「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(160ページ目) - Weblio英語例文検索

On an n-GaAs substrate 101, there are provided n-AlGaAs first, second bottom cladding layers 103, 104; a multiplex distorted quantum well active layer 106; p-AlGaAs first, second top cladding layers 109, 111; a p-GaAs contact layer 112; and a p^+-GaAs contact layer 113.例文帳に追加

ｎ−ＧaＡs基板１０１上に、ｎ−ＡlＧaＡs第１,第２下クラッド層１０３,１０４と、多重歪量子井戸活性層１０６と、ｐ−ＡlＧaＡs第１,第２上クラッド層１０９,１１１と、ｐ−ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+−ＧaＡsコンタクト層１１３を備える。 - 特許庁

The adhesive layer 60 has a transparent film 62, a first adhesive layer 64 which is provided on the face of the transparent film 62 which faces to the first optical sheet 38 and a second adhesive layer 66 which is provided on the face of the transparent film 62 which faces to the second optical sheet 32.例文帳に追加

接着層６０は、透明フィルム６２と、透明フィルム６２が第１の光学シート３８に臨む面に設けられた第１接着層６４と、透明フィルム６２が第２の光学シート３２に臨む面に設けられた第２接着層６６とを備えている。 - 特許庁

A second GaN semiconductor layer 300 is formed on the upper surface of the step part 140, and at the same time, a third GaN semiconductor layer 400 is formed on the SiO2 film 6 due to the growth in the crosswise direction of the second GaN semiconductor layer 300.例文帳に追加

段差部４０の上面上に第２のＧａＮ系半導体層３００が形成されるとともに、第２のＧａＮ系半導体層３００の横方向の成長により、ＳｉＯ_2 膜６上に第３のＧａＮ系半導体層４００が形成される。 - 特許庁

A second resist layer pattern is formed, covering the part other than the part to form the wiring pattern including a couple of electrodes, and electrolytic plating is conducted, using such a resist layer as the mask for the plating, in view of forming the second metal layer 23 pattern which is the same as the wiring pattern.例文帳に追加

２個の電極を含む配線パターンを形成する部位以外を被覆するパターン形状の第２のレジスト層を形成し、これをめっきマスクとして電解めっきを施し、配線パターンと同じパターン形状の第２の金属層２３を形成する。 - 特許庁

The EL device 10 has a first electrode 30, an El layer 40 provided on the first electrode 30, a second electrode 50 provided so as to cover the EL layer 40, and a barrier layer 52 provided in direct contact with the second electrode 50.例文帳に追加

ＥＬ装置１０は、第１の電極３０と、第１の電極３０上に設けられたＥＬ層４０と、ＥＬ層４０を覆うように設けられた第２の電極５０と、第２の電極５０に直接接触して設けられたバリア層５２と、を有する。 - 特許庁

The first resin layer contains a first resin having a first reactive group; the resin particle layer contains a crosslinked resin, having a second reactive group that can crosslink with the first reactive group; and the second resin layer is formed to fill gaps among the resin particles.例文帳に追加

第１樹脂層は、第１反応性基を有する第１樹脂を含み、樹脂粒子層は、前記第１反応性基と架橋反応し得る第２反応性基を有する架橋樹脂を含み、第２樹脂層は、前記樹脂粒子間の隙間を埋めるように設けられる。 - 特許庁

Then, by supplying a second polymer solution 32 not containing the medical agent to the mold 20 where the first polymer layer 16 is formed and solidifying it, a polymer sheet 34 having the configuration that the first polymer layer 16 and the second polymer layer 18 are laminated is formed.例文帳に追加

そして、第１ポリマー層１６が形成されたモールド２０に、薬剤を含まない第２ポリマー溶解液３２を付与して固化することにより、第１ポリマー層１６と第２ポリマー層１８とが積層された構成を有するポリマーシート３４を形成する。 - 特許庁

In the next step, the first removing layer 4 and the exposed part of the second removing layer 8 without the mask of the inorganic material pattern 6 are removed from the transcript 20 to form a spacer including the inorganic material pattern 6 and a part of the second removing layer 8 covered with the pattern.例文帳に追加

