「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(120ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a multilayer wiring substrate that can simplify the manufacturing process and which does not include close contact failures between wiring circuit layer and insulation layer, even when a wiring circuit layer having large line width and a wiring circuit layer consisting of a wide area metal foil are arranged within the insulation substrate, and also to obtain a method of manufacturing the same multilayer wiring substrate.例文帳に追加

製造工程の簡略化を図ることのできるとともに、線幅の広い配線回路層や、グランド層などの広面積の金属箔からなる配線回路層を絶縁基板内部に配設した場合においても配線回路層と絶縁層間の密着不良のない多層配線基板とその製造方法を得る。 - 特許庁

An upper substrate having an opening and formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer, an inter-substrate connection sheet having an opening and having a conductive hole having a through-hole filled with conductive paste, and a lower substrate formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer are laminated, and heat and pressure are applied thereto.例文帳に追加

開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板と、開口部を有し貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を有する基板間接続シートと表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を積層し加熱加圧する。 - 特許庁

To ensure excellent moisture-proof performance, namely a feature of structure where a conductive moisture-proof layer is adhered to a substrate via an adhesive layer, and to restrain an increase in floating capacity because of electrical short-circuiting between lead wiring of the substrate and the conductive moisture-proof layer and extreme proximity at an adhesion section between the conductive moisture-proof layer and the substrate.例文帳に追加

導電性防湿層を基板と接着層を介して接着させた構造の特徴である優秀な防湿性能を確保しつつ、導電性防湿層と基板との接着部分で、基板のリード配線と導電性防湿層との電気的短絡や極端な近接による浮遊容量の増大を抑える。 - 特許庁

The narrow band stop optical filter is composed of an optical circulator or dielectric multi-layer film band pass optical filter substrate and this optical filter substrate is made into Fabry-Perot type dielectric multi-layer film band pass optical filter substrate of variable wavelength holding an wedge type spacer layer between high reflectance mirrors composed of multi-layer coating.例文帳に追加

狭帯域バンド阻止光フィルタは、光サーキュレータや誘電体多層膜バンドパス光フィルタ基板などから構成し、この光フィルタ基板はウエッジ形のスペーサー層が多層コーティングからなる高反射率ミラーに挟まれた波長可変のファブリペロー型誘電体多層膜バンドパス光フィルタ基板とする。 - 特許庁

The submount 10 comprises a submount substrate 11, a solder layer 14 formed on the upper surface of the submount substrate 11 for bonding a semiconductor laser element 20, and a spacer layer 15 provided with an area smaller than the solder layer 14 and formed between the submount substrate 11 and the solder layer 14.例文帳に追加

このサブマウント１０は、サブマウント基板１１と、サブマウント基板１１の上面上に形成され、半導体レーザ素子２０を接合するための半田層１４と、半田層１４よりも小さい平面積を有するとともに、サブマウント基板１１と半田層１４との間に形成されたスペーサ層１５とを備えている。 - 特許庁

The disk substrate of the optical disk 1 where a recording medium layer 4 or a metallic reflecting layer 4' is to be formed is composed of a thin metallic substrate 2 and a resin layer 3 having a rugged pit pattern and/or a rugged guide groove pattern formed on the metallic substrate 2 or a resin layer 3' having a rugged pit pattern.例文帳に追加

光ディスク１における記録媒体層４や金属反射層４’が形成されるディスク基板が、薄い金属基板２と、この金属基板２上に形成された凹凸ピットパターン及び／又は凹凸案内溝パターンを有する樹脂層３、或いは凹凸ピットパターンを有する樹脂層３’で形成された構成である。 - 特許庁

The manufacturing method of the color filter substrate includes a step (a) for forming a light shielding layer 5 and a color filter layer 6 on a substrate 4 and a step (b) for forming a plurality of columnar spacers 11a and 11b by using a photosensitive resin on the substrate 4 on which the light shielding layer 5 and the color filter layer 6 are formed.例文帳に追加

