「source-drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a drain discharging device with drain water freezing preventive function capable of omitting any energy source such as a power source for heating, reducing the size of the device, and saving the cost therefor.例文帳に追加

加温のための電源等のエネルギー源を必要とせず、装置を小型化し費用を節約できる凍結防止機能付ドレン排出装置を提供する。 - 特許庁

By back-filling the source and drain regions with an insulating material, leakage currents between the gate and source and the gate and drain are greatly reduced.例文帳に追加

ソース及びドレイン領域を絶縁材料で埋め戻すことによってゲート及びソース間並びにゲート及びドレイン間のリーク電流が飛躍的に低減される。 - 特許庁

The organic field effect transistor (OFET) has a gate, a source and a drain.例文帳に追加

有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）はゲート、ソース及びドレインを有する。 - 特許庁

To reduce on-resistance while raising a breakdown voltage between the drain and source.例文帳に追加

ドレイン−ソース間の降伏電圧を高くしながら、オン抵抗を低くする。 - 特許庁

Furthermore, the source/drain diffusion layer 20, containing a low concentration doping region 16 and a heavily-doped region, and a silicide layer 30 on the source/drain diffusion layer 20 are provided.例文帳に追加

さらに、低濃度ドーピング領域１６、高濃度ドーピング領域からなるソース／ドレイン拡散層２０、ソース／ドレイン拡散層２０上のシリサイド層３０を備える。 - 特許庁

A p^+-region is formed by using the source/drain of a MOSFET.例文帳に追加

ｐ＋領域は、ＭＯＳＦＥＴソース／ドレインを用いて形成することになる。 - 特許庁

To improve operation speed by providing a source/drain region and a trench isolation structure formed by self-alignment and restraining increase of source/drain resistance.例文帳に追加

セルフアラインで形成されたソース・ドレイン領域およびトレンチ素子分離構造を有し、かつソース・ドレイン抵抗の増大を抑制して動作速度の向上を図る。 - 特許庁

On the source regions 11S, there are formed a plurality of source contacts 13, and a plurality of drain contacts 14 are formed on the drain regions 11D.例文帳に追加

ソース領域１１Ｓ上には複数のソースコンタクト１３が形成され、ドレイン領域１１Ｄ上には複数のドレインコンタクト１４が形成されている。 - 特許庁

The source electrode is formed on the portion where the source electrode is scheduled to be formed on the substrate, and the drain electrode is formed on the portion where the drain electrode is scheduled to be formed on the substrate.例文帳に追加

基板のソース電極形成予定部位にソース電極を形成し、基板のドレイン電極形成予定部位にドレイン電極を形成する。 - 特許庁

The silicide layer 8 is provided on a surface portion of the source/drain layers 8.例文帳に追加

シリサイド層８は、ソース・ドレイン層８の表面部分に設けられている。 - 特許庁

A fourth doped region is formed on the second source/drain region while having a conductivity opposite to that of the second source/drain region thus forming a channel region.例文帳に追加

第４のドープ領域が第２のソース／ドレイン領域上に形成され、第２のソース／ドレイン領域とは相対する伝導形をもち、チャネル領域を形成する。 - 特許庁

A source 27 and a drain 26 are formed in the well 24 along with an additionally doped region 28 for bringing into contact electrically the source 28 and the drain 26 with the well 24.例文帳に追加

Ｐウェル２４と電気的に接触させるため、ソース２７とドレン２６が付加的にドーピングされた領域２８とともにＰウェル内に形成される。 - 特許庁

To electrically connect a semiconductor film to the source/drain electrodes, in a proper manner.例文帳に追加

半導体膜とソース・ドレイン電極とを好適に電気的接合させる。 - 特許庁

Further, the common drain source line DSL in one group G_N and the common drain source line DSL in other group G_N are different from each other.例文帳に追加

さらに、一のグループＧ_Nにおける共通のドレインソース線ＤＳＬと、他のグループＧ_Nにおける共通のドレインソース線ＤＳＬとが互いに異なっている。 - 特許庁

A P^+ diffusion layer 9 forms a source/drain along with the N^+ diffusion layer 8.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層９は、Ｎ^+拡散層８とともにソース／ドレインを形成する。 - 特許庁

