「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

The nonaqueous electrolyte secondary battery can be manufactured via a first process of assembling the battery provided with the porous polymer layer between the positive electrode and negative electrode, a second process of filling an electrolyte in the battery, and a third process of heating the battery at 100°C or higher after sealing the battery.例文帳に追加

正極−負極間に有孔性ポリマー層を備えた電池を組み立てる第１の工程と、前記電池に電解液を注液する第２の工程と、前記電池を封口した後、１００℃以上の温度で加熱する第３の工程を経ることにより本発明の非水電解質二次電池を製造することができる。 - 特許庁

The relay chip 50F has a plurality of second and third bonding pads 51, and the plurality of bonding pads 51 are connected to each other in a wiring pattern 52F having a single-layer wiring structure or a multilayer wiring structure, changing the arrangement of the bonding pads 41 at the side of the semiconductor chips 40A-1 and 40A-2 into a different orientation.例文帳に追加

中継チップ５０Ｆは、複数個の第２、第３のボンディングパッド５１を有し、この複数個のボンディングパッド５１が、単層配線構造又は多層配線構造の配線パターン５２Ｆによって相互に接続され、半導体チップ４０Ａ−１，４０Ａ−２側のボンディングパッド４１の配置を異なる方向に変換する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 1 is configured by using: a charge storing layer 7 laminated on a semiconductor substrate 2 via a first insulation film 6; a second insulation film 13; a third insulation film 14; a fourth insulation film 15; a fifth insulation film 16; a sixth insulation film 17; and a control gate electrode 9.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１を、半導体基板２上に第１の絶縁膜６を介して積層して設けた電荷蓄積層７、第２の絶縁膜１３、第３の絶縁膜１４、第４の絶縁膜１５、第５の絶縁膜１６、第６の絶縁膜１７、および制御ゲート電極９を用いて構成する。 - 特許庁

After forming an extremely thin Ti-based film on a base material 1 as a first film 2, by having a compound film including a slope structure of a Ti-based material of a Ti-based material and a Cu-based material formed as a second film 3, and a third film 4 formed on the compound film as a Cu-based electrode, a precursor having a three-layer structure is formed.例文帳に追加

極薄のTi系膜を第一の膜２として基材１上に形成した後、Ti系材料のTi系材料とCu系材料との傾斜構造を持つ複合膜を第二の膜３として形成し、その上にCu系電極となる第三の膜４を形成することにより、３層構造の前駆体を形成する。 - 特許庁

This moving layer adsorption device is used for moving a carbon adsorbent and the exhaust gas in the orthogonally crossing direction, and a second section 7b having hollow solid discharge means 8a and 8b provided on a floor surface 8 between a fist section 7a and a third section 7c respectively filled with the carbon adsorbent is provided.例文帳に追加

炭素質吸着剤と排ガスとを直交する方向に移動させて接触させる移動層式吸着装置において、炭素質吸着剤がそれぞれ充填された第１の区画７ａと第３の区画７ｃの間に中空で床面８に固形物の排出手段８ａ、８ｂを有する第２の区画７ｂを設ける。 - 特許庁

The first theory was rejected because there are foundations of later periods, and the second one is also currently denied because the fact of destruction by fire was proven by the layer of burned soil on the second-period foundation, however, it became clear that the third-period foundation was rebuilt in a bigger size. 例文帳に追加

前者の考えについては各遺構面が存在することによって否定された。後者については、第2期遺構面上に堆積する焼土層によって焼失の事実は証明されたものの、第3期の遺構がさらに規模を拡大して再建されていることが明らかとなり、現在では否定されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A second wiring section 37 along the inclined inner-surface 45 ranges at an obtuse angle to a direction B1, where the first wiring section 36 along one surface 36 of the semiconductor substrate 31 is extended in the wiring layer 33, and a direction B3 where a third wiring section 38 is extended along the thickness direction T of the semiconductor substrate 31.例文帳に追加