本発明によるカラーフィルタ基板の製造方法は、基板４上に遮光層５およびカラーフィルタ層６を形成する工程（ａ）と、遮光層５およびカラーフィルタ層６が形成された基板４上に感光性樹脂を用いて複数の柱状スペーサ１１ａ、１１ｂを形成する工程（ｂ）とを包含する。 - 特許庁

On the bottom face of an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate), an n-type first multilayer reflection layer 12, an n-type first optical resonance layer 14, an n-type second multilayer reflection layer 16, an i-type InGaAs light absorption layer 18, and an anode electrode 22 (reflection film) are formed in order from the n-type InP substrate 10 side.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１０側から順番に、ｎ型の第１の多層反射層１２、ｎ型の第１の光共振層１４、ｎ型の第２の多層反射層１６、ｉ型ＩｎＧａＡｓの光吸収層１８及びアノード電極２２（反射膜）が形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate for wiring circuit formation capable of improving the adhesiveness between an insulating layer and a conductive pattern and preventing delamination in metal thin layer, and to provide a wiring circuit substrate for which the substrate is employed and a method of forming a metal thin layer for forming the metal thin layer.例文帳に追加

絶縁層と導体パターンとの間の密着性の向上を図ることができ、しかも、金属薄層における層間剥離を防止することのできる、配線回路形成用基板、それが用いられる配線回路基板、その金属薄層を形成するための金属薄層の形成方法を提供すること。 - 特許庁

A photoreceptor drum 12 comprises a cylindrical conductive substrate 121, an insulating coating layer 122 applied on both ends in the axial direction of the conductive substrate 121, an underlying layer 123 formed on the conductive substrate 121 and the insulating film 122, and a photosensitive layer 124 formed on the underlying layer 123.例文帳に追加

感光体ドラム１２は、円筒状の導電性基材１２１と、導電性基材１２１の軸方向両端部に取り付けられた絶縁被膜層１２２と、これら導電性基材１２１および絶縁被膜層１２２の上に形成される下引層１２３と、下引層１２３の上に形成される感光層１２４とを有している。 - 特許庁

A process of providing a wiring substrate comprises: a process of carrying out on a base substrate 1 for the wiring substrate a plating of a thick film wiring layer 3 used as the most significant wiring layer for the semiconductor integrated circuit; and a process of forming on the thick film wiring layer 3 a bonding bump 6 connected to the thick film wiring layer 3.例文帳に追加

配線基板を提供する過程は、配線基板用ベース基板１上に、半導体集積回路用の最上位配線層となる厚膜配線層３をメッキ形成する過程と、厚膜配線層上に、該厚膜配線層に接続される接合バンプ６を形成する過程とからなる。 - 特許庁

The record display medium has a substrate 1, the liquid crystal layer 3 containing the cholesteric liquid crystal compound placed on the substrate 1, a protective layer 4 placed on the liquid crystal layer 3 and partition walls 2 between the substrate 1 and the protective layer 4 wherein the partition walls 2 contain the cholesteric liquid crystal compound.例文帳に追加

基材１と、該基材１上のコレステリック液晶化合物を含有する液晶層３と、該液晶層３上の保護層４とを有し、該基材１と該保護層４間に隔壁２を有する記録表示媒体であって、前記隔壁２が、コレステリック液晶化合物を含有する記録表示媒体。 - 特許庁

The invention involves a method and the device for manufacturing the optical recording medium which is characterized by forming a moisture transmission prevention layer between (A) substrate and a recording layer side and at an opposite side of a recording layer side of (B) substrate in a stage before a process for forming the recording layer, and a substrate for forming the optical recording medium to be used therefor.例文帳に追加

記録層を形成する工程より前の段階において、（Ａ）基板と記録層側との間および（Ｂ）基板の記録層側とは反対の側、に水分透過防止層を形成しておくことを特徴とする光記録媒体の製造方法と装置およびそれに用いる光記録媒体形成用基板。 - 特許庁

