「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(127ページ目) - Weblio英語例文検索

This magneto-optical recording medium is a magneto-optical disk 10 having multilayered films including a magnetic layer 4, a protective layer 7 consisting of a resin material and a lubricating layer 8 on one surface of a transparent substrate 1.例文帳に追加

透明基板１の片面に磁性層４を含む多層膜と、樹脂材料からなる保護層７と、潤滑層８とを有する光磁気ディスク１０である。 - 特許庁

Subsequently, the substrate 101 including the soluble component is solved and removed to expose a surface of the receptive layer 102, and then a color filter layer is formed on the surface of the receptive layer 102.例文帳に追加

そして、溶解性成分を含む基板１０１を溶解除去し受容層１０２表面に露出させた後、受容層１０２表面にカラーフィルタ層を形成する。 - 特許庁

An undercoat layer 3 is formed on an electrically conductive substrate 2 and a photosensitive layer 4 is formed on the undercoat layer 3 to obtain the objective electrophotographic photoreceptor 1a, 1b.例文帳に追加

導電性支持体２の上に下引き層３が形成され、下引き層３の上に感光層４が形成されて電子写真感光体１ａ，１ｂが構成される。 - 特許庁

In the magnetic recording medium, a first coating layer is formed on the surface of a substrate and a second coating layer containing a magnetic body is formed on the first coating layer.例文帳に追加

支持体の表面に、第１の塗布層が形成されており、第１の塗布層の上に磁性体を含む第２の塗布層が形成されている磁気記録媒体。 - 特許庁

Then, the gallium nitride layer 51 formed on the substrate 50 is subjected to a heat treatment comprising heating the gallium nitride layer 51 at a temperature of ≥800°C for at least 5 min and cooling the layer 51 at a temperature lowering rate of ≤50°C/min.例文帳に追加

次に、基板５０上に形成された窒化ガリウム層５１を８００℃以上で５分以上加熱し、降温速度を５０℃／分以下とする熱処理を行なう。 - 特許庁

The quantum cascade laser is composed of: a semiconductor substrate; and an active layer configured by laminating multiple stages of unit laminates 16 each of which includes a light-emitting layer 17 and an injection layer 18.例文帳に追加

半導体基板と、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層された活性層とによって量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

The ceramic package 10 for a light emitting device is provided with a ceramic substrate 11, a metallized layer 42, underlying metal layers 43 and 44, a silver layer 45, a surface metal layer 48, etc.例文帳に追加

本発明の発光素子用セラミックパッケージ１０は、セラミック基板１１、メタライズ層４２、下地金属層４３，４４、銀層４５、表面金属層４８などを備える。 - 特許庁

The etching selectivity of the contact layer to the active layer is high and hence in a channel etching process the thickness of the active layer can be made uniform in the substrate plane.例文帳に追加

さらに、コンタクト層と活性層のエッチング選択比が大きいため、チャネルエッチングプロセスにおいて、活性層の厚さを基板面内で均一にすることが可能となる。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film layered product excelling in conductivity even if the thickness of a conductive film layer is small, and excelling in adhesiveness of the conductive film layer to a transparent substrate layer.例文帳に追加

導電膜層の膜厚が薄くても導電性に優れ導電膜層と透明基板層との密着性に優れる透明導電膜積層体を提供する。 - 特許庁

A scale 13 consisting of the same layer as any one layer of the TFTs is formed on the first substrate 10 on the inner side of the aperture part 31 of the seal layer 30.例文帳に追加

シール層３０の開口部３１の内側の第１の基板１０上には、ＴＦＴのいずれかの層と同一の層からなる目盛り１３が形成されている。 - 特許庁

The GaN layer is transversely epitaxially grown on the substrate 1, an element layer is grown on the GaN layer, at which stage a semiconductor device such as a GaN-based semiconductor laser is manufactured.例文帳に追加

