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substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39497件
Then, an Si layer 13 is formed on the Si substrate 1 thereby embedding the grooves h1 and covering the SiGe layer.例文帳に追加
次に、溝h1が埋め込まれ且つSiGe層が覆われるようにしてSi基板1上にSi層13を形成する。 - 特許庁
The substrate layer is formed on the buffer layer, has a dislocation density of 5×10^8 cm^-2 or less, and contains a nitride semiconductor.例文帳に追加
下地層は、バッファ層の上に形成され、転位密度が5×10^8cm^−2以下であり、窒化物半導体を含む。 - 特許庁
The high temperature and moisture resistant member has a titanium oxide layer 2 between a silicon-based ceramic substrate 1 and the zirconia layer 3.例文帳に追加
ケイ素系セラミックス基材1とジルコニア層3との間にチタン酸化物層2を有する高温耐湿構造部材とする。 - 特許庁
Cerium-containing oxide is brought into contact with a water- repellent layer paste coating surface of the gas diffusion layer substrate.例文帳に追加
撥水層ペーストが塗工されたガス拡散層基材の撥水層ペーストの塗工面にセリウム含有酸化物を接触させる。 - 特許庁
Further, with the oxidized layer as a mask, a second trench reaching the semiconductor substrate from the surface of the insulating layer is formed.例文帳に追加
さらに、前記酸化層をマスクとして、前記絶縁層の表面から前記半導体基板に達する第2のトレンチを形成する。 - 特許庁
A P+ separating layer 3 for dividing the epitaxial layer 2 into a plurality of element regions is formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1には、エピタキシャル層2を複数の素子領域に分離するためのP+分離層3が形成されている。 - 特許庁
The oxide interfacial layer 12 is formed between the substrate 11 of the oxide and the InGaN semiconductor layer 13 of the nitride.例文帳に追加
酸化物界面層12は、酸化物である基板11と、窒化物であるInGaN半導体層13との間に形成されている。 - 特許庁
A p-type semiconductor layer 11 is formed on an n^+-type substrate 1, and a trench 12 is formed on the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加
N^+型基板1の上にP型半導体層11を形成し、P型半導体層11にトレンチ12を形成する。 - 特許庁
A planarization process is carried out until the mask layer is exposed after the trench is filled with oxide layer by depositing over the trench and the substrate.例文帳に追加
酸化物層を溝および基板上に蒸着して溝を埋めた後、マスク層が露出するまで平坦化プロセスを実施する。 - 特許庁
A magnetic layer 1 is formed on a substrate 5 (a), and a nanoparticle film 16 is formed at a desired part on the magnetic layer 1 (b).例文帳に追加
基板5上に磁性層1を形成し(a)、磁性層1上の所望の部分にナノ粒子膜16を形成する(b)。 - 特許庁
The piezoelectric element 1 is provided with a seed layer 5 formed on a substrate, and the piezoelectric film 6 formed on the seed layer 5.例文帳に追加
基体上に形成されたシード層5と、シード層5上に形成された圧電体膜6とを備えてなる圧電素子1である。 - 特許庁
In this semiconductor laser element, an InGaAs/GaAsP superlattice layer of a distortion compensation structure is provided between a GaAs substrate and an underlying clad layer.例文帳に追加
半導体レーザ素子のGaAs基板と下部クラッド層との間に、歪補償構造のInGaAs/GaAsP超格子層を挿入する。 - 特許庁
In the organic EL device 11, a circuit element layer is formed on a glass substrate, and a pixel electrode is formed on the circuit element layer.例文帳に追加
有機EL装置11は、ガラス基板上に回路素子層が形成され、回路素子層上に画素電極が形成されている。 - 特許庁
A ferroelectric layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and the antenna 3 is formed of a conductor film on the ferroelectric layer.例文帳に追加
シリコン基板1上に強誘電体層2を形成し、該強誘電体層上に導体膜から成るアンテナ3を形成した。 - 特許庁
One portion or the whole of a substrate surface is constituted of a carbon layer, and a metal chelate is formed on the layer.例文帳に追加
基板表面の一部又は全部がカーボン層で構成されており、その層上に金属キレートが形成されてなる固体支持体。 - 特許庁
Thereby, the insulator layer 27 can be stably formed between the conductive material layer 30 and the semiconductor substrate 11.例文帳に追加
これによって、導電材層30と半導体基板11との間に絶縁材層27を安定して形成することができる。 - 特許庁
An anode electrode 2, a hole transport layer 3, a light-emitting layer 4, and a cathode electrode 5 are formed on a transparent substrate 1.例文帳に追加
透明基板1上にはアノード電極2、正孔輸送層3、発光層4およびカソード電極5が設けられている。 - 特許庁
