| 例文 |
third layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2440件
Next, an insulation layer 12a is formed on the first metal layer to cover the third metal layer, and a wiring layer 13a electrically connected to the third metal layer is formed on one surface of the insulation layer.例文帳に追加
次に、前記第3金属層を覆うように前記第1金属層上に絶縁層12aを形成し、前記絶縁層の一方の面に、前記第3金属層と電気的に接続する配線層13aを形成する。 - 特許庁
Around a core 1 containing rare earth metal, a first clad layer 2, a second clad layer 3, and a third clad layer 4, there are provided in order with their refractive indexes as core 1>; first clad layer 2>; second clad layer 3>; third clad layer 4.例文帳に追加
希土類金属を含むコア1の外周側に、第1クラッド層2、第2クラッド層3、第3クラッド層4を順に設け、その屈折率をコア1>第1クラッド層2>第2クラッド層3>第3クラッド層4とする。 - 特許庁
The third p-type layer is provided between the first p-type layer and the second p-type layer and contains the p-type impurity at a third concentration lower than the second concentration.例文帳に追加
第3p形層は第1p形層と第2p形層との間に設けられ、第2濃度よりも低い第3濃度でp形不純物を含む。 - 特許庁
A third spacer layer 34 is formed on the first spacer layer, the second spacer layer, the first field plate, the gate, and the second field plate, and a third field plate 36 is formed on the third spacer layer and connected to the source.例文帳に追加
第3のスペーサ層34が、第1のスペーサ層、第2のスペーサ層、第1のフィールドプレート、ゲート、および第2のフィールドプレート上にあり、第3のフィールドプレート36が、第3のスペーサ層上にあり、ソースに接続される。 - 特許庁
A conductor layer 14 and a third ceramic layer 13 containing third crystallized glass having a third softening point higher than the second softening point, are formed between the first ceramic layer 11 and the second ceramic layer 12.例文帳に追加
第1セラミック層11と第2セラミック層12との間には、導体層14と、第2軟化点より高い第3軟化点を有する第3結晶化ガラスを含む第3セラミック層13とが形成されている。 - 特許庁
After the second layer 230 is exposed by polishing, third layer 240 is made on the second layer 230 and the stop layer 220.例文帳に追加
第2層230が研磨により露出した後第3層240がこの第2層230とストップ層220の上に形成される。 - 特許庁
An n-type InP cladding layer 16 (a third semiconductor layer) is formed on the p-type InP cladding layer 12 and the active layer 15.例文帳に追加
p型InPクラッド層12および活性層15上にn型InPクラッド層16(第3の半導体層)を形成する。 - 特許庁
A third insulation layer is formed on the intermediate contact and the second insulation layer.例文帳に追加
第三の絶縁層をキャパシタ、中間コンタクトおよび第二の絶縁層の上に形成する。 - 特許庁
A third substrate and the intermediate layer are bonded via a second bonding layer.例文帳に追加
次に第3の基板と前記中間層とを第2の接着層を介して接着する。 - 特許庁
The second clad layer 21 and the third clad layer 23 constitute a pn junction 27.例文帳に追加
第2のクラッド層21及び第3のクラッド層23はpn接合27を構成する。 - 特許庁
The second wiring structure includes a third wiring layer, a second dielectric layer, and a conductive paste via.例文帳に追加
第2配線構造が第3配線層と第2誘電層と導電ペーストバイアとを含む。 - 特許庁
A photoresist layer is formed by a third reticle and a gate and a gate oxide layer are formed.例文帳に追加
第三レチクルにより、フォトレジスト層が形成され、ゲートとゲート酸化層が形成される。 - 特許庁
The first via 113 connects the first wiring layer 111 to a third wiring layer 117.例文帳に追加
第1ビア113は、第1配線層111と第3配線層117とを接続する。 - 特許庁
The second lamination part includes a third ferromagnetic layer having a variable magnetization direction, a fourth ferromagnetic layer laminated on the third ferromagnetic layer and having magnetization fixed in a second direction and a second non-magnetic layer provided between the third ferromagnetic layer and the fourth ferromagnetic layer.例文帳に追加
第2積層部は、磁化の方向が可変である第3強磁性層と、第3強磁性層と積層され、第2方向に磁化が固定された第4強磁性層と、第3強磁性層と第4強磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、を含む。 - 特許庁
The third layer 13 contains the second powder as a main component.例文帳に追加
第3の層13は第2の粉末を主成分として含む。 - 特許庁
Only magnetization of the third magnetic layer is detected in the case of reproduction.例文帳に追加
再生時には第3磁性層の磁化のみが検出される。 - 特許庁
