「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

A material of a cladding layer 21 composed of at least either of AlGaN and InAlGaN is different from a group III nitride semiconductor, and the thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is thicker than the thickness D19 of the core semiconductor region 19, however, the misfit dislocation densities at first to third interfaces J1, J2, and J3 are 1×10^6 cm^-1 or less.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁

In a structure of accumulating heat through a building body for supplying heat to warm a floor surface, reinforcements 27 and 28 for one layer along of concrete slab mainly forming a floor part containing the floor surface are arranged in a mesh over the entire surface nearer one third from the side of the bottom surface of the concrete slab 14 while hot water circulation pipes 12, 12... are arranged along the reinforcement 28.例文帳に追加

床面を暖める熱を供給する躯体蓄熱構造であって、該床面を含む床部を主として形成する一層のみのコンクリートスラブ２４を補強する補強材２７，２８が、コンクリートスラブ２４の底面側から１／３の近傍の全面に網目状に配設され、且つ補強材２８に沿って温水循環パイプ１２，１２・・が配設されていることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element formed on a semiconductor substrate 10, first wiring 41A formed above the substrate 10 electrically connected to the semiconductor element, and second wiring 42A formed above the first wiring 41A through a third layer insulation film 23 made of an insulator having a dielectric constant lower than a silicon oxide.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された半導体素子と、半導体基板１０の上方に形成され、半導体素子と電気的に接続された第１の配線４１Ａと、該第１の配線４１Ａの上方に誘電率が酸化シリコンよりも低い絶縁体からなる第３の層間絶縁膜２３を介在させて形成された第２の配線４２Ａとを有している。 - 特許庁

Although a material of a cladding layer 21 made of at least one of AlGaN and InAlGaN differs from a group III nitride semiconductor and a thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is larger than a thickness D19 of the core semiconductor region 19, misfit dislocation density on first to third interfaces J1, J2, J3 is not more than 1×10^6 cm^-1.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁

This manufacture method includes a first process for immersing a sintered substrate in a solution of mixed salts, of nickel and cobalt and providing alkaline treatment to form a nickel-cobalt solid solution hydroxide layer on the surface of the sintered substrate, a second process for providing heat treatment to the sintered substrate in the presence of alkaline aqueous solution and oxide, a third process for filling nickel hydroxide containing cobalt in pores of the sintered substrate.例文帳に追加

焼結基板をニッケルとコバルトの混合塩溶液に浸漬した後、アルカリ処理して、焼結基板の表面にニッケル・コバルト固溶水酸化物層を形成する第１工程と、この焼結基板をアルカリ水溶液と酸素の存在下で加熱処理する第２工程と、この焼結基板の細孔内にコバルトを含む水酸化ニッケルを充填する第３工程を備える。 - 特許庁

The method further comprises the steps of relatively spacing apart both the molds, injection filling a second layer core material molten resin in a space formed of the fixed mold and the first filler to form a second filler at a preset third molds opening amount, and sequentially laminating, melting and integrating the sheet, the first filler and the second filler.例文帳に追加

さらに両金型を相対的に離間させて、予め設定した第三型開量に両金型を保持した状態で、固定金型と第一層充填物とで形成される空間内に第二層コアー材溶融樹脂を射出充填して第二層充填物を形成し、表皮シート、第一層充填物、第二層充填物の順に積層融着一体化させる。 - 特許庁

The magnetic recording medium is characterized in that a magnetic recording layer formed by mixing and reacting the magnetic fine particles coated with a first reactive organic film and the magnetic fine particles coated with a second reactive organic film are covalently bonded to a medium base body via a third reactive organic film formed on the surface of the medium base body.例文帳に追加

第１の反応性を有する有機膜で覆われた磁性微粒子と第２の反応性を有する有機膜で覆われた磁性微粒子を混合反応させて形成された磁気記録層が媒体基体表面に形成された第３の反応性を有する有機膜を介して媒体基体と共有結合していることを特徴とする磁気記録媒体を特徴とする。 - 特許庁

The internal metal wiring IM1 comprises a first wiring 11 connected to the output terminal Pout of an inverter INV1, a second wiring 12 connected to the output terminal Pout, and a third wiring 13 which is the wiring of upper layer than the first wiring 11 and the second wiring 12 and connects the first wiring 11 to the second wiring 12 through a via.例文帳に追加

内部メタル配線ＩＭ１は、インバータＩＮＶ１の出力端子Ｐｏｕｔと接続する第１の配線１１と、出力端子Ｐｏｕｔと接続する第２の配線１２と、第１の配線１１と第２の配線１２とをビアを介して接続し、第１の配線１１と前記第２の配線１２より上層の配線である第３の配線１３とから構成される。 - 特許庁