A reflection film 6 and a recording layer 5 are sequentially formed on a substrate 7 having a land 7L and a groove 7G to form the L1 layer.例文帳に追加
L1層はランド7Lとグルーブ7Gとを有する基板7上に反射膜6、記録層5を順次形成してなる。 - 特許庁
First, a silicon oxide film pattern and a silicon nitride film pattern are formed on a semiconductor substrate as a tunneling layer and on the charge trapping layer.例文帳に追加
まず、半導体基板上にトンネリング層及び電荷トラップ層としてのシリコン酸化膜−シリコン窒化膜パターンを形成する。 - 特許庁
After a metal layer is vapor-deposited on a semiconductor substrate 100, the metal layer is patterned to form the metal wiring 101A.例文帳に追加
半導体基板100上に金属層を蒸着後、その金属層をパターニングして金属配線101Aを形成する。 - 特許庁
The alignment layer 15b thicker than the alignment layer 15a is formed so that the common electrode 16 on the substrate 12 is covered.例文帳に追加
基板12上の共通電極16を覆うように配向膜15aより厚い配向膜15bが形成されている。 - 特許庁
An N^+ embedded layer 2 and an N-type epitaxial layer 3 are formed in the main surface area of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加
P型シリコン基板1の主表面領域中に、N^+ 埋め込み層2およびN型エピタキシャル層3が形成されている。 - 特許庁
To suppress the occurrence of cracks and wrinkles when a resin layer is formed on a substrate and antireflection films are formed on the resin layer.例文帳に追加
基板上に樹脂層を形成し、樹脂層上に反射防止膜を形成した場合のクラックやしわの発生を抑制する。 - 特許庁
An optical waveguide 4 and an upper clad layer 5 are formed by using resin on a substrate 1 on which a lower clad layer 3 is formed.例文帳に追加
下部クラッド層3が形成された基板1上に、光導波路4と、上部クラッド層5とを樹脂により形成する。 - 特許庁
This surface layer 2 of the resin substrate 1 is removed by treating the surface layer 2 using at least one selected from among ozone, an oxygen ion and an oxygen radical.例文帳に追加
樹脂基板1の表面層2をオゾン、酸素イオン、酸素ラジカルの少なくとも一つで処理することによって除去する。 - 特許庁
A first metal layer M1 and a second metal layer M2 are laminated on a substrate of pixels 101 with exposure processing from the bottom.例文帳に追加
画素101の基板には、露光処理により第1の金属層M1と第2の金属層M2とが下から積層されている。 - 特許庁
A semiconductor layer 20 is formed on one side of a substrate 11 through an intermediate layer 12 of silicon or germanium.例文帳に追加
基板11の一面側にシリコンまたはシリコンゲルマニウムよりなる中間層12を介して半導体層20が形成されている。 - 特許庁
The inventive HEMT has a semiconductor substrate (1) including an electron traveling layer (8) and an n-type electron supply layer (9).例文帳に追加
本発明に従うHEMTは、電子走行層(8)とn型電子供給層(9)とを含む半導体基板(1)有する。 - 特許庁
Then, the layer insulation film 4 composed of a BPSG film is formed on the semiconductor substrate 1 to cover the lower layer wiring 3.例文帳に追加
その後、下層配線3を覆うように、半導体基板1上にBPSG膜からなる層間絶縁膜4を形成する。 - 特許庁
The method of manufacturing the solar battery includes forming a sodium chloride layer (12) on a glass substrate (11) and forming a solar battery layer (20) thereupon.例文帳に追加
太陽電池の製造方法は、ガラス基板(11)上に塩化ナトリウム層(12)を形成し、その上に太陽電池層(20)を形成する。 - 特許庁
First heat treatment is performed to the semiconductor substrate 1, and a hardened layer 4b is formed on the surface of a layer insulation film 4a.例文帳に追加
その後、半導体基板1に第1の熱処理を行い、層間絶縁膜4aの表面部に硬化層4bを形成する。 - 特許庁
A gettering site layer is formed of a semiconductor containing a Group 18 element such as Ar, over a semiconductor layer of the SOI substrate.例文帳に追加
SOI基板の半導体層上に、Arなど第18族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。 - 特許庁
A circuit layer is provided with a reception hole H that extends penetrating the electrically insulating layer to partly expose the heat radiation substrate.例文帳に追加
回路層は、放熱基板の一部を露出するために電気絶縁層を貫通して延在する受入孔Hを有する。 - 特許庁
The photoelectric conversion element layer 10 has a photosensitized material layer 11 installed on the light-receiving face, and is covered with a protective transparent substrate 12.例文帳に追加
光電変換素子層10は、受光面に光増感材層11が設けられ、保護用の透明基板12が覆っている。 - 特許庁
To provide a solder layer and an electronic device bonding substrate using the layer which avoids deteriorating qualities of the electronic device to be bonded.例文帳に追加
