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source drainの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7120件
A source-drain layer including a source contact and a drain contact is formed with a source-drain layer material.例文帳に追加
ソースコンタクトおよびドレインコンタクトを含むソース−ドレイン層は、ソース−ドレイン層から形成される。 - 特許庁
DRAIN DISCHARGE DEVICE FOR HEAT SOURCE EQUIPMENT例文帳に追加
熱源機のドレン排出装置 - 特許庁
DRAIN TREATMENT DEVICE, HEAT SOURCE DEVICE AND DRAIN TREATMENT METHOD例文帳に追加
ドレン処理装置、熱源装置及びドレン処理方法 - 特許庁
DRAIN DISCHARGING METHOD, DRAIN DISCHARGING DEVICE AND HEAT SOURCE DEVICE例文帳に追加
ドレン排出方法、ドレン排出装置及び熱源装置 - 特許庁
A source/drain diffused layer is formed on the lightly doped source/drain region.例文帳に追加
低濃度ソース/ドレーン領域上にソース/ドレーン拡張層が形成される。 - 特許庁
TRANSISTOR WITH WIRE SOURCE AND DRAIN例文帳に追加
ワイヤソース及びドレインを備えたトランジスタ - 特許庁
HEAT SOURCE DEVICE, DRAIN TREATING METHOD AND DRAIN TREATING PROGRAM例文帳に追加
熱源装置、そのドレン処理方法及びそのドレン処理プログラム - 特許庁
The recess 2A is pinched between a source-drain region 6a and another source-drain region 6b.例文帳に追加
この凹部2Aは、ソース・ドレイン領域6aとソース・ドレイン領域6bに挟まれている。 - 特許庁
The first source and the first drain and the second source and the second drain are provided on a surface of the substrate.例文帳に追加
第一のソース及びドレインと第二のソース及びドレインは、基板表面に設けられる。 - 特許庁
The source/drain of the switch transistor are grounded.例文帳に追加
スイッチトランジスタのソース/ドレインは接地される。 - 特許庁
The low noise amplifier is provided with at least one field effect transistor having a source, a drain and a gate, a drain power source and a drain bias input line connecting the drain power source and the drain.例文帳に追加
ソース、ドレイン、ゲートを備える少なくとも一の電界効果トランジスターと、ドレイン電源と、前述のドレイン電源と前述のドレインを結ぶドレインバイアス入力線路を備える。 - 特許庁
A transistor comprises a gate, a source, and a drain.例文帳に追加
トランジスタは、ゲート、ソース、およびドレインを備える。 - 特許庁
To prevent leakage and short-circuiting between source and drain.例文帳に追加
ソース・ドレイン間のリークや短絡を防止する。 - 特許庁
The drain of Q6 is connected to a power source, the source of Q7 is grounded and the drain of Q7 is connected to the source of Q6.例文帳に追加
Q6のドレインを電源に接続し、Q7のソースを接地し、Q6のソースにQ7のドレインを接続する。 - 特許庁
A source/drain region 7 sandwiches a channel region.例文帳に追加
ソース/ドレイン領域7はチャネル領域を挟む。 - 特許庁
The driving transistor has a first drain/source terminal, a second drain/source terminal and a gate terminal.例文帳に追加
該駆動トランジスタは、第1のドレイン/ソース端子、第2のドレイン/ソース端子、及びゲート端子を有する。 - 特許庁
A conductive layer is provided between a source or drain region and source or drain wiring.例文帳に追加
ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層を設ける。 - 特許庁
One source/drain region is positioned closer to the midpoint of the gate conductor than is the other source/drain region.例文帳に追加
ソース及びドレイン領域の一方は、他方よりもゲート導電体の中心に近づけられる。 - 特許庁
Namely, it is possible to maintain the symmetry of paths from a source to a drain and from the drain to the source.例文帳に追加
即ち、ソースからドレイン及びドレインからソースへの経路の対称性を保持することができる。 - 特許庁
A contact part of source/drain electrodes and source/drain regions is shown at 802.例文帳に追加
そして802で示されるのが、ソース/ドレイン電極とソース/ドレイン領域とのコンタクト部分である。 - 特許庁
A power source 11 applies between the source 3 and the drain 4.例文帳に追加
電源11は、ソース3およびドレイン4間に電圧を印加する。 - 特許庁