この傾斜する内周面４５に沿う第２配線部３７は、配線層３３のうち半導体基板３１の一表面３６に沿う第１配線部３６の延びる方向Ｂ１、半導体基板３１の厚み方向Ｔに沿って第３配線部３８の延びる方向Ｂ３に対して鈍角に連なる。 - 特許庁

The thickness (a) of a second insulation film 7 formed on a control electrode 8 in an element 100 is 1/3 or less the thickness (b) of a third insulation film 10 formed on the principal plane side of a semiconductor layer 2, in a terminal 200 which is adjacent to the element 100 wherein the control electrode 8 is formed.例文帳に追加

素子部１００における制御電極８の上に設けられた第２の絶縁膜７の厚さａが、制御電極８が設けられる素子部１００に対して隣接した終端部２００において半導体層２の主面側に設けられた第３の絶縁膜１０の厚さｂの１／３以下である。 - 特許庁

The first section 216 of the printed layer 200 includes a printed mark on the outer surface, the second section 218 includes a die-cut label 224, and the third section 220 includes a die-cut release seal 226 along the border between the mark printed on the outer surface and the second section 218 adjacent to the printed mark.例文帳に追加

印刷層２００の第１区画２１６は外面に印刷された目印を含み、第２区画２１８はダイカットラベル２２４を含み、第３区画２２０は外面に印刷された目印および印刷された目印と隣接する第２区画２１８との間の境界に沿ったダイカット剥離シール２２６を含む。 - 特許庁

A resin film 77 includes a first resin film 77a which is formed to cover the area 70a-a third area(a laminated layer including the thin-film piezo-electric body 73 and the first and second electrode films 75a, 75b) and a second resin film 77b which is formed on an area of an electrode 71a to be formed.例文帳に追加

樹脂膜７７は、第１領域７０ａ〜第３領域（薄膜圧電体７３と第１及び第２の電極膜７５ａ，７５ｂとを含む積層体）それぞれを覆うように形成される第１の樹脂膜７７ａと、電極７１ａが形成される領域に形成される第２の樹脂膜７７ｂとを含む。 - 特許庁

An AC/DC converter 14a makes the electric double-layer capacitor 14b accumulate electric energy during a period when the X-ray irradiation is not carried out, and generates a second DC voltage, during a period when the X-ray irradiation is carried out, so as to be able to obtain the first DC voltage by composition with the third DC voltage.例文帳に追加

ＡＣ／ＤＣコンバータ１４ａは、Ｘ線照射を行わない期間には電気二重層キャパシタ１４ｂに電気エネルギを蓄積させ、Ｘ線照射を行う期間には第３の直流電圧との合成により第１の直流電圧が得られるように第２の直流電圧を生成する。 - 特許庁

By arranging the third light source unit 70 at a most downstream position of a conveying route in a drying region, even when unevenness arises on the surface of the water-based varnish layer due to the blowing of heated gas by the second dryer, the drying is further performed by the radiation heat at the downstream side so that the unevenness is eliminated.例文帳に追加

そして、第３光源ユニット７０を乾燥領域における搬送経路の最下流位置に配置することで、第２乾燥手段での加熱気体の吹き付けによって水性ニス層の表面にむらが生じても、その下流側で、さらに輻射熱により乾燥が行われるので、むらを解消することができる。 - 特許庁

When a steel material 1 and an aluminum alloy material 2 which are different kinds of metal are welded, the steel material 1 with a galvanized layer 1z deposited thereon as a third metal different from the above metals is overlapped between both metal materials 1, 2, so as to weld while generating a eutectic molten metal 3 of Al and Zn in a welding interface.例文帳に追加

異種金属である鋼材１とアルミニウム合金材２とを異材接合するに際し、両材料１，２の間に、これら材料とは異なる第３の金属として、鋼材１に亜鉛めっき層１ｚを形成した状態で重ね合わせ、接合界面にＡｌとＺｎの共晶溶融金属３を生じさせて接合する。 - 特許庁

