「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

N-type first and second electrode diffusion layers 221 and 222 and a p-type third electrode diffusion layer 23 are formed in the same step as that at the time, when an n-channel or p-channel MOSFET source/drain region is formed.例文帳に追加

Ｎチャネル型やＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域の形成時と同一の工程でＮ型の第１電極用拡散層２２１及び第２電極用拡散層２２２、Ｐ型の第３電極用拡散層２３を形成する。 - 特許庁

A same driving signal is supplied to the third barrier pixels and the counter electrode while a driving signal for applying an effective voltage to a liquid crystal layer between the substrate and the counter electrode is supplied to the first barrier pixels and the second barrier pixels to perform a vertical-stripe barrier display.例文帳に追加

第三バリア画素と対向電極に同一の駆動信号を、第一バリア画素と第二バリア画素に対向電極との間の液晶層に実効電圧を印加する駆動信号を供給して縦ストライプのバリア表示を行う。 - 特許庁

The protective layer forming material, which comprises an acrylic copolymer agent acting as the peelable protective layer after drying, is ejected toward a car body 14 from the first jet gun tips 44a, second gun tips 44b and first-third interposed jet gun tips 44c-44e of the jet mechanisms 42 when the car body 14 is fed through a coating process.例文帳に追加

乾燥後に剥離性保護層として作用するアクリル系コポリマ剤からなる保護層形成材は、塗装工程を経た自動車車体１４が搬入された際、この噴出機構４２の第１噴出ガンチップ４４ａ、第２噴出ガンチップ４４ｂ、第１〜第３介在噴出ガンチップ４４ｃ〜４４ｅから自動車車体１４に指向して噴出される。 - 特許庁

In connection among the semiconductor layers, the first and fifth semiconductor layers are connected with a first reference voltage, the second and fourth semiconductor layers are connected with a second reference voltage, the third semiconductor layer is connected with a second supply voltage, and the sixth semiconductor layer is connected with a first supply voltage.例文帳に追加

半導体層間の接続は、第１の半導体層および第５の半導体層は、第１の基準電圧に接続され、第２の半導体層および第４の半導体層は、第２の基準電圧に接続され、第３の半導体層は、第２の電源電圧に接続され、第６の半導体層は、第１の電源電圧に接続されている。 - 特許庁

Reflection of light by at least either the second reflecting interface 16 or the third reflecting interface 17 is so set in conditions of strengthening or weakening against a central wavelength of an emission spectrum of the first light-emitting layer 13a and a central wavelength of an emission spectrum of the second light-emitting layer 13b in shifting interference wavelengths.例文帳に追加

第２の反射界面１６および第３の反射界面１７による光の反射の少なくとも一方を、第１の発光層１３ａの発光スペクトルの中心波長および第２の発光層１３ｂの発光スペクトルの中心波長に対して干渉波長をずらしながら、強め合う条件および弱め合う条件に設定する。 - 特許庁

The coil embedded type inductor is constituted by arranging a first magnetic body 31 in a cylindrical coil 10 made of a wire which has an insulating coating layer 20 and is shaped in a nearly rectangular shape, surrounding its periphery with a nonmagnetic body 32, further surrounding the whole with a second magnetic body 33 and a third magnetic body 34, and forming an external electrode layer 40 at an outer peripheral part.例文帳に追加

絶縁被覆層２０を備えた略矩形断面の線材からなる円筒コイル１０の内部に第１の磁性体３１を配置し、その周囲を非磁性体３２で取り囲み、さらに全体を第２磁性体３３および第３磁性体３４で取り囲み、外周部に外部電極層４０を形成することによりコイル埋設型インダクタを構成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a P-type semiconductor substrate; an N-type well, a first P^+ diffusion region, a second P^+ diffusion region, a Schottky diode, a first N^+ diffusion region, a second N^+ diffusion region, a third P^+ diffusion region, a fourth P^+ diffusion region, a first insulating layer, a second insulating layer, a first parasitic bipolar transistor, and a second parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスは：Ｐ型半導体基板、Ｎ型ウェル、第１Ｐ＋拡散領域、第２Ｐ＋拡散領域、ショットキー・ダイオード、第１Ｎ＋拡散領域、第２Ｎ＋拡散領域、第３Ｐ＋拡散領域、第４Ｐ＋拡散領域、第１絶縁層、第２絶縁層、第１寄生バイポーラトランジスタ、及び第２寄生バイポーラトランジスタ、を含む。 - 特許庁

