「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A pad part 20 is formed on a position corresponding to the third metal layer 4 as usual while its surface is made lower than the upper surface of the third metal layer 4.例文帳に追加

パッド部２０は、従来と同様に第３メタル層４の位置に、該第３メタル層４の上面より掘り下げて形成されている。 - 特許庁

A third conductive layer 14 is formed within the via hole 12.例文帳に追加

ビアホール１２内には第３導電層１４が形成されている。 - 特許庁

In the third region where the first core layer is removed, a third core layer 35 is formed of a compound semiconductor containing Al.例文帳に追加

第１のコア層が除去された第３の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第３のコア層３５を形成する。 - 特許庁

The third layer has electron-transportability and contains alkali metal, or the like.例文帳に追加

第３の層は、電子輸送性を有し、かつアルカリ金属等を含む。 - 特許庁

Similarly, the gaps of the conductor 16 in the third layer and fourth layer of the coil are eliminated by moving a third pushing jaw 24 and a fourth pushing jaw 26, respectively.例文帳に追加

同様に第３、第４押圧あご２４，２６を移動させて、コイルの３層目、４層目の各々の導線１６間の隙間を詰める。 - 特許庁

The third conductive layer is used as a reflection electrode.例文帳に追加

さらに、前記第３の導電層は反射電極として用いられる。 - 特許庁

Then etching of the trench is performed on the third mask film of the mask layer.例文帳に追加

その後、トレンチが、マスク層の第３のマスク・フィルムにエッチングされる。 - 特許庁

The third semiconductor layer extends in a vertical direction with respect to a substrate.例文帳に追加

第３半導体層は、基板に対して垂直方向に延びる。 - 特許庁

Then, an n-type GaN layer (third layer) and a p-type GaN layer (fourth layer) are further formed on the p-type GaN layer (second layer) without conducting p-type annealing to the p-type GaN layer (second layer) a p-type region.例文帳に追加

次いで、このｐ型ＧａＮ層（第２層）に対してｐ型化アニール処理をせずに、ｐ型ＧａＮ層（第２層）の上に、さらにｎ型ＧａＮ層（第３層）およびｐ型ＧａＮ層（第４層）が形成される。 - 特許庁

A flip-flop is constituted of two gate-to-gate electrode layers situated in the first-layer conductive layer, a drain-to-drain connection layer situated in the second-layer conductive layer and a drain-to-gate connection layer situated in the third-layer conductive layer.例文帳に追加

フリップフロップは、第１層導電層に位置する二つのゲート-ゲート電極層、第２層導電層に位置するドレイン-ドレイン接続層、第３層導電層に位置するドレイン-ゲート接続層により構成される。 - 特許庁

A second layer (L2) used as a power supply or a ground layer and a third layer (L3) used as a signal layer are formed with a core material 12 which is provided with a via 21b that is drilled and plated toward the second layer on an outer layer side from the third layer on an inner layer side.例文帳に追加

電源若しくはグランド層として用いられる第２層（Ｌ２）と、信号層として用いられる第３層（Ｌ３）とを形成するコア材１２には、内層側の第３層から外層側の第２層に向けて穴開けされメッキが施されたビア２１ｂが設けられる。 - 特許庁

When instructed to change setting of the layer data of the first layer or the second layer, the layer data of the first layer or the second layer are rewritten with the specified ones, the third layer data arranged in a third layer data area are cleared, and the assignment is performed again thereafter.例文帳に追加

第１レイヤまたは第２レイヤのレイヤデータを設定変更する指示があった場合、第１レイヤまたは第２レイヤのレイヤデータを指定されたものに書き替えるとともに、第３レイヤデータ領域に配置されている第３レイヤデータをクリアし、その後、割り当てのし直しを行う。 - 特許庁

The third insulation layer is formed on the second land and the second insulation layer.例文帳に追加

前記第３の絶縁層は、前記第２のランド上および前記第２の絶縁層上に設けられる。 - 特許庁

The second insulating layer is light transmissive and is composed of a different material from that of the first and the third insulating layer.例文帳に追加

第２絶縁層は、光透過性であり、第１、第３絶縁層と異なる材料からなる。 - 特許庁

A third layer (56) containing a ceramic in major weight part, is coated on the second layer (54).例文帳に追加

第三の層（５６）が、第二の層（５４）の上に施され、主な重量部分においてセラミックを含む。 - 特許庁

Furthermore, a third layer S30 is formed of the secondary side wire 20 and piled up on the second layer S20.例文帳に追加