Further, the semiconductor storage has a third contact plug 17, so formed extendedly through between the first and second upper-layer insulating hydrogen barrier films 15a, 15b present in the interlayer insulating film 16 as not to come into contact it with the films 15a, 15b, and as to connect its lower end with the top surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１６における第１の上層絶縁性水素バリア膜１５ａと第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ｂとの間を貫通して延びると共に、第１及び第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ａ及び１５ｂと接触しないように形成されており、下端が半導体基板１の上面と接続する第３のコンタクトプラグ１７とを備える。 - 特許庁

The restoration method in the dumping site 1 comprises a first process of examining gas by a gas examination means 4 sampling and analyzing soil gas like methane, hydrogen sulfide or volatile toxic substances; a second process of removing the soil gas using a gas removing means according to the analysis result; and a third process of digging out and removing a waste layer 2 after removal of the soil gas.例文帳に追加

投棄サイト１における修復方法は、例えばメタン、硫化水素、揮発性有毒物質などの土壌ガスを採取して分析するガス調査手段４を用いてガス調査する第一工程と、その分析結果に応じてガス除去手段を用いて土壌ガスを除去する第二工程と、土壌ガスを除去した後に廃棄物層２を掘り起して撤去する第三工程とからなる。 - 特許庁

An upper electrode 313 of a capacitance element 321 formed on a semiconductor substrate 300 is electrically connected to an upper wiring 318 formed above through a first conductive film 315 of a connection structure 331, a first contact plug 306, a second impurity diffused layer 303, and a third contact plug 317, which are formed on the semiconductor substrate 300 similarly.例文帳に追加

半導体基板３００の上に形成された容量素子３２１の上部電極３１３が、同じく半導体基板３００の上に形成された接合構造体３３１の第１導電膜３１５、第１コンタクトプラグ３０６、第２不純物拡散層３０３及び第３コンタクトプラグ３１７を介して、上方に形成された上部配線３１８と電気的に接続している。 - 特許庁

The first hologram and second hologram multiply recorded in the hologram recording medium 2 are used for the phase conjugate reproduction, and the reproduced light is made to interfere in a hologram recording layer 4 formed on the surface of the optical device 3 as the object for correction to record a third hologram as the correction of the optical device 3 as the object for the correction to the master.例文帳に追加

そして、このホログラム記録媒体２に多重記録された第１のホログラムと第２のホログラムとを位相共役再生して、その再生光を補正対象の光学素子３の表面に形成されたホログラム記録層４中で干渉させ、このホログラム記録層４に、補正対象の光学素子３のマスタに対する補正分である第３のホログラムを記録する。 - 特許庁

The liquid crystal device 15 is so constituted that distribution is incorporated in the change of an attitude of a liquid crystal element which constitutes a liquid crystal layer 16 along second and third surfaces 1204 and 1802 by applying driving voltage to first and second electrodes 2602 and 2604 and the focal length of the lens 14 can be adjusted by changing the voltage.例文帳に追加

液晶装置１５は、第１電極２６０２と第２電極２６０４に駆動電圧が印加されることにより、第２面１２０４および第３面１８０２の面に沿って液晶層１６を構成する液晶素子の姿勢の変化に分布を持たせるとともに、前記電圧を変化させることによってレンズ１４の焦点距離の調節が可能となるように構成されている。 - 特許庁

Out of three semiconductor packages 11, 12, and 13 which are stacked, the third semiconductor package 13 in the most upper layer in the laminate is mounted with a photoelectric conversion element 23 which receives and transmits optical signals by a receiving and transmitting plane 23a faced upwards in the laminate and converts optical signals to electrical signals, as a semiconductor element.例文帳に追加

３つの半導体パッケージ１１，１２，１３の積層における最上層の第３半導体パッケージ１３は、半導体素子として、その積層における上方を向いた受発信面２３ａで光信号の受信および発信を行い、電気信号とその光信号との間での変換を担う光電変換素子２３が実装された光信号伝送パッケージである。 - 特許庁

The plasma display component, consisting of a front substrate with bus electrodes formed as a first electrode as well as a rear substrate with address electrodes as second electrodes, barrier ribs, and a phosphor layer formed, has a third electrode formed on the surface and/or the inside of the barrier ribs, and the plasma display uses the same.例文帳に追加

