「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

The first and second structural members 2, 6 are highly accurately positioned with a gap (an air layer) 10 therebetween and they are bonded to be assembled by an adhesive directly or with a third structural member 11 in the above condition.例文帳に追加

第１構成部材２と第２構成部材６は、間隙（空気層）１０を介してが高精度に位置決めされ、その状態で直接あるいは第３構成部材１１を介して接着剤により接着組み立てが行われる。 - 特許庁

Likewise, the cathode side electrode 44 of the third electrode film/electrode structural body 34 and the anode side electrode 42 of the other fourth electrolyte film/electrode structural body 36 are electrically connected with each other through a metal diffusion layer 58.例文帳に追加

同様に、第３電解質膜・電極構造体３４のカソード側電極４４と、他の第４電解質膜・電極構造体３６のアノード側電極４２とは、金属拡散層５８を介して電気的に接続される。 - 特許庁

The gate insulating film 19 contains nitride atoms therein, and includes first portions 191 contacting the epitaxial layer 8 outside the body regions 12, second portions 192 contacting the body regions 12, and third portions 193 contacting the source regions 15.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１９は、膜中に窒素原子を含み、ボディ領域１２外のエピタキシャル層８に接する第１部分１９１、ボディ領域１２に接する第２部分１９２およびソース領域１５に接する第３部分１９３を含む。 - 特許庁

The first conductor wires 121-127 and the second conductor wires 111-116 are electrically connected to each other via through-hole conductors 131-155 for the formation of a coil surrounding the third insulating layer 103.例文帳に追加

第１の導体配線１１１〜１１６及び第２の導体配線１２１〜１２７は、スルーホール導体１３１〜１５５によって電気的に接続され、第３番目の絶縁層１０３の周りを周回するコイルが構成されている。 - 特許庁

A fourth product is formed by forming a multi-layered film 6a by alternately forming BaS thin film and Al_2O_3 thin film on the surface of the lower ZnS layer 5 of the third product by a sputtering method in atmospheric gas containing oxygen.例文帳に追加

前記第３生成物の前記下部ＺｎＳ層５の表面に、酸素を含む雰囲気ガス中でスパッタ法によってＢａＳ薄膜とＡｌ_２Ｓ_３薄膜とを交互に形成して多層膜６ａを形成し、第４生成物を生成する。 - 特許庁

Between an anode 101 and a cathode 106, a first layer 102 containing a light emitting substance, a second layer 103 containing an N type semiconductor, a third layer 104 composed of a transparent conductive film, and a fourth layer 105 containing a hole transport medium are provided sequentially wherein the cathode has a layer containing a reflective metal.例文帳に追加

本発明は、陽極１０１と、陰極１０６との間に、発光物質を含む第１の層１０２、Ｎ型半導体を含む第２の層１０３、透明導電膜から構成される第３の層１０４、ホール輸送媒体を含む第４の層１０５と有し、発光物質を含む第１の層１０２、Ｎ型半導体を含む第２の層１０３、透明導電膜から構成される第３の層１０４、ホール輸送媒体となる材料を含む第４の層１０５、陰極１０６が順に設けられており、陰極は反射金属を含む層を有することを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method has a first step of anodizing a second layer containing aluminum to form fine holes on a first layer, a second step of forming metal oxides contained in the first layer at bottoms of the fine holes, a third step of removing the metal oxides by dry-etching, and a fourth step of forming magnetic materials in the fine holes by electrolytic plating through the first layer.例文帳に追加

第１の層上の、Ａｌを含む第２の層を陽極酸化して微細孔を形成する第１の工程と、前記微細孔の底部に、前記第１の層に含まれる金属の酸化物を形成する第２の工程と、前記金属の酸化物をドライエッチングにより除去する第３の工程と、前記第１の層を通電経路とする電解メッキにより前記微細孔に磁性材料を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする記録媒体の製造方法。 - 特許庁

A method for making an epitaxial structure includes a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface, a second step of placing a carbon nanotube layer with a plurality of gaps on the epitaxial growth surface of the substrate, a third step of growing an intrinsic semiconductor epitaxial layer on the epitaxial growth surface of the substrate, and a fourth step of growing a doped semiconductor epitaxial layer on the intrinsic semiconductor epitaxial layer.例文帳に追加