The stress-induced luminescent laminate 4 includes a substrate 3 and a stress-induced luminescent layer 1 which is disposed on the substrate 3 and emits light upon exposure to a distortion energy, which further includes an intermediate layer 2 disposed between the substrate 3 and the stress-induced luminescent layer 1, the intermediate layer exhibiting rubbery elasticity at room temperature.例文帳に追加

本発明の応力発光積層体４は、基材３と、当該基材３上に設けられる、ひずみエネルギーを受けて発光する応力発光層１とを含む応力発光積層体４であり、上記基材３と上記応力発光層１との間に、室温でゴム弾性を示す中間層２を更に含む。 - 特許庁

In an adhesive tape comprising a substrate layer and an adhesive layer applied to the substrate layer, the adhesive tape has the substrate layer being a horizontal uniaxial stretched film and an aluminum foil which is bonded to the horizontal uniaxial stretched film with an adhesive and has one side being a smooth surface and the other side with unevenness of 5-100 pieces/mm^2.例文帳に追加

基材層と、基材層の上に塗布された粘着剤層とからなる粘着テープにおいて、基材層が横一軸延伸フィルム、および該横一軸延伸フィルムと接着剤で接合されてなる、一面が平滑面で、他面に５〜１００個／ｍｍ^２の凹凸を有するアルミ箔を含む粘着テープ。 - 特許庁

The cleaning sheet is provided with a cleaning layer on at least one surface of a substrate wherein the cleaning layer is composed of a material having surface free energy of less than 30 mJ/m^2, and another cleaning sheet is provided with the cleaning layer on one surface of a substrate and a usual adhesive layer on the other surface of the substrate.例文帳に追加

クリーニング層が、表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ^2以上である物質からなるクリーニングシート、支持体の少なくとも片面に、このクリーニング層が設けられてなるクリーニングシート、支持体の片面にこのクリーニング層が設けられ、他面に通常の粘着剤層が設けられてなるクリーニングシートである。 - 特許庁

Next, by the use of a third substrate 301 as a transfer object, the first thin film device layer 103 and the second thin film device layer 203 are transferred via an adhesive layer 304 on a third thin film device layer 303 formed on the third substrate 301 so that the second substrate 201 which was the first transfer object may be exfoliated.例文帳に追加

次に、第三基板３０１を転写体として、第三基板３０１上に形成された第三薄膜デバイス層３０３上に接着層３０４を介して第一薄膜デバイス層１０３と第二薄膜デバイス層２０３を転写し、最初の転写体であった第二基板２０１を剥離する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has the semiconductor substrate 10, a buffer layer 20 which is formed on the semiconductor substrate 10 and made of the same material as the semiconductor substrate 10, a semiconductor growth layer 30 formed on the buffer layer 20, and the quantum structure 50 formed on the semiconductor growth layer 30.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０と、前記半導体基板１０上に形成され、前記半導体基板１０と同一材料からなるバッファ層２０と、前記バッファ層２０上に形成された半導体成長層３０と、前記半導体成長層３０上に形成された量子構造５０を有する。 - 特許庁

A semiconductor laminated part 12 including the light-emitting layer forming unit 11 having at least an n-type layer 2 and a p-type layer 4 is provided on a semiconductor substrate 1, a current-blocking layer 7 partly provided on a surface and a current diffusion electrode 8 is further provided on the entire surface of the substrate, and a bonding electrode 9 is provided on the substrate.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくともｎ形層２とｐ形層４とを有する発光層形成部１１を含む半導体積層部１２が設けられ、その表面に電流阻止層７が部分的に、さらに電流拡散用電極８が全面に設けられ、その上にボンディング用電極９が設けられている。 - 特許庁

Then a thermally decomposed layer 12a, resulting from the thermal decomposition of the contact layer 12, is formed so as to disjoin the contact layer 12 from the substrate 11, by once taking out the substrate 11 from a reaction furnace and irradiating the contact layer 80 with a laser beam 80 from the substrate 11 side.例文帳に追加

