「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of an electrode for the electrochemical element includes a first process of continuously installing active material layers for storing and releasing lithium on a conductive current collector, and forming a precursor of the electrode in a hoop state; a second process of forming a plurality of grooves in the active material layer; and a third process of membrane forming lithium on the active material layer.例文帳に追加

本発明の電気化学素子用電極の製造方法は、導電性を有する集電体の上にリチウムを吸蔵放出する活物質層を連続して設け、電極の前駆体をフープ状に形成する第１の工程と、活物質層に複数の溝を形成する第２の工程と、活物質層の上にリチウムを成膜する第３の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The upper shield layer includes a first part 3a arranged in an area including an area opposite to the thin film coil 5, a second part 3b connected to a face of the first part 3a at the side of the thin film coil 5, and a third part 3c opposite to the lower shield layer 6 via the MR element 9 and connected to the second part 3b.例文帳に追加

上部シールド層は、薄膜コイル５に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分３ａと、下部シールド層６の側方に配置され、第１の部分３ａにおける薄膜コイル５側の面に接続された第２の部分３ｂと、ＭＲ素子９を挟んで下部シールド層６と対向すると共に第２の部分３ｂに接続された第３の部分３ｃを有している。 - 特許庁

Preferably, the multi-layered coating film 3 is formed only on one surface of the substrate plate 2, and an electrical conductive film having single layer structure which comprises the third base resin 40 containing an electrical conductive material 41 is formed on the other surface of the substrate plate 2.例文帳に追加

基板２の一方の面のみに複層塗膜３が形成されており、基板２の他方の面には、第３のベース樹脂４０中に電気導電性を有する導電性物質４１を含有した一層構造を呈する導電性塗膜が形成されていることが好ましい。 - 特許庁

The first semiconductor layer has a first part and a second part that has a lower specific resistance than the first part and is provided, between the first part and the first primary surface, among the plurality of second semiconductor regions and outside the third semiconductor region.例文帳に追加

前記第１半導体層は、第１部分と、前記第１部分よりも比抵抗が低く、前記第１部分と前記第１主面とのあいだであって、前記複数の第２半導体領域のあいだ、及び前記第３半導体領域の外側に設けられた第２部分と、を有する。 - 特許庁

Between the first and third belt plies 7A, 7C, a reinforcing rubber layer 10 composed of a reinforcing rubber portion 10A having a complex modulus E*1 of 8.0 to 14.0 MPa and a reinforcing rubber portion 10B having a complex modulus E*2 of 6.0 to 12.0 MPa, made smaller than the complex modulus E*1 is arranged.例文帳に追加

第１、３のベルトプライ７Ａ、７Ｃ間に、複素弾性率Ｅ＊１を８．０〜１４．０ＭＰａとした補強ゴム部１０Ａと、複素弾性率Ｅ＊２を６．０〜１２．０ＭＰａかつ前記複素弾性率Ｅ＊１よりも小とした補強ゴム部１０Ｂとからなる補強ゴム層１０を配した。 - 特許庁

The radiopaque part 7 has a coil 6 composed of a metallic material and provided on the outer periphery of the wire body 2, and a coating layer 5 which covers the coil 6 and to which a radiopaque medium is added, and is divided into a first radiopaque region 71, a second radiopaque region 72, and a third radiopaque region 73.例文帳に追加

造影部７は、ワイヤ本体２の外周に設けられ、金属材料で構成されたコイル６と、コイル６を被覆し、造影剤が添加された被覆層５とを有し、第１の造影領域７１、第２の造影領域７２、第３の造影領域７３に区分けされている。 - 特許庁

The holographic recording and reproducing device which records and reproduces information on the holographic recording medium 1 equipped with a holographic recording layer which records information by holography using incident recording light, has a first light generation part, a second light generation part, a third light generation part and a rotation part.例文帳に追加

入射される記録光を用いてホログラフィにより情報を記録するホログラフィック記録層を備えるホログラフィック記録媒体１に情報を記録し、再生するホログラフィック記録再生装置は、第１の光発生部と第２の光発生部と第３の光発生部と回転部を備える。 - 特許庁

The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.例文帳に追加

周辺トランジスタは、第３及び第４拡散層間の第２チャネル領域上に第２ゲート絶縁膜１６Ａ，１６Ｂを介して形成される下部電極１７と、下部電極１７上に第２電極間絶縁膜１８を介して形成される上部電極３，１９とを有する。 - 特許庁

The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the third virtual circulating line from the inner side is such an interval that two of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first and second virtual circulating lines from the inner side can be put around.例文帳に追加

内側から３番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目及び２番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を２本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