さらに第二層Ｓ２０と重ねて二次側のワイヤ２０により第三層Ｓ３０を形成する。 - 特許庁

A third insulating layer 6 is formed on a side portion of the source region side of the laminated layer 8.例文帳に追加

そして、積層膜８のソース領域側側部には、第３の絶縁層６が形成される。 - 特許庁

A second element separation region 210 not extending to the insulating layer is formed on the third semiconductor layer.例文帳に追加

第３半導体層には絶縁層に到達しない第２素子分離領域２１０を形成する。 - 特許庁

The second interface 20-2 is made of the second layer 13-2 and a third layer 13-3.例文帳に追加

第２の界面２０−２は、第２の層１３−２および第３の層１３−３からなる。 - 特許庁

The first layer 12 and the third layer 14 are mixed oxide films mainly composed of Ti and La.例文帳に追加

第１層１２及び第３層１４は、主成分がＴｉとＬａとの混合酸化膜である。 - 特許庁

Further more, a third dielectrics layer 4c of resin is laminated on the fourth conductor layer 3d.例文帳に追加

更に、第４導体層３ｄ上には樹脂製の第３誘電体層４ｃが積層されている。 - 特許庁

The second interface 20-2 is made of the second layer 14-2 and a third layer 14-3.例文帳に追加

第２の界面２０−２は、第２の層１４−２および第３の層１４−３からなる。 - 特許庁

An etching mask 9 is formed at one part of the cap layer 8, and a part to the third cladding layer 7 is removed.例文帳に追加

キャップ層８の一部にエッチングマスク９を形成し、第三クラッド層７まで除去する。 - 特許庁

The third dielectric layer exposes a portion of the circuitry layer which is within the removed film region.例文帳に追加

第３誘電体層は脱膜領域の範囲内にある回路層の一部を露出させている。 - 特許庁

The third layer is provided with pores 39, through which the second layer 2 is subjected to wet etching.例文帳に追加

第３層に細孔３９を形成し、この細孔３９を介して第２層２をウェットエッチングする。 - 特許庁

The second clad layer is formed of a quartz glass while the third clad layer 4 formed of silicon resin.例文帳に追加

第２クラッド層３を石英系ガラスにより、第３クラッド層４をシリコーン樹脂により形成する。 - 特許庁

A drain wiring 15 as the upper-layer wiring is formed on the third inter-layer insulating film.例文帳に追加

第３層間絶縁膜上には、上層配線としてのドレイン配線１５が形成されている。 - 特許庁

The hydrogen bonding density of the third insulation layer 23 is made lower than that of the second insulation layer 22.例文帳に追加

そして、第３絶縁層２３の水素結合密度は第２絶縁層２２より小さくする。 - 特許庁

Heat generated from the semiconductor element 3 is efficiently transferred to the first heat transfer layer 4, the second heat transfer layer 5, and the third heat transfer layer 6 to be radiated to the exterior from the third heat transfer layer 6 exposed from the resin layer 7.例文帳に追加

半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 - 特許庁

Laminated groups C1 to Cn each comprise a first to a third ceramic layer, 110 to 130, and internal electrodes 21 and 22, wherein the first ceramic layer 110 serves as a lowermost layer, and the third ceramic layer 130 serves as an uppermost layer.例文帳に追加

第１及び第３のセラミック層１１０〜１３０、内部電極２１、２２は、第１のセラミック層１１０を最下層とし、第３のセラミック層１３０を最上層とする積層グループＣ１〜Ｃｎを構成する。 - 特許庁

In the vicinity of the connection hole, in which the second and third conductive layers are connected, the third conductive layer is not overlapped on the second conductive layer via the first insulating layer, and an end of the third conductive layer is not formed on the first insulating layer.例文帳に追加

第２の導電層及び第３の導電層が接続する接続孔付近において、第３の導電層が第１の絶縁層を介して第２の導電層に重畳せず、第３の導電層の端部が第１の絶縁層上に形成されない。 - 特許庁

The shield layer 20 incorporates: a first layer 20A disposed on the gap layer 18; a second layer 20C disposed on the first layer 20A; and a third layer 20E disposed on the second layer.例文帳に追加

シールド層２０は、ギャップ層１８の上に配置された第１層２０Ａと、第１層２０Ａの上に配置された第２層２０Ｃと、第２層２０Ｃの上に配置された第３層２０Ｅを有している。 - 特許庁

