「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

The high-k gate insulation film formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and a high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a high relative permittivity than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

A composite layer including a layer that is formed on the transparent substrate of the optical disk and records the data, is scratched, peeling force by an adhesive is exerted on the composite layer region around the scratch, and the composite layer is peeled from the surface of the substrate, thus destroying the data.例文帳に追加

光ディスクの光透過性の基板上に形成されデータが記録された層を含む複合層に傷をつけ、該傷の周辺の複合層領域に粘着剤による引き剥がし力を作用させ、該複合層を該基板面から引き剥がすことでデータを破壊する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium has a structure wherein at least the soft magnetic backing layer, a magnetic recording layer, a protective film and a liquid lubricating material layer are successively laminated on a non-magnetic substrate, and the non-magnetic substrate has a soft magnetic layer formed on its outer and inner peripheral side surfaces.例文帳に追加

非磁性基体上に少なくとも軟磁性裏打ち層、磁気記録層、保護膜、および液体潤滑材層が順次積層された構造を有しており、該非磁性基体が、外周および内周側面に軟磁性層を形成している垂直磁気記録媒体。 - 特許庁

A surface layer 4 made of silicon oxide is formed as a bonding layer on a first substrate 2 or chip including an electronic component 6, and a surface layer 14 made of silicon oxide is formed as a bonding layer on a second substrate 12 including an electronic component 16.例文帳に追加

電子的コンポーネント６を含む第１の基板２またはチップ上に結合層として酸化ケイ素からなる表面層４を形成し、電子的コンポーネント１６を含む第２の基板１２上に結合層として酸化ケイ素からなる表面層１４を形成する。 - 特許庁

The transfer sheet S has a decorative layer 2 laid on a substrate sheet 1 as the transfer layer 3, and a thermoplastic acrylic urethane resin having a hydrolytic silyl group in a molecule is used at least for a layer of the decorative layer which adjoins the substrate sheet.例文帳に追加

転写シートＳは、支持体シート１上に装飾層２が転写層３として積層されており、この装飾層のうち少なくとも支持体シートに接する層に、加水分解性シリル基を分子中に有する熱可塑性アクリルウレタン系樹脂を用いる。 - 特許庁

The composite material (10) comprises a substrate (12), a photocatalyst layer (14) and an intermediate layer (13) formed between the photocatalyst layer and the substrate, wherein the intermediate layer comprises ceramics containing at least Si and N.例文帳に追加

上記課題を解決する本発明の複合材(10)は、基材(12)と、光触媒層(14)と、該光触媒層と基材との間に形成された中間層(13)とを有しており、その中間層は少なくともＳｉとＮとを含むセラミックスにより構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The electrode comprises, at least, an electrode substrate and an electrode catalyst layer, the electrode catalyst layer being infiltrated into the electrode substrate to form the mixture layer, the mixture layer having a thickness of 20 μm or less.例文帳に追加

少なくとも、電極基材と電極触媒層とから構成される電極において、該電極基材の中に該電極触媒層が浸み込んで混合層を形成しているとともに、該混合層の厚さが２０μｍ以下であることを特徴とする電極 - 特許庁

Next, a GaN semiconductor substrate 10 is formed by sequentially depositing a GaN layer 16 and a AlGaN layer 20 on the buffer layer under the condition that the supporting substrate and buffer layer are kept within the growth temperature being set to 900°C or higher but to 1,100°C or lower.例文帳に追加

次に、支持基板及びバッファ層を９００℃以上１１００℃以下に設定された成長温度に保持した状態で、バッファ層上に、ＧａＮ層１６及びＡｌＧａＮ層２０を順次に積層してＧａＮ半導体基板１０を形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing the semiconductor device equipped with the metallic substrate includes at least following steps: providing a semiconductor substrate as a temporary substrate; forming at least one semiconductor layer on the semiconductor substrate; forming the metallic substrate on the semiconductor layer, and removing the semiconductor substrate finally.例文帳に追加

本発明の金属基板を具えた半導体装置の製造方法によると、半導体基板を提供し暫時基板となすステップと、続いて少なくとも一つの半導体層を半導体基板の上に形成するステップと、金属基板を半導体層の上に形成するステップと、最後に半導体基板を除去するステップと、を少なくとも含む。 - 特許庁

