「surface type」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE OF SURFACE-EMITTING TYPE, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

面発光型の半導体発光装置およびその製造方法 - 特許庁

OILY SURFACE ADHESIVE ROOM TEMPERATURE CURING TYPE ORGANOPOLYSILOXANE COMPOSITION AND SEAL例文帳に追加

油面接着性室温硬化型オルガノポリシロキサン組成物及びシール - 特許庁

SURFACE-MOUNTED TYPE SWITCHING POWER SUPPLY AND METHOD FOR MOUNTING THE SAME例文帳に追加

表面実装型スイッチング電源装置およびその実装方法 - 特許庁

An n-type well region 12 is formed on the surface of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０の表面にＮ型ウエル領域１２を形成する。 - 特許庁

CASE OF CARD-TYPE EQUIPMENT FOR DETECTING SURFACE PRESSURE DISTRIBUTION AND THIN FILM例文帳に追加

カード型面圧力分布検出機器のケース及び薄膜フィルム - 特許庁

SURFACE-MOUNTED TYPE CIRCULARLY POLARIZED ANTENNA AND RADIO TERMINAL USING THE SAME例文帳に追加

表面実装型円偏波アンテナおよびそれを用いた無線装置 - 特許庁

To provide a method for controlling the surface shape of a coating type magnetic wood, by which a pattern is formed on the surface of the coating type magnetic wood.例文帳に追加

塗布型磁性木材の表面に模様を形成するための塗布型磁性木材の表面形状制御方法を提供する。 - 特許庁

SOLDER PASTE, SOLDERING METHOD, AND SURFACE-MOUNTING TYPE ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

はんだペースト、はんだ付け方法および表面実装型電子装置 - 特許庁

The anticlouding member used under the indoor illuminating lamp is provided with a base material and a surface layer which is bonded to the surface of the base material, consisting of anatase type titania crystals or rutile type titania crystals.例文帳に追加

基材と、アナターゼ型チタニア結晶またはルチル型チタニア結晶からなる表面層を備えた部材が開示されている。 - 特許庁

SURFACE-MOUNTED TYPE ANTENNA AND COMMUNICATION DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

表面実装型アンテナおよびそのアンテナを装備した通信装置 - 特許庁

The semiconductor laser element includes an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 which are formed on the surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

SELF-DEPOSITION TYPE SURFACE TREATMENT COATING METHOD OF SURFACE OF ELECTRONIC PART AND MICRO-EQUIPMENT PART AND ELECTRONIC PART AND MICRO-EQUIPMENT PART HAVING SELF-DEPOSITION TYPE SURFACE TREATMENT COATING FILM例文帳に追加

電子部品及びマイクロ機器部品の表面の自己析出型表面処理被覆方法、及び自己析出型表面処理被膜を有する電子部品及びマイクロ機器部品 - 特許庁

In the solar cell substrate 10, the surface of a p-type region 10ap and the surface of an n-type region 10an are exposed on a first principal surface 10a.例文帳に追加

太陽電池基板１０では、第１の主面１０ａにおいてｐ型領域１０ａｐの表面及びｎ型領域１０ａｎの表面が露出している。 - 特許庁

The connecting bolt 7 is formed so that an extended part 7a a side surface of which is a spherical surface type is formed on a rear end and its head end is screwed on a rod type member 2b exposed to a surface of the retaining wall panel.例文帳に追加

接続ボルト７は、側面が球面状の拡張部７ａを後端に形成し、先端を擁壁パネル表面に露出する棒状部材２ｂに螺合する。 - 特許庁

The invention relates to an electrical surface treatment device which is equipped with an acoustic surface-type detector (29, 51, 59, 69, 81, or 95) by means of which a type of a surface (5) to be treated can be detected during operation.例文帳に追加

この発明は、処理されるべき表面（５）タイプが動作中に検出される音響表面タイプ検出器（２９，５１，５９，６９，８１，９５）を具えた電気表面処理デバイスに関する。 - 特許庁

This recombinant hepatitis B virus surface antigen comprises a recombinant adr type hepatitis B virus surface antigen and a recombinant adw type hepatitis B virus surface antigen.例文帳に追加

