「source drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Source/drain diffusion layers are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 so that they contact with the ends of the source/drain extension layers 11 opposite to the ends whereat the source/drain extension layers 11 contact with the channel region.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層は、ソース／ドレインエクステンション層のチャネル領域と反対側の端部と接するように半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁

The channels, the first source/drain regions and the second source/drain regions are formed at the same time by using the same material.例文帳に追加

チャンネルと、第１ソース／ドレイン領域と、第２ソース／ドレイン領域とは同一材料で同時に形成される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIELD-EFFECT SOURCE/DRAIN REGION例文帳に追加

電界効果ソース／ドレイン領域を有する半導体装置 - 特許庁

The drain or source of the FET 30 is grounded.例文帳に追加

ＦＥＴ３０のドレイン（またはソース）は接地されている。 - 特許庁

From the source to the drain these two electrodes.例文帳に追加

ソースとドレイン2つの電極間の電流を制御します。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The source/drain region 64, 65 has a predetermined area.例文帳に追加

ソース／ドレーン領域６４，６５は一定の面積を有する。 - 特許庁

The FET 230 is composed of a gate 232, a source 234 and a drain 236.例文帳に追加

FET230は、ゲート232、ソース234、及びドレイン236から構成される。 - 特許庁

The source, the drain, and the substrate of the PMOS are connected to a power source, and the source, the drain, and the substrate of the NMOS are connected to the ground.例文帳に追加

ＰＭＯＳのソース、ドレインおよび基板は電源に接続され、ＮＭＯＳのソース、ドレインおよび基板はグランドに接続されている。 - 特許庁

The source line, a source, and a drain are formed, the end of the source is connected to the source pad, the source is connected to the source line and channel layer, and the drain is connected to the channel layer and pixel layer by utilizing the second masking.例文帳に追加

第２回目マスクを利用して、ソース線、ソース、ドレインを形成し、ソース線端部をソースパッドに接続し、ソースをソース線とチャネル層に接続し、ドレインをチャネル層と画素電極に接続する。 - 特許庁

Thus, the body is not insulated by the source/drain regions.例文帳に追加

従って、ボディはソース／ドレイン領域によって絶縁されない。 - 特許庁

To provide a horizontal MOSFET which has the large breakdown voltage at the drain-source junction and is reduced in drain-source coupling capacitance.例文帳に追加

ドレイン−ソース間耐圧が大きく、ドレイン−ソース間容量が低減された横型ＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

A heavily doped source/drain region is formed on the second insulating film so that it may be connected with the source/drain diffused layer.例文帳に追加

第２絶縁膜上にソース／ドレーン拡張層と連結されるように高濃度ソース／ドレーン領域が形成される。 - 特許庁

HEAT SOURCE MACHINE, AND ITS DRAIN SUPPRESSING METHOD AND PROGRAM例文帳に追加

熱源機、そのドレン抑制方法及びそのドレン抑制プログラム - 特許庁

To reduce resistance between drain and source contacts of a group III nitride transistor and lower drain and source regions.例文帳に追加

III族窒化物トランジスタのドレイン及びソース接点と、下位のドレイン及びソース領域の各々との間の抵抗を低減させる。 - 特許庁

SIDEWALL MOSFET HAVING EMBEDDED STRAIN SOURCE/DRAIN例文帳に追加

埋め込み型ひずみソース／ドレインを有する側壁ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

A control section supplies voltage between the source/drain regions.例文帳に追加

制御部は、ソース／ドレイン領域間に電圧を供給する。 - 特許庁

Next, a source/drain (118) is formed around the gate (108).例文帳に追加

ゲート（１０８）の周りにソース／ドレイン（１１８）が形成される。 - 特許庁

The fabrication method of transistor nodes contains the process of forming gates, first source/drain regions and second source/drain regions.例文帳に追加

トランジスタノードの製造方法は、ゲートと第１ソース／ドレイン領域と第２ソース／ドレイン領域とを形成する工程を含む。 - 特許庁

A gate electrode 7 and source and drain electrodes 8, 9 are formed.例文帳に追加

ゲート電極７、ソース・ドレイン電極８，９を形成する。 - 特許庁

The source/drain structure of a thin-film transistor adopts a sandwich structure to reduce source/drain resistance and to enhance reliability.例文帳に追加

薄膜トランジスタのソース／ドレイン構造は、サンドイッチ構造を使用してソース／ドレインの抵抗を減らし信頼性を高める。 - 特許庁

OPEN DRAIN OUTPUT BUFFER FOR SINGLE VOLTAGE SOURCE CMOS例文帳に追加

単一電圧源ＣＭＯＳのためのオープンドレイン出力バッファ - 特許庁

The source electrode 224 and the drain electrode 230 are formed on the source region 214 and the drain region 218, respectively.例文帳に追加

そして、ソース領域２１４上とドレイン領域２１８上にソース電極２２４とドレイン電極２３０を形成する。 - 特許庁

Subsequently, ions are implanted into the region for forming the source-drain region of a PMOS transistor, thus forming the source- drain region.例文帳に追加

その後、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン形成予定領域にイオン注入を行い、ソース／ドレイン領域２５を形成する。 - 特許庁