The temperature compensation crystal oscillator comprises a crystal vibrator, an amplifier, and a temperature control circuit and adopts a three-layer structure by overlapping a first package housing the crystal vibration element, a second package housing the amplifier and the temperature control circuit, and a third package housing an ECL (Emitter-Coupled Logic) element and electronic components.例文帳に追加

水晶振動子、増幅器、温度制御回路からなる温度補償水晶発振器であって、水晶振動素子を収容した第１のパッケージと、増幅器、温度制御回路を収容した第２のパッケージと、ＥＣＬ素子、電子部品を収容した第３のパッケージとを重ねて三層構造とする。 - 特許庁

Further, the method comprises the steps of: after the disposition of the spare wires, disposing an element on the first wiring layer; after the disposition of the element, disposing a signal wire on at least one of the first to the third wiring layers; and by use of the spare wires, performing a wiring design change.例文帳に追加

さらに、この方法は、前記スペア配線の配置後に、前記第１配線層に素子を配置する工程と、前記素子の配置後に、前記第１乃至第３配線層の少なくともいずれか１つに信号配線を配置する工程と、前記スペア配線を用いて、配線の設計変更を行う工程と、を備える。 - 特許庁

The first electrode 33 has a first insulating film 34 formed along a first trench 35 adjacent to the third semiconductor region 30 between the second semiconductor region 28 and the fourth semiconductor region 32, and a first conductive layer 36 formed in the first trench 35 while covered with the first insulating film 34.例文帳に追加

第１電極部３３は、第２半導体領域２８と第４半導体領域３２の間の第３半導体領域３０に隣合う第１トレンチ３５に沿って形成された第１絶縁膜３４と、第１絶縁膜３４に覆われた状態で第１トレンチ３５内に形成された第１導電層３６を有する。 - 特許庁

The first and second memory element include respectively insulating layers 20 and 120, floating gates 22 and 122, third impurity diffused regions 15 and 25, and a common intermediate insulating layer 26, and a common control gate 28 connected to the first and second impurity diffused layers in common.例文帳に追加

第１および第２記憶素子１００はそれぞれ、ゲート絶縁層２０，１２０、フローティングゲート２２，１２２、選択酸化絶縁層２４，１２４、および第３不純物拡散層１５，２５を含み、かつ、共通の中間絶縁層２６、共通のコントロールゲート２８を有し、共通の第１および第２不純物拡散層１６，１４に接続されている。 - 特許庁

To provide a rare-earth-based sintered magnet on the surface of which a corrosion-resistant coating film, such as a plated coating film, etc., can be formed with high dimensional accuracy of film thickness by uniformly and firmly forming a conductive layer on the whole surface of the magnet without using any third component, such as a resin, coupling agent, etc.例文帳に追加

樹脂やカップリング剤などの第三の成分を用いることなく、磁石表面全体に均一にしかも強固に導電層を形成することにより、めっき被膜などの耐食性被膜の形成を高い膜厚寸法精度で行うことができる希土類系焼結磁石を提供すること。 - 特許庁

Further, at least one of a first electrode 215 and a second electrode 213 opposed to each other across the light-emitting layer 214 is divided into a partial electrode provided at a position opposed to the first region, a partial electrode provided at a position opposed to the second region, and a partial electrode provided at a position opposed to the third region.例文帳に追加

また、発光層２１４を挟んで対向する第１電極２１５と第２電極２１３の少なくとも一方は、第１領域と対向する位置に設けられた部分電極と、第２領域と対向する位置に設けられた部分電極と、第３領域と対向する位置に設けられた部分電極とに分かれている。 - 特許庁

The semiconductor layer 2, in plane view, includes a first area 2c piled on the gate electrode 4, a second area which is adjacent to the outside of the first area 2c and is piled on the side wall films 6a, and a third area which is adjacent to the outside of the second area and is directly connected with the source electrode 7 or the drain electrode 8.例文帳に追加