この基板上にＧａＮ層を横方向エピタキシャル成長させ、その上に素子層を成長させてＧａＮ系半導体レーザなどの半導体装置を製造する。 - 特許庁

A lower semiconductor DBR 103, a lower spacer layer 104, an active layer 105, an upper spacer layer 106, and an upper semiconductor DBR 107 are stacked on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７を積層する。 - 特許庁

There is employed a substrate having thereover a layer reflective to the imaging tool radiation and a portion of the radiation containing an aerial image passes through the resist layer, and reflects back to the resist layer.例文帳に追加

結像ツールの放射を反射する層を有する基板が使用され、空中像を含む放射の一部分はレジスト層を通過しレジスト層へ再び反射する。 - 特許庁

A semiconductor crystal GaN layer 14 is grown on a sapphire base substrate 11 through the intermediary of an AlN isolation layer 12 and a GaN buffer layer 13.例文帳に追加

サファイアよりなる基礎基板１１に、ＡｌＮよりなる分離層１２およびＧａＮよりなるバッファ層１３を介してＧａＮよりなる半導体結晶層１４を成長させる。 - 特許庁

The gas barrier film substrate is constituted by making an inorganic layer 13 at least overlie one side of a resin film and a gas barrier inorganic layer 12 overlie the inorganic layer.例文帳に追加

樹脂フィルムの少なくとも片面に、無機質層が積層され、該無機質層の上に、ガスバリア無機質層が積層されている構成を有するガスバリアフィルム基板である。 - 特許庁

A semiconductor storage device 40 is selectively provided with an N^+ layer 2 as the source layer or the drain layer of a memory transistor having a laminated gate structure on the upper surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体記４０では、半導体基板１表面に、積層ゲート構造のメモリトランジスタのソース層或いはドレイン層としてのＮ^＋層２が選択的に設けられる。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device, a varistor layer is formed by laminating a transition metal oxide layer and a leakage control layer alternately on a substrate once to twenty times.例文帳に追加

本発明の半導体素子の製造方法は、基板上に転移金属酸化膜及び漏洩制御膜を互い違いに１回〜２０回積層してバリスタ膜を形成する。 - 特許庁

A diode 40 is structured by laminating in the order an n-type silicon carbide layer 14, an n-type silicon layer 16, and a p-type silicon layer 18 on an n+ silicon carbide substrate 12.例文帳に追加

ダイオード４０は、ｎ^+型シリコンカーバイド基板１２上に、ｎ型シリコンカーバイド層１４、ｎ型シリコン層１６、ｐ型シリコン層１８が順に積層された構造をしている。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes a semiconductor substrate, a first conductivity-type lower clad layer, an active layer, a second conductivity-type upper clad layer, an electrode and a reflection film.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、半導体基板、第１導電型の下部クラッド層、活性層、第２導電型の上部クラッド層、電極、及び反射膜を備えている。 - 特許庁

An active layer 2 is provided on an n-type InP substrate 1 while a diffraction grating 5 and a p-type InP clad layer 4 are provided on the active layer 2.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の上には活性層２が設けられており、活性層２の上方には、回折格子５およびｐ型ＩｎＰクラッド層４が設けられている。 - 特許庁

The control device 13 conveys the substrate 14 into a tantalum layer forming chamber F3 to coat the whole magnetic layer 15 with a tantalum layer 16 using an oblique incidence sputtering process.例文帳に追加

また、制御装置１３が、基板１４をタンタル層形成チャンバＦ３に搬送し、斜め入射スパッタ法を用いて磁性層１５の全体にわたりタンタル層１６を被覆する。 - 特許庁

The LED comprises a substrate 10, an adhesive layer 11, a conductive layer 12, an emitting laminate structure 13, an electrode buffer layer 14, a first electrode 15, and a second electrode 16.例文帳に追加

LEDは基板１０、接着層１１、導電層１２、発光積層構造１３、電極バッファ層１４、第一の電極１５及び第二の電極１６を含む。 - 特許庁

A p-GaN layer 5 as III-nitride-system compound or the like is formed on a sapphire substrate 1 with the MOVPE method, and a first metal layer 6 composed of Co/Au is formed on the layer 5.例文帳に追加