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。 - 特許庁

The resist pattern formed on a board comprises a first resist layer made of an organic material having high solubility in water or a solvent containing water as a main component, a second resist layer made of an organic material having high light absorbability to an exposure wavelength, and a third resist layer formed on the second resist layer and made of an organic material having high resistance to dry etching of at least three layers.例文帳に追加

基板上に形成されたレジストパターンであって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料からなる第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性の高い有機材料からなる第２のレジスト層と、前記第２のレジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する耐性の高い有機材料からなる第３のレジスト層と、の少なくとも３層を有してなる。 - 特許庁

The sensor device includes a porous insulating layer made of a porous insulating material, a first electrode formed on one surface of the porous insulating layer and having a first opening, a second electrode formed on the other surface of the porous insulating layer and having a second opening corresponding to a hole from the first opening, and a third electrode disposed in the porous insulating layer between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加

絶縁物の多孔質により形成される多孔質絶縁層と、前記多孔質絶縁層の一方の面に形成される第１の開口部を有する第１の電極と、前記多孔質絶縁層の他方の面に形成される前記第１の開口部からの孔に対応した第２の開口部を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間でかつ、前記多孔質絶縁層に配置された第３の電極とを有することを特徴とするセンサデバイス。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit having at least a first wiring layer 200 wired in a first direction and second and third wiring layers 100, 300 wired in a second direction orthogonal to the first direction, the wiring of the second and third wiring layers 100, 300 wired in the second direction mutually sandwiching the first wiring layer 200 wired in the first direction is wired to be mutually deviated in only a prescribed distance.例文帳に追加

第１の方向に配線された第１の配線層２００と、前記第１の方向に直交する第２の方向に配線された第２及び第３の配線層１００、３００とを少なくとも有する半導体集積回路であって、前記第１の方向に配線された第１の配線層２００を互いに挟む前記第２の方向に配線された第２及び第３の配線層１００、３００の配線が、互いに所定の距離だけずらされて配線されていることを特徴とする。 - 特許庁

The laminated electronic component is constituted such that two capacitive components are connected in series by sandwiching a dielectric layer 6 between a first internal electrode 20 electrically connected to a first terminal electrode 2 and a third internal electrode 40 electrically insulated from the first terminal electrode 2 and a second terminal electrode 3, and also sandwiching a dielectric layer 6 between the second internal electrode 30 electrically connected to the second terminal electrode 3 and the third internal electrode 40.例文帳に追加

第一端子電極２に電気的に接続された第一内部電極２０と、第一端子電極２及び第二端子電極３から電気的に絶縁された第三内部電極４０とで誘電体層６を挟み込むと共に、第二端子電極３に電気的に接続された第二内部電極３０と第三内部電極４０とで誘電体層６を挟み込むことによって、二つの容量成分を直列接続したような構成とすることができる。 - 特許庁

In a first step of a step of forming a panel, a bus electrode forming material layer 13 is formed on a dielectric film 12 formed on a support film 11 by the ink jet method, and in a second step, the film 12 formed with the layer 13 is transferred to the surface of the substrate 1, and in a third step, the layer 13 and the film 12 are simultaneously baked.例文帳に追加

パネル形成工程の中の第１の工程で、支持フィルム１１上に形成された誘電体フィルム１２の上に、インクジェット法によりバス電極形成材料層１３を形成し、第２の工程で、バス電極形成材料層１３が形成された誘電体フィルム１２を基板１の表面に転写し、第３の工程で、バス電極形成材料層１３及び誘電体フィルム１２を同時焼成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a metallized ceramic substrate includes a first step of forming an organic underlayer on a ceramic substrate, a second step of forming a metal paste layer on the organic underlayer to manufacture a metallized ceramic substrate precursor, and a third step of baking the metallized ceramic substrate precursor in which the organic underlayer absorbs a solvent in the metal paste layer and is thermally decomposed at a temperature for baking the metal paste layer.例文帳に追加

