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third layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2440件
A melting point of the second junction layer 2b is lower than those of the first junction layer 2a and the third junction layer 2c.例文帳に追加
また、第2接合層2bの融点は、第1接合層2aおよび第3接合層2cの融点よりも低い。 - 特許庁
A forth insulating layer 1d for covering the second capacitor electrode layer 5b is formed on the third insulating layer 1c.例文帳に追加
第3の絶縁層1c上に、第2のキャパシタ電極層5bを覆うように第4の絶縁層1dを設ける。 - 特許庁
A third insulating layer is in physical contact with the first insulating layer and is arranged on the second and the first insulating layer.例文帳に追加
第3絶縁層は、第1絶縁層と物理的に接し、第2絶縁層および第1絶縁層上に配置される。 - 特許庁
The main substrate 1 has a laminated structure of the first main substrate layer 1a, the second main substrate layer 1b and the third main substrate layer 1c.例文帳に追加
主基板1は第1主基板層1a、第2主基板層1b、第3主基板層1cの積層構造をもつ。 - 特許庁
The first connecting section 13C connects the first layer 13A1 and the third layer 13B without contact with the magnetic pole layer 12.例文帳に追加
第1の連結部13Cは、磁極層12に接触せずに第1層13A1と第3層13Bとを連結する。 - 特許庁
This test board 1 formed by laminating three substrates comprises a mounting face (first layer) GND solid 8 layer (second layer), an insulating layer (third layer), and a solder face (fourth layer) where a ball grid 7 is formed.例文帳に追加
三枚の基板を積層形成したテストボード1は、実装面(第1層)GNDベタ8層(第2層)、絶縁層(第3層)、ボールグリッド7が形成されたハンダ面(第4層)からなる。 - 特許庁
A lower electrode 39a and a wire 39b of the capacitance element 44 are formed in a wiring layer (a third wiring layer) 39 which is located one layer lower than a wiring layer (a fourth wiring layer) 43 as the outermost layer.例文帳に追加
最上層の配線層(第4配線層)43よりも一つ下の配線層(第3配線層)39に容量素子44の下部電極39aと配線39bを形成する。 - 特許庁
This semiconductor integrated circuit is provided with a wiring layer in the second layer and a wiring layer in the fourth layer, and a wiring layer in the third layer arranged between those wiring layers.例文帳に追加
半導体集積回路は、2層目の配線層と4層目の配線層と、これらの配線層の間に設けられる3層目の配線層とを備える多層配線構造を有している。 - 特許庁
A base sacrifice layer 14, a first metal layer 16, a first sacrifice layer 20, a second metal layer 22, a second sacrifice layer 26 and a third metal layer 28 are sequentially laminated on a silicon substrate 12.例文帳に追加
シリコン基板12の上に、ベース犠牲層14,第1金属層16、第1犠牲層20、第2金属層22、第2犠牲層26、第3金属層28を順に積層する。 - 特許庁
The fixed layer 23 includes a first layer 311, a second layer 312, a third layer 313, a non-magnetism interlayer 32 and an inner layer 33, which are arranged sequentially in order of distance near to the anti-ferromagnetic layer 22.例文帳に追加
固定層23は、反強磁性層22に近い順に配置された第1層311、第2層312、第3層313、非磁性中間層32およびインナー層33を含んでいる。 - 特許庁
In the reflection preventing layer 13, the third layer 133 and the fifth layer 135 are formed to be thicker than in a reflection preventing layer disclosed in conventional examples.例文帳に追加
反射防止層13が従来例で示される反射防止層に比べて、第3層133及び第5層135が厚く形成される。 - 特許庁
A DFB laser element 45 comprises a 3-layer low reflection film that comprises a first layer of alumina, a second layer of amorphous silicon, and a third layer of alumina.例文帳に追加
DFBレーザ素子45は、第1層の材質はアルミナ、第2層はアモルファスシリコン、第3層はアルミナからなる3層低反射膜を有する。 - 特許庁
