「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor light detecting element PD1 has a layer structural body LS1 and a glass substrate 1.例文帳に追加

半導体光検出素子ＰＤ１は、層構造体ＬＳ１と、ガラス基板１とを備える。 - 特許庁

The metal layer 20 extends into the sprocket hole 16 and are disposed on the surface of the flexible substrate 12.例文帳に追加

金属層２０は、スプロケット孔内に延び、フレキシブル基板１２の表面に配置される。 - 特許庁

A semiconductor film 10 containing a light emitting layer 3 is formed on the conductive substrate 1.例文帳に追加

導電性基板１の上に発光層３を含む半導体膜１０が形成される。 - 特許庁

MANUFACTURE OF PRODUCT INCLUDING OXIDE LAYER ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING GaAs AS BASE例文帳に追加

ＧａＡｓを基体とする半導体基板上の酸化物層を含む製品の作製方法 - 特許庁

To form a gallium nitride based compound semiconductor layer excellent in planarity on a substrate.例文帳に追加

平坦性に優れた窒化ガリウム系化合物系半導体層を基板上に形成する。 - 特許庁

An insulating layer 2 or a copper foil 3 is formed on both surfaces of a glass epoxy substrate 1.例文帳に追加

ガラスエポキシ基板１の両面には絶縁層２又は銅箔３が形成されている。 - 特許庁

As shown in Fig. 2B, oxygen ions are injected into the substrate to form an ion injected layer 24.例文帳に追加

図2Bに示すように、酸素をイオン注入（打ち込み）し、イオン注入層24を形成する。 - 特許庁

The wiring layer includes first wiring and second wiring along a first direction parallel to the substrate.例文帳に追加

配線層は、基板に平行な第１方向に沿う第１配線と、第２配線と、を含む。 - 特許庁

An initial oxynitride layer having an initial physical thickness is formed on a substrate.例文帳に追加

基板材料上に、初期物理厚を有する初期酸窒化物層を形成することを含む。 - 特許庁

The adhesive sheet includes an energy-ray-curable adhesive layer formed on a substrate.例文帳に追加

粘着シートは、基材上に形成されたエネルギー線硬化型粘着剤層を含む。 - 特許庁

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER-BONDED SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板および半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

An SiO_2 layer having a predetermined thickness is previously formed on a substrate made of a resin.例文帳に追加

基板は、樹脂製基板の上に予め所定の厚みのＳｉＯ_２の層が形成される。 - 特許庁

The substrate 12 has a single-layer structure and the wiring pattern 22 is provided on the top surface thereof.例文帳に追加

基板１２は１層構造であり、この上面に配線パターン２２が設けてある。 - 特許庁

This medium layer 28 is formed of a projection 32 provided to the base substrate 12.例文帳に追加

この媒体層２８は、支持基板１２に設けられた突起３２により形成されている。 - 特許庁

To circularize the cross section of a core layer pattern in an optical waveguide substrate using polymeric materials.例文帳に追加

高分子材料を用いた光導波路基板のコア層パターンの断面を円形にする。 - 特許庁

The multilayer printed-wiring board 1 includes: a first conductive layer 12 provided to a first substrate 11; a second conductive layer 22 provided to a second substrate 21; and a through-hole 2 passing through the second substrate 21 and having a first conductive layer 12 as its bottom.例文帳に追加

多層プリント配線板１は、第１の基板１１に設けられた第１の導電層１２と、第２の基板２１に設けられた第２の導電層２２と、第２の基板２１を貫通するとともに第１の導電層１２を底面とする貫通孔２とを備えている。 - 特許庁

The light emitting diode 1 is employed which includes a compound semiconductor layer 2 including a light-emitting portion 8 having a light-emitting layer 9 and a substrate 3, and in which an external reflection layer 4 having a reflection factor higher than that of the substrate 3 is provided on the side of the substrate 3.例文帳に追加

発光層９を有する発光部８を含む化合物半導体層２と基板３とを備え、基板３の側面には、基板３よりも反射率が高い外部反射層４が設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 - 特許庁

Then after a GaN layer 16 having a prescribed film thickness is grown on the GaN layer 14 by an HVPE method, the self-supporting substrate is formed by removing the GaAs substrate 10 and the GaN buffer layer 12 of a growth substrate 1 by polishing and etching or the like.例文帳に追加

つづいて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ層１４の上に所定膜厚のＧａＮ層１６を成長させたあと、成長基板１のＧａＡｓ基板１０及びＧａＮバッファ層１２を研磨、エッチング等により除去してＧａＮ自立基板を得た。 - 特許庁

First, a radiation-curable liquid layer is provided on at least part of the substrate.例文帳に追加

最初に放射線硬化可能な液層を基質上の少なくとも一部の上に設ける。 - 特許庁

Further, a desiccant layer 16 is formed on the surface of the second transparent substrate 20.例文帳に追加

また、第２の透明基板２０の表面には乾燥剤層１６が形成されている。 - 特許庁

This manufacturing process contains the step of preparing the substrate, the step of carrying out three-dimensional printing to form an ink layer on the surface of the substrate, and the step of carrying out a coating step to form an upper coating layer on the surface of the substrate and the ink layer.例文帳に追加

この製造方法は、基板を準備するステップと、立体印刷を実施して前記基板の表面にインク層を形成するステップと、塗布工程を実施して前記基板の表面と前記インク層との上に上塗布層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

The method for forming an interface layer on a substrate surface, for which the hydrogen passivation is carried out, is provided.例文帳に追加

水素パッシベーションした表面上に界面層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

The infusion bag 10 is formed by using a laminated body including a substrate and a gas barrier layer.例文帳に追加