一旦、反応炉から取り出して、レーザ光８０を母材基板１１側からｎ型コンタクト層１２に照射することにより、母材基板１１とｎ型コンタクト層１２との間にｎ型コンタクト層１２が熱分解してなる熱分解層１２ａを形成して、母材基板１１とｎ型コンタクト層１２の間の接合を分離する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: forming an etching inhibition layer 107; then forming an n-type extension region (diffusion layer) 112 and a p-type extension region (diffusion layer) 115 in a silicon substrate (semiconductor substrate) 104; and then cleaning the top surface of the silicon substrate 104 in a state where the etching inhibition layer 107 is formed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層１０７を形成した後に、シリコン基板（半導体基板）１０４内にn型エクステンション領域（拡散層）１１２およびp型エクステンション領域（拡散層）１１５を形成した後、エッチング抑制層１０７を形成した状態でシリコン基板１０４の上面を洗浄する。 - 特許庁

The heat dissipation component includes a substrate, a surface layer formed on both sides or one side of the substrate and comprising Zn or a Zn alloy as the primary component, and a ZnO whisker layer grown outward from the surface layer, wherein a melting point of the surface layer is lower than that of the substrate.例文帳に追加

基板と、該基板の両面または片面に形成されたＺnまたはＺn合金を主成分とする表面層と、該表面層から外側に向かって成長しているＺnＯウィスカー層とを有し、表面層の融点が基板の融点よりも低いことを特徴とする放熱部品により、上記課題が解決される。 - 特許庁

The compound semiconductor device is equipped with a substrate 1, an electron supply layer 4 and an electron transit layer 2 formed on the substrate 1, a source electrode 21s and a gate electrode 21g formed on the electron supply layer 4 and the electron transit layer 2, and a drain electrode 21d formed on the rear face of the substrate 1.例文帳に追加

基板１と、基板１の上方に形成された電子供給層４及び電子走行層２と、電子供給層４及び電子走行層２の上方に形成されたソース電極２１ｓ及びゲート電極２１ｇと、基板１の裏面に形成されたドレイン電極２１ｄと、が設けられている。 - 特許庁

The solar cell is configured by laminating a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer on the surface of a glass substrate; a plurality of concave and convex parts are formed on the surface of the glass substrate to increase a surface area; and the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are laminated on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。 - 特許庁

To improve the durability of a protective layer, especially LUL resistance characteristics even when the film thickness of the protective layer is set equal to/less than 5 nm in a magnetic disk having a magnetic layer on a nonmagnetic substrate and a protective layer on the magnetic layer.例文帳に追加

非磁性基板上に磁性層を有しこの磁性層上に保護層を有する磁気ディスクにおいて、保護層の膜厚を５ｎｍ以下とした場合においても、この保護層の耐久性、特に、耐ＬＵＬ特性を優れたものとする。 - 特許庁

An n^- drift layer 2 is formed on an n^+ single crystal SiC substrate, a p^+ base layer 3 is formed on the layer 2, trenches 4 reach as far as the layer 2, and the layer 3 is formed so as to have a prescribed width W.例文帳に追加

ｎ^+型単結晶ＳｉＣ基板１上にｎ^-ドリフト層２が形成され、ドリフト層２上にｐ^+ベース層３が形成され、トレンチ４はドリフト層２に達し、かつ、ベース３が所定幅Ｗとなるように形成されている。 - 特許庁

An optical disk 1 is constituted by successively laminating rugged information (pits) 3, recording layer 4, reflection layer 5, protective layer 6, second printing layer 7 and ink receptive layer 8 on a substrate 2 of a transparent resin, such as polycarbonate.例文帳に追加

光ディスク１は、ポリカーボネート等の透明合成樹脂の基板２上に凹凸情報（ピット）３、記録層４、反射層５、保護層６、第２の印刷層７、インキ受容層８を順次積層することにより構成されている。 - 特許庁

The inorganic thin film EL element 10 is formed by depositing a first electrode layer 30, a first insulation layer 40, a light emitting layer 50, a second insulation layer 60, and a second electrode layer 70 on a ceramic substrate 20 in this sequence.例文帳に追加