第１の電極としてバス電極が形成された前面基板、ならびに第２の電極としてのアドレス電極、隔壁、および蛍光体層が形成された背面基板からなるプラズマディスプレイ部材であって、隔壁の表面および／または内部に第３の電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイ部材、およびそれを用いたプラズマディスプレイである。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal oxide porous membrane incudes a first step of forming a metal oxide layer consisting of a flux containing metal oxide particles and an alkali metal compound on a substrate, a second step of heating and sintering the metal oxide particles at a temperature of a melting point or lower, and a third step of eliminating the flux from the obtained sintered compact.例文帳に追加

金属酸化物粒子とアルカリ金属化合物を含むフラックスからなる金属酸化物層を基板上に形成する第一の工程と、金属酸化物粒子の融点以下の温度で加熱して焼結させる第二の工程と、得られた焼結体からフラックスを除去する第三の工程とを有することを特徴とする金属酸化物多孔質膜の製造方法。 - 特許庁

First information 3 is recorded on one surface of the base material 1, a metal layer 4 for hiding the presence of the first information is provided thereon and second information 5 is recorded on the other surface of the base material 1, so that third information formed by synthesizing the first information 3 and the second information 5 can be recognizable under the transmission X-ray, thereby determining the true from the false.例文帳に追加

基材１の一方の面に第１の情報３を記録するとともに、その上に第１の情報の存在を隠蔽するための金属層４を設け、さらに基材１の他方の面に第２の情報５を記録することによって、透過Ｘ線のもとで第１の情報３及び第２の情報５を合成した第３の情報６を認識可能として真偽判別を行う。 - 特許庁

The layer 40 is piled up by the continuous steps of a first reaction substance is allowed to enter a vacuum chamber at a first flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is lowered to that of a second lower flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is increased in steps to a third flow rate.例文帳に追加

層４０の堆積は、（ｉ）第１流量において、第１反応物質が真空チャンバ内へと流入する段階、（ｉｉ）真空チャンバ内への第１反応物質の流入を、第２流量に低下させる段階、および（ｉｉｉ）第１反応物質の真空チャンバ内への流入を、第３流量へと増加させる段階を連続して行うことによって実施される。 - 特許庁

The thermal transfer image receiving sheet is obtained by a method wherein an ink receiving layer forming solution having a first constituent of the polyester resin, a second constituent of a curing agent for curing the polyester resin, a third constituent of a silica made hydrophobic, a fourth constituent of a hydrophobic ethyl cellulose and a fifth constituent of a solvent is applied on the surface of the substrate and dried.例文帳に追加

熱転写基板の表面にインク受容層を設けた熱転写受像シートにおいて、第１成分がポリエステル樹脂、第２成分がポリエステル樹脂を硬化させるための硬化剤、第３成分が疎水化したシリカ、第４成分が疎水性のエチルセルロース及び第５成分が溶剤からなるインク受容層形成溶液を基板表面に塗布、乾燥して得られる熱転写受像シート。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has the steps of: introducing a second p type impurity into an n well containing a gate electrode and the resistance element to form a p channel type MOSFET and adjust the resistance value of the resistance element; and introducing a third n type impurity into an upper layer electrode of a capacity element containing a first p type impurity to convert into an n type.例文帳に追加

ゲート電極を含むｎウエルと抵抗素子とに第二ｐ型不純物を導入してｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの形成と抵抗素子の抵抗値の調整とをそれぞれ行う工程と、第一ｐ型不純物を含有する容量素子の上層電極に第三ｎ型不純物を導入してｎ型に変換する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

By attaining a structure for which a third electrode formed in an area, where the photoelectric conversion layer is not formed on the supporting substrate or in the area where the photoelectric conversion layer is not formed on the insulation layer is connected to the second electrode, the electrical resistance of the surface opposite to the incident light is reduced, and the crystal system solar battery of high efficiency and the large area is obtained.例文帳に追加

セラミックや金属等の支持基板上に絶縁層が形成され、その絶縁層上に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層が設けられ、入射光により発生したキャリアを取り出すために、光電変換層の入射光面倒に第1の電極が、その反対の絶縁層側の面に第2の電極が形成された太陽電池において、支持基板上の光電変換層が形成されていない領域または絶縁層上の光電変換層が形成されていない領域に形成された第3の電極が前記第2の電極に接続されている構造とすることにより、入射光と反対の面の電気抵抗を低減し、高効率で大面積の結晶系太陽電池を得る。 - 特許庁

The ink jet nozzle comprises a first step for forming an electrically insulating resist pattern 2a on an electroforming supporting substrate 1, a second step for electroforming a basic body of nozzle 3 on the electroforming supporting substrate 1, and a third step for forming an ink repellent treatment layer 4 on the basic body of nozzle 3 by ink repellent surface treatment while connecting the electroforming supporting substrate 1 with the basic body of nozzle 3.例文帳に追加