The first gate electrode and the second gate electrode have tapered portions at their ends, and the first semiconductor layer has a first channel formation region, a pair of first impurity regions, and a pair of second impurity regions, and then the second semiconductor layer has a second channel formation region and a pair of third impurity regions.例文帳に追加

前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 - 特許庁

The region of the hologram element includes a diffraction grating, transmittance of respective regions making diffraction light is set so that a first region having high transmittance, a second region having low transmittance, and a third region having intermediate transmittance are arranged in order from the outside, and stray light which causes cross talk and which is light from a layer different from the information recording layer is reduced by the photodetector.例文帳に追加

ホログラム素子の領域は回折格子を含み、回折光とする各領域の透過率を設定し、外側から透過率の高い第１の領域、透過率の低い第２の領域、その中間の透過率の第３の領域をとなるようにし、クロストークの原因となる情報記録層と異なる層からの迷光を光検出器で低減させる。 - 特許庁

The balloon transformer includes first and second ground potential layers 20, 40 formed on a silicon substrate 10, an unbalanced signal first transmission line 50 having a dielectric layer 30 interposed between the layers 20 and 40 and provided in the layer 30, and a second transmission line 60 and a third transmission line 70 vertically arranged in parallel with the layers 20 and 40.例文帳に追加

バルントランスは、シリコン基板１０上に形成された第１、第２アース電位層２０、４０と、それに挟まれた誘電体層３０を有し、誘電体層３０内部には不平衡信号第１伝送線路５０と、第２伝送線路６０および第３伝送線路７０が第１、第２アース電位層２０、４０と平行に上下に配される。 - 特許庁

The method for molding the multilayered product comprises injecting a first resin which becomes a skin layer into a cavity 12 of a mold provided with a slide mold capable of varying a volume of the cavity, thereafter sandwich-molding by injecting a second resin which becomes a core layer, and successively injecting a third resin into a room obtained by expanding the volume of the cavity 12 by transferring the slide mold.例文帳に追加

また、キャビティの容積を変更可能なスライド型を備える金型のキャビティにスキン層となる第一の樹脂を射出したのちコア層となる第二の樹脂を射出しサンドイッチ成形し、次いでスライド型を移動させてキャビティの容積を拡大してできた空間に仕上層となる第三の樹脂を射出する多層成形品の成形方法である。 - 特許庁

When modifying a wiring path for connecting an interconnection F and an interconnection D', an interconnection for connecting the dummy vias 7a and 13a is formed when forming the second-layer metal 9 and an interconnection for connecting the dummy via 13a, and the interconnection D' is formed when forming the third-layer metal 15, instead of changing a reticle for forming a via.例文帳に追加

配線Ｆと配線Ｄ’を接続する配線経路改定を行なう場合、ＶＩＡ形成用のレティクルは変更せずに、第２層目メタル９の形成時にダミーＶＩＡ７ａと１３ａを接続するための配線を形成し、第３層目メタル１５の形成時にダミーＶＩＡ１３ａと配線Ｄ’を接続するための配線を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element having a light generation layer for radiating light and a translucent substrate to the light at the side of the substrate, there are a first side that is formed by cleavage and prevents a crystal defect, a second side for injecting one portion of the light from the light generation layer to the outside, and a third side for facilitating mounting.例文帳に追加

光を放射する発光層と、この光に対して透光性を有する基板と、を備える半導体発光素子において、上記基板の側面に、へき開によって得られ結晶欠陥を防止する第１の側面と、上記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、マウントを容易にする第３の側面と、を設ける。 - 特許庁

This integrated circuit is constituted of a multiple wiring structure having three layers or more includes ground wirings 103, 108 made into a first wiring layer 107a, signal wirings 101, 106 made in a third wiring layer, an insulating part made in a second wiring layer 107, and dielectric bodies of interlayer film regions 102, 109 including interlayer films 111a and 111b between these wiring layers.例文帳に追加