半導体層２は、平面視において、ゲート電極４と重なる第１領域２ｃと、第１領域２ｃの外側に隣接し、かつサイドウォール膜６ａと重なる第２領域と、第２領域の外側に隣接し、かつソース電極７またはドレイン電極８と直接接続されている第３領域とを含む。 - 特許庁

The semiconductor layer 54 has an n-type first semiconductor region 24 in contact with the first main electrode 20, a p-type second semiconductor region 58 in contact with the second main electrode 2, and an n-type third semiconductor region 12 provided between the first and second semiconductor regions 24 and 58.例文帳に追加

半導体層５４は、第１主電極２０に接触しているｎ型の第１半導体領域２４と、第２主電極２に接触しているｐ型の第２半導体領域５８と、第１半導体領域２４と第２半導体領域５８の間に設けられているｎ型の第３半導体領域１２を有している。 - 特許庁

A phosphor conversion light emitting device includes a light emitting layer disposed between n-type region and a p-type region, so as to emit light having a first peak wavelength; a first phosphor constituted so as to emit light having a second peak wavelength; a second phosphor constituted so as to emit light having a third peak wavelength.例文帳に追加

蛍光体変換発光デバイスが、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置され第１のピーク波長を有する光を発するように構成された発光層と、第２のピーク波長を有する光を発するように構成された第１の蛍光体と、第３のピーク波長を有する光を発するように構成された第２の蛍光体と、を具備する。 - 特許庁

The method of forming the conductive pattern includes: a first step for printing the conductive pattern onto a surface of the base material having a liquid repellent property; a second step for performing lyophilic processing on the surface of the base material which area does not have the conductive pattern printed thereon; and a third step for forming an insulating layer that covers the conductive pattern.例文帳に追加

表面が撥液性を有する基材表面に導電パターンを印刷する第１の工程と、前記導電パターンが形成されていない前記基材表面を親液性処理する第２の工程と、前記導電パターンを覆う絶縁層を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする導電パターンの形成方法。 - 特許庁

To provide a rare-earth permanent magnet and its simple production method with which a corrosion resistant film, such as plated film, etc., can be formed in a highly dimensionally accurate film thickness by uniformly and moreover rigidly forming a conductive layer on the entire surface of the magnet and without using a third component, such as a resin or a coupling agent.例文帳に追加

樹脂やカップリング剤などの第三の成分を用いることなく、磁石表面全体に均一にしかも強固に導電層を形成することにより、めっき被膜などの耐食性被膜の形成を高い膜厚寸法精度で行うことができる希土類系永久磁石およびその簡易な製造方法を提供すること。 - 特許庁

The structures of each layer have a flat surface as one end surface of lamination, a first structural part having a first width and a first height, a second structural part having a second width and a second height greater than the first width and the first height respectively, and a third structural part having a continuously or stepwise varying width and height.例文帳に追加

各層の構造体は、積層方向での一端面としての平坦面と、第１の幅及び第１の高さを有する第１の構造部分と、第１の幅及び第１の高さよりも大きい第２の幅及び第２の高さを有する第２の構造部分と、幅及び高さが連続的又は段階的に変化する第３の構造部分とを有する。 - 特許庁

In the separator for an electrochemical element made of a three-layered porous sheet, the content of a fibrillated thermal resistance fiber of a second layer is larger than that of each of first and third layers, cellulose is contained in any one of the first and second layers, and the content of cellulose is 5-65 mass% in the entire porous sheet.例文帳に追加

３層である多孔質シートからなる電気化学素子用セパレータであって、第２層のフィブリル化耐熱性繊維の含有量が、第１層と第３層よりも多く、且つ、少なくとも第１層と第２層の何れか一方の層にセルロースを含有し、セルロースの含有率が多孔質シート全体に対して５〜６５質量％である電気化学素子用セパレータ。 - 特許庁