無機薄膜ＥＬ素子１０は、セラミックス基板２０の上に、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０の順で薄膜が堆積されたＥＬ素子である。 - 特許庁

The adhesive layer 4 is made of glass so that the adhesive layer 4 may not be discolored by a light to be emitted from the semiconductor light-emitting layer and extracted via the translucent substrate 3 and the phosphor layer 7 through the adhesive layer 4.例文帳に追加

半導体発光層から放出され接着層４を通って透光基板３及び蛍光体層７を経て取出される光で接着層４が変色しないように、接着層４をガラス製としたことを特徴としている。 - 特許庁

Particularly, when the layer 4 nearer to a substrate is larger than the layer 8, the layer 8 can be formed stably above the layer 4 without flattening the layer 8 in the manufacturing process of the magnetic random access memory.例文帳に追加

特に、基板に近い強磁性層４が自由強磁性層８よりも大きいと、製造プロセスにおいて平坦化することなく、自由強磁性層８を安定的に強磁性層４の上方に形成することが可能となる。 - 特許庁

A color base coating film layer containing glass flakes is formed on a substrate, a bright clear coating film layer is formed on the color base coating film layer and a top clear coating film layer is further formed on the bright clear coating film layer.例文帳に追加

基材上に、ガラスフレークを含有するカラーベース塗膜層を形成した後、上記カラーベース塗膜層上に光輝性クリヤー塗膜層を形成し、さらに上記光輝性クリヤー塗膜層上にトップクリヤー塗膜層を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer laminate ST including a first cladding layer 11, an active layer 12, and a second cladding layer 13 is formed on a substrate 10; and an irregularity formation layer 16 is formed with the light output surface on the laminate.例文帳に追加

基板１０上に、第１クラッド層１１、活性層１２及び第２クラッド層１３を含む半導体積層体ＳＴが形成されており、その上に、光取り出し面を有する凹凸形成層１６が形成されている。 - 特許庁

A recording layer and a recording mark stabilizing layer in contact with the recording layer are provided on a substrate, a recording mark is formed by supplying energy and a part or all of the recording mark stabilizing layer in a recording mark area is diffused in the recording layer.例文帳に追加

基板上に記録層と、記録層に接して記録マーク安定化層を設け、エネルギーを与えることによって記録マークを形成し、記録マーク領域の記録マーク安定化層の一部または全部を記録層中に拡散させる。 - 特許庁

The organic electroluminescent device has a translucent substrate 1, a transparent conductive layer 2, an organic light-emitting layer 3, and a cathode layer 4 laminated in order, and the organic light-emitting layer 3 is covered by a metallic foil 6 adhered by an adhesive layer 5.例文帳に追加

透光性基材１、透明導電層２、有機発光層３、陰極層４を順次積層し、接着層５で接着される金属箔６で有機発光層３を覆うようにした有機エレクトロルミネッセンス発光装置に関する。 - 特許庁

The method also includes steps of: removing the substrate protective film 2; activating the B^+ion implantation layer 6, the As^+ion implantation layer 7, and the BF_2^+ ion implantation layer 9 by a heat treatment; and forming a p-type region 10, a cathode layer 11, and an anode contact layer 12.例文帳に追加

次に、基板保護膜２を除去した後、熱処理により、Ｂ^+イオン注入層６，Ａｓ^+イオン注入層７，ＢＦ_２^+イオン注入層９を活性化させ、ｐ領域１０，カソード層１１，アノードコンタクト層１２を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes: an n-type nitride semiconductor layer 3 provided over a semiconductor substrate 1; an active layer 5 arranged over the n-type nitride semiconductor layer; and a p-type nitride semiconductor layer 8 arranged over the active layer.例文帳に追加

半導体基板１上に設けられた、ｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層の上部に配置された活性層５と、活性層の上部に配置されたｐ型窒化物半導体層８とを備える。 - 特許庁

The second adhesive layer 3 comprises an EVA type oily bond layer 3a serving as substrate layer and an acrylic type aqueous emulsion bond layer 3b formed in an island shape by disposing an offset OFS on the EVA type oily bond layer 3a.例文帳に追加