In the method of performing an erase operation in a non-volatile memory device, voltages of different levels are applied to the source and drain regions in such manner that the voltages of different levels are switched with each other between the source and drain regions.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の消去方法において、ソースおよびドレイン領域に、互いに異なるレベルの電圧を、スイッチングしながら、印加する。 - 特許庁

The Schottky source/drain 12 forms Schottky junction with a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキーソース・ドレイン１２は、半導体基板１とショットキー接合を形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ELEVATED SOURCE DRAIN STRUCTURE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

エレベ—テッドソ—ス・ドレイン構造を有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of facilitating manufacturing of a semiconductor device in which the thickness fluctuations of the source or the drain electrode, or wire disconnection at the source or the drain electrode is prevented.例文帳に追加

ソース電極又はドレイン電極の膜厚のばらつき又は断線を防止した半導体装置を容易に作製する方法を提案する。 - 特許庁

Drain of the TP12 is connected in common with the source of the TN12, the source of the TP13 and the drain of the TN13 and an output X is taken out therefrom.例文帳に追加

ＴＰ１２のドレインは、ＴＮ１２のソース、ＴＰ１３のソースおよびＴＮ１３のドレインと共通に接続し、ここから出力Ｘを取り出す。 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

A second region source and a drain (304) are formed in the second region.例文帳に追加

第２の領域に第２の領域のソース／ドレイン（３０４）が形成される。 - 特許庁

The lower electrode 14 and the source/drain area 5 are directly connected each other.例文帳に追加

下部電極１４とソース／ドレイン領域５とが直接接続されている。 - 特許庁

An SiGe source/drain layer, a strain Ge channel layer, and an SiGe source/drain layer are formed in layers and a gate electrode is formed on the sidewall through a gate insulation film.例文帳に追加

ＳｉＧｅソース／ドレイン層、ひずみＧｅチャネル層、ＳｉＧｅソース／ドレイン層を積層し、側壁にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。 - 特許庁

A gate of a selection transistor is connected to a word line, one side of source/drain is connected to a bit line, and the other side of source/drain is connected to the connection node.例文帳に追加

選択トランジスタは、ゲートがワード線に接続され、ソース／ドレインの一方がビット線に接続され、ソース／ドレインの他方が接続ノードに接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing resistance between a drain and a source while keeping the withstand voltage between the drain and the source.例文帳に追加

ドレイン−ソース間の耐圧を維持したままドレイン−ソース間の抵抗を低減させることができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The MOS transistor comprises a source region 20A, a drain region 20B, and a gate region arranged between the source region 20A and the drain region 20B.例文帳に追加

前記モストランジスタは、ソース領域２０Ａ、ドレイン領域２０Ｂ及びソース領域２０Ａとドレイン領域２０Ｂとの間に配置されたゲート領域を有する。 - 特許庁

A thin-film Si layer 5 with a source-drain 10 formed thereon is curved toward a region on source-drain 10 sides from a region extremely under a gate electrode 8.例文帳に追加

ソース・ドレイン１０が形成される薄膜Ｓｉ層５を、ゲート電極８直下の領域からソース・ドレイン１０側の領域に向かって湾曲させる。 - 特許庁

A source of LDD structure and a drain are formed on the active layer 101.例文帳に追加

能動層１０１にはＬＤＤ構造のソース・ドレインが形成されている。 - 特許庁

The sampling switch SW1 includes a MOS transistor having a capacitance CP between a gate 60 and one source/drain 62 smaller than the other source/drain 61.例文帳に追加

サンプリングスイッチＳＷ１は、ゲート６０と一方のソース／ドレイン６２との間の容量ＣＰが他方のソース／ドレイン６１よりも小さいＭＯＳトランジスタからなる。 - 特許庁

The wiring is made of a same substance as the source/drain regions or different from the source/drain regions, and has an island shaped bridge pattern structure.例文帳に追加