組み換えａｄｒ型Ｂ型肝炎ウィルス表面抗原及び組み換えａｄｗ型Ｂ型肝炎ウィルス表面抗原からなる組み換えＢ型肝炎ウィルス表面抗原。 - 特許庁

The vertical type cantilever 4A has an inner peripheral surface 7, comprising a lower reference surface 6 on the wiring board 2 side and an upper inclined surface 5 on the ball type electrode side.例文帳に追加

垂直型カンチレバー４Ａは、配線板２側の下方基準面６およびボール型電極側の上方傾斜面５とからなる内周面７を有している。 - 特許庁

A pressing member 31 absorbs the heat from a side surface of the plate type body 6 via the foil type body 16.例文帳に追加

押付部材３１が、箔状体１６を介して板状体６の側面から熱を吸収する。 - 特許庁

An n-type low-concentration layer 11 is formed on a principal surface 10a of an n-type high-concentration layer 10.例文帳に追加

Ｎ型高濃度層１０の主面１０ａ上には、Ｎ型低濃度層１１が形成されている。 - 特許庁

With respect to a semiconductor device including the clamp diode, a P^--type diffusion layer 5 is formed in the surface of an N^--type semiconductor layer 2.例文帳に追加

Ｎ−型の半導体層２の表面には、Ｐ−型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A P-type material is a disc-shaped liquid crystal material for forming columns 5 on a P-type surface layer 7.例文帳に追加

ｐ型物質は、コラム５をｐ型表面層７上に形成する円盤状液晶物質である。 - 特許庁

A surface layer on a reverse side of the n-type drift region 1 is provided with a p-type collector region 7.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１の裏面の表面層には、ｐ型コレクタ領域７が設けられている。 - 特許庁

By this setup, P-type layers 117a and 117b are formed on the surface of the P-type semiconductor substrate 111.例文帳に追加

これにより、Ｐ型半導体基板１１１表面にｐ型層１１７ａ，１１７ｂが形成される。 - 特許庁

An n+-type drain layer 17 and a p-type reserve layer 19 are formed on the surface of the drift layer 13.例文帳に追加

ドリフト層１３の表面には、ｎ^+ 型のドレイン層１７とｐ型のリサーフ層１９とが形成される。 - 特許庁

The second conductivity type diffusion layer 14b extends up to the surface portion of the first conductivity type well 5b.例文帳に追加

第２導電型拡散層１４ｂは、第１導電型ウェル５ｂの表面部にまで延伸している。 - 特許庁

Meanwhile, an ohmic electrode 10 is formed on the rear surface of the P-type substrate 2, which makes contact with the P-type layer 1.例文帳に追加

一方、Ｐ型基板２の裏面にはオーミック電極10を形成しＰ型層１にコンタクトをとる。 - 特許庁

A P-type dopant is ion-implanted into a surface (N-type layer) of an SOI substrate to form piezo resistance.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の表面（Ｎ型層）にＰ型ドーパントをイオン注入することで、ピエゾ抵抗を形成する。 - 特許庁

On a surface of the p-type layer 13, a plurality of trenches 14 having a depth reaching the n-type layer 11 are provided.例文帳に追加

ｐ型層１３表面には、ｎ型層１１に達する深さの孔１４が複数設けられている。 - 特許庁

A P-type base region 3 is formed on the surface of a substrate within an N--type epitaxial region.例文帳に追加

Ｎ^-型エピタキシャル領域７内の基板表面には、Ｐ型のベース領域３が形成されている。 - 特許庁

A n^+ type source layer 5 is selectively formed on the surface portion of the p^- type base layer 4.例文帳に追加

このｐ型ベース層４の表面部分には、ｎ＋型ソース層５が選択的に形成されている。 - 特許庁

According to the caisson type earthquake resistant quay, a base-isolation layer is formed on at least one of an immediately rear surface of the caisson type quay, a lower surface of back-filling stones, a lower surface of a waste rock mound, and a lower surface of a filled-up land.例文帳に追加

本発明のケーソン式耐震岸壁においては、ケーソン式岸壁の直背後、裏込石の下面、捨石マウンドの下面、埋立地の下面の少くとも１つに免震層を設ける。 - 特許庁

The surface light-emitting panel which has a top emission type surface light-emitting element T and a bottom emission type surface light-emitting element B, and emits light in one direction, and in which the top emission type surface light-emitting element T and the bottom emission type surface light-emitting element B are so arranged that their light-emitting directions coincide with that of the surface light-emitting panel.例文帳に追加