セラミック基板上に、有機下地層を形成する第一工程、該有機下地層上に金属ペースト層を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体を作製する第二工程、および、該メタライズドセラミック基板前駆体を焼成する第三工程を含むメタライズドセラミック基板の製造方法において、有機下地層が、金属ペースト層中の溶媒を吸収し、金属ペースト層を焼成する温度で熱分解する層とする。 - 特許庁

The construction method of a concrete structure comprises a first step of laying an electrode for electric protection on a lower layer-side concrete, a second step of placing a concrete for protection to cover the electrode for electric protection on the lower layer-side concrete, a third step of assembling reinforcements after the concrete for protection is placed, and a fourth step of placing an upper layer-side concrete after the reinforcements are assembled.例文帳に追加

コンクリート構造物の施工方法として、下層側コンクリート上に電気防食用電極を敷設する第１の工程と、前記下層側コンクリート上において前記電気防食用電極を覆うように保護用コンクリートを打設する第２の工程と、前記保護用コンクリートの打設後に鉄筋を組み立てる第３の工程と、前記鉄筋の組み立て後に上層側コンクリートを打設する第４の工程とを含む。 - 特許庁

The method of forming a three-dimensional image includes: a first step of forming a sheet layer by using a photo-curable transparent resin on a recording medium on which an image is formed; a second step of irradiating the sheet layer with light insufficient to completely cure the transparent resin; a third step of forming a lens on the sheet layer by using the transparent resin; and a fourth step of radiating light to completely cure the lens.例文帳に追加

画像が形成された記録媒体上に光硬化型の透明樹脂を用いてシート層を形成する第一工程と、シート層に透明樹脂を完全に硬化させるには不十分な光を照射する第二工程と、シート層上に透明樹脂を用いてレンズを形成する第三工程と、レンズを完全に硬化させる光を照射する第四工程と、を含むことを特徴とする立体画像形成方法。 - 特許庁

A nitride semiconductor transistor is provided with: a substrate 11; a first nitride semiconductor layer 13 formed on the substrate 11; a second nitride semiconductor 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 with band gap energy which is larger than that of the first nitride semiconductor 13; and a third nitride semiconductor layer 15 formed on the second nitride semiconductor 14, and having an opening.例文帳に追加

窒化物半導体トランジスタは、基板１１と、基板１１の上に形成された第１の窒化物半導体層１３と、第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、第１の窒化物半導体１３と比べてバンドギャップエネルギが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４の上に形成され、開口部を有する第３の窒化物半導体層１５とを備えている。 - 特許庁

In a field effect transistor having a gate recess structure, a plurality of recess layers are formed between a barrier layer and a contact layer, and the carrier concentration of the lowermost recess layer among the recess layers is set to one third to three times those of other recess layers, thus obtaining a heterojunction field effect transistor, that is high in element breakdown strength and low in series resistance during operation.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有している電界効果トランジスタにおいて、障壁層とコンタクト層との間に複数の層からなる目空き層を形成し、目空き層の最下層である目空き層下層のキャリア濃度に対して、目空き層の他の層のキャリア濃度を１／３倍から３倍の範囲にすることにより、高い素子耐圧を有し、かつ、動作時の直列抵抗を小さいヘテロ接合電界効果トランジスタを実現した。 - 特許庁

A manufacturing method of an epitaxial structure includes: a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface; a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of gaps so as to be suspended on the epitaxial growth surface of the substrate; and a third step of causing a growth of an epitaxial layer on the epitaxial growth surface of the substrate so as to include the carbon nanotube layer.例文帳に追加

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。 - 特許庁

A semiconductor memory device has a double layer structure having a third insulation film selected from aluminum oxide or silicon nitride as an inter-poly insulation film between a floating gate electrode and a control gate, and a fourth insulation film selected from a rare earth metal oxide or a group IV-A metal oxide formed on the third insulation film in a non-volatile semiconductor device.例文帳に追加

不揮発性半導体装置における浮遊ゲート電極と制御ゲート電極間のインターポリ絶縁膜として、酸化アルミニウム及びシリコン窒化膜から選ばれる第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に形成された希土類金属の酸化物及び４Ａ族金属の酸化物から選ばれる第４の絶縁膜との二層構造を用いる半導体メモリ装置。 - 特許庁

