「single crystal cobalt」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF THERMOELECTRIC MATERIAL CONSISTING OF CALCIUM/COBALT-LAYERED OXIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

カルシウム・コバルト層状酸化物単結晶からなる熱電材料の製造方法 - 特許庁

By bringing a solution for forming a cobalt oxide film 3 containing a source of cobalt, a single crystal forming solvent capable of forming a single crystal of cobalt oxide 2 as a solvent and a solution for forming a cobalt oxide film 3 containing a diketone or a ketoester into contact with a substrate 1 heated to a temperature of cobalt oxide film forming temperature or higher, a cobalt oxide film is formed on the substrate.例文帳に追加

コバルト源を含有し、かつ、溶媒としてコバルト酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒とジケトン類またはケトエステル類とを含有するコバルト酸化物膜３形成用溶液を、コバルト酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にコバルト酸化物膜を形成する。 - 特許庁

To provide an excellently electrically conductive thermoelectric material consisting of a sintered body of a calcium/cobalt-layered oxide single crystal.例文帳に追加

カルシウム・コバルト層状酸化物単結晶の焼結体からなる導電性の優れた熱電材料の提供。 - 特許庁

To provide a cobalt-oxide-based single crystal thin film with a layered structure, which is useful for a magnetometric sensor or a GMR.例文帳に追加

磁気センサーやＧＭＲ等の用途に有用な新規な層構造コバルト酸化物単結晶薄膜を提供できるようにする。 - 特許庁

To provide a bulky single crystal of an alkali cobalt oxide having excellent cell characteristics and thermo-electric transreduction performance and having an useful sheet crystal structure, and to provide a method of manufacturing the crystal.例文帳に追加

優れた電池特性ならびに熱電変換性能を有し、有用な、層状結晶構造を有するコバルト酸アルカリのバルク状単結晶、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The epitaxial multilayer film comprising titanium and copper or titanium and cobalt, being expected to be high in the reflectivity, is formed on a sapphire single crystal substrate excellent in heat resistance and chemical stability by a vacuum vapor deposition method for titanium, cobalt, copper or the like under ultra-high vacuum while controlling the crystal orientation, the substrate temperature and the vapor deposition speed.例文帳に追加

超高真空下でチタン、コバルト、銅などの真空蒸着法により、高反射率が期待されるチタンと銅、及びチタンとコバルトのエピタキシャル多層膜を耐熱性、化学的安定性に優れたサファイア単結晶基板上に結晶方位、基板温度、蒸着速度を制御して作製する。 - 特許庁

Substantially pure cobalt is cast and then cooled slowly at a rate of ≤15°C/min to form a cast target of single-phase h.c.p. crystal structure.例文帳に追加

実質的に純なコバルトをキャストしかつ速度１５℃／分以下でゆっくり冷却して単相ｈ．ｃ．ｐ．結晶構造のキャストされたターゲットを形成する。 - 特許庁

This titanium dioxide-cobalt magnetic film which is expressed by the chemical formula of Ti1-xCoxO2 (wherein, 0<x≤0.3), in which Co is substituted for Ti lattice positions, and which is grown in epitaxy on a single crystal substrate.例文帳に追加

化学式：Ｔｉ_1-x Ｃｏ_x Ｏ_2 （ただし、０＜ｘ≦０．３）で表され、Ｔｉ格子位置にＣｏが置換した、かつ、単結晶基板上にエピタキシャル成長した二酸化チタン・コバルト磁性膜である。 - 特許庁

To provide a thermoelement material at a low cost, made up with an orientational sintered compact made of sodium-containing cobalt oxide and having nearly the same level of thermoelectric characteristics as that of a single crystal.例文帳に追加

単結晶のものと同等程度の熱電特性を有するナトリウム含有コバルト酸化物の配向性焼結体による熱電素子材料を安価に提供すること。 - 特許庁

To provide a clean, high-purity polycrystalline silicon mass that has a low total content of chromium, iron, nickel, copper and cobalt, which are heavy-metal impurities that cause quality deterioration of a single-crystal silicon.例文帳に追加

単結晶シリコンの品質低下を招く重金属不純物であるクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの含有量の総計が低い清浄な高純度の多結晶シリコン塊を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 includes: a silicon substrate 1 that has monocrystaline silicon on at least one surface; a buffer layer 2 that is provided in the monocrystaline silicon and has one or more of cobalt silicide layers (2a, 2b, 2c) mainly composed of cobalt silicide; and the silicon carbide single crystal film 3 provided on the buffer layer 2.例文帳に追加

少なくとも一面に単結晶シリコンを有するシリコン基板１と、単結晶シリコン上に設けられた、コバルトシリサイドを主に含んでなるコバルトシリサイド層（２ａ、２ｂ、２ｃ）を一層以上有したバッファ層２と、バッファ層２上に設けられた、炭化珪素単結晶膜３と、を含む半導体基板１０。 - 特許庁

Hot working is applied at least at about 1,000°C to the cast target to apply a strain of about 65% or above to the cobalt material, and successively, the target is cooled slowly at ≤15°C/min to room temperature by controlled cooling to keep the single-phase h.c.p. crystal structure.例文帳に追加

このキャストされたターゲットを温度少なくとも約１０００℃で熱間加工して歪み約６５％又はそれ以上をコバルト材料の中に付与し、続いて速度１５℃／分以下のように室温にゆっくり、調節して冷却して単相ｈ．ｃ．ｐ．結晶構造を保つ。 - 特許庁

The surface acoustic wave filter has the piezoelectric substrate which is made of the lithium-tantalate single crystal containing one kind of additive element selected from copper, manganese, cobalt, nickel and yttria in the ratio of ≥0.01 wt.% and ≤1.00 wt.% and having an electric charge self-neutralization property for self-neutralizing and removing surface electric charges.例文帳に追加

銅、マンガン、コバルト、ニッケル、イットリウムから選ばれる一種の添加元素を、０．０１ｗｔ％以上１．００ｗｔ％以下の割合で含有し、表面電荷を自己中和し除去する自己電荷中和特性を有するタンタル酸リチウム単結晶から作製された圧電基板を有する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion material is an FeSi_2 system thermoelectric conversion material containing a predetermined amount of chromium (Cr) or cobalt (Co), and it is characterized in that a crystal structure of β single phase having a (220) face and a (311) face is obtained by single-stage sintering by appropriate control of sintering temperature, pressurizing time and sintering time, instead of twin-stage sintering as performed conventionally.例文帳に追加

熱電変換材料は、所定量のクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）を含むＦｅＳｉ_２系熱電変換材料であって、従来一般的に行われていた２段階焼結方式に替えて、焼結温度、加圧時間及び焼結時間を適切に制御して１段階で焼結することによって、（２２０）面及び（３１１）面を有するβ相単相の結晶構造をえることを特徴とする。 - 特許庁