「thin film junction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

INTEGRATED MULTI-JUNCTION THIN FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE例文帳に追加

集積化多接合薄膜光電変換装置 - 特許庁

MULTI-JUNCTION THIN-FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

多接合型薄膜太陽電池およびその製造方法 - 特許庁

MULTI-JUNCTION SILICON THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERTER例文帳に追加

多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 - 特許庁

MULTI-JUNCTION SILICON THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE例文帳に追加

多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 - 特許庁

MULTI-JUNCTION THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING THEREOF例文帳に追加

多接合型薄膜太陽電池とその製造方法 - 特許庁

OXIDE SUPERCONDUCTOR THIN-FILM JUNCTION ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

酸化物超伝導体薄膜接合素子およびその作製方法 - 特許庁

THIN FILM CRYSTAL WAFER HAVING pn JUNCTION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウエハ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM CRYSTAL WAFER HAVING pn JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハの製造方法 - 特許庁

INTRINSIC JOSEPHSON JUNCTION SUPERCONDUCTING THIN-FILM STRUCTURE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

固有ジョセフソン接合用超伝導薄膜形成体及びその製造方法 - 特許庁

MULTI-JUNCTION SILICONE THIN FILM PHOTOELECTRIC CONVERTER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法 - 特許庁

THIN FILM CRYSTALLINE WAFER HAVING pn JUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

THIN-FILM CRYSTAL WAFER HAVING P-N JUNCTION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

EXCHANGE JUNCTION FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE EXCHANGE JUNCTION FILM, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

After polishing, an LD 21 is fitted onto the DLC thin-film layer 10 through junction electrodes 25.例文帳に追加

研磨後に、ＤＬＣ薄膜層１０上に接合電極２５を介してＬＤ２１が装着される。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING THIN FILM OF COPPER-ALUMINUM OXIDE SEMICONDUCTOR AND p-n JUNCTION STRUCTURE USING IT例文帳に追加

銅・アルミ酸化物半導体薄膜の製造方法及びこれを用いたｐｎ接合構造 - 特許庁

INTEGRATED MULTI-JUNCTION THIN FILM SILICON SOLAR CELL MODULE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

集積化多接合薄膜シリコン太陽電池モジュール及びその製造方法 - 特許庁

To provide a multi-junction thin film photoelectric conversion device with improved optical absorption rate.例文帳に追加

光吸収率を高めた多接合型薄膜光電変換装置を提供する。 - 特許庁

A thermal insulation thin film 25 (warm junction formation region) is provided on the cavity part 24.例文帳に追加

空洞部２４の上には熱絶縁性薄膜２５（温接点形成領域）を設ける。 - 特許庁

To improve efficiency in a non-single crystal thin-film solar battery having a pin or pn junction that is made of an amorphous thin film containing a microcrystal phase.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐｉｎまたはｐｎ接合を有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

One acicular crystal is grown in a thin line 1 by adding a catalytic substance, and a crystalline thin film diode having a p-n junction or a p-i-n junction is manufactured in the thin line part 1, or a crystalline thin film transistor having the thin line part 1 as a channel is manufactured.例文帳に追加

触媒物質を添加して細線部１内に一つの針状結晶を成長させ、この細線部１内にｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合を有する結晶性薄膜ダイオードを作製するか、細線部１をチャネルとする結晶性薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

This multi-junction thin-film photoelectric converter is provided with a silicon-based thin film photoelectric conversion units 3 and 5, a CIS-based thin film photoelectric conversion unit 7, and these units are serially connected via intermediate layers 4 and 6.例文帳に追加

多接合型薄膜光電変換装置は、シリコン系薄膜光電変換ユニット３、５及びＣＩＳ系薄膜光電変換ユニット７を備え、中間層４、６を介してこれらを直列接続している。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR FORMING pn-JUNCTION IN POLYSILICON FILM, SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD OF THIN-FILM TRANSISTOR, AND IMAGE DISPLAY例文帳に追加

ポリシリコン膜におけるｐｎ接合の形成方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法、および画像表示装置 - 特許庁

