「source drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

On the cap layer 16, a source electrode 19 and a drain electrode 20 are formed.例文帳に追加

キャップ層１６上にソース電極１９とドレイン電極２０を形成する。 - 特許庁

A source/drain region 6 is formed at both sides of the P^+-gate electrode 35.例文帳に追加

Ｐ^＋型ゲート電極３５の両側にソース／ドレイン領域６を形成する。 - 特許庁

A thin-film transistor having a gate, a drain and a source is formed on a base plate.例文帳に追加

ゲート、ドレインおよびソースを有する薄膜トランジスタを基板上に形成する。 - 特許庁

The current between the source 1 and the drain 2 under such a situation can be measured with high sensitivity.例文帳に追加

そのときのソース１・ドレイン２間の電流を高感度に測定できる。 - 特許庁

Also, the drive power source supply lines are the identical layers with a source/drain electrode in the display region.例文帳に追加

また、駆動電源供給ラインは、ディスプレイ領域のソース／ドレイン電極と同一層であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a drain collecting device capable of reducing generation of flash steam and efficiently collecting drain, with respect to the drain collecting device circulating the drain discharged from a steam usage appliance applying steam as a heat source, to a boiler.例文帳に追加

蒸気を熱源としている蒸気利用機器から排出されたドレンをボイラに環流させるドレン回収装置であって、フラッシュ蒸気の発生が抑えられ、ドレンを効率よく回収できるようにする。 - 特許庁

The remote controlled drain plug opening/closing device has a drive section for vertically moving a drain plug and a power source buried in the drain plug, and can open/close a drain port by wireless remote control.例文帳に追加

無線による遠隔操作で排水口の開閉ができるように、排水栓の昇降の作動をする駆動部、電源が排水栓内に埋設されている排水栓の遠隔操作開閉装置である。 - 特許庁

When a deep source or drain diffusion layer region is formed with high impurity concentration, an intermediate region of higher impurity concentration than a semiconductor substrate having a conductivity type opposite to that of a source-drain layer is formed between the source-drain layer and the semiconductor substrate.例文帳に追加

高濃度で深いソース又はドレイン拡散層領域を形成する時、ソース・ドレイン拡散層と反対の導電型を有する半導体基板との間に該半導体基板の不純物濃度より高い濃度の中間領域を形成する。 - 特許庁

A source/drain heavily doped region 48 is located to the convex portion regions both side of the gate electrode 46 provided to the concave portion region; and a source/drain low concentration region 47 is formed between the source/drain havily-doped region 48 and the gate electrode 46.例文帳に追加

凹部領域に設けられたゲート電極４６の両側の凸部領域にはソース・ドレイン高濃度領域４８が位置し、ソース・ドレイン高濃度領域４８とゲート電極４６の間にはソース・ドレイン低濃度領域４７が形成されている。 - 特許庁

As a result it is possible to prevent the thickness of the thermal oxide film 108 in an inner wall of a trench groove from increasing abnormally in a region in contact with a source/drain region, thus reducing the width size of a source/drain region and to prevent source/drain resistance from increasing.例文帳に追加

これによりトレンチ溝内壁の熱酸化膜１０８がソース・ドレイン領域に接する領域において異常に膜厚が増加してソース・ドレイン領域の幅寸法が減少し、ソース・ドレイン抵抗が増大することが防止される。 - 特許庁

A metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) in a non-volatile memory cell has a source, a drain and a channel region between the source and the drain, and all of them are formed in a substrate of opposite conductivity type to the conductivity type of the source and drain.例文帳に追加

非揮発性メモリセル内の酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）は、ソースと、ドレインと、ソースとドレイン間のチャネル領域とを有し、これら全てがソース及びドレインの導電型と逆導電型の基板内に形成されている。 - 特許庁

The second gate electrode 3a2 shades the low-concentration source region 1b and low-concentration drain region 1c from incident light coming from a light source, such as a backlight, to prevent the incident light from falling onto the source and drain regions 1b and 1c.例文帳に追加

