における所定の領域を欠陥領域として登録する。 - 特許庁

The first layer 20 has an internal face 22 impermeable to air, while the second layer 40 has a first face 44 impermeable to air.例文帳に追加

第１の層は空気に対して不透過性を示す内面（２２）を有し、第２の層は空気に対して不透過性を示す第１の面（４４）を有する。 - 特許庁

Finally, the processed layer 4 is etched by using the thin film 5 and the second pattern 11 as masks, thereby forming the desired pattern 16 in the processed layer 4.例文帳に追加

最後に、薄膜５と第２のパターン１１とをマスクとして被加工層４をエッチングすることにより、被加工層４に所望のパターン１６を形成する。 - 特許庁

In addition, the second layer 14 is preferably formed of a closed cell structure foaming material and the first and the third layer 12 and 16 are preferably formed of a silica material.例文帳に追加

第二の層１４は独立気泡構造発泡材からなることが好ましく、第一及び第三の層１２、１６はシリカ材料を有することが好ましい。 - 特許庁

The diffusion region 6b of a first source-drain 6 comprises an n^+ type layer and the diffusion region 7b of a second source-drain 7 comprises an n^- type layer.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン６の拡張領域６ｂはｎ^+型層により、第２のソース／ドレイン７の拡張領域７ｂはｎ^-型層により構成される。 - 特許庁

The ceramic heater 22 is bonded to an oxygen concn. cell element 20 on the side of the first heater main body layer 28 through a second insulating layer 27.例文帳に追加

そして、セラミックヒータ２２は酸素濃淡電池素子２０に対し、第一ヒータ本体層２８側において第二絶縁層２７を介して接合される。 - 特許庁

In addition, the first and second connections 25A and 25B are brought into contact with each other at the intermediate section of the first insulating layer 17A in the thickness direction of the layer 17A.例文帳に追加

そして、第1の接続部２５Ａと第２の接続部２５Ｂとは、第1の絶縁層１７Ａの厚み方向に於いて、その中間部にてコンタクトしている。 - 特許庁

After an Si_3N_4 film and a second SiO_2 film are formed on an intrinsic base layer, a surronding region of the intristic base layer is etched to form an external base formation region.例文帳に追加

真性ベース層上にＳｉ_3Ｎ_4膜と第２のＳｉＯ_2膜を形成後、真性ベース層の周辺領域をエッチングして外部ベース形成領域を形成する。 - 特許庁

The image recording and reading apparatus employs the image detector 10 formed by stacking a first stripe electrode 12, a photo conductive layer 13, a rectifier layer 14, and a second stripe electrode 16.例文帳に追加

第１ストライプ電極１２、光導電層１３、整流層１４、第２ストライプ電極１６を積層してなる画像検出器１０を使用する。 - 特許庁

A bridge connection part 26 connects a VPN virtual LAN interface 25 and a communication device LAN interface 27 via a data link layer which is a second layer of the OSI reference model.例文帳に追加

ブリッジ接続部２６は、ＶＰＮ仮想ＬＡＮインタフェース２５と通信装置ＬＡＮインタフェース２７とをＯＳＩ参照モデルの第２層であるデータリンク層で接続する。 - 特許庁

Since the aluminum composition is made high, the small region S which cannot be covered by the first group III nitride compound semiconductor layer 1, can be covered by the second III nitride compound semiconductor layer 4 (b).例文帳に追加

基板温度を下げ、供給源量を切換えて、アルミニウム組成が高い第２のIII族窒化物系化合物半導体層４を形成する。 - 特許庁

The first layer or the set of layers is provided with relatively hard and strong physical properties and the second layer, with relatively soft and flexible physical properties.例文帳に追加

第１の層又は層のセットには比較的硬く丈夫な、第２の層には比較的軟質又は可鍛性を有する物理的性質を備えさせる。 - 特許庁

In the image protective film 1 with this constitution, the second protective layer 3b and/or the release layer 4 have a surface resistance value of 1×10^11 Ω or less.例文帳に追加

このような構成の画像保護フィルム１において、第２保護層３ｂ及び／又は離型層４の表面抵抗値を１×１０^１１Ω以下とする。 - 特許庁

That is, the second light absorption layer 34 is formed upstream in the emission direction of the writing of the photoconductive layer 20 of the display medium 12.例文帳に追加

すなわち、第２の光吸収層３４は、表示媒体１２の光導電層２０より書込光の照射方向上流側に設けられている。 - 特許庁

The thick silicon oxide film (second insulating film) 25a prevents oxygen from entering an interface between an embedded insulating layer 12 and the semiconductor layer 13.例文帳に追加