その後、転写体２０から第１剥離層４を除去し、無機材料パターン６をマスクとして第２剥離層８の露出部分を除去することで、無機材料パターン６とそれにより覆われた第２剥離層部分とを含んでなるスペーサを形成する。 - 特許庁

An infrared detection element comprises: a first quantum dot layer 1 formed by laminating a barrier layer 12 having quantum dots 11 embedded therein; a pair of electrode layers 2 and 3 sandwiching the first quantum dot layer 1; a second quantum dot layer 4 formed by laminating a barrier layer 14 having quantum dots 13 embedded therein; and an infrared reflection layer 5 for reflecting an infrared ray having passed through the second quantum dot layer 4.例文帳に追加

障壁層１２内に量子ドット１１が埋め込まれた層が積層されてなる第１の量子ドット層１と、第１の量子ドット層１を挟み込む一対の電極層２，３と、障壁層１４内に量子ドット１３が埋め込まれた層が積層されてなる第２の量子ドット層４と、第２の量子ドット層４を透過した赤外線を反射させる赤外線反射層５とを有するように、赤外線検知素子を構成する。 - 特許庁

The ultrasonic wave probe is provided with a sound matching layer 11, a first electrode 12 formed on a layer above the sound matching layer, a piezoelectric element layer 13 formed on the first electrode by injecting and depositing powder of a material having piezoelectricity from a nozzle toward the sound matching layer where the first electrode is formed, a second electrode formed on the piezoelectric element layer and a backing layer 14 formed on the second electrode.例文帳に追加

超音波用探触子は、音響整合層１１と、音響整合層の上層に形成された第１の電極１２と、第１の電極が形成された音響整合層に向けて、圧電性を有する材料の粉体をノズルから噴射して堆積させることによって第１の電極の上に形成された圧電素子層１３と、圧電素子層の上に形成された第２の電極と、第２の電極の上層に形成されたバッキング層１４とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device (HFET) includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a SiC substrate 11 through a buffer layer 12; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 to generate a two-dimensional electronic gas layer on the upper part of the first nitride semiconductor layer 13; and electrodes 16, 17 selectively formed on the second nitride semiconductor layer 14 and having ohmic properties.例文帳に追加

半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first wiring layer 10; a second wiring layer 20 provided to include overlapping parts 15, 25 planarly overlapping the first wiring layer 10 in an upper layer than the first wiring layer 10; and the fuse element 30 formed of polysilicon and formed in a shape of a contact hole electrically connecting the first wiring layer 10 and the second wiring layer 20 to the overlapping parts 15, 25.例文帳に追加

第１の配線層１０と、 該第１の配線層１０よりも上層に、該第１の配線層１０と平面的に重なり合う重複部分１５、２５を含むように設けられた第２の配線層２０と、 ポリシリコンで構成され、前記重複部分１５、２５に、前記第１の配線層１０と前記第２の配線層２０とを電気的に接続するコンタクトホール状に形成されたヒューズ素子３０と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A second protective layer (58) overlies a second region (42) of the surface (52) of the substrate (50) different from the first region (40), wherein the second protective layer (58) has a composition with at least about 60 percent by weight of platinum, rhodium, palladium, and combinations thereof.例文帳に追加

第２の保護層（５８）が、第１の領域（４０）とは別の、基板（５０）の表面（５２）の第２の領域（４２）を覆い、第２の保護層（５８）は、少なくとも約６０重量パーセントの白金、ロジウム、またはパラジウム、およびそれらの組合せを含む組成を有する。 - 特許庁

By such method, the multi-layer molded product different in its shape between the first and second layers can be manufactured and the thickness dimension of the second layer formed of a second resin molded in the rising surface part can be made larger than before.例文帳に追加

本発明によれば、金型交換装置等といった特殊な装置を使用することなく、１層目と２層目の形状が異なる多層成形品が製造でき、立ち面部に成形する第２の樹脂による２層目の厚み寸法を、従来に比較して大きくできる。 - 特許庁

