「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

In a metallic/ceramic substrate having a ceramic layer 1 and both side metallic layers 2 and 3, a high resistance layer 10 is formed on the upper face of the ceramic layer 1, and the high resistance layer 10 is butted to the both metallic layers 2 and 3.例文帳に追加

セラミック層と両側金属層を有する金属−セラミック基板は、セラミック層の上面に高抵抗層が設けられており、この高抵抗層は、両金属層に当接している。 - 特許庁

In the manufacture of the optical disk, a cover layer 3 is stuck on a reflecting layer 2 of a substrate 1, the outermost surface of the cover layer 3 is pressed by using a smooth board 4, and then the cover layer 3 is cured.例文帳に追加

光ディスクの製造において、カバー層３を基板１の反射層２に貼り合わせた後に、平滑基板４を用いてカバー層３の最表面を押圧してから、カバー層３を硬化する。 - 特許庁

There are formed a GaN buffer layer 22, the lower AlGaN barrier layer 23, a GaN channel layer 24, the upper AlGaN 25, and a GaN cap layer 26 on a dielectric substrate 21 in order.例文帳に追加

絶縁性の基板２１上において、ＧａＮ緩衝層２２、下側ＡｌＧａＮ障壁層２３、ＧａＮチャネル層２４、上側ＡｌＧａＮ障壁層２５、及びＧａＮキャップ層２６を順次に形成する。 - 特許庁

A method of forming a copper wiring layer is characterized in that the method comprises a process of forming a pattern of a copper seed layer on a substrate and a process of forming a copper wiring layer on the pattern of the copper seed layer by means of electroless plating.例文帳に追加

基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A front foundation layer 11 and a rear foundation layer 17 are formed at both the sides of a base substrate by sputtering, and a front lower-layer pattern 13 and a rear lower-layer pattern 19 are formed on each surface by electroplating.例文帳に追加

ベース基板３の両側にスパッタリングにより表下地層１１及び裏下地層１７を形成し、各々の表面に電解メッキにより表下層パターン１３及び裏下層パターン１９を形成する。 - 特許庁

Further, the light emitting diode 3 comprises an n-type clad layer 7, an active layer 9, a p-type clad layer 11, a p-type contact layer 13, and an anode electrode 15 formed sequentially on a main face 5a of the substrate 5.例文帳に追加

また、発光ダイオード３は、基板５の主面５ａ上に順次形成されたｎ型クラッド層７、活性層９、ｐ型クラッド層１１、ｐ型コンタクト層１３、及びアノード電極１５を備える。 - 特許庁

A substrate 50 composed by sequentially stacking a first layer 1 formed of single-crystal silicon, a second layer 2 formed of SiO2, a third layer 3 formed of SiN and a fourth layer 4 formed of single-crystal silicon is prepared.例文帳に追加

単結晶シリコンから成る第１層１と、ＳｉＯ２から成る第２層２と、ＳｉＮから成る第３層３と、単結晶シリコンから成る第４層４とを順次に積層した基板５０を準備する。 - 特許庁

In the organic EL element 13, a first electrode layer 17 (positive electrode), the organic EL layer 18 as a light-emitting layer, and a second electrode layer 19 (negative electrode) are laminated on the substrate 12 in this order, and covered by a passivation film 20.例文帳に追加

有機ＥＬ素子13は、第１電極層17（陽極）、発光層としての有機ＥＬ層18、第２電極層19（陰極）の順に基板12上に積層され、パッシベーション膜20により被覆されている。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, a GaInAsP active layer 3, a p-type InP clad layer 4, and a p-type GaInAsP cap layer 11 are grown on an n-type InP substrate 1 doped with sulfur in turn.例文帳に追加

イオウがドープされたｎ型ＩｎＰ基板１の上に、順次、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１１を成長させる。 - 特許庁

A wiring substrate 1 includes a first resin insulating layer 7, a first filled via 19 made through the first layer 7 and filled with plating material, and a second conductor layer 29 plated on the first layer and via.例文帳に追加

