「source-drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An isolation structure 210 is formed in the semiconductor layer, the isolation structure configured substantially to isolate the first source/drain region from the second source/drain region.例文帳に追加

半導体層内に分離構造２１０が形成され、これは第１ソース／ドレイン領域を第２ソース／ドレイン領域からほぼ分離するように構成されている。 - 特許庁

An insulation trench is formed between the first and second source/drain regions.例文帳に追加

絶縁トレンチが第１及び第２のソース／ドレイン領域間に形成される。 - 特許庁

The source electrode film 12 and the drain electrode film 13 are composed of a metal.例文帳に追加

ソース電極膜１２およびドレイン電極膜１３は金属からなる。 - 特許庁

A first electrode connected to one of the source/drain electrodes is disposed.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極のうち一つと接続する第１電極が配置される。 - 特許庁

A source electrode 9 and a drain electrode 10 are respectively formed.例文帳に追加

ソース電極９およびドレイン電極１０がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The field effect transistor has, on a diffusion layer 17, a source electrode 21, a drain electrode 22, and a gate electrode 20 provided between the source electrode 21 and drain electrode 22.例文帳に追加

拡散層１７上に、ソース電極２１と、ドレイン電極２２と、ソース電極２１とドレイン電極２２との間に設けられたゲート電極２０とを備える。 - 特許庁

The source electrode 2 or the drain electrode 4 is extended from any one of the source and the drain area 9 and 10 on to the end surface of the substrate 5.例文帳に追加

ソース電極２またはドレイン電極４はソースおよびドレイン領域９、１０のいずれか一方上から基板５の端面上にまで延在している。 - 特許庁

The first source and drain and the gate electrode film forms a first FET, and the second source and drain and the gate electrode film forms a second FET.例文帳に追加

第一のソース及びドレインとゲート電極膜は第一のＦＥＴを構成し、第二のソース及びドレインとゲート電極膜は第二のＦＥＴを構成する。 - 特許庁

ELECTRICALLY PROGRAMMED MOS TRANSISTOR HAVING SOURCE/DRAIN SERIES RESISTANCE例文帳に追加

電気的にプログラムされたソース／ドレイン直列抵抗を有するＭＯＳトランジスタ - 特許庁

The drain regions and the source regions are formed in parallel in a common semiconductor substrate, and source resistance is made higher than drain resistance.例文帳に追加

ドレイン領域及びソース領域は、共通の半導体基板に互いに平行に延在して形成されていて、ソース抵抗をドレイン抵抗よりも高くしてある。 - 特許庁

Then gold is vapor-deposited to form a source electrode 2 and a drain electrode 3.例文帳に追加

次に、金を蒸着させ、ソース電極２、ドレイン電極３を形成する。 - 特許庁

Source terminal of the transistor N3 is connected with the drain terminal of the transistor N4.例文帳に追加

トランジスタＮ３のソース端子は、トランジスタＮ４のドレイン端子に接続される。 - 特許庁

Voltages V0, V1, V4, and V5 are applied as the drain-source voltages to the respective transistors.例文帳に追加

各トランジスタに電圧Ｖ０，Ｖ１，Ｖ４，Ｖ５がドレイン・ソース間電圧として印加される。 - 特許庁

Bases of the source/drain regions are brought into contact with the thick films 2-1.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域の底部は膜厚の厚い部分２−１に接している。 - 特許庁

An MESFET comprises a source (13), a drain (17), and a gate (24).例文帳に追加

このＭＥＳＦＥＴは、ソース（１３）とドレイン（１７）とゲート（２４）とを備えている。 - 特許庁

After a process of forming a side spacer, a high-concentration source/drain region is formed.例文帳に追加

サイドスペーサ形成処理の後、高濃度ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A second source-drain diffusion layer 21B is electrically connected to a third source-drain diffusion layer 22A, and has the same potential as that of the first well 51.例文帳に追加

第２のソース・ドレイン拡散層２１Ｂは、第３のソース・ドレイン拡散層２２Ａと電気的に接続され且つ第１のウェル５１と同電位である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted by piling up conductors in the source/drain area for reducing the capacitance related to the gate electrode and the source/drain area and the junction capacitance related to the source/drain area.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域に導電体を積み上げた構造の半導体装置において、ゲート電極とソース／ドレイン領域に纏わる容量及びソース／ドレイン領域に纏わる接合容量を低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To evenly achieve the reduction of the resistance of a gate electrode and of source/drain regions and reduction of junction leakage currents in source/ drain regions in a MOS transistor having silicides on the surfaces of the gate electrode and of the source/drain regions.例文帳に追加