第２ゲート電極３ａ２は、バックライト等の光源から照射された入射光が低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに照射されないように遮光する。 - 特許庁

The third transistor includes a third gate, a third source connected to the first source, and a third drain connected to the first gate and the second source.例文帳に追加

第３トランジスタは、第３ゲートと、第１ソースと接続された第３ソースと、第１ゲート及び第２ソースと接続された第３ドレインと、を有する。 - 特許庁

An n^+ source area 11, an n^+ drain area 12, and an n^- offset drain area 16 in contact with the n^+ drain area 12 are formed on the surface layer of a p base area 2.例文帳に追加

ｐベース領域２の表面層にｎ^+ ソース領域１１とｎ^+ ドレイン領域１２とｎ^+ ドレイン領域１２と接するｎ^- オフセットドレイン領域１６を形成する。 - 特許庁

The drain is connected to an output terminal 22 via an output matching current 37, and is connected to the drain power-source terminal 23 via a drain bias circuit 35.例文帳に追加

ドレインは出力整合回路３２を介して出力端子２２に接続されると共に、ドレインバイアス回路３５を介してドレイン電源端子２３に接続されている。 - 特許庁

While the vacuum pump 13 and the drain filter 15 are communicated and the air is discharged from the deaerating nozzle 12, the other drain filter 16, communicating with the air pressure source 14, discharges a drain.例文帳に追加

真空ポンプ１３とドレンフィルター１５が連通し脱気ノズル１２から脱気しているあいだに、他のドレンフィルター１６が圧空源１４に連通しドレン排出を行う。 - 特許庁

Furthermore, this is provided with a transistor Q4 whose source is connected to the input terminal 1, and the gate is connected to the drain of a transistor Q3, and the drain is connected to the drain of the transistor Q2.例文帳に追加

更にソースが入力端子１に接続されたトランジスタＱ４を設け、そのゲートをトランジスタＱ３のドレインに接続し、ドレインをトランジスタＱ２のドレインに接続する。 - 特許庁

An upper drain MOS gate device has a drain 17 in an uppermost part of a semiconductor die and a source 20 at a bottom of a die substrate.例文帳に追加

上部ドレインＭＯＳゲートデバイスは、半導体ダイの最上部にドレイン１７を有し、ダイ基板の底部にソース２０を有する。 - 特許庁

A second transistor M2 has its source connected to a power supply terminal P1 and its drain connected to the drain of the first transistor M1.例文帳に追加

第２トランジスタＭ２は、ソースが電源端子Ｐ１に接続され、そのドレインが第１トランジスタＭ１のドレインに接続される。 - 特許庁

First MOSFETs 62a to 62d are connected mutually in series, so that one source terminal is connected mutaully inn series to one drain terminal of the other one drain terminal.例文帳に追加

各第１ＭＯＳＦＥＴ６２ａ，…，６２ｄは、ソース端子が他のドレイン端子に接続され、互いに直列に接続されている。 - 特許庁

When drain voltage becomes lower than reference voltage V1, gate voltage becomes low and the part between the source and the drain is difficult to be conducted.例文帳に追加

一方、ドレイン電圧が基準電圧Ｖ１を下回る場合は、ゲート電圧が低くなり、ソース・ドレイン間が導通し難くなる。 - 特許庁

Both of the drain voltage of a mirror side transistor Tr1 of a sense MOS and the drain voltage of a source side transistor Tr2 are equalized.例文帳に追加

センスＭＯＳのミラー側トランジスタＴｒ１のドレイン電圧とソース側トランジスタＴｒ２のドレイン電圧とを等しくする。 - 特許庁

A drain of a third transistor 23 is connected to the supply line Z_i, a gate is connected to the source of the second transistor 22, and the source is connected to the drain of the first transistor 21.例文帳に追加

第三トランジスタ２３のドレインが供給線Ｚ_iに接続され、ゲートが第二トランジスタ２２のソースに接続され、ソースが第一トランジスタ２１のドレインに接続されている。 - 特許庁