In the laminated strip line filter, within sequentially laminated first-third dielectric layers 40-42, first and second resonators are parallel disposed with the second dielectric layer 41 in between so as to partially overlap at least their portions see from a laminating direction, and the first and third dielectric layers include the through-conductors connected to an input or output electrode terminal.例文帳に追加

順次積層された第１〜第３の誘電体層内４０〜４２に、第１および第２の共振器が第２の誘電体層４１を挟んでそれぞれの少なくとも一部が積層方向から見て重なるように平行に配され、第１および第３の誘電体層に入力または出力の電極端子に接続されている貫通導体を有している積層ストリップラインフィルタである。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a first polarizing plate 11, a second optical retardation plate 13, a first optical retardation plate 12, an STN(supertwisted nematic) liquid crystal element 21 including a semitransmissive reflective layer 9, a third optical retardation plate 18, a second polarizing plate 17 and a backlight 16.例文帳に追加

第１の偏光板１１と、第２の位相差板１３と、第１の位相差板１２と、半透過反射層９を内在したＳＴＮ液晶素子２１と、第３の位相差板１８と第２の偏光板１７とバックライト１６を備える。 - 特許庁

Furthermore, adhesion of the lubricant to the outside of the oil buffer 5 is prevented, because an oil-repellent layer is formed, respectively, on the outer side surface of the sleeve portion 221 and the third inner side surface of a locking member 314 of the rotor section 3 on the outside of the oil buffer 5.例文帳に追加

また、オイルバッファ５の外部において、スリーブ部２２１の外側面、および、ロータ部３の抜止部材３１４の第３内側面にそれぞれ撥油層が形成されているため、オイルバッファ５の外部に対する潤滑油の付着が抑制される。 - 特許庁

In a third process, a sheet material 19 containing a synthetic resin in a molten state is stretched on the base material 15 to form a second sheet layer 12 and the first and second sheet layers 11 and 12 are integrated through the base material 15.例文帳に追加

そして第３工程において、溶融状態の合成樹脂を含むシート材料１９を基材１５上に伸ばして第２シート層１２を形成し、第１シート層１１と第２シート層１２とを基材１５を介して一体化させる。 - 特許庁

In each reel layer, the rear reel is stopped (70) if the pressing of the stop button is the fist time, the center reel is stopped (76) if the pressing of the stop button is the second time, and the front reel is stopped (80) if the pressing of the stop button is the third time.例文帳に追加

各リール層について、ストップボタンの押下が１回目の場合には、奥のリールを停止し（７０）、ストップボタンの押下が２回目の場合には、中のリールを停止し（７６）、ストップボタンの押下が３回目の場合には、手前のリールを停止する（８０）。 - 特許庁

Since initialization discharge is generated with a relatively low voltage and, moreover, only cells are initialized properly on the surface of the stimulable phosphor layer on the third electrode by this driving method, a driving method with which crosstalk is hardly generated is obtained.例文帳に追加

この駆動方法方法により、比較的低い電圧で初期化放電が起こる上に、第３電極上の蛍光体層の表面を、セル内のみ適正に初期化するため、クロストークの起こりにくい駆動方法を提供することができる。 - 特許庁

The first and third layers 10a, 10c which are formed of the same temperature sensitive magnetic material are set at the same thickness while the thickness of the second layer 10b is set to minimize thermal deformation due to difference in the thermal expansion coefficient.例文帳に追加

同じ感温磁性材である第１の層１０ａおよび第３の層１０ｃとは、同じ厚さ寸法とし、それに対する第２の層１０ｂの厚さ寸法も、熱膨張率の違いに起因する熱変形を最小限とするべく設定する。 - 特許庁

A third passivation film 45 is installed under an EL element 203 consisting of a picture element electrode (positive electrode) 46, an EL layer 47, and a negative electrode 48, and prevents alkaline metal in the EL element 203 formed by ink-jet printing from diffusing to the TFT side.例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