This audio signal line of includes a first polarity line, a second polarity line disposed coaxially with the first polarity line, an insulating layer disposed between the first polarity line and the second polarity line, a protective layer covering an external surface of the second polarity line.例文帳に追加

本発明のオーディオの信号線は、第一極線と、該第一極線と同軸を有して設置された第二極線と、前記第一極線及び前記第二極線の間に設置された絶縁層と、前記第二極線の外表面を被覆している保護層と、を含む。 - 特許庁

A thin film diode 200A includes: a first semiconductor layer 230 having first and second semiconductor regions 233, 234; second and third semiconductor layers 236, 238 formed on the first semiconductor layer 230, and first and second contact holes 241, 242.例文帳に追加

薄膜ダイオード２００Ａは、第１および第２半導体領域２３３、２３４を有する第１半導体層２３０と、第１半導体層２３０上に形成された第２および第３半導体層２３６、２３８と、第１および第２コンタクトホール２４１、２４２とを有する。 - 特許庁

A second conductive semiconductor area 7 is provided on the second region 3d of the first semiconductor 3a in the first conductive semiconductor region 3 on the side faces 3e of the second semiconductor 3b, on the active layer 5 and on the side faces 5a of the active layer 5.例文帳に追加

第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３の第１の半導体部３ａの第２の領域３ｄ上、第２の半導体部３ｂの側面３ｅ上、活性層５上、及び活性層５の側面５ａ上に設けられている。 - 特許庁

The second electroconductor is configured so that a third electroconductor arranged in a second hole formed at the first interlayer insulation layer and a fourth electroconductor arranged in a third hole formed at the second interlayer insulation layer can be laminated and electrically connected to each other.例文帳に追加

この第２の導電体は第１の層間絶縁層に配された第２のホールに配された第３の導電体と、第２の層間絶縁層に配された第３のホールに配された第４の導電体とが、積層され電気的に接続された構成である。 - 特許庁

A second wirable region 21 is arranged in a direction orthogonal to the first wirable region 20, and a second power source wire 32 at a layer the same to a layer at which the first power wire 31 is wired is arranged at the second wirable region 21.例文帳に追加

基本単位ブロック１２−１の上には、第１の配線可能領域２０と直交方向に第２の配線可能領域２１が設けられ、この第２の配線可能領域２１に第１の電源配線３１と同層の第２の電源配線３２が設けられている。 - 特許庁

A non-magnetic second substrate 47 adheres onto the one surface 46a of the first substrate 46 by a second adhesive layer 49 so as to sandwich a magnetic material layer 200 in a clearance with the first substrate 46, and the second substrate 47 is a translucent substrate.例文帳に追加

第１基板４６の一方面４６ａ側には、第２接着層４９によって、第１基板４６との間に磁性材料層２００を間に挟むように非磁性の第２基板４７が接着され、かかる第２基板４７は透光性基板である。 - 特許庁

On the surface of a second translucent substrate 24 covering the color filters 22 (R), (G), (B), a light shielding layer 25a is formed inside a second concave portion 24a and thereby, the color filters 22(R), (G), (B) are nearer to the light shielding layer 25a by the depth of the second concave portion 24a.例文帳に追加

カラーフィルタ２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を覆う第２の透光性基板２４の表面では、第２の凹部２４ａの内部に遮光層２５ａが形成されているため、第２の凹部２４ａの深さ分だけ、カラーフィルタ２２（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）と遮光層２５ａとが近接している。 - 特許庁

Similarly, the apparatus 1 grips a face different from an image receiving layer 101b of a second image receiving paper 3b by a grip roller 17b and a following roller 19b to convey the second image receiving paper 3b, and forms an image on an image receiving layer 101b of the second image receiving paper 3b.例文帳に追加

同様に、グリップローラ１７ｂと従動ローラ１９ｂによって第２の受像紙３ｂの画像受容層１０１ｂの面と異なる面を把持して第２の受像紙３ｂを搬送し、第２の受像紙３ｂの画像受容層１０１ｂに画像を形成する。 - 特許庁