本発明のインクジェットノズルの製造方法は、電鋳支持基板１上に電気絶縁性のレジストパターン２ａを形成する第１の工程と、電鋳により電鋳支持基板１上にノズル基体３を形成する第２の工程と、電鋳支持基板１とノズル基体３を接続したまま撥インク表面処理によりノズル基体３上に撥インク処理層４を形成する第３の工程とを有する。 - 特許庁

The cathode used in the lithium secondary battery contains 5 to 75 parts by mass each of a first and a second cathode active materials as complex oxides of two kinds of spinel structure with different kinds of constituent elements with lithium and manganese as essential ingredients, and 15 to 45 parts by mass of a third cathode active material as an oxide of a layer structure containing lithium and nickel.例文帳に追加

リチウムとマンガンを必須成分とし、構成する元素の種類が異なる二種類のスピネル構造の複合酸化物である第一の正極活物質、第二の正極活物質のそれぞれを、５質量部から７５質量部と、リチウムとニッケルを含有し層状構造の酸化物である第三の正極活物質を１５質量部から４５質量部とを含む正極およびそれを用いたリチウム二次電池。 - 特許庁

A semiconductor device 100 include: an interlayer dielectric 108 formed over a substrate 101; an electric fuse 150 comprising first wiring 120 formed in the interlayer dielectric 108 and having a cut portion 152; and second wiring 126 and third wiring 128, which are formed respectively on both sides of the cut portion 152 while extending along the cut portion 152, in the same layer as the first wiring 120.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜１０８中に形成された第１の配線１２０により構成され、被切断部１５２を有する電気ヒューズ１５０と、第１の配線１２０と同層において、被切断部１５２の両側方に、それぞれ、被切断部１５２に沿って延在して形成された第２の配線１２６および第３の配線１２８と、を含む。 - 特許庁

The laminated impedance element 1 is provided with a high permeability coil 35 having a first winding L1 and a third winding L3 which are constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively high permeability, a low permeability coil 36 having a second winding L2 constituted by stacking magnetic substance sheets of relatively low permeability, and an intermediate layer 37 constituted of an intermediate sheet.例文帳に追加

積層型インピーダンス素子１は、相対的に高透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第１の巻回部Ｌ１及び第３の巻回部Ｌ３を有している高透磁率コイル部３５と、相対的に低透磁率の磁性体シートを積み重ねて構成した第２の巻回部Ｌ２を有している低透磁率コイル部３６と、中間シートにて構成した中間層３７とが積層されたものである。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a structured layer including a final periodic grating structure of a first material and a second material filling spaces between individual features of the final periodic grating structure; removing the second material using a first chemical process; and annealing at least a portion of the first material into a third material using a second chemical process.例文帳に追加

第１の材料の最終周期格子構造及び、最終周期格子構造における個々の構造（ｆｅａｔｕｒｅｓ）の間を充填する第２の材料で構成された構造層を形成する工程と、第１の化学プロセスを用いて第２の材料を除去する工程と、第２の化学プロセスを用いて第１の材料の少なくとも一部を第３の材料にアニールする工程と、を含む。 - 特許庁

The multidomain liquid crystal display device consists of a first substrate 31 and a second substrate 33 on which pixel regions are formed, a liquid crystal layer formed between the substrates 31 and 33, a first dielectric structure 53 formed on one of the pixel region, a second dielectric structure 53 formed on the other pixel region, and a third dielectric structure 53 formed between these dielectric structures 53.例文帳に追加

画素領域が形成された第１基板３１及び第２基板３３と、これら基板３１，３３の間に形成された液晶層と、画素領域の一方に形成された第１誘電体構造物５３と、画素領域の他方に形成された第２誘電体構造物５３と、これらの誘電体構造物５３の間に形成された第３誘電体構造物５３とからなるマルチドメイン液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

In a cell having positive and negative electrodes with an activation material particle layer, it is characterized in that a polymer of third dimension mesh shape in respective particle gap exists in the vicinity of at least surface of electrode by connecting from the gap to the gap as well as a porosity of polymer film of homogeneity or heterogeneity with the polymer is adhered to the surface of the positive body.例文帳に追加

活物質粒子層を有する正負の電極を有する電池において、前記活物質粒子層内の少なくとも電極本体表面付近に、個々の粒子間隙において三次元網目状をなすポリマーが間隙から間隙へと連なって存在するとともに、負極本体の表面には前記ポリマーと同質又は異質の多孔性ポリマー膜が固着していることを特徴とする。 - 特許庁

In the multilayer structure, the third wiring belongs to a different wiring layer and includes a wiring along a stereoscopic diagonal line connecting the two points positioned on different plane.例文帳に追加