The liquid crystal device includes an element substrate 10 and a counter substrate 20 arranged mutually oppositely, a liquid crystal layer 40 sandwiched between the element substrate 10 and the counter substrate 20, and an orientation film 34 and an orientation film 36 provided on each facing side to the liquid crystal layer 40 of the element substrate 10 and the counter substrate 20.例文帳に追加

液晶装置は、互いに対向して配置された素子基板１０および対向基板２０と、素子基板１０および対向基板２０の間に挟持された液晶層４０と、素子基板１０および対向基板２０のそれぞれの液晶層４０に面する側に設けられた配向膜３４と配向膜３６と、を備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical waveguide substrate by which a quartz layer is formed on a silicone substrate is characterized in that a silicone substrate of which the front and back surfaces are mirror ground is used as the silicone substrate and a quartz layer is formed on the whole part of the silicone substrate by oxidizing the silicone substrate by a thermal oxidation method.例文帳に追加

シリコン基板上に石英膜を形成して光導波路基板を製造する方法であって、前記シリコン基板として基板の表面及び裏面が鏡面研磨されたシリコン基板を用い、該シリコン基板を熱酸化法により酸化することによって前記シリコン基板全体に石英膜を形成することを特徴とする光導波路基板の製造方法。 - 特許庁

The method for treating the surface of the substrate includes a cleaning process S1 for keeping the surface of the substrate clean by removing a pollutant present on the substrate a substrate storing process S2 for keeping the substrate in storage by soaking it in a storing fluid and a coating layer forming process S4 for forming the coating layer on the surface of the substrate.例文帳に追加

本発明の基板の表面処理方法は、基板上に存在する汚染物質を除去することにより、該基板表面を清浄にする清浄化工程Ｓ１と、前記基板を保管用液体中に浸漬して当該基板を保管する基板保管工程Ｓ２と、前記基板表面に膜を形成する膜形成工程Ｓ４とを含む。 - 特許庁

The ultrasonic probe 2 is equipped with: a first substrate 20 having the silicon substrate 21 and a ultrasonic transmitting/receiving element 3; an acoustic lens 11 installed on the upper surface of the first substrate 20; a damping layer 41 installed beneath the first substrate 20; and a second substrate 31 installed between the lower surface of the first substrate 20 and the upper surface of the damping layer 41.例文帳に追加

超音波探触子２は、シリコン基板２１及び超音波送受信素子３を有する第１基板２０と、第１基板２０の上面に設置された音響レンズ１１と、第１基板２０の下方に設置されたダンピング層４１とを備え、さらに、第１基板２０の下面とダンピング層４１の上面との間に第２基板３１が設置されている。 - 特許庁

The optical sensor is constituted by at least a first semiconductor layer 2 provided on the surface of a semiconductor substrate 1, a third semiconductor layer 4 acting as a light absorbing layer provided on the first semiconductor layer 2, a second semiconductor layer 3 provided on the third semiconductor layer 4, a first protective layer 5 provided on the rear surface of the semiconductor substrate 1, and a second protective layer 6 so provided as to cover the first protective layer.例文帳に追加

光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた第１の保護層５と、この第１の保護層を被覆して設けられた第２の保護層６から構成されている。 - 特許庁

The EL element is at least provided with a substrate, a liquid-repellent layer formed on the substrate, a first electrode layer formed in a pattern on the substrate equipped with the liquid-repellent layer and having a critical surface tension larger than that of the liquid-repellent layer, a luminous layer formed on the first electrode layer, and a second electrode layer formed on the luminous layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基板と、前記基板上に形成された撥液性層と、前記撥液性層を有する基板上にパターン状に形成され、前記撥液性層の臨界表面張力よりも大きい臨界表面張力を有する第１電極層と、前記第１電極層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを少なくとも有することを特徴とするＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 3, a first insulating resin layer 4 provided on the semiconductor substrate 3, a first rewiring layer 5 provided on the first insulating resin layer 4, a second insulating resin layer 6 provided on the first rewiring layer 5, a second rewiring layer 7 provided on the second insulating resin layer 6, and a bump 9 formed on the second rewiring layer 7.例文帳に追加

