「source drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING ELEVATED SOURCE/DRAIN(S/D) FOR MOS DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳデバイス用の隆起ソース／ドレーン（Ｓ／Ｄ）の製造方法 - 特許庁

To prevent rough surfaces of a gate electrode and source and drain regions.例文帳に追加

ゲート電極とソースドレイン領域の表面荒れを防止する。 - 特許庁

Thereafter, a mask film is formed on the source-drain material film 12.例文帳に追加

次いで、ソース・ドレイン材料膜１２上にマスク層を形成する。 - 特許庁

The conductor layer 2 is connected to a source or drain electrode 6.例文帳に追加

導電層２は、ソース又はドレイン電極６に接続される。 - 特許庁

A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively pass current between the source and the drain.例文帳に追加

半導体デバイスは、ソースと、ドレインと、ソースとドレインとの間に電流を選択的に流せるように構成されたゲートとを含む。 - 特許庁

A source electrode and a drain electrode are provided on a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

ソース、ドレイン電極が半導体基板２１に設けられている。 - 特許庁

A high-voltage transistor includes a drain, source and one or more drift regions extending from the drain toward the source.例文帳に追加

高電圧トランジスタが、ドレイン、ソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって延びる一又はそれ以上のドリフト領域を含む。 - 特許庁

A source and a drain are formed with the third trench 16c therebetween.例文帳に追加

第３のトレンチ１６ｃを挟んでソースとドレインを形成する。 - 特許庁

VOLTAGE BOOSTING CIRCUIT, AND INVERTER CIRCUIT FOR ALLEVIATING VOLTAGE BETWEEN DRAIN AND SOURCE例文帳に追加

昇圧回路及びドレイン、ソース間電圧緩和型インバータ回路 - 特許庁

MANUFACTURE OF TRANSISTOR HAVING ELEVATED SOURCE AND DRAIN REGIONS例文帳に追加

エレベイテッドソース及びドレイン領域を有するトランジスタ製造方法 - 特許庁

RAISED SILICIFIED SOURCE/DRAIN CMOS TRANSISTOR OF DUPLEX SIDEWALL例文帳に追加

二重側壁の隆起型シリサイド化ソ—ス／ドレインＣＭＯＳトランジスタ - 特許庁

To improve an elevated source/drain type MOSFET structure.例文帳に追加

高架ソース−ドレイン型ＭＯＳＦＥＴ構造を改良すること。 - 特許庁

A source electrode 31 is formed on the source region 11, and a drain electrode 32 is formed on the drain region 13.例文帳に追加

ソース領域１１上にはソース電極３１が設けられ、ドレイン領域１３上にはドレイン電極３２が設けられている。 - 特許庁

The pocket region 16 is formed deeper than the source-drain expansion region 15 and shallower than the source-drain expansion region 14.例文帳に追加

ポケット領域１６は、ソース・ドレイン拡張領域１５よりも深く、ソース・ドレイン拡散領域１４よりも浅く形成される。 - 特許庁

The drain of the MOS transistor MN20 and a power source line SAP are connected and the source of the MOS transistor MN20 and the drain of the MOS transistor MN21 are connected.例文帳に追加

MOSトランジスタMN20のドレインと電源線SAPとが接続されており、MOSトランジスタMN20のソースとMOSトランジスタMN21のドレインとが接続されている。 - 特許庁

Then, high concentration ion implantation is performed to the source and drain regions.例文帳に追加

この後、ソース、ドレイン領域へ高濃度イオン注入を行う。 - 特許庁

Source and drain electrodes are formed around the source and drain regions so that they are buried.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域の周囲にはそれらを埋め込むようにそれぞれソース電極およびドレイン電極を形成する。 - 特許庁

The source and the drain of the device are formed by ion implanting.例文帳に追加

装置のソースおよびドレインをイオン注入により形成する。 - 特許庁

One feature of the source wiring and the drain wiring is that the source wiring and the drain wiring cross an island-shaped semiconductor layer and overlap it.例文帳に追加

ＴＦＴのソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としている。 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING SHALLOW SOURCE/DRAIN REGIONS例文帳に追加

浅いソース／ドレーン領域を有する半導体素子の製造方法 - 特許庁

The high-voltage transistor includes a drain, a source, and one or more drift regions extending from the drain toward the source.例文帳に追加

高電圧トランジスタが、ドレイン、ソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって延びる一又はそれ以上のドリフト領域を含む。 - 特許庁

The protrusion extends from the source electrode in the direction of the drain electrode.例文帳に追加

突出部は、ソース電極からドレイン電極方向に延びる。 - 特許庁

A semiconductor layer 31 has a channel source 31c between a source region 31s and a drain source 31d.例文帳に追加

半導体層３１は、ソース領域３１ｓとドレイン領域３１ｄとの間にチャネル領域３１ｃを有する。 - 特許庁

The load capacitance includes a first MOS transistor comprising a gate terminal and a source/drain terminal formed by short-circuiting the source and drain, and a second MOS transistor comprising a gate terminal and a source/drain terminal formed by short-circuiting the source and drain.例文帳に追加

負荷容量は、ソース端子とドレイン端子を短絡したソース・ドレイン端子と、ゲート端子を有する第１のＭＯＳトランジスタと、ソース端子とドレイン端子を短絡したソース・ドレイン端子と、ゲート端子を有する第２のＭＯＳトランジスタとが直列接続されたもので構成する。 - 特許庁