トップエミッション型面発光素子Ｔと、ボトムエミッション型面発光素子Ｂとを有し、１方向に光を射出する面発光パネルであって、該トップエミッション型面発光素子Ｔと、該ボトムエミッション型面発光素子Ｂの光出射方向が、該面発光パネルの光出射方向となるよう配置されていることを特徴とする面発光パネル。 - 特許庁

A p^+-type body contact region 6 and an n^+-type source region 7 are formed separately on a surface layer of the p-type base layer 5.例文帳に追加

ｐ型ベース層５の表面層には、ｐ^+型ボディコンタクト領域６とｎ^+型ソース領域７が互いに離れて設けられている。 - 特許庁

An n-type source region 105 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 away from the n-type drift region 101.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部にｎ型ソース領域１０５がｎ型ドリフト領域１０１から離隔して形成されている。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。 - 特許庁

An N+ type drain layer 1 is formed on the surface of the N type epitaxial layer 6 in a region separated from the P+ type gate layer 2b.例文帳に追加

前記Ｐ＋型ゲート層２ｂから離間した領域の前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

The surface of the multi-touch sensing type device is configured as a surface which is different from the surface of the display unit which is visible by the user.例文帳に追加

マルチ・タッチ感知型装置の表面は、利用者によって視認可能な表示器の表面とは異なる表面である。 - 特許庁

An outer circumferential surface 32 of a cage 30 of the double offset type constant velocity universal joint and an spherical-surface-like inner circumferential surface 34 are cut after hardening.例文帳に追加

ダブルオフセット型等速自在継手のケージ30の外周面32と球面状内周面34を焼入れ後に切削加工する。 - 特許庁

In the surface area of an N-type drain drift region 20, an N^+- type drain region 17 and a P-type well region 18 surrounding an N^+-type source region are formed.例文帳に追加

Ｎ形ドレインドリフト領域２０の表面領域にＮ^＋型のドレイン領域１７と、Ｎ^＋形のソース領域を包囲するＰ形のウェル領域１８を形成する。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 12 is formed on the surface of an N-type silicon substrate 11, and an N-type diffusion layer 14 is formed inside the N-type diffusion layer 12.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板１１の表面領域にＰ型拡散層１２が形成され、このＰ型拡散層１２内に、Ｎ型拡散層１４が形成される。 - 特許庁

Since a gate electrode is composed of a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer, a depletion layer 13 occurs at the junction surface between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極はＰ型半導体層及びＮ型半導体層からなるので、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合面に、空乏層１３が生じる。 - 特許庁

This device is made to have a structure in which an n type reversal part 35 is provided on a part of a surface layer of a p type frame part 30 and a p+ type electric circuit 36 is provided on the n type inversion part 35.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０の表層の一部にｎ型の反転部３５を設け、ｎ型の反転部３５にｐ^+型の電路３６を設けた構造とする。 - 特許庁

In vertical type FET1, hexagonal GaN and AlGaN are epitaxially grown on the GaN substrate 10 with a {0001} surface as a growth surface, and a vertical surface S1 in an n-type GaN cap layer 18 is to be {1-100} surface (m surface).例文帳に追加

縦型ＦＥＴ１では、ＧａＮ基板１０上に、六方晶のＧａＮ、ＡｌＧａＮを、｛ 0 0 0 1｝面を成長面として、エピタキシャル成長させており、ｎ型ＧａＮキャップ層１８における鉛直な面Ｓ１は、｛ 1-1 0 0｝面（ｍ面）となる。 - 特許庁

A contact surface of the pen top end and a capacitance type touch panel includes a contact surface of the pen core part and the capacitance type touch panel and a contact surface of the conductive sponge and the capacitance type touch panel around the contact surface.例文帳に追加

前記ペン先端部と静電容量型タッチパネルとの接触面は、前記ペン芯部および前記静電容量型タッチパネルの接触面と、該接触面の周りの、前記導電性スポンジおよび前記静電容量型タッチパネルの接触面とを含む。 - 特許庁

LIGHT TRANSMISSION PLATE, SIDELIGHT TYPE SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

導光板、サイドライト型面光源装置及び液晶表示装置 - 特許庁