The laminate material comprises a polyethylene terephthalate outer layer 50, an optional second layer of a nylon 52, a third layer of metallic foil 54 and a polypropylene inner layer 56.例文帳に追加
ラミネート材料は、ポリエチレンテレフタレート外層50、随意のナイロン第二層52、金属ホイル第三層54、及びポリプロピレン内層56を含む。 - 特許庁
The third terminal communicates with the first plane-like metal layer 110.例文帳に追加
第3端子は第1平面状金属層110に連絡している。 - 特許庁
A partial region in the surface of the third layer is covered with a mask pattern.例文帳に追加
第3の層の表面のうち一部の領域をマスクパターンで覆う。 - 特許庁
An electrode layer 58 is covered with a third insulating film 60 such that the electrode layer 58 is fixed by the third insulating film 60.例文帳に追加
電極層58を第3絶縁膜60にて覆うようにすることで、第3絶縁膜60にて電極層58が固定されるようにする。 - 特許庁
The third metal layer may be wired in the second metal wiring region.例文帳に追加
第2のメタル配線領域には第3メタル層が配線可能である。 - 特許庁
The electron barrier layer 16 is made from a third gallium nitride-based semiconductor.例文帳に追加
電子障壁層16は、第3の窒化ガリウム系半導体からなる。 - 特許庁
Thus, unevenness of the third conductive layer can be reduced.例文帳に追加
このため、第3の導電層の凹凸を低減することが可能である。 - 特許庁
This can reduce the unevenness of the third conductive layer.例文帳に追加
このため、第3の導電層の凹凸を低減することが可能である。 - 特許庁
The third layer consisting of the third semiconductor material having etching resistance different from the second semiconductor material is grown on the second layer.例文帳に追加
第2の層の上に、第2の半導体材料とはエッチング耐性の異なる第3の半導体材料からなる第3の層を成長させる。 - 特許庁
The third electrode is formed extending to the second semiconductor layer from the upper surface of the third semiconductor layer between the adjacent first insulating layers.例文帳に追加
第3の電極は、隣接する第1の絶縁層間の第3の半導体層上面から第2の半導体層にかけて形成される。 - 特許庁
The Co content in the third magnetic layer 6 is made 15-17 atom %.例文帳に追加
第3の磁性層6におけるCoの含有率を15〜17atom%とする。 - 特許庁
The antireflection layer 12A is formed by alternately stacking the first layer which is the low refractive index layer and the second layer which is the high refractive index layer and a first layer 121, a second layer 122, a third layer 123, a fourth layer 124 and a fifth layer 125 are stacked in order from a side of the hard coat layer 11.例文帳に追加
反射防止層12Aは、低屈折率層である第1の層と高屈折率層である第2の層とが交互に積層され、ハードコート層11の側から、第1層121、第2層122、第3層123、第4層124および第5層125が順に積層されている。 - 特許庁
The method also includes a process for coupling a third insulating layer to the first insulating layer, which is a process wherein the third insulating layer is disposed at least partially below the first insulating layer.例文帳に追加
この方法はまた、第3の絶縁層を第1の絶縁層に連結する工程であって、第3の絶縁層は、第1の絶縁層の下に少なくとも部分的に配置される工程を含む。 - 特許庁
A nitride semiconductor device 110 comprises: a first semiconductor layer 3; a second semiconductor layer 4; a third semiconductor layer 5; a fourth semiconductor layer 6; a first electrode 10; a second electrode 8; and a third electrode 9.例文帳に追加
窒化物半導体装置110は、第1半導体層3、第2半導体層4、第3半導体層5、第4半導体層6、第1電極10、第2電極8及び第3電極9を備える。 - 特許庁
Then, a third resist pattern is formed by exposure from the back with the first conductive layer and the metal layer of the second conductive layer as a mask, a third insulating layer is etched, and protective insulating layers 123a-123d are formed.例文帳に追加