The embedded conductive layer (24) is positioned over the source/drain extensions (30) and causes charge to accumulate in the source/drain extensions (30) lowering the series resistance of the source/drain regions (28).例文帳に追加

埋め込まれた導電層（２４）は、ソース／ドレイン伸長領域（３０）を覆うように配置され、ソース／ドレイン領域（２８）直列抵抗を低くすることでソース／ドレイン伸長領域内に電荷を蓄積する。 - 特許庁

A conductive layer 120 is placed between the first source/drain regions of the respective MOSFET and they introduce current to the first source/drain regions 14 from one first source/drain regions 152.例文帳に追加

導電層１２０は、各ＭＯＳＦＥＴの第１のソース／ドレイン領域の間に置かれて、１つの第１のソース／ドレイン領域１５２から他の第１のソース／ドレイン領域１５４に電流を導く。 - 特許庁

Each of the first source/drain region 126 and the second source/drain region 146 has a silicide layer 172 formed on a surface thereof.例文帳に追加

第１のソースドレイン領域１２６および第２のソースドレイン領域１４６の表面には、それぞれシリサイド層１７２が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor layer 108, the source and drain portions 122, 124 are formed so as to interpose the channel portion 117 between them, and the surfaces of the source and drain portions 122, 124 are made into silicide.例文帳に追加

チャネル部１１７を挟んで半導体層１０８にソースおよびドレイン部１２２，１２４を形成し，表面をシリサイド化する。 - 特許庁

This drain wiring 15 crosses the source wiring 10 in plan view.例文帳に追加

このドレイン配線１５は、平面視でソース配線１０と交差する。 - 特許庁

Then, a source region and a drain region of the transistor are formed.例文帳に追加

その後、トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する。 - 特許庁

METHOD OF MAKING TRANSISTOR WITH METALLIC SOURCE AND DRAIN例文帳に追加

金属製のソースとドレインを有するトランジスタを製造するための方法 - 特許庁

According to such a constitution, the source-drain region 6a is electrically connected to the source-drain region 6b through the silicide layers 7a, 7b, 7d.例文帳に追加

これにより、ソース・ドレイン領域６ａとソース・ドレイン領域６ｂは、シリサイド層７ａ，７ｂ，７ｄを介して電気的に接続されている。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING TRANSISTOR HAVING RAISED SOURCE/DRAIN AREA例文帳に追加

隆起したソース／ドレーン領域を有するトランジスタを形成する方法 - 特許庁

ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR HAVING SOURCE AND DRAIN ELECTRODES WITH LAMINATE STRUCTURE例文帳に追加

積層構造のソース・ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタ - 特許庁

To provide a source/drain engineering of devices with high-mobility channels.例文帳に追加

高移動度チャネルを有する装置のソース/ドレイン工学を提供する。 - 特許庁

After that, the activation heat treatment of the source-drain region 108 is performed.例文帳に追加

その後、ソース・ドレイン領域１０８の活性化熱処理を行う。 - 特許庁

A semiconductor substrate 11 has a source region 13 and a drain 15, and a channel region 17 is arranged between the source 13 and the drain 15.例文帳に追加

半導体基板１１はソース領域１３とドレイン１５をもっており、ソース１３とドレイン１５の間にチャンネル領域１７がある。 - 特許庁

The gate pattern has side walls adjacent to the source/drain areas.例文帳に追加

ゲートパターンは前記ソース／ドレイン領域に隣接する側壁を有する。 - 特許庁

To reduce a parasitic resistance in the lower side of source/drain electrodes by lowering potential barrier in the lower side of the source/drain electrodes.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極の下側のポテンシャル障壁を低くして、ソース／ドレイン電極下側の寄生抵抗を低減することを目的とする。 - 特許庁

The source-drain 5 is formed on the silicon board 1, and a metallic film (an Ni film) 6 for a silicification and a stress film 7 are formed on the source-drain 5.例文帳に追加

シリコン基板１の上にソース・ドレイン５を形成し、その上にシリサイド化用金属膜（Ｎｉ膜）６、ストレス膜７を形成する。 - 特許庁

The extended source/drain 310a are made on a substrate in the vicinity of the gate.例文帳に追加

延長ソース／ドレインはゲート近傍の基板内に形成される。 - 特許庁

After that, activation thermal treatment is performed for the source and drain regions 108.例文帳に追加

その後、ソース・ドレイン領域１０８の活性化熱処理を行う。 - 特許庁

A source electrode 5 is brought into ohmic connection to the source contact layer 4a while a drain electrode 6 is brought into ohmic connection to the drain contact layer 4b.例文帳に追加

ソ−スコンタクト層４ａにソ−ス電極５をオ−ミック接続し、ドレインコンタクト層４ｂにドレイン電極６をオ−ミック接続する。 - 特許庁

This structure includes a source 20, a drain 22, a body 24 and a gate.例文帳に追加

この構造は、ソース２０、ドレイン２２、ボディ２４、およびゲートを含む。 - 特許庁

A source/drain electrode 11 is formed on the gate insulation film 9.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９上にソース／ドレイン電極１１を形成する。 - 特許庁