半導体基板３と、半導体基板３上に設けられた第１絶縁樹脂層４と、第１絶縁樹脂層４上に設けられた第１再配線層５と、第１再配線層５上に設けられた第２絶縁樹脂層６と、第２絶縁樹脂層６上に設けられた第２再配線層７と、第２再配線層７上に形成されたはんだバンプ９とを備えた半導体装置１。 - 特許庁

The coated conductor includes the metal substrate 1 and the layer structure including at least one buffer layer; the high-temperature superconductor layer deposited on the topmost buffer layer 2; and the metal protective layer deposited on the high-temperature superconductor layer as an option, wherein at least one conductive path electrically connecting the high-temperature superconductor layer to the metal substrate is provided in the layer structure.例文帳に追加

金属基板１と、少なくとも一つのバッファ層、最上部のバッファ層２上に堆積された高温超伝導体層、及びオプションとして該高温超伝導体層上に堆積された金属保護層からなる層構造と、を含む被覆導体であって、該層構造内に、該層構造の高温超伝導体層を該金属基板に電気的に接続する少なくとも一つの導電性経路が備わる被覆導体。 - 特許庁

The piezoelectric element 100 includes a substrate 10, a first conductive layer 20 provided on the substrate 10, the piezoelectric layer 30 covering an upper part and a side part of the first conductive layer 20, the buffer layer 40 provided on an upper surface 32 of the piezoelectric layer 30 and provided along an edge of the upper surface 32, and the second conductive layer 50 for covering at least the buffer layer 40 and the piezoelectric layer 30.例文帳に追加

本発明にかかる圧電素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に設けられた第１導電層２０と、第１導電層２０の上方および側方を覆う圧電体層３０と、圧電体層３０の上面３２に設けられ、上面３２の端に沿って設けられた緩和層４０と、少なくとも緩和層４０、および圧電体層３０を覆う第２導電層５０と、を含む。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium including a substrate 1, a soft magnetic layer 3 formed on one principal surface side of the substrate 1, a non-magnetic layer 4 formed in contact with the soft magnetic layer 3, an intermediate layer 6 formed on the non-magnetic layer 4 and a perpendicular recording layer 7 formed in contact with the intermediate layer 7, an acene coated film is used as the intermediate layer for enhancing surface flatness.例文帳に追加

基板１と、前記基板１の一主面側に形成された軟磁性層３と、前記軟磁性層３に接触して形成された非磁性層４と、前記非磁性層４上に形成された中間層６と、前記中間層６に接触して形成された垂直記録層７とを備えた垂直磁気記録媒体において、前記中間層として表面平坦性を向上させるため、アセン塗布膜を用いる。 - 特許庁

The surface acoustic wave element is provided with a silicon substrate 1, a buffer layer 3 formed by epitaxial growth of at least one layer of oxide containing a metal on the silicon substrate 1, a piezoelectric layer 4 consisting of potassium niobate and formed on the buffer layer 3, a silicon oxide layer 5 formed on the piezoelectric layer 4, and an electrode layer 6 formed on the silicon oxide layer 5.例文帳に追加

本発明の表面弾性波素子は、シリコン基板１と、該シリコン基板１上に、金属を含む酸化物を少なくとも一層以上エピタキシャル成長させて形成されたバッファ層３と、該バッファ層３上に形成されたニオブ酸カリウムからなる圧電体層４と、該圧電体層４上に形成された酸化シリコン層５と、該酸化シリコン層５上に形成された電極層６とを備えた構成とされている。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus capable of preventing the curvature of a substrate caused by the expansion and contraction of an insulating layer, and the detachment of the insulating layer from the substrate, and capable of improving insulation properties between terminals.例文帳に追加

絶縁層の伸縮による基板の湾曲や、絶縁層と基板との剥離を防止するとともに、端子どうしの間で絶縁性を高めた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide such a substrate having projection members that the fine projection members with high dimensional precision can be easily formed on the substrate surface, where a conductor layer is formed, without damaging the conductor layer.例文帳に追加

導体層を形成した基板表面に、該導体層を傷つけることなく、容易に、微細で寸法精度の高い突起部材を形成できる突起部材付基板を提供する。 - 特許庁

In a region for packaging a surface-packaged electronic component 6 on a substrate 1 which is internally formed with a copper foil layer 9, a plurality of through holes 11 communicated to the copper foil layer 9 in the substrate are formed.例文帳に追加

