「source-drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fabrication method of a semiconductor device by which abnormal growth of silicide on a source/drain can be suppressed and shallow junction of the source/drain can be maintained.例文帳に追加

ソース・ドレイン上のシリサイドの異常成長を抑制するとともに、ソース・ドレインの接合深さを浅く保つことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device, a source-drain material film 12 is formed on an insulating layer 6 and thereafter an aperture 13 extended to the insulating layer 6 is formed to the source-drain material film 12.例文帳に追加

絶縁層６上にソース・ドレイン材料膜１２を形成した後、絶縁層６に達する開口部１３をソース・ドレイン材料膜１２に形成する。 - 特許庁

A plurality of source/drain regions are formed on the active regions, and each source/drain region has in common two memory cells adjacent to each other of the plurality of the memory cells.例文帳に追加

活性領域には、複数のソース／ドレイン領域が形成されており、ソース／ドレイン領域は、複数のメモリセルのうち、相互隣接した２つのメモリセルを共有する。 - 特許庁

A FET (field-effect transistor) 1 is provided to a semiconductor substrate 2 and comprises a source (source region) 4, a drain (drain region) 5 and a gate (gate electrode) 6.例文帳に追加

ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）１は、半導体基板２に設けられており、ソース（ソース領域）４と、ドレイン（ドレイン領域）５と、ゲート（ゲート電極）６とを有している。 - 特許庁

In order to overcome the ambipolar properties of a CNTFET, source/drain gates 125 are introduced below a CNT 110 opposite source/drain electrodes 105.例文帳に追加

ＣＮＴＦＥＴの両極性の性質を克服するために、ソース／ドレイン・ゲート１２５が、ソース／ドレイン電極１０５と反対の側のＣＮＴ１１０の下に導入される。 - 特許庁

An N^+-type source and drain regions 22, 24 and an N^--type source and drain regions 26, 28 are formed by doping impurity ions via the film 14 through the layer 18A.例文帳に追加

層１８Ａを貫通するように膜１４を介して不純物をイオン注入してＮ^＋型ソース，ドレイン領域２２，２４及びＮ^−型ソース，ドレイン領域２６，２８を形成する。 - 特許庁

Moreover, in the SOONO layer 6, a source region 7 and a drain region 8 are formed, a floating body 9 is formed between the source region 7 and the drain region 8.例文帳に追加

また、ＳＯＯＮＯ層６内にはソース領域７及びドレイン領域８が形成され、ソース領域７とドレイン領域８の間にはフローティングボディ９が形成されている。 - 特許庁

The first source/drain region 126 has a junction depth which is specified by phosphorus and is larger than the junction depth of the second source/drain region 146.例文帳に追加

第１のソースドレイン領域１２６において、リンによりジャンクション深さが規定され、当該ジャンクション深さが第２のソースドレイン領域１４６のジャンクション深さよりも深い。 - 特許庁

The width of the fin in the y direction in a source/drain region adjacent in the x direction to the source/drain extension region is Wsd (>Wext).例文帳に追加

さらに、ソース／ドレインエクステンション領域に対して、ｘ方向に隣接するソース／ドレイン領域におけるフィンのｙ方向の幅は、Ｗｓｄ（＞Ｗｅｘｔ）である。 - 特許庁

The TFT is thereby turned on to allow the source electrode to conduct with the drain electrode, but the source voltage Vs does not coincide with the drain voltage Vd due to the field-through voltage.例文帳に追加

これによりＴＦＴがオンされてソース電極とドレイン電極とが導通するが、フィールドスルー電圧が原因でソース電圧Ｖｓとドレイン電圧Ｖｄとが一致しない。 - 特許庁

The contact layers are formed in a region where the protective layer, and the source and drain electrodes overlap in a thickness direction and the source electrode is separated from the drain electrode.例文帳に追加

接触層は、保護層とソース電極及びドレイン電極とが厚さ方向で重なる領域に形成されており、ソース電極とドレイン電極との間では分離している。 - 特許庁

The source region and the drain region are formed on the substrate where the gate structure is formed, and the channel region is formed between the source region and the drain region under the gate structure.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域は、ゲート構造のおける基板に形成され、チャネル領域がゲート構造の下においてソース領域とドレイン領域との間に形成される。 - 特許庁

Also, in the region other than the gate electrode 24 and the source-drain expansion part 31, a Deep diffusion layer 30 is formed deeper than the source-drain expansion part 31.例文帳に追加

また、ゲート電極２４およびソース・ドレイン拡張部３１以外の領域には、ソース・ドレイン拡張部３１よりも深いＤｅｅｐ拡散層３０が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a gate electrode 5a and gate wiring 5b, a source/drain electrode 7a and source/drain wiring 7b, and a pixel electrode line 9.例文帳に追加

半導体装置１００は、ゲート電極５ａおよびゲート配線５ｂと、ソース／ドレイン電極７ａおよびソース／ドレイン配線７ｂと、画素電極線９とを備えている。 - 特許庁

On the surface of the metal silicide films formed on the surfaces of the source/drain regions and the gate electrode of the semiconductor device, there are formed respectively the impurity regions reversely conductive to its source/drain regions.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域およびゲート電極の表面に形成された金属シリサイド膜の表面に、ソース・ドレイン領域と逆導電型の不純物領域を形成する。 - 特許庁

To make the on resistance of a MOSFET lower, while making the breakdown voltage between a drain and a source high.例文帳に追加