ゲート電極およびソース・ドレイン領域表面にシリサイドを備えたＭＯＳトランジスタにおいて、ゲート電極およびソース・ドレイン領域の低抵抗化と、ソース・ドレイン領域における接合リーク電流の低減とを両立させる。 - 特許庁

A bend is formed by extending one end of a gate electrode and arranged between a first source electrode 13 and a second source electrode and a drain interconnect line or between a first drain electrode and a second drain electrode and a source interconnect line.例文帳に追加

ゲート電極の一端を延在して曲折部を形成し、曲折部を第１ソース電極１３および第２ソース電極とドレイン配線間、または第１ドレイン電極および第２ドレイン電極とソース配線間に配置する。 - 特許庁

The semiconductor layer is doped to form a source region and a drain region on both sides of the gate electrode, and a source electrode and a drain electrode, which are electrically connected to the source region and the drain region respectively, are formed.例文帳に追加

次に、半導体層に不純物を注入してゲート電極を中心として両側にソース及びドレーン領域を形成し、ソース及びドレーン領域と各々電気的に連結されるソース及びドレーン電極を各々形成する。 - 特許庁

In the thin-film transistor provided with a gate, a channel layer, and a source and a drain where the source and the drain are formed of metals, a metal oxide layer is provided with a metal oxide layer in between the channel layer, and the source and the drain.例文帳に追加

ゲート、チャンネル層、ソース及びドレインを備える薄膜トランジスタにおいて、ソース及びドレインは金属からなり、チャンネル層とソース及びドレインとの間に金属酸化物層が備えられたことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The connection part 370, which is put between the first source/drain regions and the second source/drain regions, connects the first body part and the second body part in series, and at least any one of the first source/drain regions and the second source/drain regions is different in conduction type.例文帳に追加

前記連結部３７０は前記第１ソース／ドレーン領域と前記第２ソース／ドレーン領域との間に介在されて前記第１ボディー部と前記第２ボディー部を直列に連結し、前記第１ソース／ドレーン領域と前記第２ソース／ドレーン領域のうち少なくともどれか一つと導電型とは違う。 - 特許庁

A voltage controlled type voltage source EGD1 (10) sets the output voltage V1 of a voltage controlled type voltage source EGD1 (10) so that an inter-drain/source voltage VDS and drain currents ID as a simulation result can be respectively matched with measured inter-drain/source voltage VDS and drain currents ID.例文帳に追加

電圧制御型電圧源ＥＧＤ１（１０）は、シミュレーション結果としてのドレイン—ソース間電圧ＶＤＳとドレイン電流ＩＤとが、それぞれ実測のドレイン—ソース間電圧ＶＤＳとドレイン電流ＩＤに一致するように、電圧制御型電圧源ＥＧＤ１（１０）の出力電圧Ｖ１を設定する。 - 特許庁

After a source/drain electrode pattern is formed of the similar catalyst 2 at a part for forming a source/drain electrode 3B on an insulating layer 4 formed on the upper surface of the gate electrode 3A, similar plating agent is touched to the source/drain electrode pattern on the insulating layer 4 thus forming the source/drain electrode 3B.例文帳に追加

そして、このゲート電極３Ａの上面に形成した絶縁層４上のソース／ドレイン電極３Ｂを形成する部分に、同様の触媒２でソース／ドレイン電極パターンを形成した後、同様のメッキ剤を絶縁層４上のソース／ドレイン電極パターンに接触させてソース／ドレイン電極３Ｂを形成する。 - 特許庁

One source-drain electrode of the control transistors is formed by a supply bus Vdd produced on the source-drain metal level, and the other source-drain electrode of the control transistors is formed by at least one finger, formed by an excrescence of the pixel electrode on the same source-drain metal level.例文帳に追加

制御トランジスタの１つのソース−ドレイン電極が、ソース−ドレイン金属レベルに作製された供給バスＶｄｄによって形成され、制御トランジスタのもう一方のソース−ドレイン電極が、同じソース−ドレイン金属レベルにおける画素電極の突出部によって形成された少なくとも１つのフィンガによって形成される。 - 特許庁

