「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A pivoting type wedge chamber 10 is formed between the pivoting type cam surface 9 and the large-diameter pipe 1.例文帳に追加

この旋回形カム面９と大径管１との間に旋回形楔室１０を形成する。 - 特許庁

For example, an n-type epitaxial layer 12 is grown on the surface of an n-type Si substrate 11.例文帳に追加

たとえば、ｎ型Ｓｉ基板１１の表面に、ｎ型エピタキシャル層１２を成長させる。 - 特許庁

An n^--type resurf region 202 is formed on the front surface of a type p^- semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｐ^- 型半導体基板２０１の表面部にＮ型リサーフ領域２０２が形成されている。 - 特許庁

The LED bare chip is provided with a P-type electrode Lp and an N-type electrode Ln on a rear surface.例文帳に追加

このＬＥＤベアチップは、Ｐ型電極ＬｐとＮ型電極Ｌｎを裏面に備えている。 - 特許庁

A p-type collector region 103 is formed on a surface part of the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１０１の表面部にｐ型コレクタ領域１０３が形成されている。 - 特許庁

The transistor TR12 is of an n-channel type and is formed on the surface of the p-type semiconductor substrate 50.例文帳に追加

ＴＲ１２はＮチャネル型であり、Ｐ型半導体基板５０の表面に形成される。 - 特許庁

SURFACE STRUCTURE OF SUBSTRATE OF PEROVSKITE TYPE OXIDE FILM, THE SUBSTRATE AND THE PEROVSKITE TYPE OXIDE FILM例文帳に追加

ペロブスカイト型酸化物膜の基板表面構造とその基板およびペロブスカイト型酸化物膜 - 特許庁

A P^+-type guard ring region 6 is formed on one surface of an N-type semiconductor region 5.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域５の表面にＰ^＋型ガードリング領域６が形成されている。 - 特許庁

A P-type layer 14 is formed on the surface of a semiconductor substrate 12 of N type silicon.例文帳に追加

Ｎ型シリコンの半導体基板１２の表面にはＰ−型層１４が形成されている。 - 特許庁

A P^+-type body region 4 is formed at the surface layer section of an N-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層３の表層部には、Ｐ^＋型のボディ領域４が形成されている。 - 特許庁

An N+-type emitter region 5 is formed on the surface of the substrate within the P-type base region 3.例文帳に追加

Ｐ型ベース領域３内の基板表面にＮ^+型のエミッタ領域５が形成されている。 - 特許庁

In part of the front surface of the p-type semiconductor layer, another n-type semiconductor region is formed.例文帳に追加

Ｐ型の半導体層表面の一部に、別のＮ型の半導体領域を形成する。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 13 is formed further on the surface of the P+-type semiconductor layer 8.例文帳に追加

Ｐ＋型半導体層８の表面には、さらにＮ型半導体層１３が形成されている。 - 特許庁

A p-type semiconductor region 12 is formed on one main surface of an n-type semiconductor substrate 51.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板５１の一方の主面に、Ｐ型半導体領域１２を形成する。 - 特許庁

A second n-type semiconductor region 22 is formed on one main surface of an n^+-type semiconductor substrate 52.例文帳に追加

Ｎ^＋半導体基板５２の一方の主面に、第２Ｎ型半導体領域２２を形成する。 - 特許庁

On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体基板１０１の主面上にｐ型SiC半導体層１０２が形成される。 - 特許庁

The resistor for current detection is preferably formed as a terminal-insertion type component or a surface-mounting-type component.例文帳に追加

端子挿入型の部品とすることが好ましいが、表面実装型の部品としてもよい。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type body region 10 is formed in the surface layer portion of an N-type epitaxial layer 6.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層６の表層部には、Ｐ型のボディ領域１０が形成されている。 - 特許庁

Consecutively after a step of forming a pattern on the surface of a web-type substrate by roll-to-roll techniques, the patterned surface just after the pattern formation is surface treated by bringing a roll-type object close to the surface.例文帳に追加

ロールｔｏロール工法でウェブ基材の表面上にパターンを形成する工程に引き続いて、形成直後のパターン表面にロール状物体を近接させて表面処理をする。 - 特許庁

A growth principal surface 25 of a p-type GaN contact layer 19 in the p-type semiconductor layer 12, the principal surface being exposed from an insulating layer 6, is a nonpolar surface parallel to the principal surface of the substrate 1.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２におけるｐ型ＧａＮコンタクト層１９の、絶縁層６から露出する成長主面２５は、基板１の主面に平行な非極性面である。 - 特許庁