３層以上の多層配線構造を有する集積回路において、第１配線層１０７ａに設けられた配線１０３及び１０８を接地線とし、第３配線層に設けられた配線１０１及び１０６を信号線とし、第２配線層１０７ｂの絶縁体部分及びこれらの配線層間の層間膜１１１ａ及び１１１ｂを含む層間膜領域１０２及び１０９を誘電体とする伝送線路を構成する。 - 特許庁

In the third polarization beam splitter 7, the incident blue component light B is transmitted through the adhesive layer 7b to become S-polarized light to a polarized light separating film 7a slanted at 45° to the optical path of the incident light.例文帳に追加

この第３の偏光ビームスプリッタ７においては、入射された青色成分光Ｂが接着剤層７ｂを透過した後、入射光の光路に対して４５°の傾斜となされた偏光分離膜７ａに対して、青色成分光ＢがＳ偏光となっている。 - 特許庁

In particular, the third function layer 14 is formed such that numerous hollow particles 2 forming a core are joined to each other through the skeletons 14a of the matrixes to form them in a three-dimensional net shape or a sponge shape, and pores 14b are secured between the skeletons 14a.例文帳に追加

特に、第３機能層１４は、無数の中空粒子２が芯となり、各中空粒子２がマトリックスの骨格１４ａによって繋がれることにより三次元網目状又は海綿状に構成され、骨格１４ａ間にも気孔１４ｂが確保されている。 - 特許庁

Light beams emitted from the first region, second region, and third region and external light incident on the lighting device 106 from an observer side through a part which does not overlap the light shield layer 216 is emitted as illumination light through the second substrate 211.例文帳に追加

第１領域と第２領域と第３領域の各々から発光された光と、観察者側から遮光層２１６と重ならない部分を介して照明装置１０６に入射された外光とが、照明光として第２基板２１１を介して出射される。 - 特許庁

The battery 10 includes a negative pole 12, a positive pole 11 including a positive pole first part 11a arranged at a place opposed to the negative pole 12 while pinching an electrolytic cell, and a positive pole third part 11c arranged on the negative pole 12 while pinching an insulating layer 14a.例文帳に追加

電池１０は、負極１２と、電解槽を挟んで負極１２に対向する位置に配置された正極第１部分１１ａおよび負極１２の上に絶縁層１４ａを挟んで配置された正極第３部分１１ｃを含む正極１１とを有する。 - 特許庁

A third passivation film 45 is provided beneath an EL element 203 made up of a pixel electrode (positive electrode) 46, an EL layer 47, and a negative electrode 48, and prevents an alkaline metal in the EL element 203 formed by an ink-jet mode from being diffused toward a TFT(thin-film transistor).例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

In addition, a part of the inner wall face of the cavity 11 is constituted, and first, second and third heat transmission bodies 17, 18, 19 whose ends 17D, 18D, 19D come into contact with the die attach layer 15 and in which the other ends 17U, 18U, 19U extend up to a substrate main face 2 are provided.例文帳に追加

また、キャビティ１１の内壁面の一部を構成し、一方の端部１７Ｄ，１８Ｄ，１９Ｄがダイアタッチ層１５に接触し、他方の端部１７Ｕ，１８Ｕ，１９Ｕが基板主面２まで延びる第１，第２，第３伝熱体１７，１８，１９を備える。 - 特許庁

The coating layer 9d avoids contact of the cutting tool 1 and the thermocouple having third thermoelectromotive force, and also prevents a variation in a temperature measurement position by fixing the thermocouple 9, particularly, the tip temperature measurement part 9c to the cutting tool 1 by heat curing.例文帳に追加

コーティング層９ｄは第３の熱起電力を有する切削工具１と熱電対との接触を避けると同時に、熱硬化させることにより熱電対９、特に先端測温部９ｃを切削工具１に固定して測温位置の変動を防止する。 - 特許庁

In such a constitution, the wiring 67 and the resistant element 70 are formed of the third polysilicon layer forming the plate electrode 60 so that the steps peculiar to DRAM may be effectively used, thereby making feasible of simplifying the steps as well as attaining to the design efficiency.例文帳に追加