配線基板１は、第１樹脂絶縁層７と、これを貫通しメッキにより充填形成された第１フィルドビア１９と、これらの上にメッキにより形成された第２導体層２９とを備える。 - 特許庁

Also, an inter-layer insulating film 4 is formed on the substrate 2, a polysilicon layer 5 is formed in a protective region B on the inter-layer insulation film 4, and an element 6 is formed inside the polysilicon layer 5.例文帳に追加

また、基板２上に層間絶縁膜４を形成し、層間絶縁膜４上における保護領域Ｂに多結晶シリコン層５を形成し、多結晶シリコン層５内に素子６を形成する。 - 特許庁

In a quartz optical waveguide comprising a lower clad layer 2, a core 3 and an upper clad layer 4, which are formed on a Si substrate 1, the lower clad layer 2 and the upper clad layer 4 are formed of BPSG film (phosphor and boron-added quartz films).例文帳に追加

Ｓｉ基板上に形成された下部クラッド層、コア、上部クラッド層よりなる石英系光導波路において下部クラッド層及び上部クラッド層がＢＰＳＧ膜によって形成されている。 - 特許庁

The purpose can be achieved by the information recording medium provided on the substrate 1 with an adhesive agent layer 7, a light reflective layer 2, the light diffraction structure 3, the re-writable layer 5 and a protective layer 6 which are laminated sequentially.例文帳に追加

基材１上に接着剤層７、光反射性層２、光回折構造３、リライタブル層５、および保護層６を順に積層した情報記録媒体により、課題を解決することができた。 - 特許庁

Thereafter, the heat treatment is carried out to form the n-type well layer up to the silicon substrate from the deep n-type well layer and also form the p-type well layer in the area surrounded by the n-type well layer.例文帳に追加

その後、熱処理を施すことによって、深いＮ型ウエル層からシリコン基板に至るＮ型ウエル層を形成すると共に、Ｎ型ウエル層に囲まれた領域にＰ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

The antireflection film of seven layers is constructed on a plastic lens surface for spectacles by alternately laminating a SiO_2 layer and a ZrO_2 layer on the plastic lens surface from the substrate side across a primer layer and a hard coat layer.例文帳に追加

レンズ基材表面にプライマー層とハードコート層を介して基材側からＳｉＯ_2層とＺｒＯ_2層を交互に積層し、眼鏡用プラスチックレンズ表面に７層の反射防止膜を構築する。 - 特許庁

To restrain corrosion of a metal wiring layer 12 and degradation of a characteristic due to leakage current from the metal wiring layer 12 in an electrode substrate 1 having the metal wiring layer 12 and a transparent conductive layer 11.例文帳に追加

金属配線層１２と透明導電層１１を有する電極基板１において、金属配線層１２の腐食や金属配線層１２からの漏れ電流による特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

The film-depositing method of antireflection layer is characterized in that the antireflection layer is formed on a substrate and a polytetrafluoroethylene film having a thickness of 10 nm or less is laminated on the antireflection layer as an antifouling layer according to a CVD method.例文帳に追加

基材上に反射防止層を成膜し、前記反射防止層上に、厚さ１０ｎｍ以下のポリテトラフルオロエチレン膜を防汚層としてＣＶＤ法により積層することを特徴とする。 - 特許庁

A laminated electrode 11 which includes a metal layer 11A and a reflection factor adjusting layer 11B provided between the metal layer 11A and the liquid crystal layer 30 is formed on the first substrate 10.例文帳に追加

第１基板１０には、金属層１１Ａおよびこの金属層１１Ａと液晶層３０との間に設けられた反射率調整層１１Ｂを含む積層電極１１が形成されている。 - 特許庁

By utilizing the hard mask structure, the upper electrode layer, the ferroelectric layer and the lower electrode layer, are etched to form a lower electrode, a ferroelectric layer pattern, and an upper electrode on the substrate.例文帳に追加