A portion to be used for recording/reproducing information of magneto-optical signals and a portion rugged for imparting address information or servo information are alternately located on an information track, and a third magnetic layer in the rugged portion is magnetized in one orientation direction.例文帳に追加

情報トラックに、光磁気信号による情報の記録再生に使用する部位と、アドレス情報やサーボ情報などを与えるための凹凸が刻まれている部位とが交互に配置されており、該凹凸が刻まれている部位における第３磁性層の磁化の配向方向を一方向に着磁する。 - 特許庁

When forming a lubricant layer 14 of the magnetic recording disk 1, a lubricant having the composition ratio: the first element=71.7%, the second element=15.7%, the third element=11.7%, the fourth element=0.3%, and the fifth element=0.6% is used in the perfluoro polyether compound.例文帳に追加

磁気記録ディスク１の潤滑層１４を構成する際、下式で表わすパーフルオロポリエーテル化合物において、組成比 第１成分＝７１．７％ 第２成分＝１５．７％ 第３成分＝１１．７％ 第４成分＝０．３％ 第５成分＝０．６％を有する潤滑剤を用いる。 - 特許庁

The humidifying device 240 comprises first to third bubble jetting bodies 242-246 on different positions of in a container 241, the hydrogen gas is jetted as bubbles from the one selected bubble jetting body, and the gas is humidified during a time when the bubbles rise and pass through a liquid layer in the container.例文帳に追加

加湿装置２４０は、容器２４１の内部の異なる位置に第１〜第３気泡噴出体２４２〜２４６を備え、選択された一の気泡噴出体から水素ガスを気泡として噴出し、容器内の液層を気泡が上昇通過する間にガスを加湿する。 - 特許庁

Then, the battery 10 has a negative electrode 12 and a positive electrode 11 including a positive electrode first part 11a arranged at a position opposed to the negative electrode 12 while pinching an electrolyte cell, and a positive electrode third part 11c arranged on the negative electrode 12 while pinching an insulating layer 14a.例文帳に追加

電池１０は、負極１２と、電解槽を挟んで負極１２に対向する位置に配置された正極第１部分１１ａおよび負極１２の上に絶縁層１４ａを挟んで配置された正極第３部分１１ｃを含む正極１１とを有する。 - 特許庁

The voltage nonlinear resistor porcelain composition which constitutes a voltage nonlinear resistor layer 11 has a main component containing zinc oxide, a first sub-component containing oxide of rare earth metal, a second sub-component containing oxide of Ca, and a third sub-component containing oxide of Si.例文帳に追加

電圧非直線性抵抗体層１１を構成する電圧非直線性抵抗体磁器組成物は、酸化亜鉛を含む主成分と、希土類金属の酸化物を含む第１副成分と、Ｃａの酸化物を含む第２副成分と、Ｓｉの酸化物を含む第３副成分と、を有している。 - 特許庁

The first semiconductor layer 5a has a first semiconductor region 2 electrically connected to a first external circuit and a third semiconductor region 4 that is separated from the first semiconductor region by the second semiconductor region 3 and is electrically connected to a second external circuit.例文帳に追加

第１の半導体層5aは、第１の外部回路と電気的に接続された第１の半導体領域2と、第２の半導体領域3によって第1の半導体領域から分離されるとともに、第２の外部回路と電気的に接続された第３の半導体領域4とを有する。 - 特許庁

To provide a carrier member for manufacturing a substrate, separated by heating with the use of a third metal layer, and keeping compatibility between the substrate and manufacturing equipment without changing the size of a substrate in separating the carrier member; and to provide a method of manufacturing a substrate using the carrier member.例文帳に追加

第３金属層の採用により、加熱によって、キャリア部材を分離し、これにより、キャリア部材分離の際、基板のサイズを変更しなくて基板と製造設備の間に互換性を維持する基板製造用キャリア部材及びこれを用いた基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first pad 1 for current source connection, a via chain which has one end connected to the first pad 1 and the other end connected to a substrate 20 via a diffusion layer 21 of the same conductivity type as the substrate 20, and a second pad 2 and a third pad 3 for voltage measurement.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、電流源接続用の第１パッド１と、一端が、第１パッド１に接続され、他端が、基板２０と同じ導電型の拡散層２１を介して基板２０に接続されたヴィアチェーンと、電圧測定用の第２パッド２及び第３パッド３とを具備する。 - 特許庁

In the third place, the vertical drain pipe of a three-layer structure is formed by integrally filling mortar 19 reinforced by an aggregate or a wire rod in its space, by leaving the space between the vertical drain pipe 2 and a thin covering pipe 18 for increasing soundproof performance of the vertical drain pipe itself.例文帳に追加