The second semiconductor layer 20 is provided with first regions 21 that are formed in the recessed parts 11 and that contain impurities with a first concentration, second regions 22 that are formed above the first regions 21 in the recessed parts 11 and that contain impurities with a second concentration lower than the first concentration, and a third region 23 that is formed above the projecting parts 12 and that contains impurities.例文帳に追加

第２半導体層２０には、凹部１１内に形成された、第１濃度の不純物を含む第１領域２１、凹部１１内で、第１領域２１上方に形成された、第１濃度よりも低い第２濃度の不純物を含む第２領域２２、及び、凸部１２上方に形成された、不純物を含む第３領域２３を設ける。 - 特許庁

In this IC card, the IC module 30 having a projection-shaped mold resin part 32 is fixed and mounted in a recessed part 20 comprising a first recessed part 21 formed in one face of the card substrate 11, a second recessed part 22, and a third recessed part 23 having at least one curved projecting part 23a in a side face through a hot melt adhesive layer 41a.例文帳に追加

カード基材１１の一方の面に形成された第1の凹部２１と、第２の凹部２２と、側面に曲線状の凸部２３ａを少なくとも一つ有する第３の凹部２３とからなる凹部２０に、凸形状のモールド樹脂部３２を有するＩＣモジュール３０がホットメルト接着層４１ａを介して固定、実装されていることを特徴とするＩＣカード。 - 特許庁

The conductive layer for capacitive coupling comprises: a first part for forming a first capacitor at an area to the resonator 11, a second part for forming a second capacitor at an area to the second resonator 12, and a third part in which one edge in the longitudinal direction is connected to the first part and the other edge in the longitudinal direction is connected to the second part.例文帳に追加

容量結合用導体層は、共振器１１との間に第１のキャパシタを形成するための第１の部分と、共振器１２との間に第２のキャパシタを形成するための第２の部分と、長手方向の一方の端部が第１の部分に接続され、長手方向の他方の端部が第２の部分に接続された第３の部分とを有している。 - 特許庁

The trench gate type semiconductor device is characterized in that adjacent first and second regions are formed between adjacent insulating gates and a third semiconductor layer in the second region is electrically connected to a first main electrode via an insulating body with a high electric capacity.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明のトレンチゲート型半導体装置は、隣り合う絶縁ゲートの間に形成された領域であって、互いに隣接する第１領域及び第２領域の前記第２領域における第３半導体層が、大きな電気的容量を持つ絶縁体を介して第１主電極に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the multi-layer release film arranged between a sheet and a circuit board when the board is heated/pressed, the first release film, the second release film, the third release film, and the fourth release film are laminated in this order, and the Rockwell's hardness of the second release film is 70-88.例文帳に追加

回路基板を加熱、加圧成形する際に、板状体と回路基板との間に配置される離型多層フィルムであって、第１の離型フィルムと、第２の離型フィルムと、第３の離型フィルムと、第４の離型フィルムとがこの順に積層されてなり、かつ前記第２の離型フィルムのロックウェル硬度が７０〜８８であることを特徴とする離型多層フィルムである。 - 特許庁

In the solid-state electrolytic capacitor, a polymer of a polymerized monomer including a thiophene derivative represented by an ethylene dioxythiophene derivative having an alkyl substituent group and a thiophene derivative whose third and fourth orders are substituted by an alkoxy group is formed on a valve action metal having a dielectric oxide film as a solid-state electrolytic layer.例文帳に追加

誘電体酸化皮膜を有する弁作用金属上に、アルキル置換基を有するエチレンジオキシチオフェン誘導体に代表されるチオフェン誘導体と、３位及び４位がアルコキシ基で置換されたチオフェン誘導体とを少なくとも含有する重合性モノマーの重合体が、固体電解質層として形成されてなる固体電解コンデンサ。 - 特許庁

A laminate structure of a first insulating film 17 and a second insulating film 18 is provided on the center region of light emitting regions of the surface of the layer 15, and a third insulating region 19 is provided on a region (peripheral region) surrounding the center region, and the reflectivity of the peripheral region is lower than the reflectivity of the center region.例文帳に追加