ハードマスク構造物を利用して、上部電極層、強誘電体層、及び下部電極層をエッチングして、基板上に下部電極、強誘電体層パターン、及び上部電極を形成する。 - 特許庁

A p-layer guard ring 31 is formed between the photodiode p-layer 16 and an anode p-layer 21 surrounding at a predetermined interval from this region on a substrate n-layer 13 made by forming a bidirectional thyristor.例文帳に追加

双方向サイリスタを形成してなる基板Ｎ層１３上に、フォトダイオードＰ層１６と、この領域から所定間隔を隔てて取り囲むアノードＰ層２１との間に、Ｐ層ガードリング３１を形成する。 - 特許庁

After a getter layer 12 is formed on a first substrate 10, the getter layer 12 is caused to adsorb gas and, continuously, a gas barrier layer 13 and a semiconductor element are successively formed on the getter layer 12 in this order.例文帳に追加

第１の基板１０上にゲッター層を形成した後、このゲッター層１２にガスを吸着させ、続いて、このゲッター層１２の上にガスバリア層１３，半導体素子を順に形成する。 - 特許庁

The metal wiring comprises a first metal layer formed on a substrate, an oxide film formed on the first metal layer to suppress corrosion of the first metal layer, and a second metal layer formed on the oxide film.例文帳に追加

金属配線は、基板に形成された第１金属層と、第１金属層上に形成され、第１金属層の腐食を抑制する酸化膜と、酸化膜上に形成された第２金属層と、を含む。 - 特許庁

The optical recording medium has the recording layer and the monomer supply layer formed on a substrate, wherein at least either the recording layer or the monomer supply layer contains a photothermal converting agent.例文帳に追加

前記記録層及び前記モノマー供給層が、基板上に形成され、該記録層及び該モノマー供給層の少なくともいずれかが、光熱変換剤を含むことを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁

The triac is formed by selectively forming n-layers 41 and 43 within a p-layer of a semiconductor substrate in which an n-layer is held by the p-layers and also selectively forming an n-layer 42 within the p-layer.例文帳に追加

ｐ層がｎ層を挟み込む半導体基板のｐ層内にｎ層４１及び４３が選択的に形成され、ｐ層内にｎ層４２が選択的に形成され、トライアックが形成される。 - 特許庁

In the quartz optical waveguide consisting of a lower clad layer, a core, and an upper clad layer formed on a Si-substrate, the lower cladding layer and the upper cladding layer are formed with BPSG film.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に形成された下部クラッド層、コア、上部クラッド層よりなる石英系光導波路において下部クラッド層及び上部クラッド層がＢＰＳＧ膜によって形成されている。 - 特許庁

The recess gate of the semiconductor device includes a substrate 110, a metal layer 165, a polysilicon layer, and a source region and a drain region formed adjacent to the polysilicon layer and spaced from the metal layer 165.例文帳に追加

半導体素子のリセスゲートは、基板１１０と、金属層１６５と、ポリシリコン層と、ポリシリコン層に隣接し、金属層１６５から離隔され、形成されたソース領域及びドレーン領域と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an active layer 13 formed on a substrate 11, a superlattice layer 14 formed on the active layer 13, and an ohmic electrode 15 formed on the superlattice layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、基板１１の上に形成された活性層１３と、活性層１３の上に形成された超格子層１４と、超格子層１４の上に形成されたオーミック電極１５とを備えている。 - 特許庁

An AlGaN/GaN-based HFET 10 has a layer structure composed of successively laminating a buffer layer 2 consisting of GaN, an electron transit layer 3 consisting of undoped GaN and an electron supply layer 4 consisting of undoped AlGaN on a substrate 1.例文帳に追加

AlGaN/GaN系HFET１０は、基板１の上に、GaNから成るバッファ層２、アンドープGaNからなる電子走行層３、およびアンドープAlGaNからなる電子供給層４を順次積層して成る層構造を有する。 - 特許庁

The metamorphic buffer layer 12 is an As-doped InP layer 12A formed by crystal growing the InP layer (not shown) on the substrate 11 and doping the As all over the InP layer.例文帳に追加