第３に排水用縦管自体の防音性能を上げるため、排水用縦管２と薄肉の外装管１８の間に空間を残し、その空間に骨材又は線材で補強したモルタル１９等を充填して一体化し、三層構造の排水用縦管を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the decorative molded article consists of a first process for laminating a decorative sheet on a base material through a first adhesive, a second process for laminating a transparent film on the decorative sheet through a second adhesive and a third process for laminating a transparent protective layer on the transparent film.例文帳に追加

基材上に第１接着剤を介して装飾シートを積層する第１工程、装飾シート上に第２接着剤を介して透明フィルムを積層する第２工程及び透明フィルム上に透明な保護層を積層する第３工程を具備する化粧成形品の製造法 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device consisting of a first polarization plate 11, a second optical retardation plate 13, a first optical retardation plate 12, an STN(supertwisted nematic) liquid crystal element 21 with an inherent transflective layer 9, a third optical retardation plate 18, a second polarization plate 17 and a backlight 16 is provided.例文帳に追加

第１の偏光板１１と、第２の位相差板１３と、第１の位相差板１２と、半透過反射層９を内在したＳＴＮ液晶素子２１と、第３の位相差板１８と第２の偏光板１７とバックライト１６とからなる反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Refractive indexes n1 to n3 of the first to the third dielectric layers satisfy relations: n1>n2, n3>n2 and by using Cu, Au, Ti and their alloys as the lower reflecting layer, reflectivity of an amorphous part can be raised and absorptivity of the amorphous part can be lowered to enable suppressing cross erasing.例文帳に追加

第１〜第３誘電体層の屈折率ｎ１〜ｎ３がｎ１＞ｎ２，ｎ３＞ｎ２の関係を満たし、下部反射層としてＣｕ，Ａｕ，Ｔｉ及びそれらの合金を用いることにより、非晶質部の反射率を高くして、非晶質部の吸収率を低くすることができるのでクロス消去抑制が可能となる。 - 特許庁

By adopting this process, bonding of the impurities contained in the atmospheric air to the surface of the semiconductor film is prevented, and contamination (diffusion) of the impurities into the semiconductor layer during the crystallization by light irradiation, which is a fourth step that follows the third step, is also prevented.例文帳に追加

本プロセスによれば、大気中等に含まれる不純物が半導体膜表面に結合することを防ぐことができるとともに、上記第３工程に続く第４工程としての光照射による結晶化において、半導体層中に不純物が混入（拡散）することを防げる。 - 特許庁

Al_2O_3 films 72 being antireflection film for reducing reflectance on first, third and fifth layers and TiOx films 73 being light absorbing layer for reducing transmittance on second, fourth and sixth layers are alternately laminated above a fine rugged periodic structure 33 on a transparent base plate 31.例文帳に追加

透明基板３１上の微細凹凸周期構造３３上には、第１、３、５層に反射率を低減させるための反射防止膜であるＡｌ_2Ｏ_3膜７２と、第２、４、６層に透過率を低減させるための光吸収層であるＴｉＯｘ膜７３を交互に積層する。 - 特許庁

The housing 16 has a first inserting opening 20 for passing a wire rod 18 through to cut the wire rod, a second inserting opening 24 for passing the wire rod through to remove its peripheral sheath 22, and a third inserting opening 28 for passing the wire rod through to strip off its luminous layer 26.例文帳に追加

ハウジング１６は線材１８を切断するために線材を通す第１の挿入口２０と、外周被覆２２を除去するために線材を通す第２の挿入口２４と、発光層２６を剥ぎ取るために線材を通す第３の挿入口２８とを有している。 - 特許庁

Then, the surface on the side where the first cores 13a are formed, of the first substrate 11 and the surface on the side where the second cores 18a are formed, of the second substrate 16 are opposite to each other and integrated with each other by interposing a third clad layer, to form the optical waveguide.例文帳に追加

次に、第１の基板１１の第１のコア１３ａが形成されている側の面と、第２の基板１６の第２のコア１８ａが形成されている側の面とを対向させ、第３のクラッド層を介在させて一体化させることにより光導波路を形成する。 - 特許庁

To provide a simple but highly precise technique replacing beauty of skin to third party's eye to objective numerical values by using iridescence shown by horny layer cell itself as an evaluation index to provide information useful to discriminate skin status and to appropriately select articles of toilet.例文帳に追加

肌状態の鑑別や化粧料の適切な選択に有用な情報を与えるべく、角層細胞自身の示す虹色を評価指標として、第三者の目に映る、肌の美しさを、客観的な数値に置換する簡便且つ高精度な技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