上記課題を解決するため、多層配線構造であって、第１の配線と、前記第１の配線が属する配線層とは異なる配線層に属する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線を接続する第３の配線を備え、前記第３の配線は、異なる配線層に属し、かつ、平面的に異なる位置にある２点を結ぶ立体対角線にそった配線を含むことを特徴とする多層配線構造を提供する。 - 特許庁

The multilayered film is constituted of first and third layers each of which comprises a resin composition prepared by blending a specific ethylene/α-olefin copolymer with a main component comprising a resin selected from low density polyethylene and an ethylene/vinyl acetate copolymer and the second layer, which comprises a resin composition containing the ethylene/ vinyl acetate copolymer and specific ethylene/α-olefin copolymer, provided between both layers.例文帳に追加

低密度ポリエチレンおよびエチレン／酢酸ビニル共重合体から選択される樹脂を主成分とし、これに特定のエチレン／α−オレフィン共重合体をブレンドしてなる樹脂組成物からなる第一層および第三層と、前記両層間にあってエチレン／酢酸ビニル共重合体と特定のエチレン／α−オレフィン共重合体とを含んでなる樹脂組成物からなる第二層とで多層フィルムを構成する。 - 特許庁

The ESD protector 114 includes first and second semiconductor layers 109 and 113 containing an impurity of a first conductivity type, and a third semiconductor layer 111 formed between the first and second semiconductor layers 109 and 113, and having a wider forbidden band width than the first and second semiconductor layers 109 and 113 and an impurity concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ＥＳＤ保護部１１４は、第１導電型の不純物を含有する第１及び第２の半導体層１０９、１１３と、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の間に形成され、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の禁制帯幅よりも禁制帯幅が広く、かつ、不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下である第３の半導体層１１１と、を備える。 - 特許庁

The electrochemical display element is characterized by having a first transparent electrode, an electrolyte layer containing a color developing material which develops color by a coloring means, electrochemical reduction and oxidation, and precipitation and dissolution accompanied with them, a second electrode having the electrolyte interposed between itself and the first transparent electrode, and a third electrode independent of the first transparent electrode and the second electrode.例文帳に追加

本発明に係る電気化学表示素子は、第１の透明電極と、着色手段及び電気化学的な還元・酸化とこれに伴う析出・溶解とによって発色する発色材料を含有した電解質層と、上記第１の透明電極との間に上記電解質層を挟んでなる第２電極と、上記第１の透明電極及び上記第２電極とは独立した第３電極とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

It has a three-layer structure: a ticket wicket (Hachijo-guchi (Hachijo entrance/exit)), the station office and Meitengai shopping arcade are located on the first floor; the platforms and a ticket wicket (Chuo-guchi (Central entrance/exit)) are located on the second floor (a ticket gate was located inside the JNR/JR Station for a long time with a ｔicket machine for transfer, but when the new station building was constructed and the Nanboku-Jiyu-Tsuro was made, the ticket wickets of the two companies were fully separated); and the third floor has the platforms for the JR Central Shinkansen. 例文帳に追加

3層構造で、1階は改札口（八条口）・駅事務室・名店街、2階がホームと改札口（中央口、この改札口は開業当初から長らく旧国鉄→現JR京都駅の内部にある形で乗換用の改札機もあったが、現京都駅ビル建設および同駅南北自由通路設置に合わせて両社の改札口は完全分離化された）、3階はJR東海の新幹線ホームとなっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A granular cathode active substance is composed of a compound metal oxide which can dope and dedope an M^1 ion (M^1 is an alkaline metal element) and an M_3 containing compound (M^3 is a third B group element) which is mounted on a surface of the oxide as particles or in a layer.例文帳に追加

Ｍ^1（Ｍ^1はアルカリ金属元素）イオンをドープ・脱ドープできる複合金属酸化物および該酸化物の表面に粒子として、または層状に載置されるＭ^3含有化合物（Ｍ^3は第３Ｂ族元素）からなる粒状の正極活物質であり、該正極活物質は、その表面に、Ｍ^1（Ｍ^1は前記）、Ｍ^2（Ｍ^2はＭｎ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる）、Ｍ^3（Ｍ^3は前記）およびＯを有し、該表面におけるＭ^3原子数（モル）とＭ^2原子数（モル）のモル比（Ｍ^3／Ｍ^2）をＡとし、該正極活物質のＢＥＴ比表面積をＳ（ｍ^2／ｇ）としたとき、ＡおよびＳが以下の式（１）を満たす正極活物質を含有する正極と、 負極と、 セパレータと、 非水電解液と、を有する非水電解液二次電池。 - 特許庁