A laser diode 5 is bonded onto the third diffusion layer 8.例文帳に追加
第3拡散層8上にはレーザダイオード5が接合されている。 - 特許庁
The entire surface of the third resist layer 19 is again exposed.例文帳に追加
次に、第3のレジスト層19の全面を再び露光する。 - 特許庁
The window is formed with a third semiconductor layer formed on the second semiconductor layer with a third carrier concentration.例文帳に追加
窓部にはさらに、第2の半導体層の上方に、第3のキャリア濃度で形成された第3の半導体層が設けられている。 - 特許庁
The contact portion 15B has a multilayer structure of a Ti layer 15B1 (a first conductive layer) as a bottom layer, an Al layer 15B2 (a second conductive layer) as a middle layer, and an Mo layer 15B3 (a third conductive layer) as a top layer.例文帳に追加
コンタクト部15Bは、最下層のTi層15B1(第1導電層)と、中間層のAl層15B2(第2導電層)と、最上層のMo層15B3(第3導電層)との積層構造を有している。 - 特許庁
The free layer 25 of an MR element 5 includes the layers such as a first layer 51, a second layer 52, third layer 53, fourth layer 54, fifth layer 55 and sixth layer 56, which are laminated in order on a nonmagnetic conductive layer 24.例文帳に追加
MR素子5のフリー層25は、非磁性導電層24の上に順に積層された第1層51、第2層52、第3層53、第4層54、第5層55および第6層56を有している。 - 特許庁
On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown.例文帳に追加
半導体基板1上にマーカー層2,第一クラッド層3,エッチストップ層4,第二クラッド層5,活性層6,第三クラッド層7及びキャップ層8を順次成長させる。 - 特許庁
A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加
n型コンタクト層の上に、第一のn型層と、第二のn型層と、第三のn型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のp型層と、第二のp型層と、第三のp型層と、p型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁
One embodiment includes a first layer 18, a second layer 20 adjacent to the first layer, and a third layer 22 adjacent to the second layer opposite the first layer.例文帳に追加
一実施形態は、第1の層18と、第1の層に隣接する第2の層20と、第1の層の反対側で第2の層に隣接する第3の層22とを備える。 - 特許庁
A first clad layer 2, an active layer 3, a second clad layer 4, an etching-stop layer 5, an intermediate layer 6, and a third clad layer 7, are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1の上に、第1のクラッド層2、活性層3、第2のクラッド層4、エッチング停止層5、中間層6および第3のクラッド層7を形成する。 - 特許庁
The photodiode absorbs one part (for example, approximately two thirds) of laser output and transmits the remainder (approximately one third), and is a PIN photodiode consisting of a p-type contact layer (p layer) 29, a light absorption layer (i layer) 30, and an n-type contact layer (n layer) 31.例文帳に追加
このフォトダイオードは、p型コンタクト層(p層)29、光吸収層(i層)30、およびn型コンタクト層(n層)31からなるPINフォトダイオードである。 - 特許庁
An ESD layer 102 has a three-layer structure of a first ESD layer 110, a second ESD layer 111, and a third ESD layer 112 from the side of an n-type contact layer 101.例文帳に追加
ESD層102は、n型コンタクト層101側から第1ESD層110、第2ESD層111、第3ESD層112の3層構造である。 - 特許庁
Ring-shaped VDD.GND power supply peripheral rings 16a and 16b composed of an uppermost layer as a third wiring layer 14 and a lowermost layer as a first wiring layer 12 of a three-layered wiring structure which comprises a middle layer as a second wiring layer 13 besides the first wiring layer 12 and the third wiring layer 14 are formed around a micro core 11.例文帳に追加
マクロコア11の周りに、リング状のVDD用及びGND用の電源周回リング16a、16bが3層配線構造の最上層及び最下層の第3配線層14及び第1配線層12により構成されている。 - 特許庁
A lower portion of the third reinforcing layer 24 is held between the first reinforcing layer 20 and the second reinforcing layer 22.例文帳に追加
第三補強層24の下側部分は、第一補強層20と第二補強層22とに挟まれている。 - 特許庁
The mounting substrate 12 includes: a first insulating layer 31, a second insulating layer 32 and a third insulating layer 33.例文帳に追加
実装基板12は、第1絶縁層31、第2絶縁層32および第3絶縁層33を備えている。 - 特許庁
The second transistor has: a third gate insulating layer; the second gate charge storage layer; and a fourth gate insulating layer.例文帳に追加
第2のトランジスタは、第3のゲート絶縁層と、第2のゲート電荷蓄積層と、第4のゲート絶縁層とを有する。 - 特許庁