Wiring 9 is connected between the source 3 and the drain 4.例文帳に追加

配線９は、ソース３およびドレイン４間に接続される。 - 特許庁

The recessed part 13 is deeper than the source 22 and the drain 23.例文帳に追加

そして、凹部１３は、ソース２２及びドレイン２３よりも深い。 - 特許庁

The transistor includes a gate (26), a source (28), and a drain (30).例文帳に追加

トランジスタは、ゲート（２６）、ソース（２８）およびドレイン（３０）を含む。 - 特許庁

Then the source wire 7, a source electrode 8, and a drain electrode 9 are formed.例文帳に追加

次にソース配線７およびソース電極８とドレイン電極９を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a low-resistance semiconductor film to be a source/drain region and an inter- layer insulation film are successively formed, a contact hole to the source/drain region is opened, and a source/drain electrode is formed.例文帳に追加

この後、ソース／ドレイン領域となる低抵抗半導体膜、層間絶縁膜を順次形成し、ソース／ドレイン領域へのコンタクトホールを開孔して、ソース／ドレイン電極を形成する。 - 特許庁

To reduce the load of a drain power source of a reset transistor and reduce the layout area in a configuration in which the drain power source of the reset transistor and a drain power source of an amplification transistor are separately provided.例文帳に追加

リセットトランジスタのドレイン電源と増幅トランジスタのドレイン電源を別電源としつつ、リセットトランジスタのドレイン電源の負荷を低減し、更にレイアウト面積の削減を行う。 - 特許庁

A gate interconnect line is arranged between a first source electrode and a second source electrode and a drain interconnect line, or between a first drain electrode and a second drain electrode and a source interconnect line.例文帳に追加

これらのゲート配線を第１ソース電極および第２ソース電極とドレイン配線間、または第１ドレイン電極および第２ドレイン電極とソース配線間に配置する。 - 特許庁

The gate connection metal layer is arranged between a first source electrode and a second source electrode and a drain interconnect line or between a first drain electrode and a second drain electrode and a source interconnect line.例文帳に追加

ゲート接続金属層は第１ソース電極および第２ソース電極とドレイン配線間、または第１ドレイン電極および第２ドレイン電極とソース配線間に配置する。 - 特許庁

The source of the transistor N3 is connected to the drain of the transistor N2 and the drain is connected to a load circuit.例文帳に追加

トランジスタＮ３のソースはトランジスタＮ２のドレインに接続し、ドレインは負荷回路に接続する。 - 特許庁

Potential is applied to the source and drain by voltage source (112) through leads (116) connected to the source/drain metal contacts (123, 142).例文帳に追加

ソース／ドレイン金属接点（１２３、１４２）に接続されたリード線（１１６）を介して電圧源（１１２）によってソースおよびドレインに電位が印加される。 - 特許庁

Inter-source/drain of an FET (M63) is connected in parallel to the inter-gate/source of the FET (M61).例文帳に追加

ＦＥＴ（Ｍ61）のゲート・ソース間にＦＥＴ（Ｍ63）のドレイン・ソース間を並列接続する。 - 特許庁

To secure withstand voltage between a drain and a source regardless of the depth of a source region.例文帳に追加

ソース領域の深さに関係なくドレイン−ソース間の耐圧を確保できるようにする。 - 特許庁

The edges of the back-gate regions at the drain regions sides are located closer to the drain regions sides than to the edges of the source regions at the drain regions sides.例文帳に追加

バックゲート領域のドレイン領域側の端が、ソース領域のドレイン領域側の端よりも、ドレイン領域側に位置する。 - 特許庁

A plurality of projected parts 33 are extended and provided toward the drain electrode 6 at the portion opposed to the source drain 5 of the drain electrode 6.例文帳に追加

また、ドレイン電極６のソース電極５との対向部分に、ドレイン電極６へ向けて複数の凸部３３を延設する。 - 特許庁

N^- regions of source/drain and sidewall spacers 16 are formed.例文帳に追加

ソース・ドレインのＮ^-領域１５、サイドウォールスペーサ１６を形成する。 - 特許庁

The other side of the source/drain regions is situated on the flat surface of the substrate.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域の他方側は基板の平面内にある。 - 特許庁

To make it possible to lessen the drain-source capacitance without reducing the drain-source breakdown voltage in a semiconductor device.例文帳に追加

ドレイン・ソース間耐圧を低下させることなく、ドレイン・ソース間容量を小さくすることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

One side of the source/drain regions is situated on the bottom wall of the trench.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域の一方側はトレンチの底壁にある。 - 特許庁

A drain contact 2a is formed on the drain region 2, and a source contact 3a is formed on the source region 3.例文帳に追加

前記ドレイン領域２の上にはドレインコンタクト２ａが形成され、前記ソース領域３上にはソースコンタクト３ａが形成される。 - 特許庁

SOURCE-DRAIN CURRENT MODELING METHOD AND DEVICE OF THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタのソース−ドレイン電流モデリング方法及び装置 - 特許庁

The source-drain area 7 includes a LDD area 8.例文帳に追加

更に、ソース・ドレイン領域７はＬＤＤ領域８を有する。 - 特許庁

Moreover, in the second region 3b, a contact plug 4 is made to connect the source/drain region 2 with the source/drain wiring is made.例文帳に追加

また、第２部分３ｂには、ソース・ドレイン領域２とソース・ドレイン配線とを接続するためのコンタクトプラグ４が形成されている。 - 特許庁