At a position in the column direction of a boundary region of memory units arranged adjacent to each other in the column direction where the third and the fourth diffusion layers are disposed, there is secured a second metal wiring region along the column direction, allowing a second metal layer to be wired.例文帳に追加

列方向に隣接配置されるメモリユニットの境界領域でありは第３、第４拡散層が配置される列方向の位置には列方向に沿って第２のメタル配線領域が確保され、第２メタル層が配線可能とされる。 - 特許庁

A track 32 of a third track member T3 for transferring a component A by vibration in a single line and single layer state includes a vertical reference face 33 and a transfer face 34 having a slant angle for pressing the minute component A onto the reference face 33.例文帳に追加

振動によって部品Ａを単列、単層状態で移送する第３トラック部材Ｔ_3 のトラック３２に垂直の基準面３３と、その基準面３３に微小部品Ａを押し付ける傾斜角のついた移送面３４とを形成する。 - 特許庁

At last as a third operation, the seat frame 1 with the mesh cloth 2, which has subjected to the second operation is put in a mold, the material is poured into the mold, the outer circumference of the seat frame 1 is covered with a surrounding layer 3, thus finishing the seat of the chair.例文帳に追加

最後に第三操作として、第二操作を完了した網状布２付き座席枠１をある型の中に入れて、材料を型の中に注入して、座席枠１の外周囲に層の包囲層３を被覆させて、椅子の座席を完成する。 - 特許庁

Alternatively, a same driving signal is supplied to the second barrier pixels and the counter electrode while a driving signal for applying an effective voltage to the liquid crystal layer between the substrate and the counter electrode is supplied to the first and third barrier pixels to perform horizontal-stripe display.例文帳に追加

あるいは、第二バリア画素と対向電極に同一の駆動信号を、第一バリア画素と第三バリア画素に対向電極との間の液晶層に実効電圧を印加する駆動信号を供給して横ストライプのバリア表示を行う。 - 特許庁

A trench extension part 5' is formed downward of the trench 5, and has a third dielectric layer 6 formed on the surface of the trench and a filling material 7 for at least partially filling the trench extension part 5'.例文帳に追加

そして本発明によれば、トレンチ５の下方にトレンチ延長部５′が形成されており、これはそのトレンチ表面に形成された第３の誘電層６と、このトレンチ延長部５′を少なくとも部分的に充填するための充填材料７を有する。 - 特許庁

The bonding layer 40 is provided with a first site 43 in contact with a rear face of the collector 30, a second site 45 protruded outside from an end part of the collector 30, and a third site 44 bonded to a part of the surface of the collector 30.例文帳に追加

接合層４０は、集電体３０の裏面と接触する第１の部位４３と、集電体３０の端部から外向きに突出する第２の部位４５と、集電体３０の表面の一部と接着する第３の部位４４とを備えている。 - 特許庁

The protective layer 10 includes MgO particles as a first particle 97 and compound particles comprising at least one element selected from the group consisting of V, Mn, Co, Ni, Cu, Mo and W, Ca and O, as a third particle 99.例文帳に追加

保護層１０は、第１粒子９７としてＭｇＯ粒子と、第３粒子９９としてＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物粒子とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the absorptive article uses first and second inverting machines 20 and 30 at the time of sticking the peeling sheet 7 to a nonwoven fabric sheet 3 at the lowest layer of the absorptive main body 2, and includes the following first - third processes.例文帳に追加

本発明の吸収性物品の製造方法は、吸収性本体２の最下層にある不織布シート３に、剥離シート７を貼り合わせる際、第１、第２反転機２０、３０を用いた方法であって、次の第１〜第３工程を含むものである。 - 特許庁

The pair of secondary windings (40, 50) undergoing transformer coupling to the primary winding are drawn out in the directions and installed on other layers (L2, L3), and output pattern films (46, 56) are disposed on both sides of a second and a third layer (L2, L3) so as to thicken the pattern film.例文帳に追加

１次巻線（３０）にトランス（Ｔ）結合する一対の２次巻線（４０、５０）を両方向に引出し、且つ別の層（Ｌ２，Ｌ３）に設け、出力パターン膜（４６，５６）を、第２、第３の層（Ｌ２，Ｌ３）の両側に配置したため、パターン膜を太くできる。 - 特許庁