An n-type layer is formed by epitaxial growth on a heavily doped substrate which becomes an n^+-type cathode layer 1, and then a p-type anode region 3 is formed on a surface layer of the n-type layer.例文帳に追加

ｎ^+ カソード層１となる高濃度基板上にエピタキシャル成長でｎ層を形成し、このｎ層の表面層にｐアノード領域３を形成する。 - 特許庁

An n-type diffusion area 4 and a p-type diffusion area 5 separately from the n-type diffusion area 4 are formed on the surface layer of an n-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ｎ形半導体層３の表面層にｎ形拡散領域４とこのｎ形拡散領域４と離してｐ形拡散領域５を形成する。 - 特許庁

An n-type cathode area 6 and a p-type short area 8 adjacent to the n-type cathode area 6 are formed on the surface layer of the n-type diffusion area 4.例文帳に追加

ｎ形拡散領域４の表面層にｎ形カソード領域６とこのｎ形カソード領域６と隣接してｐ形ショート領域８を形成する。 - 特許庁

A p-type anode area 7 and an n-type short area 9 adjacent to the p-type anode area 7 are formed on the surface layer of the p-type diffusion area 5.例文帳に追加

ｐ形拡散領域５の表面層にｐ形アノード領域７とこのｐ形アノード領域７と隣接してｎ形ショート領域９を形成する。 - 特許庁

A P-type SiC area 30 is formed in a part of the surface layer of an N-type SiC epitaxial area 20, and a gate electrode is formed through a gate insulating film 40 on the surface of the P-type SiC area 30 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 adjacent to this P-type SiC area 30.例文帳に追加

Ｎ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表層の一部にＰ型ＳｉＣ領域３０を設け、Ｐ型ＳｉＣ領域３０とこれに隣接するＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面にゲート絶縁膜４０を介してゲート電極を設ける。 - 特許庁

A P-conductivity-type region 2a is formed on the surface side of an N-conductivity-type semiconductor substrate 1 while a front-surface-side P-conductivity-type region 4a is formed selectively in a surface-layer part of the P-conductivity-type region 2a.例文帳に追加

Ｎ導電型半導体基板１のおもて面側にはＰ導電型領域２ａが設けられており、Ｐ導電型領域２ａの表層部には、選択的におもて面側Ｐ導電型領域４ａが設けられている。 - 特許庁

A p-type base layer 23 is provided in the main cell 21, and an n-type emitter layer 24 is disposed on a part of the upper surface of the p-type base layer.例文帳に追加

メインセル２１においては、ｐ型ベース層２３を設け、その上層部分の一部にｎ型エミッタ層２４を設ける。 - 特許庁

When a built-in antenna is an electric field type radio tag 1a, the surface and back face are faced through an adjacent electric field type antenna (A type).例文帳に追加

内蔵アンテナが電界型の無線タグ１ａの場合に、表面、裏面を近接電界型アンテナで対向させた（Ａタイプ）。 - 特許庁

On the surface of an n-type SiC substrate 1, an n-type SiC epitaxial layer 2 and a p-type SiC epitaxial layer 3 are grown.例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ基板１の表面に、ｎ型ＳｉＣエピタキシャル層２およびｐ型ＳｉＣエピタキシャル層３を成長させる。 - 特許庁

A P-type anode layer 12 and a P--type RESURF layer 14 are formed on the surface of an N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１０の表面側にｐ型のアノード層１２とｐ−型のＲＥＳＵＲＦ層１４とを形成する。 - 特許庁

A P^+-type diffusion layer 7 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5 adjacently to the N^+-type diffusion layer 6.例文帳に追加

Ｐ−型の半導体層５の表面にはＮ＋型の拡散層６に隣接してＰ＋型拡散層７が形成されている。 - 特許庁

To set a flat surface type vacuum insulating material on a structure having a curved surface by directly adhering it closely to the surface.例文帳に追加

平面状の真空断熱材を曲面を有する構造体に直接その表面に密着して設置する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 43 includes a first surface and a second surface, and the first surface directly contacts the buffer layer 42.例文帳に追加