メタモルフィックバッファ層１２は基板１１上にＩｎＰ層（図示せず）を結晶成長させると共にそのＩｎＰ層の全体にＡｓをドープすることにより形成されたＡｓドープＩｎＰ層１２Ａである。 - 特許庁

A buffer layer 12 is first formed on a sapphire substrate 11, and a group III nitride semiconductor layer having a multilayered structure of AlGaN (electron donor layer 14)/GaN (channel layer 13) is formed thereon.例文帳に追加

まず，サファイアの基板１１上にバッファ層１２を形成し，その上にＡｌＧａＮ（電子供給層１４）／ＧａＮ（チャネル層１３）の多層構造を有するIII族窒化物半導体層を成形する。 - 特許庁

A protective layer having high reflectance and low absorbing ratio of the laser beams or high heat resistance is provided between a color filter layer on the substrate and a transparent conductive layer provided on a flattened layer.例文帳に追加

基板上のカラーフィルタ層、平坦化層の上に設けられた透明導電層の間に、レーザー光に対し高い反射率、低い吸収率を有する、あるいは耐熱性の高い保護層を設ける。 - 特許庁

The multilayer substrate of the present invention has a high T_g polyimide layer interposed between the conductive layer and the low T_g polyimide, or optionally includes an additional low T_g polyimide arranged between the conductive layer and high T_g polyimide layer.例文帳に追加

本発明の多層基板は、導電層と低T_gポリイミドの間に置かれた高T_gポリイミド層を有し、または任意選択的に、導電層と高T_gポリイミド層の間に配置される追加の低T_gポリイミドを含む。 - 特許庁

Meanwhile, a repair superconductive tape wire rod 21 is fabricated by vapor depositing a first intermediate layer 23, a second intermediate layer 24, a superconductive layer 25, and a protection layer 26 in order on one side of a repair substrate 22.例文帳に追加

一方、補修用基板２２の片面に第１中間層２３、第２中間層２４、超電導層２５及び保護層２６を順次蒸着して補修用超電導テープ線材２１を作製する。 - 特許庁

A front substrate 2 of the image display device has a phosphor surface 6 including a phosphor layer and a light shielding layer 22, and a metal back layer 7 composed of a conductive film superposed on the phosphor layer.例文帳に追加

画像表示装置の前面基板２は、蛍光体層および遮光層２２を含む蛍光面６と、蛍光面に重ねて設けられた導電性薄膜からなるメタルバック層７とを有している。 - 特許庁

An intermediate layer 16 is formed by vapor deposition on an external surface side of a substrate layer 15 as a base of a movable plate 10, and a mirror layer 17 is formed by vapor deposition on an external surface side of the intermediate layer 16.例文帳に追加

可動板１０のベースとなる基板層１５の外面側に、中間層１６が蒸着により形成され、中間層１６の外面側に、ミラー層１７が蒸着により形成される。 - 特許庁

The laminated body S is composed of a nitride semiconductor and is provided with a laminated structure for which the n-type layer 2 and a p-type layer 4 hold a light emitting layer 3 therebetween for instance, and the n-type layer is positioned on a substrate side.例文帳に追加

積層体Ｓは、窒化物半導体からなり、例えば、ｎ型層２とｐ型層４とが発光層３を挟んでいる積層構造を有し、ｎ型層は基板側に位置している。 - 特許庁

The color filter substrate has a 1st layer and a 2nd layer which have opening parts, a filter layer which is positioned at the opening parts, and a reflection part and a transmission part which are provided corresponding to the filter layer.例文帳に追加

カラーフィルタ基板は、開口部を有する第１の層および第２の層と、前記開口部に位置するフィルタ層と、前記フィルタ層に対応して設けられた反射部および透過部と、を備えている。 - 特許庁

An n-GaAs active layer 3 is grown on a GaAs substrate 1 via an AlGaAs high-resistance buffer layer 2, and an n-InGaP etching stopping layer 4 and an n+-GaAs cap layer 5 are grown (first step).例文帳に追加