A light absorption control layer 15 is disposed between first and second main surfaces 11, 12 and, on the second main surface 12, a prism array 40 including a plurality of prisms 4 extended substantially in parallel to a light absorption region 30 of the light absorption control layer 15 is formed on the second main surface 12.例文帳に追加

第１、第２の主表面１１、１２の間に光吸収制御層１５を配置し、また、第２の主表面１２に、光吸収制御層１５の光吸収領域３０とほぼ平行に延びる複数のプリズム４を含むプリズム列４０を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step for forming a first strip-like electrode layer 12 on the surface of a substrate 1, a step for forming a strip-like semiconductor layer 13 on the first electrode layer 12 and a step for forming a second strip-like electrode layer 14 on the semiconductor layer 13.例文帳に追加

基板１１上に短冊状の第１の電極層１２を形成する工程と、第１の電極層１２上に短冊状の半導体層１３を形成する工程と、半導体層１３上に短冊状の第２の電極層１４を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The film thickness measuring method includes a process of calculating the film thickness of the second cell layer on the basis of transmissivity at an optional position within the substrate surface where a transparent electrode layer and a photoelectric conversion layer are formed and a transparent electrode layer haze ratio and a first cell layer film thickness measured beforehand.例文帳に追加

透明電極層及び光電変換層が形成された基板面内の任意の位置における透過率と、予め測定された透明電極層ヘイズ率及び第１セル層膜厚とに基づき、第２セル層の膜厚を算出する工程とを含む膜厚計測方法。 - 特許庁

Next, the first wafer 20 is peeled from the second wafer 17 each including the silicon single-crystal layer 24 at the defective layer 23, thereby an SOI wafer 16 having the silicon layer 22 and the silicon single-crystal layer 24 formed on the silicon oxide layer 22 is formed.例文帳に追加

次に、それぞれシリコン単結晶層２４を含む第２のウェハ１７から第１のウェハ２０を欠陥層２３において剥離することにより、酸化シリコン層２２と酸化シリコン層２２の上に形成されたシリコン単結晶層２４とを有するＳＯＩウェハ１６を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal material to be plastic-worked includes: forming the first layer which is a plated layer, on the surface of a base metal; and subsequently forming the second layer on the plated layer by dipping the base metal having a plated layer formed thereon in a fluidal aliphatic acid.例文帳に追加

母材金属の表面にめっき層である第１層を形成し、次いでめっき層が形成された母材金属を液状の脂肪酸に浸漬することにより、めっき層の上に第２層を形成することを特徴とする塑性加工用金属材料の製造方法。 - 特許庁

Likewise, the gas diffusion layer 32 includes a first base material layer 7 with relatively large pore diameters and a second base material layer 76 with relatively small pore diameters, and a fine pore layer 72 obtained by kneading conductive powder and a water repellent is coated on the first base material layer 74.例文帳に追加

同様に、ガス拡散層３２は、細孔径が相対的に大きい第１の基材層７４と、細孔径が相対的に小さい第２の基材層７６とを含み、導電性粉末と撥水剤とを混練して得られる微細孔層７２が第１の基材層７４に塗布されている。 - 特許庁

Bores are provided on a first green sheet layer 4 which is an uppermost layer of a multilayer ceramic substrate; hollows 7 are formed with steps when the first green sheet layer 4 is laminated on a second green sheet layer 5; and internal layer conductors 6 are formed as electrodes on the entire bottom surfaces of the hollows 7.例文帳に追加

上記課題は、多層セラミック基板の最上層の第１層グリーンシート４に穴を設け、第２層グリーンシート５と積層した際に段差となる窪み７を形成し、かつ窪み７の底面に電極となる内層導体６を全面に形成する構造とすることで、解決することができる。 - 特許庁