A couple, composed of a source 15 and a drain 16 and a couple composed of a source 18 and a drain 19, are arranged mutually intersecting.例文帳に追加

チャネル領域の周囲に、ソース１５およびドレイン１６からなる１組と、ソース１８およびドレイン１９からなる１組とを、互いに直交してそれぞれ配置させる。 - 特許庁

The control circuit 3 comprises a voltage detection circuit 6, that detects the voltage between a drain and a source of the FET 2 and a current detection circuit 7, that detects the current flowing between the drain and the source of the FET 2.例文帳に追加

パック電池は、電池１と出力端子５との間に接続している保護用のＦＥＴ２と、このＦＥＴ２をオンオフに切り換える制御回路３とを備える。 - 特許庁

The source 31B is connected to a source extraction electrode 31F via a contact 37D, and the drain 31C is connected to a drain extraction electrode 31E via a contact 37C.例文帳に追加

ソース３１Ｂは、コンタクト３７Ｄを介してソース引出電極３１Ｆに接続されており、ドレイン３１Ｃは、コンタクト３７Ｃを介してドレイン引出電極３１Ｅに接続されている。 - 特許庁

The thickness of the insulation film of the high withstand voltage transistor on a drain-source forming region is thicker than that of the insulation film of the low withstand voltage transistor on the drain-source forming region.例文帳に追加

高耐圧トランジスタのドレイン・ソース形成領域上の絶縁膜の膜厚は、低耐圧トランジスタのドレイン・ソース形成領域上の絶縁膜の膜厚よりも大きい。 - 特許庁

Nickel concentration of the drain low concentration region 11D and the source low concentration region 11S are lower than those of the channel region, the drain high concentration region 10D and the source high concentration region 10S.例文帳に追加

ドレイン低濃度領域及びソース低濃度領域のニッケル濃度が、前記チャネル領域、ドレイン高濃度領域、及びソース高濃度領域のそれよりも低い。 - 特許庁

A metal material is deposited on source-drain regions 4 between gate structures 5 and source-drain regions 54 between gate structures 55 by using nondirectional sputtering method.例文帳に追加

ゲート構造５の間のソース・ドレイン領域４上と、ゲート構造５５間のソース・ドレイン領域５４上とに、無指向性スパッタ法を用いて金属材料を堆積する。 - 特許庁

A source metal contact and a drain metal contact are deposited on the channel material, and the source metal contact and the drain metal contact are on opposing ends of the channel material.例文帳に追加

チャネル材料上にソース金属コンタクト及びドレイン金属コンタクトが堆積され、ソース金属コンタクト及びドレイン金属コンタクトはチャネル材料の対向する端部上にある。 - 特許庁

In the semiconductor layer, the film thickness of the channel region is thinner than that of the source-drain region on the pixel electrode side and that of the source-drain region on the data line side.例文帳に追加

半導体層は、チャネル領域の膜厚が、画素電極側ソースドレイン領域及びデータ線側ソースドレイン領域の膜厚より薄くなるように形成されている。 - 特許庁

To form a silicon mixed crystal layer with high precision in one of the source-drain forming region of an n-type MIS transistor and the source-drain forming region of a p-type MIS transistor.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成領域及びｐ型ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成領域の一方に、シリコン混晶層を精度良く形成する。 - 特許庁

The drain bias control circuit 20 sets a potential VD of a drain source of a plurality of memory cells 2 variably in accordance with the potential VCS of the source line 3.例文帳に追加

ドレインバイアス制御回路２０は、書き込み動作時、複数のメモリセル２のドレインの電位ＶＤを、上記ソース線３の電位ＶＣＳに応じて可変に設定する。 - 特許庁

The source-drain region 7a and the gate electrode 5a of the Q1, the source-drain region 7c and the gate electrode 5b of the Q2, and the substrate 1 are connected with the ground terminal N2.例文帳に追加