内部に銅箔層９を備えた基板１における面実装型電子部品６の実装部位に、基板内部の銅箔層９に連なる複数のスルーホール１１を設けてある。 - 特許庁

In a step of forming an under layer, the under layer is formed while an insulating substrate 11 is supported by support springs 43 provided at a substrate holder 40 and made of a conductive material.例文帳に追加

下地層の形成工程において、絶縁性の基板１１を基板ホルダ４０に設けられた導電性材料からなる支持スプリング４３により支持して下地層を形成する。 - 特許庁

After an adhesive agent layer 33 is disposed on the bases 32, the temporarily holding substrate 21 and the element disposition substrate 31 are made close to each other, and partial elements 5a are caused to come in contact with the adhesive agent layer 33.例文帳に追加

台座３２上に接着剤層３３を配置した後、一時保持用基板２１と素子配置基板３１とを接近させ、一部の素子５ａを接着剤層３３に接触させる。 - 特許庁

A gas is sprayed from the porus layer 11 of a holder 10 toward the back surface S2 of the glass substrate S, whereby, the glass substrate S is held at a space G1 between the porus layer 11.例文帳に追加

保持部１０の多孔質層１１からガラス基板Ｓの裏面Ｓ２に向けてガスが噴出し、これによりガラス基板Ｓが多孔質層１１との間に間隙Ｇ１をあけて保持される。 - 特許庁

To provide a method treatment and coating of a substrate surface in which the layer of pollutants produced on the surface of the substrate is effectively removed, and the formation of a coating layer is executed, and to provide a device therefor.例文帳に追加

基板表面に生じた汚染物質の層を効果的に除去して被覆層の形成を行う、基板表面の前処理および被覆方法および装置を提案する。 - 特許庁

After curing of the substrate layer 18, stones 22 are laid while applying stoned mortar 20 so that the nap 14a of the three-dimensional fiber material is embedded on the surface of the substrate layer 18.例文帳に追加

下地層１８の養生後、この下地層１８の表面に立体繊維材料１４の立毛１４ａを埋設するように石張りモルタル２０を塗布しつつ、石材２２を張り付ける。 - 特許庁

A conductive layer 31 is formed on the entire surface of the substrate, and a spiral groove 32 is formed on the conductive layer 31 at the spiral section, thus adhering the conductor to the substrate for formation.例文帳に追加

基台の表面全体に導体層３１を形成し、螺旋部における導体層３１に螺旋状に溝３２を形成することにより、導体を基台に密着するように形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a composite substrate of a type of having at least one thin final insulation layer interposed between a support substrate and an active layer of a semiconductor material.例文帳に追加

支持基板と半導体材料の活性層との間に介在させた少なくとも１つの薄い最終絶縁層を備えるタイプの複合基板の作製方法を提供する。 - 特許庁

The wring layer of the second rigid substrate is electrically connected to that of the flexible board via conductive bumps piercing through the insulating layer and using the second rigid substrate side as an end side.例文帳に追加

第２のリジッド基板とフレキシブル基板の配線層間は、絶縁層を貫通し第２のリジッド基板側を先端側とする導電性バンプにより電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a MOS device, including a first conduction type substrate and a second conduction type semiconductor layer, that is formed at least on a part of the substrate, which has a second layer.例文帳に追加

第１の導電型の基板および基板の少なくとも一部分の上に形成された第２の導電型の第２の層を備えた半導体層を含むＭＯＳデバイスを提供すること。 - 特許庁

The optical deflecting element comprises a substrate 2, an optical waveguide layer 4 consisting of a thin piezoelectric film disposed on this substrate 2 and a diamond-like carbon film 5 disposed on the optical waveguide layer 4.例文帳に追加

基板２と、基板２上に設けられた圧電性薄膜からなる光導波層４と、光導波層４上に設けられたダイヤモンド様炭素膜５により光偏向素子を構成する。 - 特許庁

The optical disk 1 has a structure wherein a first substrate 5, a reflection layer 7, a recording layer 9 for hologram recording and a second substrate 11 transmitting the laser beam L for recording and reproduction are stacked.例文帳に追加

光ディスク１は、第１基板５、反射層７、ホログラム記録用の記録層９、記録再生用のレーザ光Ｌを透過する第２基板１１が積層された構造をしている。 - 特許庁

A one-layer segmented gadolinia zirconia coating system 10 comprises a metallic substrate 20, a bond coat 30 disposed on the metallic substrate 20, and the one-layer segmented gadolinia zirconia coating film 40.例文帳に追加