The upper layer wiring layer SL is provided with a wiring section 34C brought into contact with the upper part of the embedded wiring layer 32, and extended to the outside of the embedded wiring layer 32 and a wiring section 34A extended to the second direction, and connected to the wiring section 34C outside the embedded wiring layer 32.例文帳に追加

上層配線層ＳＬは、埋め込み配線層３２の上部と接しかつ埋め込み配線層３２外へと延在する配線部分３４Ｃと、第２の方向に延在しかつ埋め込み配線層３２上の外において配線部分３４Ｃに接続された配線部分と３４Ａとを有する。 - 特許庁

A substrate 102 with a first surface includes a first adhesion promoting conductive layer 104, a crystalline orientation prompting layer 106, a second conductive layer 108, a dielectric layer 110, a third adhesion prompting layer 114, and a conductive electrode 116 on the first surface.例文帳に追加

第１の面を有する基板１０２が、第１の面上において第１の接着促進導電層１０４と、結晶配向促進層１０６と、第２の導電１０８と、誘電層１１０と、第３の接着促進導電層１１４と、導電性電極１１６を有する。 - 特許庁

A first conductivity type polymer layer 4 having iron concentration of 1 ppm or less, and a solid electrolyte layer 11 consisting of a second conductivity type polymer layer 5 formed on the surface of the first conductivity type polymer layer 4 are provided on the surface of a dielectric oxide film layer 3.例文帳に追加

誘電体酸化皮膜層３の表面に、鉄濃度が１ｐｐｍ以下である第一の導電性高分子層４と、第一の導電性高分子層４の表面に形成された第二の導電性高分子層５から構成される固体電解質層１１を備える。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by forming a first conductive layer, discharging a composition of an insulator and an organic compound on the first conductive layer to form an organic compound layer including an insulator, and by forming a second conductive layer on the organic compound layer including an insulator.例文帳に追加

また、第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁物及び有機化合物の組成物を吐出し絶縁物を含む有機化合物層を形成し、絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層を形成し半導体装置を作製する。 - 特許庁

An organic electroluminescent element is formed by including: a transparent electrode 1; a first light emitting unit 7 including a blue fluorescent light emitting layer 2 and a green fluorescent light emitting layer 3; an intermediate layer 9; a second light emitting unit 8 including a red phosphorescent light emitting layer 4 and a green phosphorescent light emitting layer 5; and a reflective electrode 6.例文帳に追加

透明電極１と、青色蛍光発光層２及び緑色蛍光発光層３を含む第一発光ユニット７と、中間層９と、赤色リン光発光層４及び緑色リン光発光層５を含む第二発光ユニット８と、反射電極６とを備えて形成される。 - 特許庁

This paper cup is formed of a laminated base paper which is composed by laminating an inner laminating resin layer 5, a first paper layer 6, an expanded resin layer 7, and a second paper layer 8 successively from the innermost at least in its drum portion, and since it is heated, the expanded resin layer is expanded to obtain an expanded thermal insulating cup 1.例文帳に追加

少なくとも胴部を、内側から内面ラミネート樹脂層５、第１紙層６、発泡樹脂層７、第２紙層８を積層してなる積層原紙によって紙コップを成形し、加熱することにより、発泡樹脂層が発泡して発泡断熱紙コップ１を得る。 - 特許庁

The compounded metal thin film particle is produced from a process at least comprising: a first process where a compounded metal thin film layer at least including a resin layer or a wax layer and a metal or metal compound layer is formed on a sheet-shaped base material 501 face; and a second process where the compounded metal thin film layer is peeled from the sheet.例文帳に追加

少なくとも、シート状基材５０１面に少なくとも樹脂層またはワックス層と金属または金属化合物層とを含む複合化金属薄膜層を形成する第１の工程と、前記複合化金属薄膜層をシートから剥離する第２の工程からなる。 - 特許庁

By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加

Ｎ型埋込み拡散層とＰ型拡散層との接合面、およびＮ型埋込み拡散層と高不純物濃度のＰ型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のＰ型第二埋込み拡散層を介在させることにより、Ｃ−ＥＰＩ容量が減少する。 - 特許庁

