「source-drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A source region 44 and a drain region 46 are formed in the SOI layer.例文帳に追加

ＳＯＩ層中に、ソース領域４４及びドレイン領域４６が、設けられている。 - 特許庁

To reduce parasitic capacitance and resistance regarding the source/ drain of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソース・ドレインに関する寄生容量と寄生抵抗とを低減する。 - 特許庁

A first gate 58 is arranged between the first source 54 and the first drain 56.例文帳に追加

第１ゲート５８が、第１ソース５４と第１ドレイン５６との間に配置される。 - 特許庁

Furthermore, if the drain voltage Vds_S3 increases and the Zener diode 43 is conductive during suspension of the synchronous rectifier, a drain-to-source in the FET 25 is conductive, resulting in enabling restraint the voltage stress generated in the drain-to-source.例文帳に追加

また、同期整流停止時にドレイン電圧Ｖds_S3が上昇し、ツェナーダイオード43が導通すると、ＦＥＴ25のドレイン−ソース間が導通するため、当該ドレイン−ソース間に発生する電圧ストレスを抑制することができる。 - 特許庁

In the method, a first positive bias between the drain and the source, a second positive bias between the source and the substrate, and a third positive bias between the gate and the source are applied, and the source charge trapped by the trap material near the source is read.例文帳に追加

本方法は、第１正ドレイン−ソースバイアス、第２正ソース−基板バイアス、第３正ゲート−ソースバイアスを印加し、ソース側近くのトラップ材料にトラップされたソース側チャージを読み取る。 - 特許庁

Each of the memory cells 20 contains a pillar 40 which is composed of a lower source/drain region 42 for a cell access transistor electrically connected to the connecting line 23, an upper source/drain region 44 for the cell access transistor, and at least one channel region 46 extending in the vertical direction between the lower source/drain region 42 and the upper source/drain region 44.例文帳に追加

各メモリセル２０は、接続線２３に電気的に接続された、セルアクセストランジスタのための下部ソース／ドレイン領域４２と、セルアクセストランジスタのための上部ソース／ドレイン領域４４と、下部ソース／ドレイン領域４２および上部ソース／ドレイン領域４４の間に垂直方向に延在する少なくとも１つのチャネル領域４６と、からなるピラー４０を含む。 - 特許庁

The PchTrP1 connects the source to the other end of the direct current electric source 11, and connects the drain to the other end of the load 12.例文帳に追加

ＰｃｈＴｒＰ１は、ソースを直流電源１１の他端に接続し、ドレインを負荷１２の他端に接続する。 - 特許庁

In a clamp transistor M11, a gate is connected to the source of the transistor MA and the source and the back gate are connected to the drain of the transistor M3.例文帳に追加

クランプ・トランジスタＭ１１は、ゲートがトランジスタＭＡのソースに、ソースとバックゲートがトランジスタＭ３のドレインに結合される。 - 特許庁

The neutralizing device is incorporated in the heat source unit for neutralizing acid drain water generated in the heat source unit.例文帳に追加

熱源機に組み込まれると共に熱源機で発生した酸性のドレン水を中和剤２で中和するものである。 - 特許庁

The drain of the FET 2 is connected to the positive pole side of the secondary battery 1 and the source is connected to the source of the FET 4.例文帳に追加

ＦＥＴ２のドレインは二次電池１の正極側と接続され、そのソースはＦＥＴ４のソースと接続される。 - 特許庁

To provide a drain system of a latent heat recovering heat source machine for spreading the latent heat recovering heat source machine.例文帳に追加

潜熱回収型熱源機の普及を図ることが出来る潜熱回収型熱源機の排水システムを提供する。 - 特許庁

The MOS power transistor is formed on the front surface of a heavily-doped substrate of the first conductivity-type and includes alternate drain and source arrays of a second conductivity-type separated by a channel, conductive fingers, covering source fingers and drain fingers and a second metal layer connecting all drain metal fingers and covering the entire source/drain structure.例文帳に追加