Further, the film-electrode junction (MEA) having a good junction interface can be manufactured by applying the heat treatment to the thin film composed of the mixture in the state of being held between the electrodes facing each other.例文帳に追加

更に混合物からなる薄膜を対向電極間に挟持した状態で加熱処理することにより、膜と電極との接合界面が良好な膜−電極接合体（ＭＥＡ）を作製できる。 - 特許庁

(1) The thin-film magnetic sensor includes a diode substrate including a Zener diode type p-n junction, and a TMR element formed on its surface.例文帳に追加

（１）薄膜磁気センサは、ツェナーダイオード型のｐｎ接合を備えたダイオード基板と、その表面に形成されたＴＭＲ素子とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tandem type thin film solar cell without breakage of a pn junction of a lower cell.例文帳に追加

下部セルのｐｎ接合が破壊されることなくタンデム型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve photoelectric conversion efficiency by refining the interface of pin junction of a crystalline silicon thin film solar battery.例文帳に追加

結晶シリコン系薄膜太陽電池のｐｉｎ接合の界面を改良することにより光電変換効率を向上する。 - 特許庁

A group III-V nitride thin-film solar cell element performing photoelectric conversion of light with further short wavelengths is installed at a pre-stage of a multi-junction solar cell element.例文帳に追加

より短波長の光電変換を行うＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜太陽電池素子を、多接合型太陽電池素子の前段に設置する。 - 特許庁

To provide a method for easily forming a pn junction between a silicon substrate and a zinc oxide thin film at a low cost.例文帳に追加

シリコン基板と酸化亜鉛薄膜の間にｐｎ接合を、容易かつ安価に形成する方法を提案すること。 - 特許庁

To provide an electronic device in which even a thin junction film can be melted and joined at a relatively low temperature, and also a semiconductor device using the electronic device.例文帳に追加

薄い接合膜であっても比較的低温での溶融接合が可能な電子装置およびそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve junction between a transparent electrode and collector electrode more than that of a conventional thin film solar cell consisting of single crystal or polycrystal.例文帳に追加

従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池よりも透明電極と集電極との接合を良好にする。 - 特許庁

To provide a thin-film solar cell high in reflectivity and excelling in junction of a layer system, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

反射率が高く、層システムの接合が良好な薄膜太陽電池およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a superconducting element not allowing deterioration in the Josephson junction even when a superconductor thin film is formed of a multilayer structure, and also to provide a manufacturing method of the same superconducting element.例文帳に追加

超電導体薄膜を多層にしてもジョセフソン接合が劣化しない超電導素子とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a large and inexpensive substrate showing the stable characteristics, which also includes a single crystal Si thin film and not generating any variations and fluctuations in the junction strength of the single crystal Si thin film and in the stress working on the junction interface, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ薄膜を有する特性の安定した大型かつ安価な基板であり、単結晶Ｓｉ薄膜の接合強度および接合界面に働く応力にムラやバラツキのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Junction between a conductive thin film and a ferroelectric thin film is formed without substantially forming an electro-chemical different layer between these thin films, by individually supplying precursors of respective constitutional elements of the ferroelectric thin film under an MOCVD reaction environment, and providing the supply start time of these precursors with suitable time differences to hold fixed crystal azimuth relation between the conductive thin film and the ferroelectric thin film.例文帳に追加

強誘電体薄膜の各構成元素の前駆体をＭＯＣＶＤ反応環境下に個別に供給し、前駆体の供給開始時間に適正な時間差を与えることにより、実質的に電気化学的な異層を介すことなく導電性薄膜と強誘電体薄膜の接合を形成し、導電性薄膜と強誘電体薄膜に一定の結晶方位関係を持たせる。 - 特許庁

The organic thin-film solar cell comprises a pn junction between acene system or acene system substituent compound 3 and C60 fullerene 4, and a pn junction between rubrene and C60 fullerene.例文帳に追加

本発明では、アセン系又はアセン系置換化合物３とＣ６０フラーレン４とのＰＮ接合を備えた有機薄膜太陽電池とすることにより、高開放電圧を有する有機薄膜太陽電池が可能となった。 - 特許庁