A third metal layer that covers the first metal layer, the second metal layer, and an inner wall of the through via is formed.例文帳に追加
第1および第2金属層ならびにスルービアの内壁を被覆する第3金属層が形成される。 - 特許庁
The drive leader 32 includes a first layer 94, a second layer 96 and a third layer 98 to be fixed integrally.例文帳に追加
ドライブリーダ(32)は、ともに固定される第1の層(94)、第2の層(96)および第3の層(98)を含む。 - 特許庁
In this device, the second gate insulating layer has a structure in which a part of a third layer made of a silicon oxide layer is removed.例文帳に追加
第2のゲート絶縁層は、酸化シリコン層からなる第3層の一部が除去された構造をとる。 - 特許庁
A third insulating layer 43 is formed over the second insulating layer 42 so as to cover the ground layer GL.例文帳に追加
また、第2の絶縁層42上においてグランド層GLを覆うように第3の絶縁層43が形成される。 - 特許庁
An escape wheel 200 is composed of a first metallic layer 221, a second metallic layer 222 and a third metallic layer 223.例文帳に追加
がんぎ車200は、第1の金属層221、第2金属層222、及び第3の金属層223からなる。 - 特許庁
The first seal layer 201 and the third seal layer 203 are joined with each other via the first intermediate layer 205a.例文帳に追加
第1シール層201と第3シール層203とは、第1中間層205aを介して接合されている。 - 特許庁
The third electrode layer 45 is equipped between this second insulating layer 46 and the second electrode layer 44.例文帳に追加
この第2の絶縁層46と第2の電極層44の間に、第3の電極層45が備えられている。 - 特許庁
A multilayer information recording medium has a first layer L0, a second layer L1 and a third layer L2.例文帳に追加
多層情報記録媒体は、第一層目のL0、第二層目のL1、第三層目のL2で構成されている。 - 特許庁
Then, the mixture layer 5A is exposed, whereby the exposed mixture layer 5A is formed in a third cladding layer 5.例文帳に追加
そして、上記混合層5Aを露光し、その露光された混合層5Aを第3のクラッド層5に形成する。 - 特許庁
A fourth layer 15 is provided between the second layer 1 and the third layer CLa and has the second conductivity type.例文帳に追加
第4の層15は第2の層1および第3の層CLaの間に設けられ第2導電型を有する。 - 特許庁
A fourth layer 15 is provided between the second layer 1 and the third layer CLa, and has second conductivity.例文帳に追加
第4の層15は、第2の層1および第3の層CLaの間に設けられ、かつ第2導電型を有する。 - 特許庁
Next, a third ink including the screen printing ink is printed on the second ink layer 33a so as to form a third ink layer 51a by drying the third ink.例文帳に追加
次に、第2インク層33a上にスクリーン印刷用インクを含む第3インクを印刷し、第3インクを乾燥することにより第3インク層51aを形成する。 - 特許庁
The semiconductor structure includes a first layer on the semiconductor substrate, a second layer on the first layer, and a third layer on the second layer.例文帳に追加
前記半導体構造は、前記半導体基板上の第1の層、前記第1の層上の第2の層および前記第2の層上の第3の層を具備する。 - 特許庁
The resin layer 7 seals the semiconductor element 3, the first heat transfer layer 4, and the second heat transfer layer 5, and the third heat transfer layer 6 is exposed from the resin layer 7.例文帳に追加
樹脂層7は、半導体素子3、第1伝熱層4、第2伝熱層5を封止し、樹脂層7からは第3伝熱層6が表出する。 - 特許庁
The Si concentrations in the second intermediate layer 302, third intermediate layer 303, and fourth intermediate layer 304 are lower than those in the first intermediate layer 301 and fifth intermediate layer 305.例文帳に追加
また、第2、第3および第4中間層302,303,304のSi濃度は、第1および第5中間層301,305のSi濃度よりも低い。 - 特許庁
The N-type structure layer is of sandwich structure composed of a first N layer, a second N layer, and a third N layer which are successively laminated, and the second N layer is wider in optical band gap than the first N layer and third N layer.例文帳に追加
n型構造層は、第一n層、第二n層、第三n層を順次積層して構成されたサンドイッチ構造を有し、第二n層の光学的帯域ギャップの幅は、第一n層及び第三n層の光学的帯域ギャップの幅より広い。 - 特許庁
A third organic layer 16 is stacked between the second negative electrode 18b and the third negative electrode 18c.例文帳に追加
第2の陰極18bと第3の陰極18cの間には、第3の有機層16が積層する。 - 特許庁
The third light generation part generates third light for reproducing information from the holographic recording layer.例文帳に追加
第3の光発生部は、情報をホログラフィック記録層から再生するための第3の光を発生させる。 - 特許庁
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