First and second color layers 33 and 46 are formed, and openings 49 are formed in an etching step, and then, a third color layer 50 is formed so as to cover all of surfaces of the first and the second color layers 33 and 46 and fill the openings 49.例文帳に追加

第１及び第２の着色層３３，４６を形成し、さらにエッチング工程にて開口部４９を形成した後に、第１及び第２の着色層３３，４６上全体を覆うと共に、開口部４９に埋め込むようにして、第３の着色層５０を形成する。 - 特許庁

Farther, the conductor 5 is pinched between an adhering face of the third insulating film 2b wherein the adhering layer 8b is formed only on one side and the other face of the second insulating film 7a, and the non- conductive body parts of the both films 7a, 2b are temporarily adhered to each other by heating and pressurizing by the heating roller.例文帳に追加

また、片面のみに接着層８ｂが形成された第三絶縁フィルム２ｂの接着面と、第二絶縁フィルム７ａの他面との間に導体５を挟み込み、両フィルム７ａ，２ｂの無導体部分同士を加熱ローラにより加熱押圧して仮接着する。 - 特許庁

The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the fourth virtual circulating line from the inner side is such an interval that three of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first, second and third virtual circulating lines from the inner side can be put around.例文帳に追加

内側から４番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目、２番目及び３番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を３本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

The output electrode layer 50 is electrically connected to an output resonance electrode 28 via a via-hole 56 formed in the vicinity of a third side face 14c of the dielectric substrate 14 over the fourth to sixth dielectric layers S4 to S6 and via the output tap electrode 32.例文帳に追加

出力電極層５０は、誘電体基板１４の第３の側面１４ｃの近傍であって、第４〜第６の誘電体層Ｓ４〜Ｓ６にかけて形成されたビアホール５６と出力タップ電極３２とを介して出力側共振電極２８に電気的に接続されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the waveguide type optical device by which the core layer consisting of a polymer is patterned by dry etching to form the optical waveguide is characterized in that first, second and third etching gases used in respective steps have compositions respectively different from each other.例文帳に追加

ポリマーからなるコア層を、ドライエッチングによってパターニングし光導波路とする導波路型光デバイスの製造方法であって、各工程に用いられる第１、第２、及び第３のエッチングガスが、それぞれ異なる組成であることを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法である。 - 特許庁

A first, a second, a third base parts 22A, 22B, 22C are provided in a region of each the layer 24A, 24B, 24C higher than the other region of the base 22, and substantially cylindrical mound parts 25... are formed at specified intervals, while thereon ring-like small abrasive grain layers are provided.例文帳に追加

各砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの領域に台金２２の他の領域より高さの高い第一台金部２２Ａ，第二台金部２２Ｂ，第三台金部２２Ｃを設け、所定間隔で略円筒状のマウンド部２５…を多数形成してその上にリング状の小砥粒層部２８を設ける。 - 特許庁

Since the capacitance insulating film comprises the laminate film consisting of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers having a great barrier height, and the hafnium oxide film 103 of the second layer having a great dielectric constant, it is possible to materialize the capacitor having a small leakage current and a large capacitance.例文帳に追加

容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４と、誘電率の大きな第２層のハフニウム酸化膜１０３との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 - 特許庁

A gate insulation film GI between a semiconductor substrate SUB and a gate electrode layer GE includes a first silicon oxide film OX1, a first silicon nitride film NI1, a second silicon oxide film OX2, a second silicon nitride film NI2, and a third silicon oxide film OX3.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢとゲート電極層ＧＥとの間のゲート絶縁膜ＧＩは、第１のシリコン酸化膜ＯＸ１と、第１のシリコン窒化膜ＮＩ１と、第２のシリコン酸化膜ＯＸ２と、第２のシリコン窒化膜ＮＩ２と、第３のシリコン酸化膜ＯＸ３とからなっている。 - 特許庁

When viewed in stacking direction of a dielectric layer 32, capacitance formation parts 48 and 51 of the first and fourth internal electrodes 42 and 45 do not overlap each other, while capacitance formation parts 49 and 50 of the second and third internal electrodes 43 and 44 do not overlap each other.例文帳に追加

誘電体層３２の積層方向で見たとき、第１および第４の内部電極４２および４５の各々の容量形成部４８および５１が重なり合わず、第２および第３の内部電極４３および４４の各々の容量形成部４９および５０が重なり合わない。 - 特許庁

The pattern forming material formed on a substrate has first and second reaction layers reacted mutually by heating to be expanded in volume and a third reaction layer expanded in volume by heating.例文帳に追加

基板上に形成されたパターン形成材料であって、加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第１の反応層および第２の反応層と、加熱されることにより、体積が膨張する第３の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。 - 特許庁