上部ＤＢＲミラー層１５の表面の光出射領域のうち、中央領域には第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８の積層構造、中央領域を囲む領域（周辺領域）には第３の絶縁膜１９が設けられており、周辺領域の反射率は中央領域の反射率よりも低くなっている。 - 特許庁

Similarly, in receiving light, the edge part of the core 3 receiving the light is formed on a fourth lens part 32 of converging the incident light only in the lateral direction and, further, the edge part of the over-cladding layer 4 of covering the fourth lens part 32 is formed on a third lens part 42 of converging the incident light only in the vertical direction.例文帳に追加

光を入射する側についても同様に、光が入射されるコア３の端部が、入射する光を横方向に絞って集束させる第４レンズ部３２に形成され、さらに、その第４レンズ部３２を被覆するオーバークラッド層４の端部が、入射する光を縦方向に絞って集束させる第３レンズ部４２に形成されている。 - 特許庁

A first driving part 41 held between the first electrode 32 and the second electrode 34 of the piezoelectric layer 31 is polarized to have polarized components parallel in a thickness direction, while a second driving part 42 located between the first electrode 32 and the third electrode 36 relative to a direction of plane is polarized to have polarized components parallel to the direction of plane.例文帳に追加

また、圧電層３１の第１電極３２と第２電極３４に挟まれた第１駆動部４１が、厚み方向に平行な分極成分を有するように分極される一方で、面方向に関して第１電極３２と第３電極３６の間に位置する第２駆動部４２は、面方向に平行な分極成分を有するように分極されている。 - 特許庁

Surface of the body 11 of an electrostatic speaker 1 comprising members (live electrical parts) such as an electrode 30 and a vibrating membrane 10 is constituted of a three-layer member consisting of a first cover member having elasticity and acoustic transparency, a second cover member having waterproofness, insulation and acoustic transparency, and a third cover member having acoustic transparency.例文帳に追加

電極３０や振動膜１０などの部材（活電部）を備える静電型スピーカ１の本体部１１の表面が、弾性および音響透過性を有する第１カバー部材と、防水性、絶縁性および音響透過性を有する第２カバー部材と、音響透過性を有する第３カバー部材の３層の部材に覆われて構成される。 - 特許庁

The heat treatment step consists of a first process for carburizing treatment or carburizing and quenching treatment, a second process for depositing fine globular carbides in a carburized layer with quenching treatment, and a third process for high concentration carburizing and quenching treatment to make the carbon concentration in a surface portion higher than the carbon concentration in the surface portion obtained in the first process.例文帳に追加

熱処理工程は、浸炭処理または浸炭焼入れ処理を施す第１工程と、焼入れ処理を施して浸炭層に微細球状炭化物を析出させる第２工程と、表面部の炭素濃度が上記第１工程で得られた表面部の炭素濃度よりも高濃度になるように高濃度浸炭焼入れ処理を施す第３工程とよりなる。 - 特許庁

A second insulating film 104, a third insulating film 105 which is the inorganic film having an Si-H coupling and the low dielectric constant, and a fourth insulating film 106 are successively laminated on a laminate 100 having a first insulating film 102 formed on a semiconductor substrate 101 and lower-layer wiring 103 formed on the insulating film 102.例文帳に追加

半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０２及び第１絶縁膜１０２上に形成された下層配線１０３を有する積層体１００上に順次第２絶縁膜１０４、Ｓｉ−Ｈ結合を有する無機低誘電率膜である第３絶縁膜１０５及び第４絶縁膜１０６を積層する。 - 特許庁

A multilayered underlayer including a first metal underlayer, a second metal underlayer having non-solid solubility to the first metal underlayer and opening holes and a third metal underlayer having solid solubility to the first metal underlayer and non-solid solubility to the second metal underlayer is formed on a substrate and a magnetic recording layer is formed thereon.例文帳に追加