接合する電子デバイスなどの特性を低下させない、半田層及びそれを用いた電子デバイス接合用基板を提供する。 - 特許庁
The substrate 11 is separated from the first electrocast layer 12 to form a core comprising the first electrocast layer 12 and the first mold steel 13.例文帳に追加
基材11を第1電鋳層12と分離し、第1電鋳層12および第1金型鋼13より中子を形成する。 - 特許庁
An inter layer dielectric layer 31, 32 are located on a side of first main surface 13 and side of second main surface 14 of the core substrate 12.例文帳に追加
層間絶縁層31,32は、コア基板12の第1主面13側及び第2主面14側に配置されている。 - 特許庁
Moreover, a space between the substrate treated layer and the colored film may be provided with a film layer contg. rust preventive pigment as an under coat.例文帳に追加
さらには、下地処理層と着色皮膜の間に防錆顔料を含む皮膜層を下塗り層として設けてもよい。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor is obtained by disposing a photosensitive layer on a supporting substrate and the photosensitive layer contains a quinone derivative of formula (1) or (2).例文帳に追加
本発明の電子写真感光体は、支持基体上に感光層を設けたものであって、前記感光層が一般式(1): - 特許庁
The light diffusion plate 22 includes an uneven layer 20 for light diffusion and a substrate 21 on which the uneven layer 20 is laid.例文帳に追加
光拡散板22は、光拡散用の凹凸層20と、この凹凸層20が積層される基板21を含んで構成される。 - 特許庁
To provide a wiring board in which a bonding wire having a large diameter of ≥100 μm can be connected firmly to a wiring layer without causing a failure, such as cracking, peeling, etc., between the wiring layer and a substrate.例文帳に追加
配線層の表面に、直径が100μm以上のボンディングワイヤを強固に被着させることができない。 - 特許庁
Subsequent to the growth of the barrier layer 21a, a well layer 23a is grown on the substrate 11 without interruption of the growth.例文帳に追加
障壁層21aを成長した後に、成長中断を行うことなく基板11上に井戸層23aを成長する。 - 特許庁
The release paper 15 includes a release paper substrate 26 having a substrate body 24 and a non-release portion 25, and a release agent layer 28 formed on the surface 27 of the substrate body 24.例文帳に追加
また、剥離紙15は、基材本体24及び非剥離部25を有する剥離紙基材26と、基材本体24の表面27に設ける剥離剤層28とを備える。 - 特許庁
A holding layer 26 that holds one end of the gap member 24 at a display substrate 20 side is formed on a face of the display substrate 20 facing the rear substrate 22.例文帳に追加
そして、表示基板20の、背面基板22と向かい合う側の面には、間隙部材24の一端部を表示基板20側に保持する保持層26が設けられている。 - 特許庁
The active matrix substrate 11 is provided with the protrusion part 28 regulating the cell thickness to be an interval between the counter substrate 12 and the active matrix substrate by being protruded to the liquid crystal layer 13 side.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板11は、液晶層13側に突出することにより対向基板12との間隔であるセル厚を規定する突出部28を備えている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an SOI substrate in which a gettering site is formed on an active layer substrate with a simple method to provide a gettering function to the SOI substrate through the site.例文帳に追加
SOI基板において、簡易な方法で活性層基板にゲッタリングサイトを形成し当該サイトにてゲッタリング機能を持たせたSOI基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
A resist layer is patterned with a stripe shape on a conductive substrate, exposed, electric nickel plating is conducted to an exposed conductive substrate part, then the conductive substrate is peeled off to manufacture a shadow mask.例文帳に追加
導体基板に、レジスト層をストライプ形状にパターニングし、露出した導体基板部分に電気ニッケルめっき法を施し、導体基板を剥離して、シャドウマスクを製造する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an SOI substrate having a single crystal semiconductor layer which can be practically utilized even if a substrate having a low heat resistant temperature such as a glass substrate is used.例文帳に追加
ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたSOI基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
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