ｎ型半導体層４３は第１の面及び第２の面を有し、第１の面はバッファ層４２に直接に接する。 - 特許庁

OPTICAL WAVEGUIDE TYPE SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR, SURFACE PLASMON RESONANCE MEASURING UNIT, AND SURFACE PLASMON RESONANCE MEASURING METHOD例文帳に追加

光導波路型表面プラズモン共鳴センサ、表面プラズモン共鳴測定装置及び表面プラズモン共鳴測定方法 - 特許庁

An R surface, is formed at an edge portion 8a between a side wall surface 8c and a top surface of the ridge type optical waveguide 8.例文帳に追加

リッジ型光導波路８の側壁面８ｃと上面との間のエッジ部８ａにＲ面が形成されている。 - 特許庁

Moreover, an n-type impurity concentration at the lower side of the electrode in the light receiving surface side includes a high concentration n-type layer which is higher than the n-type impurity concentration of the lower side of the light receiving surface other than the electrode in the light receiving surface side.例文帳に追加

さらに、受光面側電極下部のｎ型不純物濃度が受光面側電極以外の受光面下部のｎ型不純物濃度より高い高濃度ｎ型層を有する太陽電池。 - 特許庁

A P-type well region 2 is selectively formed in a surface layer under the main surface on one side of the main surfaces of an N-type semiconductor substrate 1, and an N-type source region 3 is formed in the surface layer of this region 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１の一方の主面の表面層にｐ形のウエル領域２を選択的に形成し、このウエル領域２の表面層にｎ形のソース領域３を形成する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

The system possesses a unified structure to achieve high power generation efficiency by overcoming increase of the layout area of the solar panel surface of a flat-plate type, cylindrical type, or concave-convex surface type.例文帳に追加

発電効果をたかめるソーラーパネル面は、平板型面、円筒面、凸凹面における敷設面積の増大形成による発電効率の高い一体構成の製造物。 - 特許庁

A p-type partition region 7, whose impurity concentration is higher than that of a part adjacent to a second main surface, is arranged on a prescribed region of a first main surface side of a p-type partition type 1b.例文帳に追加

ｐ型仕切り型１ｂの第一主面側の所定領域に、第二主面に近い部分より純物濃度の高いｐ型仕切り領域７を設ける。 - 特許庁

A surface layer on a side wall and a bottom surface of the recess 6 is provided with a p-type region 8, and the p^+-type isolation layer 11 and p-type collector region 7 are electrically connected.例文帳に追加

凹部６の側壁および底面の表面層には、ｐ型領域８が設けられており、ｐ^+型分離層１１とｐ型コレクタ領域７とを電気的に接続する。 - 特許庁

On one surface of a high-resistance n-type base layer 1, an n-type collector layer 2 of high concentration is formed and on the other surface, a p-type base layer 3 is selectively formed.例文帳に追加

高抵抗のｎ型ベース層１の一方の面には高濃度のｎ型コレクタ層２が形成され、他方の面にはｐ型ベース層３が選択的に形成されている。 - 特許庁

An n^--type epitaxial layer 7 is formed on the inner wall surface of the trench 6, and a p^+-type layer 8 is formed on a part opposite to the side wall surface of the trench 6 in the n^--type epitaxial layer 7.例文帳に追加

トレンチ６の内壁面にＮ^−型エピ層７と、Ｎ^−型エピ層７のうちトレンチ６の側壁面と対向する部分の上にＰ^＋型層８を形成する。 - 特許庁

An n-type turn-off channel layer 8 is formed inside the p-type base layer 4 in such a manner that it contacts the side surface of the groove 5, and a p-type drain layer 9 is formed on its surface.例文帳に追加

ｐ型ベース層４内には、溝５の側面に接してｎ型ターンオフ用チャネル層８が形成され、その表面にｐ型ドレイン層９が形成される。 - 特許庁

A p-type base region 34 is formed on a surface layer of an n^- type drain layer 33, and an n-type source region 35 is formed on a surface layer of the base region 34.例文帳に追加

ｎ^−型ドレイン層３３の表面層にｐ型ベース領域３４が形成され、ベース領域３４の表面層にｎ型ソース領域３５が形成されている。 - 特許庁