一層のセグメント化ガドリニアジルコニア被膜システム１０は、金属性基体２０と、基体２０の上に塗布されたボンディングコート３０と、一層のセグメント化ガドリニアジルコニア被膜４０と、を備える。 - 特許庁

The thermal head 4 is configured to have a substrate 11, a heat accumulation layer 12 which is formed on one surface of the substrate 11 and made of glass, and the heat element 13 provided on the heat accumulation layer 12.例文帳に追加

サーマルヘッド４を、基板１１と、基板１１の一面に形成されるガラス製の蓄熱層１２と、蓄熱層１２上に設けられた発熱抵抗体１３とを有する構成とする。 - 特許庁

The build-up multilayer wiring board 7 comprises a core substrate, i.e. a low-temperature firing ceramic substrate 1, a build-up layer 2, and a dummy metallized layer 61 as a metallic reinforcing body.例文帳に追加

本発明のビルドアップ多層配線基板７は、コア基板である低温焼成セラミック基板１と、ビルドアップ層２と、金属製補強体としてのダミーメタライズ層６１とを備える。 - 特許庁

In particular, the substrate is made of aluminum, the alumina whisker is formed, while being extended to the outside from the surface to form a layer; and preferably, the surface of the substrate has an alumina whisker layer.例文帳に追加

特に、前記基板は、アルミニウムであり、前記アルミナウィスカーが、表面から外側に延びるように形成されて層を形成し、前記基板表面にアルミナウィスカー層を有することが好ましい。 - 特許庁

To provide a substrate for mounting a light-emitting element in which a silver based metal layer is bonded firmly to a ceramic substrate, and discoloration of the metal layer can be minimized.例文帳に追加

セラミック基板に銀系の金属層が強固に接合されているとともに、金属層の変色を抑制することが可能な発光素子搭載用基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this mirror, a layer for suppressing deformation of a mirror substrate by thermal expansion, that is, a suppression layer (21) is provided between a mirror substrate (6a) or (6b) and a base (8) for mirror fixation.例文帳に追加

ミラー基板（６ａ）または（６ｂ）とミラー固定用ベース（８）との間には、熱膨張によるミラー基板の変形を抑制するための層、すなわち、抑制層（２１）が設けられている。 - 特許庁

The close contact layer 7 is formed between the gas detecting layer 4 and a substrate 15 constituted of a silicon substrate 2 and insulating film layers 3, 230, the degree of adhesion is improved, and peeling is prevented.例文帳に追加

ガス検知層４とシリコン基板２および絶縁被膜層３，２３０から構成される基体１５との間に密着層７を形成し、両者の密着性を高め剥離を防止する。 - 特許庁

In this case, the predetermined thickness distribution of the calibration layer on the calibration testing substrate corresponds to the flat thickness distribution of a layer on the multilayed substrate obtained by the same predetermined process condition and a set.例文帳に追加

この場合、較正試験基板上の較正層の所定の厚さ分布は同じ所定のプロセス条件・セットによって得られた多層基板上の層の平坦な厚さ分布に対応する。 - 特許庁

A reflection plate 11, a transparent electrode 10 and an alignment layer 9 are successively formed on a glass substrate 12, and a transparent electrode 5 and an alignment layer 6 are successively formed on a glass substrate 4.例文帳に追加

ガラス基板１２上に反射板１５と透明電極１０と配向膜９を順次形成し、ガラス基板４の上に透明電極５と配向膜６を順次形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a wiring substrate, a first solder resist layer 102 is formed on a supporting substrate, a first opening is formed on the first solder resist layer 102, and an electrode 103 is formed on the first opening.例文帳に追加

支持基板上に第１のソルダーレジスト層１０２を形成し、第１のソルダーレジスト層１０２に第１の開口部を形成し、第１の開口部に電極を１０３形成する。 - 特許庁

A region on the substrate 10 superposed on the second organic buffer layer 192, and a region on the substrate 10 superposed on the first organic buffer layer 191 do not correspond with each other.例文帳に追加

また、第２の有機緩衝層１９２に重なる主基板１０上の領域は、第１の有機緩衝層１９１に重なる主基板１０上の領域と一致しない。 - 特許庁