第２の接着剤層３は、下敷き層となるＥＶＡ系油性ボンド層３ａと、該ＥＶＡ系油性ボンド層３ａの上にオフセットＯＦＳを設けて島状に形成されたアクリル系水性エマルジョンボンド層３ｂとからなる。 - 特許庁

An n-type high concentration diffusion layer 10 is formed facing to the p-type low-concentration diffusion layer 7, the p-type high concentration diffusion layer 8, and the semiconductor substrate 20 through the n-type epitaxial layer 5 and the n-type low concentration diffusion layer 9.例文帳に追加

ｎ型高濃度拡散層１０は、ｎ型エピタキシャル層５及びｎ型低濃度拡散層９を介して、ｐ型低濃度拡散層７、ｐ型高濃度拡散層８及び半導体基板２０と対向して形成される。 - 特許庁

An Al alloy layer 1011 and a MoCr alloy layer 1012 are laminated on a substrate 100, a resist 50 is formed on the MoCr alloy layer 1012, and the MoCr alloy layer 1012 and Al alloy layer 1011 are wet-etched in order thereof.例文帳に追加

基板１００にＡｌ合金層１０１１とＭｏＣｒ合金層１０１２を積層し、ＭｏＣｒ合金層１０１２にレジスト５０を形成し、ＭｏＣｒ合金層１０１２、Ａｌ合金層１０１１の順にウェットエッチングする。 - 特許庁

In the packaging material for the lithium ion battery, at least an adhesive layer 12, an aluminum foil layer 13, an aluminum protection later 14, the adhesive resin layer 15 and the sealant layer 16 are laminated, in sequence, on one face of a substrate layer 11.例文帳に追加

基材層１１の一方の面に対し、少なくとも、接着剤層１２、アルミニウム箔層１３、アルミニウム保護層１４、接着樹脂層１５、シーラント層１６をこの順番で積層したリチウムイオン電池用外装材である。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 is constituted by successively laminating an n-buffer layer 2, n-clad layer 3, active layer 4, p-clad layer 5, and p-contact layer 6 on one surface of an n-GaN substrate 1 having a thickness of 120-200 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、厚さ１２０〜２００μｍのｎ−ＧａＮ基板１の一方の面上に、ｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５およびｐ−コンタクト層６が順に積層されてなる。 - 特許庁

The nitride light-emitting device is so constituted such that a substrate, a n-type clad layer, a light-emitting layer, p-type clad layer, an ohmic contact layer made of indium oxide with a doping element and a reflecting layer are laminated, in this order.例文帳に追加

基板、ｎ型クラッド層、発光層、ｐ型クラッド層、オーミックコンタクト層及び反射層が順次に積層されており、オーミックコンタクト層は、インジウム酸化物に添加元素が添加されて形成される窒化物系発光素子である。 - 特許庁

The third insulating layer 23 thus electrically insulates the first semiconductor layer 13 exposed on the one surface 11a of the substrate 11 from a metal layer 14 between the second semiconductor layer 161 and the second semiconductor layer 162.例文帳に追加

これによって、第三絶縁層２３は、第二半導体層１６１と第二半導体層１６２との間で基板１１の一面１１ａに露呈された第一半導体層１３と、金属層１４との間を電気的に絶縁する。 - 特許庁

Disclosed is the semiconductor element which has a group III nitride-based compound semiconductor layer formed on a substrate layer made of a metal nitride layer without interposing a low-temperature grown buffer layer, and the metal nitride layer is made of rufous titanium nitride.例文帳に追加

金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。 - 特許庁

A method for manufacturing a product having an antifouling layer comprises a process to form an antifouling layer using a fluorine containing composition on a surface of an organic based reflection prevention layer which is a substrate layer of an antifouling layer.例文帳に追加

防汚層を有する製品の製造方法であって、防汚層の下地層である有機系反射防止層の表面に、フッ素含有組成物を用いて防汚層を形成する工程を有する製造方法を提供する。 - 特許庁