To form a thin film having no grain boundary in a region wherein a pn junction or a pin junction or a channel is formed on a low cost substrate by a simple method.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはチャネルを形成する領域に、結晶粒界がない薄膜を、安価な基板上に、簡単な方法で作製する。 - 特許庁

Oxides 3, 4 forming the oxide pn junction consist of a perovskite-type oxide thin film, and more preferably, the electrode 2 consists of the perovskite-type oxide thin film.例文帳に追加

酸化物ｐｎ接合を形成する酸化物３，４がペロブスカイト型酸化物薄膜からなり、更に好ましくは、電極２がペロブスカイト型酸化物薄膜からなる。 - 特許庁

The silicon dioxide thin protective film covering the gold thin film prevents gold from balling up even in an annealing process for obtaining an Ohmic junction, thereby obtaining a high light transmission.例文帳に追加

金薄膜を二酸化珪素の保護膜で被覆しているので、オーミック接合を得るためのアニーリング工程でも金のボールアップが起こらず、高い光透過率が得られる。 - 特許庁

The multi-junction silicon thin film photoelectric conversion device is a thin-film photoelectric conversion device series-connected via the middle layer, wherein the middle layer has a transparent oxide layer/a metal layer/a transparent oxide layer stacked in this order.例文帳に追加

多接合型シリコン系薄膜光電変換装置は、中間層を介して直列接続された薄膜光電変換装置であって、前記中間層は透明酸化物層／金属層／透明酸化物層の順に積層することによる。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element (thin film silicon solar battery) without performance degradation by light induction compared to amorphous silicon while maintaining high conversion efficiency and to especially provide the photovoltaic element suitable for being applied to the thin film silicon solar battery of a pin junction suitable for the effective utilization of solar light energy by a tandem structure.例文帳に追加

高い変換効率を維持しつつ、アモルファスシリコンに比べて、光誘起による性能劣化のない構成の光起電力素子（薄膜シリコン太陽電池）を提供する。 - 特許庁

To provide an organic thin-film solar cell which further improves the energy conversion efficiency, by improving an exiton deactivation preventing layer to make a p-n junction type organic thin-film solar cell practical.例文帳に追加

ｐｎ接合型の有機薄膜太陽電池の実用化を図るべく、励起子失活防止層の改良により、エネルギー変換効率をより一層向上させた有機薄膜太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-junction thin-film photoelectric converter, having high conversion efficiency and which has a high open-circuit voltage, by balancing the short-circuit current value at a high value, by serially connecting silicon-based and CIS-based thin-film photoelectric conversion units.例文帳に追加

シリコン系およびＣＩＳ系薄膜光電変換ユニットを直列接続することにより短絡電流値を高い値でバランスさせ、高い開放電圧を有する、変換効率の高い多接合型光電変換装置を提供する。 - 特許庁

The membrane-electrode junction 6 comprises a thermoplastic ion exchange film 1 and a positive electrode 2 and a negative electrode 4 jointed on either surface of the ion exchange film, where thermoplastic thin films 3, 5 exist either between the ion exchange film of the membrane-electrode junction 6 and the positive electrode or between that and the negative electrode.例文帳に追加

熱可塑性イオン交換膜１、及びその両面に接合された陽極２及び陰極４を含んで成る膜−電極接合体６の前記イオン交換膜と前記陽極及び陰極間の少なくとも一方に熱可塑性薄膜３、５が存在する。 - 特許庁

By forming the pn junction or the pin junction of a diode, or the channel of a transistor in these thin lines, crystalline thin film semiconductor devices with identical characteristics can be manufactured nearly as same as those in the case where a single crystal is used.例文帳に追加

この細線部にダイオードのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはトランジスタのチャネルを形成することにより、単結晶を用いた場合の特性に近く、かつ、特性が揃った結晶性薄膜半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To manufacture a crystalline thin film semiconductor device having good characteristics by improving the p-n junction, p-i-n junction or crystallinity of a semiconductor film in a channel forming region and minimizing an impurity concentration having an adverse effect on the characteristics.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合またはチャネル形成領域の半導体膜の結晶性を良好にし、特性に悪影響を及ぼす不純物濃度を極力低減して、良好な特性の結晶性薄膜半導体装置を作製する。 - 特許庁