As a primary coat, a bilayer structure of an Ni layer 5 and an Ni-P layer 4 is used, an occurrence of a whisker can be suppressed by making the second layer of the Ni-P layer 4 1μm or less thick when a solder-plated layer 5 free of lead is formed on the primary coat by using SnAg, SnCu, Su, etc.例文帳に追加

下地層としてＮｉ層５とＮｉ−Ｐ層４の二層構造を用い、２層目のＮｉ−Ｐ層４の厚さを１μｍ以下することで、下地層上にＳｎＡｇ、ＳｎＣｕ、Ｓｕなどで鉛フリーのはんだめっき層５を形成した場合に、ウィスカの発生を抑制することができる。 - 特許庁

A first conductivity third semiconductor layer 8a is formed on the second semiconductor layer 7 and, in the third opening 5c, a first conductivity fourth semiconductor layer 9 is formed on the exposed surface of the first semiconductor layer 3 in contact with the third semiconductor layer 8a.例文帳に追加

第２半導体層７上に第１導電型の第３半導体層８ａを形成すると共に、第３開口５ｃの内部において、第１半導体層３の露出面に第１導電型の第４半導体層９を第３半導体層８ａに接触させて形成する。 - 特許庁

The FET includes a gate electrode, a gate insulating layer, the semiconductor layer containing carbon nanotubes attached with conjugated polymer on at least a part of the surface thereof, a second insulating layer formed on the semiconductor layer at the side opposite to the gate insulating layer, a source electrode, and a drain electrode.例文帳に追加

ゲート電極、ゲート絶縁層、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブを含有する半導体層、該半導体層に対して前記ゲート絶縁層と反対側に形成された第２絶縁層、ソース電極およびドレイン電極を有する電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

The lower layer 7 has a first layer 73a made of an amorphous, and a second layer 73b formed so that both side interfaces each contact the first layer 73a and the tunnel barrier layer 8, made of any one cobalt, iron and nickel or a combination thereof, and substantially made of an amorphous.例文帳に追加

下部層７は、アモルファスからなる第１の層７３ａと、両側界面が各々、第１の層７３ａとトンネルバリア層８とに接するように形成され、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかまたはその組み合わせからなり、実質的にアモルファスからなる第２の層７３ｂとを有している。 - 特許庁

The second magnetic layer 14 has a magnetic pole part layer 14A exposed to a medium opposite surface ABS, and a yoke part layer 14B for magnetically interconnecting the magnetic pole layer 14A and the first magnetic layer 8 through a connecting part 14C without being exposed to the medium opposite surface 14A.例文帳に追加

第２の磁性層１４は、媒体対向面ＡＢＳに露出する磁極部分層１４Ａと、媒体対向面ＡＢＳに露出せずに、連結部１４Ｃを介して磁極部分層１４Ａと第１の磁性層８とを磁気的に接続するヨーク部分層１４Ｂとを有している。 - 特許庁

The surface electrode 7 is made forming a first layer comprising Cr on the intense-field drift layer 6, laminating a second layer comprising Au on the first layer and after that by conducting alloying treatment, and it has high adhesion to the intense- field drift layer 6 and high stability through passage of time.例文帳に追加

表面電極７は、強電界ドリフト層６上にＣｒよりなる第１の層を形成し、第１の層の上にＡｕよりなる第２の層を積層した後に合金化処理することによって形成され、強電界ドリフト層６に対して高い密着性を持ち経時安定性が高い。 - 特許庁

A transparent conductive layer, an anti-adsorption layer, a first semiconductor layer having a first conductivity type, a substantially intrinsic second semiconductor layer, and a third semiconductor layer having a conductivity type opposite to the first conductivity type are formed sequentially on a substrate.例文帳に追加

基板上に、透明導電層と、吸着防止層と、第１の導電型を有する第１半導体層と、実質的に真性な第２半導体層と、前記第１の導電型とは反対の導電型を有する第３半導体層とをこの順に積層させたことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。 - 特許庁