ＧaＡs基板１上にＡlＧaＡs高抵抗バッファ層２を介してｎ-ＧaＡs活性層３を成長させ、更にｎ-ＩnＧaＰエッチング停止層４、ｎ^+-ＧaＡsキャップ層５を成長させる（第１の工程）。 - 特許庁

In addition, this method also includes an upper resin- made insulating layer forming step of forming a second resin-made insulating layer 9 on the first resin-made insulating layer, and second conductor layer 29 of the cyanogen-treated substrate 41.例文帳に追加

さらに、シアン処理がされた基板４１のうち第１樹脂絶縁層７及び第２導体層２９上に、第２樹脂絶縁層９を形成する上部樹脂絶縁層形成工程を備える。 - 特許庁

The olefin-foamed wallpaper is obtained by sequentially laying, on a substrate 1, an adhesive layer 4a, a foamed olefin layer 2, an adhesive layer 4b, non-foaming thermoplastic resin layer 3 and a printed pattern layer 5 one after another, and formed ruggedness on the surface layers including the printed pattern layer.例文帳に追加

基材１の上に、接着層４ａ、発泡オレフィン層２、接着層４ｂ、非発泡の熱可塑樹脂層３及び印刷絵柄層５を順に設け、少なくとも印刷絵柄層を含む表面層に凹凸が形成されている構成のオレフィン発泡壁紙とする。 - 特許庁

The magnetic disk 10 has a magnetic recording layer 3 on a nonmagnetic substrate 1 and has a covering layer 4 on this magnetic recording layer 3 in which the covering layer 4 is formed on a side of the magnetic recording layer 3 and has a first covering layer 4a consisting of boron and carbon.例文帳に追加

非磁性基板１上に磁性記録層３を有し、この磁性記録層３上に被覆層４を有する磁気ディスク１０であって、被覆層４は、磁性記録層３側に、ホウ素及び炭素からなる第１被覆層４ａを有して形成されている。 - 特許庁

This organic EL element 1 for a printer head is composed by stacking, on a substrate 2, a translucent reflecting film 3, a positive electrode layer 4, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a luminescent layer 7, an electron transport layer 8, and a negative electrode layer (equivalent to a reflecting film as defined in a claim) 9.例文帳に追加

プリンタヘッド用有機ＥＬ素子１は、基板２上に半透明反射膜３、陽極層４、ホール注入層５、ホール輸送層６、発光層７、電子輸送層８、陰極層（請求項に記載の反射膜に相当）９が積層されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, there are formed by an MOCVD method successively on an n-type substrate 101 an n-type buffer layer 102, an n-type clad layer 103, an active layer 104, a first p-type clad layer 105, a p-type etching stop layer 106, and a second p-type clad layer 107.例文帳に追加

ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。 - 特許庁

An anode electrode layer sandwiching at least a part of a solar cell functional layer comprising a dye-supporting semiconductor layer and an electrolyte layer between a cathode electrode layer and itself has a plurality of openings, and is embedded in the dye-supporting semiconductor layer separated from an anode substrate.例文帳に追加

色素担持半導体層及び電解液層からなる太陽電池機能層の少なくとも１部をカソード電極層と挟むアノード電極層が、複数の開口を有し且つ前記アノード基板から離間して前記色素担持半導体層に包埋されている。 - 特許庁

An intermediate layer 2 with a metal layer 4 as a lower layer and a mixed layer 5 of metal and carbon as an upper layer is laminated on a surface of a substrate 1, and a diamond-like carbon film (a DLC film) 3 is deposited on the intermediate layer 2 by the unbalanced magnetron sputtering method.例文帳に追加

アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により、基材１の表面に、金属層４を下層とし、金属と炭素との混合層５を上層とする中間層２を積層し、中間層２の上にダイヤモンドライクカーボンの皮膜（ＤＬＣ皮膜）３を形成する。 - 特許庁