Suppression level of a drain current Id is altered between a region AR1 where the drain-source voltage Vds of a drive switching element is high and a region AR2 where the drain-source voltage Vds is lower.例文帳に追加

駆動スイッチング素子のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓが高い領域ＡＲ１と、これより低いドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓの領域ＡＲ２とで、ドレイン電流Ｉｄの抑制レベルを変更する。 - 特許庁

The source of the starting transistor Q6 is connected to the drain of the transistor Q3, and a transistor Q7 having the drain and the gate connected is connected between the source of the starting transistor Q6 and the drain of the transistor Q1.例文帳に追加

起動用トランジスタＱ６のソースはトランジスタＱ３のドレインに接続し、起動用トランジスタＱ６のソースとトランジスタＱ１のドレインとの間にドレイン、ゲート間が接続されたトランジスタＱ７を接続する。 - 特許庁

An output side of a drain voltage generating circuit 40 is connected to one end of a drain power source line 12 of each memory cell array 10_i through a resistor 62 to apply the drain voltage MCD to this power source line, and further, a potential MCDS of other end of this drain power source line 12 is monitored by a charging circuit 50.例文帳に追加

ドレイン電圧発生回路４０の出力側を抵抗６２を介して各メモリセルアレイ１０_ｉのドレイン電源線１２の一端に接続してドレイン電圧ＭＣＤを与え、更にこのドレイン電源線１２の他端の電位ＭＣＤＳを充電回路５０で監視する。 - 特許庁

In other word, the active layer width of the source and drain region 103 is not more than F/3.例文帳に追加

つまり、ソース、ドレイン領域１０３の活性層幅は、Ｆ／３以下である。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers 12 are formed self-aligned with the control gate 8.例文帳に追加

制御ゲート８に自己整合的にソース、ドレイン拡散層１２が形成される。 - 特許庁

The channel region is arranged between the first and second source/drain regions.例文帳に追加

チャネル領域は、第１および第２のソース／ドレイン領域間に配置されている。 - 特許庁

A source/drain region 6 is formed on both sides of the P+ type gate electrode 35.例文帳に追加

Ｐ+型ゲート電極３５の両側にソース／ドレイン領域６を形成する。 - 特許庁

A channel section is formed between the source drain diffusion layers 23a and 23b.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層２３ａ，２３ｂの相互間には、チャネル部が形成されている。 - 特許庁

Then, source/drain implantation for the transistors is carried out by utilizing the electrodes for the mask.例文帳に追加

次にこれら電極をマスクとしてトランジスタのソース・ドレイン注入を行う。 - 特許庁

The source and drain of an FET 15 are connected to both ends of the capacitor 121.例文帳に追加

コンデンサ１２１の両端には、ＦＥＴ１５のソース、ドレインが接続されている。 - 特許庁

To suppress a leakage current between: a PN junction of source/drain regions; and a contact.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のＰＮ接合部とコンタクト間のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To attain the shallow junction and low resistance of a source and a drain.例文帳に追加

ソース、ドレインの浅接合化と低抵抗化を実現することができるようにする。 - 特許庁

Next, the spatter coating of Ni is applied on a gate electrode and a source/drain region.例文帳に追加

次に、Ｎｉをゲート電極及びソース／ドレイン領域上にスパッタ被覆する。 - 特許庁

A source electrode 251 and a drain electrode 252 are formed so as to be separated from each other.例文帳に追加

ソース電極２５１とドレイン電極２５２を互いに離間して形成する。 - 特許庁

A reflection film separated from the source/drain electrodes is positioned under the first electrode.例文帳に追加

第１電極下部にソース／ドレイン電極と離隔された反射膜が位置する。 - 特許庁

A source region and a drain region (52P, 52N) are formed on both sides of the gate electrodes.例文帳に追加

ゲート電極の両側に、ソース領域及びドレイン領域(52P,52N)を形成する。 - 特許庁

To reduce the OFF-state current that flows between the drain electrode and the source electrode.例文帳に追加

ドレイン電極とソース電極との間に流れるオフ電流を低減する。 - 特許庁

To improve a source-to-drain leak of an MOSFET caused by stress in bonding.例文帳に追加

ボンディング時のストレスによるＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間リークを改善する。 - 特許庁

To reduce a vertical power MOSFET in parasitic capacitance between a source and a drain.例文帳に追加

縦型パワーＭＯＳＦＥＴのソース−ドレイン間の寄生容量を低減する。 - 特許庁