ＭＯＳパワートランジスタは第１導電型の重くドープした基板の前表面に形成され、チャネルにより分離される第２導電型のドレインとソースの交互配列と、ソース指とドレイン指を覆う導電指と、全てのドレイン金属指を接続し、ソース−ドレイン構造の全体をカバーする第２金属層とをふくむ。 - 特許庁

As for the FET 13, the gate is connected to the source of the FET 12 via the resistor 16, and the source and the drain are connected to the source and the gate of the FET 12.例文帳に追加

ＦＥＴ１３は、ゲートが抵抗１６を介してＦＥＴ１２のソースに、ソース及びドレインがＦＥＴ１２のソース及びゲートに接続される。 - 特許庁

The source/drain layers 6 are provided in contact with outside of the extension layer 4, and is formed into p-type.例文帳に追加

ソース・ドレイン層６は、エクステンション層４の外側に接して設けられ、ｐ型である。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with the MOS transistor, comprising: a source 5 and a drain 7 which are formed on a semiconductor substrate 1 by mutually being spaced between the source 5 and the drain 7; and a gate electrode 11 formed on the semiconductor substrate 1 between the source 5 and the drain 7 via a gate insulating film 9.例文帳に追加

半導体基板１に互いに間隔をもって形成されたソース５とドレイン７と、ソース５とドレイン７の間の半導体基板１上にゲート絶縁膜９を介して形成されたゲート電極１１をもつＭＯＳトランジスタを備えている。 - 特許庁

A memory cell includes a source region and a drain region separated by a channel region.例文帳に追加

本メモリセルはチャネル領域で分離されたソース領域及びドレイン領域を備える。 - 特許庁

A conductive material 22 is then formed in the hole as source and drain regions 24.例文帳に追加

次に、孔内で導電性材料２２を形成しソース及びドレーン領域２４とする。 - 特許庁

A drain of a transistor(TR) M1 is connected to a source of a TR M2 via a capacitor Cc3.例文帳に追加

トランジスタＭ１のドレインはトランジスタＭ２のソースにコンデンサＣｃ_3を介して接続される。 - 特許庁

A single LDD structure 224 is positioned between a source/drain structure 2211 and 2221.例文帳に追加

単一ＬＤＤ構造２２４がソース／ドレイン構造２２１１，２２２１の間に配置される。 - 特許庁

To suppress a junction leak current of a transistor having silicide layers in source and drain regions.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域にシリサイド層が設けられたトランジスタの接合リーク電流を抑制する。 - 特許庁

SOURCE-DRAIN ELECTRODE, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ソース−ドレイン電極、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス - 特許庁

Then, the other of the source and drain regions 59 is electrically connected to the capacitor 82.例文帳に追加

そして、ソース・ドレイン領域５９の他方はキャパシタ８２に電気的に接続されている。 - 特許庁

The first gate 58 is arranged between the first source 54 and the first drain 56.例文帳に追加

第１ゲート５８が、第１ソース５４と第１ドレイン５６との間に配置されている。 - 特許庁

The polycrystalline silicon film 4 is etched, and a low concentration source/drain region 9 is formed.例文帳に追加

次に多結晶シリコン膜４をエッチングし、低濃度ソース・ドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

A buried metal is in contact with a body region but is not in contact with a source or a drain.例文帳に追加

埋め込み金属はボディ領域と接触するが、ソースまたはドレインとは接触しない。 - 特許庁

On either side of the memory cell gate 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed.例文帳に追加

メモリセルゲート２の両側に、ソース領域３およびドレイン領域４を形成する。 - 特許庁

SONOS ELEMENT COMPRISING ASYMMETRIC SOURCE AND DRAIN REGIONS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

非対称的なソース及びドレイン領域を有するＳＯＮＯＳ素子及びその製造方法 - 特許庁

To reduce ON resistance between a source region and a drain region of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のソース領域とドレイン領域との間のオン抵抗を低減させる。 - 特許庁

The present invention comprises a bulk MOS transistor having source/drain regions formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。 - 特許庁