配線６７と抵抗素子７０は、プレート電極６０を形成する第３ポリシリコン層を用いて形成するため、ＤＲＡＭ特有の工程を有効に活用し、工程の簡略化を図ることができるとともに、設計の効率化を図ることができる。 - 特許庁

In the phase shift distribution feedback type semiconductor laser 11, an active layer 17 includes first, second and third parts 17a, 17b and 17c arranged in a direction of an axis Ax extending from a first semiconductor end face 23a to a second semiconductor end face 23b.例文帳に追加

位相シフト分布帰還型半導体レーザ１１では、活性層１７は、第１の半導体端面２３ａから第２の半導体端面２３ｂに延びる軸Ａｘの方向に配列された第１、第２及び第３の部分１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む。 - 特許庁

In a third lamination process 101, the silicon steel plate 51 is pressed on the second laminated layer 92, then the I type plates 71 are laminated while being stamped to form the stators 15, and simultaneously the core type plates 72 are laminated while being stamped to form a magnet core 41.例文帳に追加

第３積層工程１０１にて、珪素鋼板５１を第２積層部９２上でプレスし、Ｉ型プレート７１を打ち抜きながら積層してステータ１５を形成すると同時に、コア型プレート７２を打ち抜きながら積層してマグネットコア４１を形成する。 - 特許庁

A space t1 between the formed position of the first via 221a and the end of the third wiring 231a is smaller than a space between the formed position of a second via that connects second wiring to fourth wiring at a layer higher than the second wiring, and the end of the fourth wiring.例文帳に追加

第１のビア２２１ａの形成位置と第３の配線２３１ａの端部との間隔ｔ１は、第２の配線と第２の配線よりも上層の第４の配線とを接続する第２のビアの形成位置と第４の配線の端部との間隔よりも小さい。 - 特許庁

First and second color layers 33 and 46 are formed, and openings 49 are formed in an etching step, and then a third color layer 50 is formed so as to cover all of the surfaces of first and second color layers 33 and fill the openings 49.例文帳に追加

第１及び第２の着色層３３，４６を形成し、さらにエッチング工程にて開口部４９を形成した後に、第１及び第２の着色層３３上全体を覆うと共に、開口部４９に埋め込むようにして、第３の着色層５０を形成する。 - 特許庁

The output sine wave from each element is added to every group to constitute a plurality of Fourier series signals, which are then group-modulated in a group modulator 762, and a carrier wave corresponding to a third layer is modulated with this group modulation signal in a modulator 764.例文帳に追加

各素子からの出力正弦波はグループごとに加算され、複数のフーリエ級数信号を構成してから群変調器７６２で群変調し、この群変調信号で変調器７６４において第３層に対応する搬送波を変調する。 - 特許庁

Three strip line conductors 118, 119 and 120 electromagnetically coupled mutually are arranged on the same layer, the first and the second strip line conductors 118 and 119 and the second and the third strip line conductors 119 and 120 are capacitively coupled by capacitors 202 and 203, respectively.例文帳に追加

互いに電磁結合する３本のストリップ線路導体１１８，１１９，１２０を同一層に配置し、第１と第２のストリップ線路導体１１８，１１９及び、第２と第３のストリップ線路導体１１９，１２０をそれぞれ容量２０２，２０３で容量結合させる。 - 特許庁

A sole member 7 consisting of a single layer or multilayer is provided with a ground contact pressure reducing part 9 (a recessed part, a hole part, an elastic material or the like) in a part corresponding to the joining parts 56 of the phalanxes and the metatarsuses of the forefinger, the middle finger and the third finger of a foot.例文帳に追加

単層または多層からなるソール部材７において、足の人差し指、中指及び薬指における趾節骨と中足骨の接合部分５６に対応する部分に配置された接地圧低減部９（凹部、孔部、弾性材等）が設けられている。 - 特許庁

The optical recording medium D is provided with an information layer D2 formed by layering at least a first protective film 8, a second protective film 9, a third protective film 10 and a recording film 11 in this order on a first substrate 1 having an incidence surface 1A in which laser light L is made incident as a bottom surface.例文帳に追加