An intermediate layer 38, comprising cermet of the second catalyst and a third solid electrolyte whose oxygen ion conductivity at 800°C is 0.1 S/cm or higher, is preferably installed between an electrolyte thin membrane 32 and the fuel electrode support body 34.例文帳に追加

また、電解質薄膜３２と燃料極支持体３４の間に、第２触媒と、８００℃における酸素イオン導電率が０．１Ｓ／ｃｍ以上である第３固体電解質とのサーメットからなる中間層３８をさらに設けることが好ましい。 - 特許庁

The second driving section drives the light emitting layers so that the grayscale of light emitting luminance by the first to the third light emitting elements may be expressed, by making the light emitting layer emit light in a state that weighting of the light emitting luminance is set for each of the plurality of light emitting layers.例文帳に追加

第２の駆動部は、複数の発光層に対してそれぞれ発光輝度の重み付けを設定した状態で発光層を発光させることにより、第一から第三の発光素子による発光輝度の階調を表現するよう駆動する。 - 特許庁

A base material for a fixing belt is obtained by joining a sheet made of polyimide in an endless state, wherein a conductive film layer of a thickness of 3-15 μm is formed over two third or more area of an inner surface of the sheet.例文帳に追加

ポリイミドから構成されるシートを無端状に接合してなる定着ベルト用基材において、前記シートの内側面の２／３以上に厚さが３μｍ以上１５μｍ以下の導電性塗膜層が形成されている定着ベルト基材。 - 特許庁

The belt layer 7 includes a first belt ply 7A, a second belt ply 7B, and a third belt ply 7C narrower than the second belt ply which are formed by rubber coating an array of belt cords and superposed in order from the inside to the outside in the radial direction of the tire.例文帳に追加

前記ベルト層７は、ベルトコードの配列体をゴム引きしてなりかつタイヤ半径方向内側から外側に順に重なる第１のベルトプライ７Ａ、第２のベルトプライ７Ｂ、及び前記第２のベルトプライよりも巾狭の第３のベルトプライ７Ｃを含む。 - 特許庁

Circuits in A-group 1, B-group 2, C-group 3 and a D-group 4 separated as each function group are respectively connected with the ground patterns of first layers provided corresponding to them, and connected with a third layer through via holes.例文帳に追加

各機能グループとして分離されたＡグループ１、Ｂグループ２、Ｃグループ３、Ｄグループ４中の回路部品は、それぞれ対応して設けられている第１層のグランドパターンに接続され、かつスルーホールを通して第３層の電源層に接続されている。 - 特許庁

The three steps are the step of keeping a mold half storing the golf ball sub-assembly to which the cover layer is applied at a first temperature, the step of heating the mold half to a second temperature, and the step of keeping the mold half to a third temperature.例文帳に追加

斯かる３段階は、前記カバー層を付与したゴルフボールサブアセンブリを収容したモールドハーフを第１の温度に維持する段階と、前記モールドハーフを第２温度まで加熱する段階と、前記モールドハーフを第３の温度に維持する段階とを含む。 - 特許庁

A second insulation film 2 due to anodic oxidation is formed on the upper surface around a forming region of the electron source of the upper-layer electrode film, and a third insulation film due to anodic oxidation is formed similarly in the forming region of the electron source as a tunnel film.例文帳に追加

上層電極膜の電子源の形成領域の周囲上面には陽極酸化による第２絶縁膜２が形成され、電子源の形成領域には同じく陽極酸化による第３絶縁膜がトンネル膜として形成されている。 - 特許庁

A strip line 33 for matching, which is made in the third electrode pattern 16a in the middle layer of the multilayer board and is connected to the antenna terminal 21, is grounded to at least one side excluding a side opposed to a side on the side of the antenna terminal 21.例文帳に追加

多層基板の中間層の第３電極パターン１６ａに形成され、アンテナ端子２１に接続された整合用のストリップ線路３３をアンテナ端子２１側の辺に対向する辺以外の少なくとも一辺に接地して設ける。 - 特許庁