前記配線は、前記ソース／ドレーン電極と同一の物質またはソース／ドレーン電極と異なる物質からなり、島状のブリッジパターン構造を有する。 - 特許庁

After forming a source/drain extension layer 8 more deeply than the p-type counter layer 6A, a source/drain diffused layer 7 is formed and activated by annealing.例文帳に追加

このｐ型カウンタ層６Ａよりも深くソース・ドレインエクステンション層８を形成した後、ソース・ドレイン拡散層７を形成して、アニールして活性化する。 - 特許庁

Here, the thickness of the SOI layer 37 in the source/drain region is 75 nm.例文帳に追加

尚、ソース・ドレイン領域におけるＳＯＩ層３７の厚みは７５nmである。 - 特許庁

In a memory cell 3 for test, the source 14 is connected to a drain electrode 12 of TEG 1, and the drain 15 is connected to a source 11 of the TEG 1.例文帳に追加

テスト用のメモリセル３はソース１４がＴＥＧ１のドレイン電極１２に、ドレイン１５がＴＥＧ１のソース電極１１に接続されている。 - 特許庁

A source region 160 and a drain region 170 are provided on a substrate, and a silicide layer 174 is arranged on the source region and the drain region.例文帳に追加

基板上にソース領域１６０およびドレイン領域１７０を有し、珪化物層１７４が、ソース領域およびドレイン領域の上に配置されている。 - 特許庁

A common source plug formed on a common source and a portion of a drain contact plug formed on a drain are formed together with word lines and select lines.例文帳に追加

共通ソース上に形成される共通ソースプラグやドレイン上に形成されるドレインコンタクトプラグの一部をワードライン及びセレクトラインと共に形成する。 - 特許庁

In a selection transistor STE, its channel region and its source drain region are formed at approximately the same heights as the source drain region of the cell transistor TC.例文帳に追加

選択トランジスタＳＴＥは、セルトランジスタＴＣのソース・ドレイン領域ＢＬとほぼ同じ高さ位置にチャネル領域とソース・ドレイン領域とが形成される。 - 特許庁

A Ti/Al source drain electrode is formed on the n-type GaN and a recess, wherein a part of the n-type Al_0.25Ga_0.75N is exposed, is formed between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

n型GaN上にTi/Alソース・ドレイン電極が形成され、ソース電極とドレイン電極の間にｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎの一部が露出した凹部が形成されている。 - 特許庁

A silicon oxide film 7 is formed on the source/drain region of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースドレイン領域の上層にシリコン酸化膜７を形成する。 - 特許庁

A gate is formed in the vicinity of the upper surface, and is arranged at least partly between the first source/drain region and the second source/drain region.例文帳に追加

ゲートが、半導体層の上面近傍に形成され、少なくとも部分的には第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域との間に配置される。 - 特許庁

A source electrode 14 and a drain electrode 15 are formed with an interval and a gate electrode 16 is formed between the source electrode and drain electrode.例文帳に追加

ソース電極14およびドレイン電極15が互いに間隔をおいて形成され、ソース電極およびドレイン電極間にはゲート電極16が形成されている。 - 特許庁

A third doped region for forming a channel of conductivity different from that of the first source/drain region is arranged on the first source/drain region.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン領域とは異なる伝導形のチャネルを形成する第３のドープ領域が、第１のソース／ドレイン領域上に配置される。 - 特許庁

This can generate an electric field between the source and the drain.例文帳に追加

これによって、ソースとドレインの間に電界を生成することが可能となる。 - 特許庁

The diffusion region 6b of a first source-drain 6 comprises an n^+ type layer and the diffusion region 7b of a second source-drain 7 comprises an n^- type layer.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン６の拡張領域６ｂはｎ^+型層により、第２のソース／ドレイン７の拡張領域７ｂはｎ^-型層により構成される。 - 特許庁

To enable source/drain regions to be formed with higher accuracy by ion implantation.例文帳に追加

イオン注入によるソース／ドレイン領域の形成精度を向上させる。 - 特許庁