ドレイン−ソース間の降伏電圧を高くしながら、オン抵抗を低くする。 - 特許庁

The ISFET 101 includes a back gate 111, a source 112 and a drain 113.例文帳に追加

ＩＳＦＥＴ１０１は、バックゲート１１１，ソース１１２，およびドレイン１１３を備える。 - 特許庁

The phase change material area is directly connected to the second source/drain electrode.例文帳に追加

相変化材料領域は、第２ソース／ドレイン電極に直接、接続されている。 - 特許庁

After forming side walls 212, source- drain areas 214 are formed and heat treated.例文帳に追加

サイドウォール２１２を形成後、ソース・ドレイン領域２１４を形成し、熱処理を行う。 - 特許庁

A second gate 58 is arranged between the first source 54 and the second drain 56.例文帳に追加

第２ゲート５８が、第１ソース５４と第２ドレイン５６との間に配置されている。 - 特許庁

DEVICE WITH VERTICALLY ISOLATED SOURCE/DRAIN AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

垂直に分離されたソース／ドレインを備えるデバイスおよびそのデバイスを製造する方法 - 特許庁

The current source line 18 is formed so as to touch a drain 9D of the transistor 9.例文帳に追加

電流源ライン１８はトランジスタ９のドレイン９Ｄに接するよう形成する。 - 特許庁

In the active layer 34 between the control gates 22, a source and drain region 36 is formed.例文帳に追加

制御ゲート２２間の活性層３４には、ソース・ドレイン３６が形成されている。 - 特許庁

Thereby, the source/drain layers 12 are formed shallower than that in the counter-doped layer 5.例文帳に追加

それにより、カウンタドープ層５よりもソース・ドレイン層１２が浅く形成されている。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR HAVING RAISED SOURCE/DRAIN STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

上昇されたソース／ドレーン構造を有するＭＯＳトランジスタ及びこの製造方法 - 特許庁

A TFT 24, a source electrode 221 and a drain electrode 222 are provided thereon.例文帳に追加

その上にＴＦＴ２４、ソース電極２２１、ドレイン電極２２２が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor device uses a source-drain impurity diffusion layer as the resistance zone.例文帳に追加

ソース・ドレイン不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置に係る。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor element having shallow source/drain regions.例文帳に追加

浅いソース/ドレーン領域を有する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, the source and drain regions are formed by changing the injection angle of the impurity.例文帳に追加

続いて、注入角度を変えることによりソース・ドレイン領域の形成を行う。 - 特許庁

The source and the drain 13 are formed on the carbon nanotube 12 side.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１２側面に形成されたソース及びドレイン１３が形成されている。 - 特許庁

The source/drain extends under the dielectric liner 150 and the extension spacer 170.例文帳に追加

ソース／ドレインは、誘電体ライナー１５０および延伸スペーサ１７０下で延伸される。 - 特許庁

The gate electrode (5) is arranged between the source electrode (3) and the drain electrode (4).例文帳に追加

ゲート電極（５）はソース電極（３）とドレイン電極（４）との間に配置されている。 - 特許庁

At on-drive time, current flows between a drain and a source in both directions.例文帳に追加

オン駆動時には、ドレイン・ソース間は双方向に電流を流し得る状態となる。 - 特許庁

To actualize the drain of unnecessary water such as condensed water generated in a heat source part with heat exchange by using an existing pipe.例文帳に追加

既設の配管を利用することにより不用水の排水を実現する。 - 特許庁

The first and second source/drain regions are arranged by leaving intervals.例文帳に追加

第１および第２のソース／ドレイン領域は、互いに間隔を開けて配置されている。 - 特許庁

The oxidation of the exposed surface in the source region and the drain region can be prevented.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域の露出した表面の酸化が防止できる。 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR EQUIPPED WITH SUB GATE AND SCHOTTKY SOURCE/DRAIN, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

サブゲート及びショットキーソース／ドレインを備えた薄膜トランジスタ並びにその製造方法 - 特許庁

SOURCE DRAIN ELECTRODE, TRANSISTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ソース−ドレイン電極、トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス - 特許庁

The source or drain wiring is formed so as to fill the contact hole.例文帳に追加

また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクトホールを埋めるように形成されている。 - 特許庁

DEEP SUB-MICRON RAISED SOURCE/DRAIN CMOS STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SAME例文帳に追加

積み上げソース／ドレインを持つディープサブミクロンＣＭＯＳ構造およびその製造方法 - 特許庁

A multiple field plate transistor includes an active region, a source, a drain, and a gate.例文帳に追加

多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース、ドレイン、およびゲートを含む。 - 特許庁

The source 3 and the drain 4 are connected to both ends of the semiconductor thin wire 5.例文帳に追加

そして、ソース３およびドレイン４は、半導体細線５の両端に接続される。 - 特許庁

Then, a source electrode 15, a drain electrode 16, and a gate electrode 17 are formed.例文帳に追加

その後、ソース電極１５及びドレイン電極１６、ゲート電極１７を形成する。 - 特許庁

The attenuation control circuit 14 supplies a control voltage to the gate, the drain, and the source.例文帳に追加

減衰量制御回路１４は、ゲート、及びドレイン、ソースに制御電圧を与える。 - 特許庁

The transistor 20 is provided between the source of the transistor 16 and the drain of the transistor 18.例文帳に追加

トランジスタ20は、トランジスタ16のソースおよびトランジスタ18のドレインの間に設けられている。 - 特許庁