サファイア基板１上にMOVPE 法等によりIII 族窒化物系化合物半導体等であるp-GaN 層５を形成し、その上にCo/ Auからなる第１金属層６を形成する。 - 特許庁

A scintillator layer 13 for converting X rays to fluorescent light is formed on an array substrate 12, and a reflecting film 14 for reflecting the fluorescent light of the scintillator layer 13 is formed on the scintillator layer 13.例文帳に追加

アレイ基板12上にＸ線を蛍光に変換するシンチレータ層13を形成し、シンチレータ層13上にシンチレータ層13の蛍光を反射させる反射膜14を形成する。 - 特許庁

An n-type first base layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1 having a first main face and second main face, and a p-type second base layer 3 is formed on its upper layer.例文帳に追加

第１主面及び第２主面を有する半導体基板１に、ｎ型の第１ベース層２が設けられ、その上層にｐ型の第２ベース層３が設けられている。 - 特許庁

An oriented layer 2 overlies a substrate 1, a latent image forming layer 3 constituted of liquid crystal molecules is formed on the same, and a scattering reflecting layer 4 overlies the same.例文帳に追加

基材１上に、配向層２が形成され、その上に液晶分子からなる潜像形成層３が形成され、その上に散乱性反射層４が形成されている。 - 特許庁

An isolation layer 4 is composed of p-type single-crystalline silicon, and is formed in a specified position of the epitaxial layer 12 piercing from the surface of the layer 12 to the substrate 11.例文帳に追加

アイソレーション層４は、Ｐ型単結晶シリコンからなり、エピタキシャル層１２の所定箇所において、同層１２の表面から基板１１に連通して形成されている。 - 特許庁

A P-type impurity layer 13 is formed on a surface of a substrate between the gate electrode 7 and the drain layer 12 with high concentration so as to surround the drain layer 12 with high concentration.例文帳に追加

そして、ゲート電極７と高濃度のドレイン層１２との間の基板表面に、高濃度のドレイン層１２を囲むようにしてＰ型不純物層１３を形成する。 - 特許庁

An n-type etching stop layer 2 is provided on an n-type semiconductor substrate 1, and an n-type stripe-like ridge layer 3 is formed partly in the stop layer 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１上にｎ形のエッチングストップ層２が設けられ、そのエッチングストップ層２上の一部にｎ形のストライプ状リッジ層３が形成されている。 - 特許庁

The substrate film contains a first layer 21 made of a magnetic material having saturation magnetic flux density of ≥1.8T and a second layer 22 formed on the first layer 21.例文帳に追加

下地膜は、１．８Ｔ以上の飽和磁束密度を有する磁性材料よりなる第１層２１と、第１層２１の上に形成された第２層２２とを含む。 - 特許庁

The color filter layer and the light shielding layer are formed by dyeing a color acceptance resin layer placed on the first substrate by the dye of the prescribed color, respectively.例文帳に追加

カラーフィルター層および遮光層は、第１の基板上に配置された染料受容樹脂層が、それぞれ所定の色の染料により染色されてなることを特徴とする。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 1, an n-type cladding layer 5, an active layer 6, a first p-type cladding layer 7, and a ridge 12 are formed above an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。 - 特許庁

On a single crystal Si substrate on which an element isolation layer 3 has been formed, a SiGe layer 11 and a Si layer 13 are laminated sequentially by the epitaxial growth method.例文帳に追加

素子分離層３が形成された単結晶のＳｉ基板１上に、エピタキシャル成長法によってＳｉＧｅ層１１とＳｉ層１３とを順次積層する。 - 特許庁

The electrochromic element comprises a transparent conductive film 2, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer 5, a reduction coloring layer and a transparent conductive film 10 sequentially constructed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に透明導電膜２、酸化発色層、電解質層５、還元発色層、透明導電膜１０が順次構成されているエレクトロクロミック素子である。 - 特許庁