光記録媒体Ｄは、レーザ光Ｌが入射する入射面１Ａを底面とした第１基板１上に、少なくとも第１保護膜８、第２保護膜９、第３保護膜１０、記録膜１１をこの順に積層した情報層Ｄ２を備えている。 - 特許庁

At this time, the diffusion width of the protective layer forming material is narrowest at the first jet gun tips 44a and successively made large in the order of the first-third interposed jet gun tips 44c, 44d and 44e and the second jet gun tips 44b.例文帳に追加

この際、保護層形成材の拡散幅は、第１噴出ガンチップ４４ａで最も狭く、第１介在噴出ガンチップ４４ｃ、第２介在噴出ガンチップ４４ｄ、第３介在噴出ガンチップ４４ｅおよび第２噴出ガンチップ４４ｂの順に大きくなる。 - 特許庁

The disk-type MEMS resonator 10 is composed such that a nitride film 11, first/second/third sacrifice layers 12, 13, and 14, and a wiring layer 15 are laminated on a semiconductor substrate 1 and an opening part C1 being a cylindrical recessed part is formed almost at the center.例文帳に追加

ディスク型ＭＥＭＳ振動子１０は、半導体基板１上に、窒化膜１１、第一の犠牲層１２、第二の犠牲層１３、第三の犠牲層１４、及び配線層１５が積層され、略中央に、円筒形状の凹部である開口部Ｃ１が形成されている。 - 特許庁

In the shoes respectively consisting of a sole and an upper, material which is evaluated to be at the third grade or higher than this about a dirtiness degree by a gray scale in a test of dirtiness with dry and solid soil using soil and sand in a loamy layer of the Kanto district is used at least as a part of the upper.例文帳に追加

ソールとアッパーとからなるシューズにおいて、関東ローム層土砂による乾式固体土汚れ試験においてグレースケールによる汚れ度合の評価が３級以上である材料をアッパーの少なくとも一部に用いたことを特徴とするシューズ。 - 特許庁

An electrooptical device is provided with a third passivation film 45 below an EL element 203 consisting of a pixel electrode (an anode) 46, an EL layer 47, and a cathode 48 to prevent an alkaline metal in the EL element 203 formed by the ink jet system from being diffused to a TFT (Thin Film Transistor) side.例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、インクジェット方式で形成されたＥＬ素子２０３中のアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

Iodine ^129I is stored in the first target 2, neptunium ^237 Np, americium ^241Am, and curium ^245Cm are stored in the second target 3, iodine ^129I, technetium ^99Tc, and cesium ^135Cs are stored in the third target 5, and the moderate layer 4 is filled with water.例文帳に追加

第一ターゲット２にはヨウ素^１２９Ｉを、第二ターゲット３にはネプツニウム^２３７Ｎｐ、アメリシウム^２４１Ａｍ、及びキュリウム^２４５Ｃｍを、第三ターゲット５にはヨウ素^１２９Ｉ、テクネチウム^９９Ｔｃ、及びセシウム^１３５Ｃｓをそれぞれ収納し、モデレート層４には水を満たす。 - 特許庁

Furthermore, the wafer is subjected to annealing for 10 seconds at 1,150°C under a gas atmosphere containing nitrogen as a third annealing step, and then it is cooled down at a cooling rate of 50°C/second so that a large quantity of vacancies are injected to the vicinity of the surface layer of the substrate thus enhancing the gettering capability.例文帳に追加

更に第３熱処理工程として窒素含有ガス雰囲気下にて１１５０℃で１０秒熱処理し、その後５０℃／秒の冷却速度で降温することで基板表層近傍に空孔を大量に注入することでゲッタリング能力も高まる。 - 特許庁

In order to simplify the manufacturing process, connecting pads 2, a ground layer 6 thereon via an insulating film, first to third rewinding 7, 8, and 9 thereon via a protecting film, and posts S_0, S_1, G, and D thereon are arranged on only the upper surface side of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の上面側のみに、製造工程を簡略化するために、接続パッド２、その上に絶縁膜を介してグラウンド層６、その上に保護膜を介して第１〜第３の再配線７、８、９、その上にポストＳ_０、Ｓ_１、Ｇ、Ｄを設ける。 - 特許庁

