「thin film junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A mask to which a metal thin film not transmitting electron beams is attached is used, and a defective region is locally formed only at a guard ring region and a pn junction formed by a substrate, thus reducing the reverse recovery time Trr without increasing the leakage current in the opposite direction.例文帳に追加

電子線を透さない金属薄膜を付けたマスクを用い、ガードリング領域と基板が形成するＰＮ接合部のみに局部的に欠陥領域を形成する事により、逆方向のリーク電流が増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できる。 - 特許庁

To provide a multi-junction thin-film silicon solar cell module having high light conversion efficiency, in which current leakage through an intermediate layer having conductivity, light transmissivity and light reflectivity is suppressed and an ineffective area not contributing to electricity generation is prevented from enlarging, and to provide a method of manufacturing the module.例文帳に追加

導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有する多接合薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method relates to forming an electrode member 51 of a thin layer used to constitute an electrode of a film electrode junction body for fuel cell, and forms an electrode member by supplying conductive particles 62 and resin-dispersed liquid 63 onto a substrate 61 via systems 111 and 112 independent of each other.例文帳に追加

燃料電池用膜電極接合体の電極を構成するために用いられる薄層の電極用部材５１を形成する方法であって、別個独立した系統１１１と１１２を介してそれぞれが供給される導電性粒子６２と樹脂分散液６３とを基材６１上に供給することによって、電極用部材を形成する。 - 特許庁

The solar battery manufacturing method includes a process for forming pn-junction by heating after applying a phosphoric acid aqueous solution to the main surface of a p-type crystal silicon substrate, and is characterized by forming a silicon nitride thin film on the main surface of the p-type crystal silicon substrate before being applied with the phosphoric acid aqueous solution.例文帳に追加

ｐ型結晶シリコン基板の主面上にリン酸水溶液を塗布した後に加熱することによりｐｎ接合を形成する工程を備え、前記リン酸水溶液を塗布する前に、前記ｐ型結晶シリコン基板の主面上に薄い窒化シリコン膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the planar thin-film SQUID differential magnetic flux sensor which has a primary or more differential magnetic flux detecting coil for measuring a magnetic field differentiation, a SQUID ring is directly coupled with the magnetic flux detecting coil such that bias current flows in the Josephson junction in the SQUID ring along a direction parallel to a direction of an exciting magnetic field.例文帳に追加

平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサにおいて、磁界微分を計測する一次以上の微分型磁束検出コイルを有する平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサにおいて、励磁磁場の方向と、ＳＱＵＩＤリング中のジョセフソン接合部に流れるバイアス電流の方向が平行になるようにＳＱＵＩＤリング部と磁束検出コイルを直接結合させることを特徴とする。 - 特許庁

A strip of thin-film layer 4 is formed at the upper section of the high-breakdown-voltage junction terminator structure for potentially separating the section between first and second reference circuit formation regions 1 and 2.例文帳に追加

第１、第２基準回路形成領域１、２間を電位的に分離する高耐圧接合終端構造上部に帯状の薄膜層４が形成され、この薄膜層４に形成されるツェナーダイオードは、高耐圧ＮＭＯＳ５、高耐圧ＰＭＯＳ６が設けられている箇所やコーナ箇所の曲線部分Ｂと、基準回路形成領域１、２端部と平行している直線部分Ｃとに形成される。 - 特許庁

The variable capacitance diode 111 includes a p type region 111p and an n type region 111n and the variable capacitance diode 111 adjusts the resonance frequency of the thin film bulk wave element 10 by the application of a voltage to the p type region 111p, the voltage being lower than the voltage applied to the n type region 111n so as to vary the capacitance of a thus formed pn junction.例文帳に追加

可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐとｎ型領域１１１ｎを備え、可変容量ダイオード１１１はｐ型領域１１１ｐをｎ型領域１１１ｎより低電圧とすることで形成されるｐｎ接合での容量を変化させて、薄膜バルク波素子１０の共振周波数を調整する。 - 特許庁

A crystal silicon thin film semiconductor device is characterized by the fact that a first polycrystalline silicon layer 3, which is, at least, partially turned porous, is provided on a substrate 1, and a PN junction is formed in the first polycrystalline silicon layer 3 or between a second polycrystalline silicon layer 4B which is provided coming into contact with the first polycrystalline silicon layer 3 and a third polycrystalline silicon layer 5.例文帳に追加

基板１の上に、少なくとも一部が多孔質化された第１の多結晶シリコン層３を有するとともに、前記第１の多結晶シリコン層３の中で、または前記多結晶シリコン層３に接して設けられた第２の多結晶シリコン層４Ｂおよび第３の多結晶シリコン層５の間に、ＰＮ接合が形成されていることを特徴とする結晶シリコン薄膜半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics.例文帳に追加

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。 - 特許庁