A depletion layer 60 is formed in the semiconductor layer 2 by applying a voltage Vdd, Vk from the outside to the semiconductor substrate 1 and the first diffusion layer 3.例文帳に追加

そして、半導体基板１，第１の拡散層３に外部から電圧Ｖｄｄ，Ｖｋを印加することにより半導体層２に空乏層６０を発生させる。 - 特許庁

A GaN layer 33 and an AlGa layer 37 are formed on a substrate 31, and an oxidized protective film 38 made of silicon is selectively formed on the AlGaN layer 37.例文帳に追加

基板３１の上にＧａＮ層３３とＡｌＧａＮ層３７とを形成し、ＡｌＧａＮ層３７の上にシリコンからなる酸化保護膜３８を選択的に形成する。 - 特許庁

When the active layer is selectively grown on a substrate, a crystal is previously grown in a non-growth region of the active layer and then the active layer is grown.例文帳に追加

基板上に活性層を選択的に成長するに際し、活性層の非成長領域に予め結晶を成長しておき、その後、活性層を成長する。 - 特許庁

On a glass substrate 4, a sensing layer 6 to detect the presence of the magnetism is laminated into a sheet shape, and a layer 8 including two terminals is formed integrally with the sensing layer 6.例文帳に追加

ガラス基板４上に磁力の有無を検出する感知層６を面状に積層し、この感知層６と一体的に二つの端子層８を形成した。 - 特許庁

In the cathode for the electron tube, an allow layer 4 is formed on the surface of a cathode substrate 3 and an emissive material layer 5 is adhered and formed on the alloy layer 4.例文帳に追加

この電子管用カソードは、カソード基体３の表面に合金層４を形成し、合金層４の上に電子放射物質層５を被着形成したものである。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes a substrate, a reflective electrode, a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer that are sequentially stacked.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子は、基板、反射電極、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順次に積層される。 - 特許庁

This semiconductor device 200 comprises a semiconductor substrate 110, a polysilicon layer 30, a side spacer 40, a first silicide layer 262, a second silicide layer 263, and a metal film 261.例文帳に追加

半導体装置２００は、半導体基板１１０と、ポリシリコン層３０と、サイドスペーサ４０と、第１シリサイド層２６２と、第２シリサイド層２６３と、金属膜２６１とを備える。 - 特許庁

In this semiconductor device, within a memory circuit forming region of a silicon substrate 1, a first gate electrode layer 4 and a hard mask layer 5 are formed on a first gate insulation layer 3.例文帳に追加

シリコン基板１のメモリ回路形成領域内には、第１のゲート絶縁層３上に第１のゲート電極層４とハードマスク層５とが形成されている。 - 特許庁

The insulation layer is formed of a self-assembly organic layer which assembles itself by chemical bond on the surface of the semiconductor oxide layer and the surface of the conductive substrate, respectively.例文帳に追加

絶縁層は、半導体酸化物層の表面と伝導性基板の表面とにそれぞれ化学結合により自己組み立てされている自己組み立て有機層で形成される。 - 特許庁

In one embodiment, the metallic substrate is composed of a copper alloy, the amorphous metal lower layer is composed of Ni-P, the intermediate layer is composed of nickel, and the external layer is composed of palladium, respectively.例文帳に追加

一実施例において、金属基板は銅合金から、非晶質金属下部層はNi−Pから、中間層はニッケルから、外部層はパラジウムからそれぞれ成る。 - 特許庁

The gas diffusion layer substrate after allowing the cerium-containing oxide to be contacted with the water-repellent layer paste coating surface is heated to dissolve and remove the surfactant contained in the water-repellent layer paste.例文帳に追加

撥水層ペーストの塗工面にセリウム含有物が接触されたガス拡散層基材を加熱して、撥水層ペーストに含まれる界面活性剤を分解除去する。 - 特許庁