基板上に、第１の金属下地層と、第１の金属下地層に対し非固溶性を有し、開孔をもつ第２の金属下地層と、第１の金属下地層に対し固溶性を有し、かつ第２の金属下地層に対し非固溶性を有する第３の金属下地層とを含む多層下地層を形成し、その上に磁気記録層を形成する。 - 特許庁

This method for forming an ohmic layer comprises a first step of forming injecting hydrogen or argon gas with a semiconductor substrate stored in the plasma chamber of a chemical vapor deposition system, a second step of injecting a Ti-containing source gas into the a plasma chamber, and a third step of forming a RF plasma in the plasma chamber to deposit a titanium film.例文帳に追加

半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第１工程と、前記プラズマチャンバーにＴｉを含んだソースガスを注入する第２工程と、前記プラズマチャンバーにＲＦプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第３工程とを備えることを特徴とするＰＣＶＤによるオーミック層形成方法。 - 特許庁

The object is solved by a heterostructure of the type, wherein the ungraded layers are strained layers, wherein the strained layers comprise at least one strained smoothing layer of a semiconductor material, having in a lattice relaxed state, a third in-plane lattice parameter which is between the first and the second lattice parameter.例文帳に追加

前記の目的は、該組成非傾斜層が歪み層であり、かつ、該歪み層が前記第１および第２の格子定数の中間の第３の面内格子定数を格子緩和状態において有する半導体材料の、歪を有する平坦化層を少なくとも１つ含んで構成されることを特徴とする、前記のタイプのヘテロ構造によって達成される。 - 特許庁

A power transistor T2 adjoining the power transistor cell T1 has a second trench 42 formed by connecting a second first-stage trench 421 and a second second-stage trench 422 to each other, and also has a third semiconductor region (body region) 52 with a uniform width in the first semiconductor region (drift layer) 3 along an internal wall of the second first-stage trench 421.例文帳に追加

パワートランジスタセルＴ１に隣り合うパワートランジスタＴ２は、第２の一段目トレンチ４２１及び第２の二段目トレンチ４２２を連結した第２のトレンチ４２を備え、第２の一段目トレンチ４２１の内壁に沿った第１の半導体領域（ドリフト層）３に均一幅を有する第３の半導体領域（ボディ領域）５２を備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first wiring layer includes a first wiring 11a located in the upper part of a first element region 1a, a second wiring 11d located in the upper part of a second element region 1b, and a third wiring 11b located in the upper part of the second element region 1b to have a potential different from that of the second wiring 11d.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置において、第１配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第１配線１１ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置する第２配線１１ｄと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて第２配線１１ｄとは異なる電位になる第３配線１１ｂを具備する。 - 特許庁

The manufacturing method of the foamed wallpaper comprises a first process (1) for extruding at least two resin layers containing a foaming agent-containing resin layer in a molten state to form a laminate, a second process (2) for cooling the laminate obtained in the first process and a third process (3) for laminating a paper base material to the cooled laminate.例文帳に追加

発泡壁紙を製造する方法であって、（１）発泡剤含有樹脂層を含む２層以上の樹脂層を溶融押し出しすることにより積層体を形成する第１工程、（２）第１工程で得られた積層体を冷却する第２工程及び（３）冷却された積層体に紙質基材を積層する第３工程 を含む、発泡壁紙の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor substrate which has the initial thickness (first thickness) has only the element formation portion made thin to a second thickness and after a metal layer is formed on its backside, the initial peripheral part which still has the initial thickness (first thickness) of the semiconductor device is ground from the backside to a third thickness to form a peripheral portion which has a small step with the element formation portion.例文帳に追加

初期の厚み（第１の厚み）を有する半導体基板の、素子形成部のみを第２の厚みまで薄化し、その裏面に金属層を形成した後、初期の半導体基板の厚み（第１の厚み）を残した初期周辺部を裏面側から第３の厚みになるまで研削し、素子形成部との段差が少ない周辺部を形成する。 - 特許庁