輸液バッグ１０は、基材とガスバリア層とを含む積層体を用いて形成される。 - 特許庁

A first ohmic contact layer, made of a metal, is deposited on the front surface of a support substrate.例文帳に追加

支持基板の表面上に、金属からなる第１のオーミックコンタクト層を堆積させる。 - 特許庁

A heat-insulating material layer is disposed on the periphery of the substrate 2 excluding the putting surface for the container 12.例文帳に追加

基体２の周囲に、容器１２の載置面を除いて断熱材層が設けられている。 - 特許庁

A layer of the treating liquid (e.g. a resist liquid) is formed on the surface of a substrate through the slit nozzle 41.例文帳に追加

スリットノズル４１は、基板の表面に処理液（たとえばレジスト液）の層を形成する。 - 特許庁

The buffer layer 3 shields a stress from the substrate 1, for reducing deflection of the wafer.例文帳に追加

そして、バッファ層３は、基板１から受ける応力を断ち切って、ウエハの反りを緩和する。 - 特許庁

The second conductive semiconductor layer 15 is provided on the substrate 19.例文帳に追加

第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５は、基板１９上に設けられている。 - 特許庁

SOLDER LAYER, AND ELECTRONIC DEVICE BONDING SUBSTRATE AND SUBMOUNT USING SAME例文帳に追加

半田層及びそれを用いた電子デバイス接合用基板並びに電子デバイス接合用サブマウント - 特許庁

The opening is directed from the rear surface of the GaAs substrate 10 toward the first metal layer 22.例文帳に追加

開口は、ＧａＡｓ基板１０の裏面から第１の金属層２２に向かっている。 - 特許庁

The first layer is exposed and developed for exposing to the metal covering 102 on the substrate (b).例文帳に追加

ｂ）基板上の金属皮膜１０２に露出させるために、第１層を露光、現像する。 - 特許庁

A semiconductor laminate structure 24 is formed on a substrate 10, which is covered with a protective layer 14.例文帳に追加

基板１０上に半導体積層構造２４を形成し、それを保護層１４で覆う。 - 特許庁

The hBN layer 12 is formed on the insulating substrate 11, and has a surface 12a.例文帳に追加

ｈＢＮ層１２は、絶縁性の基板１１上に形成され、表面１２ａを有する。 - 特許庁

The respective layers are formed by coating the surface of a substrate with an adhesive layer treating fluid and a water slip stainproof layer treatment fluid in turn and drying them.例文帳に追加

接着層処理液及び滑水防汚層処理液を基材表面へ順に塗布・乾燥して各層を形成する。 - 特許庁

A second adhesive layer and a metal layer 150a located thereon are formed on the second surface 113 of the substrate 110.例文帳に追加

第２粘着層と第２粘着層上に位置する金属層１５０ａは基板１１０の第２表面１１３に形成される。 - 特許庁

A buffer layer 50 having a firing shrinkage rate different from that of the ceramic substrate 10 is buried in the protective layer 40.例文帳に追加

緩衝層５０は、セラミック基体１０の焼成縮率とは異なる焼成縮率を有し、保護層４０に埋設されている。 - 特許庁

After the plasma processing, the active layer wafer and the support substrate wafer are laminated, and the active layer wafer is exfoliated through thermal treatment.例文帳に追加

プラズマ処理後、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを貼り合わせ、熱処理により活性層用ウェーハを剥離させる。 - 特許庁

To provide a polishing pad excellent in durability and wear-resistance in which a substrate layer and a polishing layer are hardly peeled off.例文帳に追加

耐久性及び耐摩耗性に優れ、基材層と研磨層とが剥がれにくい研磨パッドを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a surge absorber capable of suppressing the peel-off of an insulating layer as a protective layer from a substrate, and its manufacturing method.例文帳に追加

保護層としての絶縁層が基板から剥がれることを抑制できるサージアブソーバ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate 11 includes a base body 11a consisting of a metallic material, a first insulating layer 11b, and a second insulating layer 11c.例文帳に追加

基板１１は、金属材料からなる基体１１ａと、第１絶縁層１１ｂと、第２絶縁層１１ｃとを含んでいる。 - 特許庁

A light-emitting element is mounted on a substrate and a phosphor-containing resin layer and a tabular optical layer are mounted on the light-emitting element.例文帳に追加

基板上に発光素子を搭載し、発光素子上に蛍光体含有樹脂層と板状光学層を搭載する。 - 特許庁

On a transparent insulating substrate 1, a gate wire 2, a gate insulating film 4, a semiconductor layer 5, and a contact layer 6 are formed in order.例文帳に追加

透明絶縁性基板１上にゲート配線２、ゲート絶縁膜４、半導体層５、コンタクト層６を順次形成する。 - 特許庁

The patterned thin film 23 comprising the plated film is attached to the plated conductive substrate layer 230 through the frame adhesion reinforcement layer 200.例文帳に追加

メッキ膜からなるパターン化薄膜２３は、フレーム密着増強層２００の上からメッキ導通下地層２３０に付着している。 - 特許庁

A metal layer 48 contacting the n-type buried diffusion layer 18 is formed on the rear surface 47 side of the substrate 3.例文帳に追加

そして、基板３の裏面４７側には、Ｎ型の埋込拡散層１８とコンタクトする金属層４８が形成されている。 - 特許庁

The first sealant layer 31 has adhesiveness to the substrate sheet 20, and is made of a material different from that of the second sealant layer 32.例文帳に追加

第１のシーラント層３１は、基材シート２０との接着性を有し、第２のシーラント層３２とは異なる材質からなる。 - 特許庁