The first layer 31, the third layer 33, the fifth layer 35 and the eighth layer 38 are low refractive index layers, and the second layer 32, the fourth layer 34 and the sixth layer 36 are high refractive index layers.例文帳に追加

このうち、第１層３１、第３層３３、第５層３５および第８層３８が低屈折率層であり、第２層３２、第４層３４および第６層３６が高屈折率層である。 - 特許庁

The intermediate layer 300 has a five-layer structure, provided with a first intermediate layer 301, a second intermediate layer 302, a third intermediate layer 303, a fourth intermediate layer 304, and a fifth intermediate layer 305.例文帳に追加

中間層３００は、第１中間層３０１と、第２中間層３０２と、第３中間層３０３と、第４中間層３０４と、第５中間層３０５とを備え、５層構造を有している。 - 特許庁

This inorganic EL light emitting device comprises a transparent electrode as a first layer supported to a substrate, a luminescent layer containing an inorganic fluorescent material as a second layer, a dielectric layer as a third layer, and an electrode layer as a fourth layer.例文帳に追加

無機ＥＬ電極として従来ＩＴＯ（インジウム酸化錫）が使用されていたが、この電極は透明性は高いが、高価であると同時にフレキシビリティーがないなど問題が多かった。 - 特許庁

The side surface of the first insulating layer is perpendicular to the upper surface of the third semiconductor layer and both side surfaces of the third electrode are in contact with the side surface of the first insulating layer.例文帳に追加

第１の絶縁層の側面は第３の半導体層上面に対して垂直で、第３の電極の両側面は第１の絶縁層の側面と接する。 - 特許庁

In a third-layer interlayer insulation film 11 formed between the second-layer metal 9 and a third-layer metal 15, a second via 13 and a second dummy via 13a are formed.例文帳に追加

第２層目メタル９と第３層目メタル１５の間に設けられた第３層目層間絶縁膜１１に第２ＶＩＡ１３と第２ダミーＶＩＡ１３ａが形成されている。 - 特許庁

The third base material is laminated by bonding the third insulating layer 101c under the first conductor layer 100a of the first base material with a thin-film adhesion layer 103 interposed.例文帳に追加

第一の基材の第一の絶縁層１０１ａの下に薄膜接着層１０３を介して第三の絶縁層１０１ｃを接着して第三の基材を積層する。 - 特許庁

A measuring wire 2 is connected to the third layer by a though hole 5, returned to the inside corresponding to the length portion of the measuring wire 2 on the third layer, and connected to the fourth layer.例文帳に追加

測定配線２はスルーホール５により第３層に接続され、第３層で測定配線２の長さ分だけ内側へ戻され第４層に接続される。 - 特許庁

Electron holes, which are generated by optical absorption performed by the third semiconductor layer 4 during operation, are accumulated on the interface between the third semiconductor layer 4 and the second semiconductor layer 3.例文帳に追加

動作時に第３の半導体層４による光吸収によって生成される正孔が第３の半導体層４と第２の半導体層３との界面に蓄積される。 - 特許庁

A second reflective film 13a is formed on the second recording layer, and a third reflective film 14a and a light transmission layer 17 are formed on the third recording layer.例文帳に追加

第２の記録層の上には第２の反射膜１３ａが形成され、第３の記録層の上には第３の反射膜１４ａと光透過層１７とが形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate, a first insulating layer 1, a second insulating layer 2, and a third insulating layer 3 are stacked in order.例文帳に追加

半導体基板上に第１の絶縁層１、第２の絶縁層２、第３の絶縁層３の順番に積層する。 - 特許庁

The third layer 27 keeps a tungsten or tungsten carbide content higher at the second layer 26 side rather than the fourth layer 28 side.例文帳に追加

第３の層２７は、タングステン又はタングステンカーバイトの含有率が第４の層２８側より第２の層２６側が高い。 - 特許庁

The conductive paste via is disposed in the second dielectric layer and electrically connects the first wiring layer with the third wiring layer.例文帳に追加

導電ペーストバイアが第２誘電層中に配置され、第１配線層および第３配線層を電気接続する。 - 特許庁

A third ferromagnetic layer 11 faces the surface of the barrier layer which is opposite to the second ferromagnetic layer with its magnetizing direction being variable.例文帳に追加

第３強磁性層１１は、バリア層の第２強磁性層と反対の面と面し、磁化方向が可変である。 - 特許庁