その後、第1の導電層と第2の導電層の金属層とをマスクとした裏面からの露光により、第3のレジストパターンを形成し、第3の絶縁層をエッチングし、保護絶縁層を形成する。 - 特許庁
The multilayered resin film consists of a first layer, a third layer and the second layer provided between them and at least the third layer contains at least one kind of a surfactant.例文帳に追加
下記第一層、第三層および第一層と第三層との間にある第二層からなり、少なくとも第三層に1種類以上の界面活性剤を含有してなることを特徴とする多層フィルム。 - 特許庁
First wiring 510 is located on a surface of the third insulating layer 400, and connected to the third plug 410.例文帳に追加
第1配線510は第3絶縁層400の表面に位置しており、第3プラグ410に接続している。 - 特許庁
A third scintillator, the thickness of a third layer of which is 0.1 to 50 mm detects a gamma ray because the gamma ray has high penetrability.例文帳に追加
ガンマ線は透過力が高いので3層目の厚さ0.1〜50mmの第3のシンチレータで検出する。 - 特許庁
Further, the second layer 18, and the first layer 16 and third layer 20 forming the metallic layer 14 together with the second layer 18 are made of the steel the same as that of the base metal 12.例文帳に追加
なお、この第2層18と、該第2層18とともに金属層14を形成する第1層16及び第3層20とは、母材12と同一の鋼材からなる。 - 特許庁
Aperture parts of a third layer and a fourth layer in the lower layer side of a second layer provided with a grounded metal pattern 4 are made larger than an aperture part formed in the second layer.例文帳に追加
接地金属パタン4の設けられた第2層から下層側の第3層、及び第4層の開口部の大きさを第2層に形成された開口部よりも大きくする。 - 特許庁
Drawing data of one of the first layer 31, the second layer 32, and the layer areas 33a-33d of the third layer, and the fourth layer 34 are overlapped and are displayed on a display monitor.例文帳に追加
第1レイヤ31、第2レイヤ32、第3レイヤのレイヤ領域33a〜33dのいずれか一つおよび第4レイヤ34の描画データを重ねて表示モニタに表示する。 - 特許庁
The memory circuit 100 includes a first conductive layer, a second conductive layer coupled to the first conductive layer, and a third conductive layer coupled to the second conductive layer.例文帳に追加
メモリ回路100は、第一導電層、第一導電層に結合される第二導電層、及び、第二導電層に結合される第三導電層を備える。 - 特許庁
Any sand that falls on the upper surface of a third layer 7 passes through that layer and also through the second layer 3 to be retained between the first layer 2 and second layer 3.例文帳に追加
第3層の上部表面上に落ちるいかなる砂もその層を通過しそして第2層3も通過して第1層2と第2層3との間に保持される。 - 特許庁
The third layer 10c, the fifth layer 10e, and the seventh layer 10g form a coupling part 31 for magnetically coupling the lower magnetic pole layer 10 to the upper magnetic pole layer 27.例文帳に追加
第3の層10c、第5の層10eおよび第7の層10gは、下部磁極層10と上部磁極層27とを磁気的に連結する連結部31を構成する。 - 特許庁
A reflection layer 25, a p-type first layer 24, an n-type second layer 23, a p-type third layer 22 and an n-type fourth layer 21 are successively formed on a p-type substrate 51.例文帳に追加
p型基板51上に、反射層25、p型の第1層24、n型の第2層23、p型の第3層22、n型の第4層21が順次形成されている。 - 特許庁
The semiconductor light emitting element 1 includes a first semiconductor layer 3, an active layer 5, a second semiconductor layer 7, a third semiconductor layer 9, and a current blocking semiconductor layer 11.例文帳に追加
半導体発光素子1は、第1の半導体層3と、活性層5と、第2の半導体層7、第3の半導体層9と、電流ブロック半導体層11とを備える。 - 特許庁
The external electrode 30 has a first electrode layer 40, a second electrode layer 42, a conductive resin layer 44, a third electrode layer 46, and a fourth electrode layer 48.例文帳に追加