The drain of the SG-PMOS 150a and the source of the FG-PMOS 150b are the same.例文帳に追加

ＳＧ−ＰＭＯＳ１５０ａのドレインとＦＧ−ＰＭＯＳ１５０ｂのソースとは同じである。 - 特許庁

To suppress generation of a void caused by peeling and stress migration on source and drain electrodes.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。 - 特許庁

It is possible to additionally supply drain water from the auxiliary heat source unit 12 to the water tank 71.例文帳に追加

水タンク７１に対し、補助熱源機１２からのドレン水を追加供給可能とする。 - 特許庁

To improve the breakdown voltage between the source and drain of a semiconductor device while suppressing the increase of the on-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の増大を抑制しつつ、ソース／ドレイン間の耐圧を向上させる。 - 特許庁

Contact plugs are formed on the source and drain regions 20 wherein the layers damaged by etching have been removed.例文帳に追加

エッチングダメージ層の除去されたソースドレイン領域２０の上にコンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

INTERLEAVED SOURCE/DRAIN AND THIN-CHANNEL TFT STRUCTURE, AND FABRICATION METHOD THEREOF例文帳に追加

交互に配置されたソース／ドレイン及び薄いチャネルのＴＦＴ構造及びその製造方法 - 特許庁

The non-volatile semiconductor storage has a semiconductor substrate 1, having a principal surface and has on the principal surface a plurality of memory-cell transistors, in each of which the set of a source 2 and a drain 3a or the set of the source 2 and a drain 3b is formed respectively via a tunnel oxide film 4 between its source and drain.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、主表面を有する半導体基板１と、該主表面上にトンネル酸化膜４を介して形成されソース２およびドレイン３ａ，３ｂを有する複数のメモリセルトランジスタとを備える。 - 特許庁

Then, a nano titania layer is formed on the substrate between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

次に、ソース電極及びドレイン電極の間の基板上に、ナノチタニア層を形成する。 - 特許庁

A band pass filter 3a is connected to the other of the source and drain of the FET 1.例文帳に追加

ＦＥＴ１のソースおよびドレインの他方に帯域通過フィルタ３ａを接続する。 - 特許庁

The first pad set includes a gate force pad 108, a source pad 110, and a drain pad 112.例文帳に追加

その第１のパッド・セットは、ゲート・フォース・パッド(108)、ソース・パッド(110)およびドレイン・パッド(112)を含んでいる。 - 特許庁

A gate insulating film 3 is disposed on a channel region mutually between the source/drain regions.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３がソース／ドレイン領域相互間のチャネル領域上に配設される。 - 特許庁

To reduce leakage currents between a source/drain and a gate, and well of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のソース／ドレインとゲートおよびウェル間の漏洩電流を低減する。 - 特許庁

On the top surface of a p-type silicon substrate 1, an n-type source/drain region 4 is formed.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１の表面に、ｎ型ソース／ドレイン領域４が形成される。 - 特許庁

The source/drain layers 9 and the gate width deciding layer 15 are separated by PN junction.例文帳に追加

ソース／ドレイン層９とゲート幅決定層１５は、ＰＮ接合によって分離されている。 - 特許庁

The first transistor includes a first gate electrode (41b), a first source, and a first drain.例文帳に追加

第１のトランジスタは、第１のゲート電極(41b)、第１のソース、及び第１のドレインを有する。 - 特許庁

In the circuit simulator, the impact ionization current Iii of a field effect transistor is calculated based on a drain transverse electric field E_d calculation formula in which a saturated source-drain voltage V_dsat is given by a function of a source-gate voltage V_gs and a source-drain voltage V_ds.例文帳に追加

飽和ソース−ドレイン電圧Ｖ_ｄｓａｔがソース−ゲート電圧Ｖ_ｇｓおよびソース−ドレイン電圧Ｖ_ｄｓの関数にて与えられたドレイン横方向電界Ｅ_ｄの計算式に基づいて電界効果トランジスタのインパクトイオン化電流Ｉｉｉを計算する。 - 特許庁