The surface layer of the development roller contains a polysiloxane containing a fluoroalkyl group and an oxyalkylene group and a polysiloxane comprising a first unit represented by SiO_0.5R^1(OR^2)(OR^3), a second unit represented by SiO_1.0R^4(OR^5) and a third unit represented by SiO_1.5R^6.例文帳に追加

現像ローラの表面層が、フッ化アルキル基及びオキシアルキレン基を含有するポリシロキサンを含有し、かつ、ＳｉＯ_0.5Ｒ^1（ＯＲ^2）（ＯＲ^3）で示される第１のユニット、ＳｉＯ_1.0Ｒ^4（ＯＲ^5）で示される第２のユニット及びＳｉＯ_1.5Ｒ^6で示される第３のユニットを有するポリシロキサンを含有する。 - 特許庁

A GaN-base semiconductor layer 12 forming a laser structure is made to grow on an n-type GaN substrate 11 including as main surfaces: first plane region 11a composed of a C surface; a second plane region 11b composed of a semipolar surface; and a third plane region 11c composed of a C surface.例文帳に追加

Ｃ面からなる第１の平面領域１１ａと半極性面からなる第２の平面領域１１ｂとＣ面からなる第３の平面領域１１ｃとを主面に有するｎ型ＧａＮ基板１１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層１２を成長させる。 - 特許庁

The manufacturing method of the absorptive article is a method of sticking the peeling sheet 7 to a nonwoven fabric sheet 3 of the absorptive main body 2 provided with the nonwoven fabric sheet 3 as the lowest layer on the lower surface of a liquid impermeable back sheet 6, and includes the following first - third processes.例文帳に追加

本発明の吸収性物品の製造方法は、液不透過性のバックシート６の下面に最下層として不織布シート３を具備する吸収性本体２の不織布シート３に、剥離シート７を貼り合わせる方法であって、次の第１〜第３工程を有する。 - 特許庁

The sheet pallet has a compound resin layer comprising the petroleum resource derived first thermoplastic resin (A), the vegetable resource derived second thermoplastic resin (B) and the third thermoplastic resin (C) compatible with or dispersible in either of the first and second thermoplastic resins.例文帳に追加

シートパレットは、石化資源由来の第１の熱可塑性樹脂（Ａ）と、植物由来の第２の熱可塑性樹脂（Ｂ）と、第１及び第２の熱可塑性樹脂の双方に対して相溶性または分散性を示す第３の熱可塑性樹脂（Ｃ）と、からなるコンパウンド樹脂層を有している。 - 特許庁

The third dielectric part is configured to have a refractive index in a refractive index range, where the transmittance of the light-transmissive information recording layer is decreased from the maximum transmittance by 1% or less, when the first dielectric part has a certain refractive index of 2.4 or higher.例文帳に追加

また第３誘電体部は、第１誘電体部が２．４以上の或る屈折率とされた場合において、当該半透過情報記録層の透過率がその最大透過率から透過率低下が１％以内の範囲となる屈折率範囲の屈折率とされるようにする。 - 特許庁

The second semiconductor layers and the third semiconductor layers are arranged in a dotted manner when viewed from a direction perpendicular to a principal surface of the first semiconductor layer, and a periodic structure of an outermost periphery of the periodic array structure is different from periodic structures of the periodic array structure other than the outermost periphery.例文帳に追加

第１半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、第２半導体層と、第３半導体層と、はそれぞれドット状に配置され、周期的配列構造の最外周の周期構造は、最外周以外の周期的配列構造の周期構造と異なる。 - 特許庁

The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.例文帳に追加

第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁

The method is for manufacturing a plasma display member comprising a first dielectric layer to cover an electrode pattern, a second dielectric layer to cover the first dielectric layer, and a third dielectric layer to cover the second dielectric layer.例文帳に追加

電極パターンを覆う第一の誘電体層、該第一の誘電体層を覆う第二の誘電体層、および該第二の誘電体層を覆う第三の誘電体層を有するプラズマディスプレイ用部材の製造方法であって、軟化点がＴｓ１（℃）である第一の誘電体前駆体層、該第一の誘電体前駆体層を覆い、軟化点がＴｓ２（℃）であるガラス粉末を全無機成分中８５体積％以上含む第二の誘電体前駆体層、および該第二の誘電体前駆体層を覆い、有機成分と無機成分からなり、軟化点がＴｓ３（℃）であるガラス粉末を全無機成分中８５体積％以上含む第三の誘電体前駆体層を形成した後、該三層の誘電体前駆体層を同時焼成する。 - 特許庁