When respective inter-center distances D_C of drain width and source width in a direction parallel to the extending direction of the control gates in the drain regions and the source regions are set as distances between a drain and a source, the distance between the drain and the source is made shorter than a distance between the drain and the source when drain resistance and source resistance are made equal.例文帳に追加
ドレイン領域及びソース領域の、コントロールゲートの延在方向と平行な方向のドレイン幅及びソース幅それぞれの中心間距離D_Cをドレイン及びソース間距離とするとき、ドレイン及びソース間距離を、ドレイン抵抗及びソース抵抗を等しくしたときのドレイン及びソース間距離よりも短くしてある。 - 特許庁
Moreover, it is possible to lower a resistance in source and drain diffusion layer by the thickness of the polysilicon film which is thick in the source and drain.例文帳に追加
しかもソースドレイン部の厚いポリシリコン膜厚によりソースドレイン拡散層抵抗を低くできる。 - 特許庁
PROTUBERANT SILICIDE SOURCE/DRAIN TYPE MOS TRANSISTOR WITH EXPANDED SOURCE/DRAIN CONTACT REGION AND METHOD例文帳に追加
拡張されたソース/ドレインコンタクト領域を有する隆起シリサイドソース/ドレイン型MOSトランジスタおよび方法 - 特許庁
By patterning the source-drain layer 24, a source region 24a and a drain region 24b are formed.例文帳に追加
ソース・ドレイン層24をパターニングすることにより、ソース領域24aおよびドレイン領域24bを形成する。 - 特許庁
One of the second source and the second drain is arranged so as to be adjacent to one of the first source and the first drain.例文帳に追加
第二のソース及びドレインの一方は、第一のソース及びドレインの一方に隣接配置される。 - 特許庁
Subsequently, wiring electrodes Dh, Sh of drain and source are formed on the passivation film 22 by etching thus forming electrodes of two layer structure for the drain and source.例文帳に追加
その一部25aは孔24に入り込んで電極D、電極Sと夫々接続する。 - 特許庁
HEAT SOURCE DEVICE AND ITS DRAIN DISCHARGE CONTROL METHOD例文帳に追加
熱源装置及びそのドレン排出制御方法 - 特許庁
The other of the second source and the second drain is arranged so as to be adjacent to the other of the first source and the first drain.例文帳に追加
第二のソース及びドレインの他方は、第一のソース及びドレインの他方に隣接配置される。 - 特許庁
Thereafter, source to drain regions are formed, and the nickel silicide layer is formed in the source to drain regions.例文帳に追加
その後、ソース・ドレイン領域が形成され、そのソース・ドレイン領域にニッケルシリサイド層がそれぞれ形成される。 - 特許庁
The channel 4 electrically connects the source 2 with the drain 3 through the side surface of the source 2 and drain 3.例文帳に追加
チャネル4は、ソース2およびドレイン3の側面でソース2とドレイン3とを電気的に接続している。 - 特許庁
A predetermined drain voltage is applied between the source region 6 and the drain region 7 via a source electrode 11 and a drain electrode 12.例文帳に追加
ソース領域6・ドレイン領域7間には、ソース電極11およびドレイン電極12を用いて、所定のドレイン電圧が印加される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the source-drain spacing can be downsized while assuring the source-drain breakdown voltage.例文帳に追加
ソース−ドレイン間の耐圧を確保しつつ、その間隔の微細化を可能にした半導体装置を提供する。 - 特許庁
A second conductive layer is formed and a source/drain line 128 comes into contact with the source/drain by a fourth mask step.例文帳に追加
第2導電層が形成され、第4マスク工程によりソース/ドレイン線128がソース/ドレインと接触する。 - 特許庁
WASTE GAS DRAIN PROCESSING APPARATUS OF LATENT HEAT RECOVERY TYPE HEAT SOURCE MACHINE例文帳に追加
潜熱回収式熱源機の排ガスドレン処理装置 - 特許庁
By patterning the source / drain layer 11, a source region 11a and a drain region 11b are formed.例文帳に追加
ソース・ドレイン層11をパターニングすることによってソース領域11aおよびドレイン領域11bを形成する。 - 特許庁
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