Ｑ１のソース／ドレイン領域７ａおよびゲート電極５ａ、Ｑ２のソース／ドレイン領域７ｃおよびゲート電極５ｂ、基板１を接地端子Ｎ２に接続する。 - 特許庁

A drain of the MOS transistor M1 is connected to a source of the MOS transistor M2, and a source of the MOS transistor M3 is connected to a drain of the MOS transistor M4.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１のドレインとＭＯＳトランジスタＭ２のソースが接続され、ＭＯＳトランジスタＭ３のソースとＭＯＳトランジスタＭ４のドレインが接続されている。 - 特許庁

In each of a source side assist gate line (AGS) and a drain side assist gate line (AGD), contacts for supplying voltage (AGS_D, AGS_S, AGD_D, AGD_S) are provided at the drain side and the source side.例文帳に追加

ソース側アシストゲート線（ＡＧＳ）およびドレイン側アシストゲート線（ＡＧＤ）それぞれにおいて、ドレイン側およびソース側に電圧供給用のコンタクト（ＡＧＳ＿Ｄ，ＡＧＳ＿Ｓ，ＡＧＤ＿Ｄ，ＡＧＤ＿Ｓ）を設ける。 - 特許庁

The active element 50 includes a source region 25, a drain region 26, and low-voltage lines 28 and 29 connected respectively to the source region 25 and the drain region 26.例文帳に追加

すなわち、能動素子５０は、ソース領域２５およびドレイン領域２６と、ソース領域２５およびドレイン領域２６に接続された低電圧配線２８、２９とを含む。 - 特許庁

The source electrode 101 and drain electrode 103 are formed by a plurality of source electrode fingers 101a and a plurality of drain electrode fingers 103a that are arranged periodically.例文帳に追加

ソース電極１０１及びドレイン電極１０３の各々は、周期的に配置された複数のソース電極フィンガー１０１ａ及びドレイン電極フィンガー１０３ａからなる。 - 特許庁

The channel region protrudes over the source region and the drain region, and the electric charge storage layer is separated from the source region and the drain region.例文帳に追加

前記チャンネル領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域より突出しており、前記電荷保存層は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と離隔されている。 - 特許庁

Then, an insulation film 32, a source metallic film 34 and a drain metallic film 36 are deposited by vacuum deposition or sputtering and a source and a drain are formed by sputtering.例文帳に追加

次に絶縁膜３２、ソース金属膜３４およびドレイン金属膜３６を真空蒸着あるいはスパッタ法により堆積し、パターニングによってソース、ドレインを形成する。 - 特許庁

In a field effect transistor 104 having 200 μm gate width, a source is connected to the drain of the field effect transistor 103 and the drain is connected to the circuit of power source.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０４は、ソースが電界効果トランジスタ１０３のドレインに接続され、ドレインが電源回路に接続され、２００μｍのゲート幅を有している。 - 特許庁

A channel area, defined between the source area and the drain area, has a recess area lower than the depth of the junctions in the source/drain areas.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域の間に定義され、ソース／ドレイン領域のジャンクションの深さより低くリセスされた領域を有するチャンネル領域が形成されている。 - 特許庁

A gate side insulating film, which is disposed apart from the source electrode and the drain electrode, is formed on the semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極との間の半導体層の上に、ソース電極及びドレイン電極から離れて配置されたゲート横絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 48 is formed on the insulating film between the source electrode and the drain electrode, and overlapped on the source electrode and the drain electrode via the insulating film.例文帳に追加

ゲート電極４８は、ソース電極とドレイン電極との間の絶縁膜上に形成され、ソース電極とドレイン電極の上に絶縁膜を介してオーバーラップしている。 - 特許庁

When the conduction band or the valence band aligns with the Fermi energy of the source and drain, the tunneling current can pass between the source, island, and drain.例文帳に追加

伝導帯又は価電子帯がソース及びドレインのフェルミ準位と整合している時、トンネル効果電流がソース、アイランド及びドレインの間を通ることができる。 - 特許庁