この厚いシリコン酸化膜（第２の絶縁膜）２５ａによって埋込み絶縁層１２と半導体層１３との界面への酸素の侵入を防ぐ。 - 特許庁

An antenna 1 of a layered structure (a first layer 2 and a second layer 3) provided on a semiconductor substrate 4 is used as the antenna 1 generating near-field light.例文帳に追加

近接場光を発生するアンテナ１として、半導体基板４上に設けられた層構造（第１の層２及び第２の層３）のアンテナ１を用いる。 - 特許庁

The heating material 25 includes a first layer of rock stones 25a and crushed stones 25b for generating far-infrared rays by heating and a second layer composed of wood charcoal 25c.例文帳に追加

発熱材２５は、加熱により遠赤外線を発生する岩盤石２５ａ、砕石２５ｂからなる第１層と、木炭２５ｃからなる第２層とを含む。 - 特許庁

A p-type AlGaInP second upper cladding layer 28 of the 780 nm wavelength band laser 12 is etched to an ESL layer 26 to form ridge waveguides 32.例文帳に追加

７８０ｎｍ帯波長レーザ１２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２８はＥＳＬ層２６までエッチングされてリッジ導波路３２が形成されている。 - 特許庁

Then the insulating layer is etched using the patterned resist as a mask to form a second groove corresponding to the outline of the main magnetic pole auxiliary layer.例文帳に追加

次にパターンニングされたレジストをマスクとして絶縁層をエッチングすることにより、主磁極補助層の外郭に対応した第2の溝を形成する。 - 特許庁

The first terminals 4 are constituted using the electrodes of the layer portion 10S1, and the second terminals are constituted using the electrodes of the layer portion 10S2.例文帳に追加

第１の端子４は階層部分１０Ｓ１の電極を用いて構成され、第２の端子は階層部分１０Ｓ２の電極を用いて構成されている。 - 特許庁

A top surface 42 of the Schottky layer directly under the resistive layer opening 38 provides a recess 44 having a second width W2 narrower than the first width W1.例文帳に追加

上記抵抗層開口部38直下の上記ショットキー層の上部表面42により、第一の幅W1よりも小さな第二の幅W2をもつリセス44ができる。 - 特許庁

The excellent current constriction can be obtained by Schottky junction through the compound layer 115 of the second upper clad layer 109 and the p site electrode 114.例文帳に追加

第２上クラッド層１０９とｐ側電極１１４との化合物層１１５を介したショットキー接合により優れた電流狭窄性が得られる。 - 特許庁

An electrode (34), jointed to the metal grid and the second electrode, supplies current to the organic layer or receives current from the organic layer.例文帳に追加

電極（３４）が、金属グリッド及び第２の電極に結合されて、有機層に電流を供給し又は該有機層（２６）から電流の供給を受ける。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting device 1, a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer 14, 18 are provided on a main surface of a substrate 10.例文帳に追加

半導体発光デバイス(1)では、第１導電型半導体層および第２導電型半導体層(14、18)は、基板(10)の主面上に設けられている。 - 特許庁

Thereafter, a second covering layer L2 is formed on a surface of the particle P forming the first covering layer L1 by wet coating of the water based membrane agent liquid.例文帳に追加

その後、第１被覆層Ｌ１を形成した粒子Ｐの表面に水系膜剤液の湿式コーティングにより第２被覆層Ｌ２を形成する。 - 特許庁

An organic EL layer 24 and a second electrode 25 are laminated in this order on the metallic layer 22b constituting a first electrode of the organic EL element 23.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２３の第１電極を構成する金属層２２ｂ上に、有機ＥＬ層２４及び第２電極２５が順に積層形成されている。 - 特許庁

The adhesive sheet 1 is constituted of the first adhesive layer 2 of an adhesive having low tackiness and the second adhesive layer 3 of an adhesive having high tackiness.例文帳に追加

第１接着剤層２はタック性の小さい接着剤、第２接着剤層３はタック性の大きい接着剤で接着シート１を構成した。 - 特許庁

The third polysilicon layer 112 and the first metal silicide layer 113 used as a control gate electrode are formed on the second gate insulating film 111.例文帳に追加

第２ゲート絶縁膜１１１上には、制御ゲート電極となる第３ポリシリコン層１１２と第１金属シリサイド層１１３が形成されている。 - 特許庁

The vicinities 204a and 206a of the edges of an AlP first barrier layer 204 and an AlP second barrier layer 206 are composed of chemically stable oxides.例文帳に追加

ＡｌＰ第１バリア層２０４およびＡｌＰ第２バリア層２０６の端面近傍２０４ａ，２０６ａは、化学的に安定な酸化物になっている。 - 特許庁

A first gas layer is supplied to the space between the chuck and wafer 140 and a second gas layer is supplied to the space between the pedestal 102 and chuck.例文帳に追加