The resistance is lowered by bringing the first amorphous silicon layer 2 having the highest impurity concentration into contact with a substrate 8, the HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4 having the lower impurity concentrations, and the surface is roughened.例文帳に追加

最も高不純物濃度の第１のアモルファスシリコン層２が基板８とコンタクトすることで低抵抗化が図られ、より低不純物濃度の第２，第３のアモルファスシリコン層３，４表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて粗面化が図られる。 - 特許庁

A third thin film transistor includes a gate electrode connected to an (N+1)th gate line, a semiconductor layer overlapping with the gate electrode, a source electrode connected to the second sub pixel electrode and partially overlapping with the gate electrode, and a drain electrode facing the source electrode.例文帳に追加

第３薄膜トランジスタは、第ｎ＋１ゲートラインに接続されたゲート電極、ゲート電極と重畳する半導体層、第２サブ画素電極に接続されゲート電極と一部分が重畳するソース電極、及びソース電極と対向するドレイン電極を含む。 - 特許庁

Liquid crystal molecules 30a of the liquid crystal layer 30 inside an alignment controlling region T1 in which the first, the second and the third regions are arrayed in this order along a desired direction vary the alignment directions so as to incline to a single direction under voltage application.例文帳に追加

第１、第２および第３領域は所望の方向に沿ってこの順に配列された配向規制領域Ｔ１内の液晶層３０の液晶分子３０ａは、電圧印加時に単一の方向に傾斜するように配向方向を変化する。 - 特許庁

A pixel includes a 4-divided domain D where first, second, third, and fourth domains (D1 to D4) different by orientation directions of liquid crystal molecules 30a placed in the vicinity of the center in the thickness direction of a liquid crystal layer are arranged, in this order in a certain direction.例文帳に追加

絵素は、液晶層の厚さ方向の中央付近に位置する液晶分子３０ａの配向方向が互いに異なる第１、第２、第３および第４ドメイン（Ｄ１〜Ｄ４）がある方向に沿ってこの順に配列された４分割ドメインＤを含む。 - 特許庁

In a surface layer in a fourth n region 5 as a first n region 2 as a drain drift region, a low-ON resistance region of high density connected a second n region 3 as a source region and a third n region 4 as a drain region is formed thin and long.例文帳に追加

ドレインドリフト領域である第１ｎ領域２の表面層に、ソース領域である第２ｎ領域３と、ドレイン領域である第３ｎ領域４とに接続する高濃度の低オン抵抗領域である第４ｎ領域５を細長形状に形成する。 - 特許庁

A light emitting part 20 includes a light emitting layer 26 which emits irradiation light IL, a first electrode 22 which transmits the irradiation light IL and reflected light RL, and second and third electrodes 24 which shield the irradiation light IL and the reflected light RL and are provided away from each other.例文帳に追加

発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。 - 特許庁

So, even if bonding pads BP1 and BP2 positioned above are applied with stress from outside, the stress conveyed downward is dispersed across the entire by the third wiring layer and fourth wiring layer stacked to cross each other, thereby relaxing concentration of stress to a specific point, and suppressing degradation in strength of a semiconductor device to the minimum.例文帳に追加

これにより、上方に位置するボンディングパッドＢＰ１，ＢＰ２に外部から応力が加えられた場合であっても、下方に伝達された力は、互いに交差するように積層配置された第３配線層および第４配線層により、応力が全体に分散され、特定箇所への応力集中を緩和し、半導体装置の強度劣化を最小限に抑制することを可能とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the magnetic head, the pole groove and first and second initial side shield grooves are formed in a nonmagnetic layer using an etching mask layer having first to third openings, and wall faces of first and second initial side shield grooves that are closer to the pole groove are etched by a dry etching to thereby complete the first and second side shield grooves 25b1, 25b2.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法では、第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を用いて非磁性層に磁極溝部、第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成し、ドライエッチングによって、第１および第２の初期サイドシールド溝部における磁極溝部により近い壁面をエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる。 - 特許庁