外部電極30は、第1の電極層40と第2の電極層42と導電性樹脂層44と第3の電極層46と第4の電極層48とを有する。 - 特許庁
Further, the second layer 18, and the first layer 16 and the third layer 20 forming the metallic layer 14 together with the second layer 18 are made of the steel the same as that of the base metal 12.例文帳に追加
なお、この第2層18と、該第2層18とともに金属層14を形成する第1層16及び第3層20とは、母材12と同一の鋼材からなる。 - 特許庁
A first conductivity third semiconductor layer 8a is formed on the second semiconductor layer 7 and, in the third opening 5c, a first conductivity fourth semiconductor layer 9 is formed on the exposed surface of the first semiconductor layer 3 in contact with the third semiconductor layer 8a.例文帳に追加
第2半導体層7上に第1導電型の第3半導体層8aを形成すると共に、第3開口5cの内部において、第1半導体層3の露出面に第1導電型の第4半導体層9を第3半導体層8aに接触させて形成する。 - 特許庁
A high concentration impurity region is formed all over or partially in the Si 101 surface of a third layer, an oxide film SiO_2 102 of a second layer is formed on the whole surface of the third layer, which is joined to Si substrate of a first layer, and Si of the third layer is mirror-polished to obtain an SOI wafer.例文帳に追加
第3層のSi101表面に全面あるいは部分的に高濃度不純物領域を形成し、第3層の全面に第2層の酸化膜SiO_2102を形成し、これと第1層のSi基板とを接合し、第3層のSiを鏡面研磨することでSOIウエハを得る。 - 特許庁
The third magnetic layer is made to vertical magnetic film by forming multilayer films including the first, the second and the third magnetic layer in this order to lower curie temperature TC2 of the second magnetic layer than curie temperature TC1 of the first magnetic layer and curie temperature of TC3 of the third magnetic layer.例文帳に追加
第1磁性層、第2磁性層および第3磁性層をこの順に含む多層膜を形成し、第2磁性層のキュリー温度T_C2を第1磁性層のキュリー温度T_C1および第3磁性層のキュリー温度T_C3よりも低くして第3磁性層を垂直磁化膜とする。 - 特許庁
The third layer 4 is separated, the first layer 2 is separated followed thereto, and the second layer is attached to the liquid crystal display panel or the like, when mounted.例文帳に追加
実装の際には、第3層4、続いて第1層2を剥離して、第2層を液晶表示パネル等に装着する。 - 特許庁
The core 4 has in the thickness direction thereof a first absorption layer 21, a second absorption layer 23, and a third absorption layer 22 in sequence.例文帳に追加
コア4には、その厚さ方向に第1吸収層21、第2吸収層23、第3吸収層22が順に形成される。 - 特許庁
Furthermore, the width of the second conductive layer is made narrower than that of the first conductive layer and that of the third conductive layer.例文帳に追加
さらに、第2の導電層の幅は、第1の導電層及び第3の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする。 - 特許庁
The main substrate 1 has a laminated structure constituted by laminating a first main substrate layer 1a, a second main substrate layer 1b, and a third main substrate layer 1c.例文帳に追加
主基板1は第1主基板層1a、第2主基板層1b、第3主基板層1cの積層構造をもつ。 - 特許庁
The assignment of a second layer is given priority over a first layer, and the assignment of a third layer is given priority over the first and second layers.例文帳に追加
第1レイヤより第2レイヤの割り当てを優先させ、第1および第2レイヤより第3レイヤの割り当てを優先させる。 - 特許庁
The second optical compensation layer and the third optical compensation layer are preferably bonded with each other via an adhesive layer only.例文帳に追加
好ましくは、第2の光学補償層と第3の光学補償層とは、接着剤層のみを介して貼り合わされている。 - 特許庁
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