第１のガス層はチャックとウエハ１４０との間に供給され、第２のガス層はペデスタル１０２とチャックとの間の空間に供給される。 - 特許庁

In a semiconductor light-emitting element 10, a semiconductor layer 11 has a first surface and a second surface opposite to the first surface and has a multilayer structure including an active layer.例文帳に追加

半導体発光素子１０では、半導体層１１は第１の面と第１の面に対向する第２の面を有し、活性層を含む多層構造である。 - 特許庁

A second barrier layer 80b is formed wider than a data line 6a, and one end of the layer 80b is overlapped on the pixel electrode 9a to determine the pixel opening region.例文帳に追加

第２バリア層（８０ｂ）は、データ線（６a）より幅広に設けられており、その一端が画素電極（９a）に重なって、画素開口領域を規定する。 - 特許庁

In the second wiring layer 230 also, a film thickness d21 at the intersection part 280 with the first wiring layer 210 is thinner than a film thickness d22 of its peripheral part.例文帳に追加

第２の配線層２３０も、第１の配線層２１０との交差部分２８０の膜厚ｄ２１は、その周辺部分の膜厚ｄ２２よりも薄い。 - 特許庁

A mesa structure 31 comprising a second conductive cladding layer 37 as InP, an etched active region 35 and a first conductive cladding layer 33 are formed.例文帳に追加

ＩｎＰである第２導電型クラッド層３７、エッチングされた活性領域３５、および第１導電型クラッド層３３を含むメサ構造３１を形成する。 - 特許庁

Accordingly, a barrier against movement of electrons from the second clad layer 23 to an active layer including quantum fine wires 17a due to the band offsets are reduced.例文帳に追加

従って、このバンドオフセットに起因する第２クラッド層２３から量子細線１７ａを含む活性層への電子の移動に対する障壁を低減できる。 - 特許庁

An inductor 21 is formed on the dielectric material layer 36 and the inductor 21 is substantially surrounded by the second conductive material layer 39.例文帳に追加

誘電体材料層３６上にはインダクタ２１が形成され、そのインダクタ２１は第２導電材料層３９によって実質的に包囲されている。 - 特許庁

An epoxy coating is applied as a first layer to the screw groove 12 and a rubber-based coating is applied as a second layer onto the surface.例文帳に追加

このねじ溝１２には第１層としてエポキシ系塗料が塗布されており、さらに、その表面には第２層としてゴム系塗料が塗布されている。 - 特許庁

A first layer 13 formed of tin and a second layer 14 formed of a metal capable of forming an alloy with tin are formed in each opening in that order.例文帳に追加

該開口部内にスズからなる第１の層１３及びスズと合金の形成可能な金属からなる第２の層１４をこの順で形成する。 - 特許庁

After that, a second single-crystal semiconductor layer is disposed over the insulating substrate so as to overlap with one part of a region where the first single-crystal semiconductor layer is disposed.例文帳に追加

そのあとで、絶縁基板に第２の単結晶半導体層を、第１の単結晶半導体層を配置した領域の一部と重なるように配置する。 - 特許庁

The patterned conductive layer 33 is disposed on the second surface 312 of the substrate 31, and the patterned conductive layer 35 is electrically connected to the pixel electrode array 32.例文帳に追加

パターン導電層３３は基板３１の第二表面３１２に設置され、さらに、パターン導電層３３はピクセル電極アレイ３２に電気的に接続される。 - 特許庁

In this case, the insulating film 102 is served to electrically insulate the semiconductor substrate from the first electrode layer 110 and the second electrode layer 120.例文帳に追加

ここで、絶縁膜１０２は半導体基板１０１と第１電極層１１０及び第２電極層１２０とを電気的に絶縁するためのものである。 - 特許庁

The height at which the first layer extends and is attached to the second layer can vary along the upper in a toe-to-heel direction.例文帳に追加

その高さまで第１の層が延在すると共に第２の層に取着される高さは、アッパーに沿ってつま先‐踵方向で変化させることができる。 - 特許庁

The specific resistance ρ29 of the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is lower than the specific resistance ρ27 of the first p-type group III nitride semiconductor layer 27.例文帳に追加

第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 - 特許庁

The semiconductor optical element 1 has a first conductivity type semiconductor region 3, an active layer 5, a potential control layer 2, and a second conductivity type semiconductor region 7.例文帳に追加

半導体光素子１は、第１導電型半導体領域３と、活性層５と、電位制御層２と、第２導電型半導体領域７とを備える。 - 特許庁