「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

A light emitting element includes: an anode 71 as one example of a first electrode, a cathode 73 as one example of a second electrode paired with the anode 71, a third electrode 79 not contributing to the light emission of a light emitting layer 72, and the light emitting layer 72 disposed between the anode 71 and the cathode 73.例文帳に追加

第１電極の一例としての陽極７１と、陽極７１と対をなす第２電極の一例としての陰極７３と、発光層７２の発光には寄与しない第３電極７９と、陽極７１と陰極７３との間に配置された発光層７２と、を備える。 - 特許庁

As a result, even when the alignment layer 16 is formed by using an oblique vapor deposition method in a state in which a level difference section 17 is arranged on the third interlayer insulating film 43, the alignment layer 16 is formed over the entire level difference section 17 and a pixel electrode 9a, without unevenness.例文帳に追加

この結果、第３層間絶縁膜４３上に段差部１７を設けた状態で斜方蒸着法を用いて配向膜１６を形成した場合でも、段差部１７及び画素電極９ａ上全体にムラなく配向膜１６が形成されていることになる。 - 特許庁

A variable resistance memory bit part 1 composed of a first electrode section 12, a second electrode section 13, a variable resistance layer 14 and a third electrode section 15 is three-dimensionally constituted on a conductor 10, an insulator 20 and an insulating layer 11, and a conductor 16 is disposed at the upper part.例文帳に追加

導電体１０、絶縁体２０、および絶縁層１１の上に、第１電極部１２、第２電極部１３、抵抗変化層１４、第３電極部１５で構成される抵抗変化型のメモリビット部１が立体的に構成され、上部に導電体１６が配置される。 - 特許庁

The electrode wirings 4 of the second layer consisting of an ITO (Indium Tin Oxide) film and the electrode wirings 5 of the third layer consisting of a tantalum thin film are formed on the gate insulating film 3 by being laminated so that the maximum width of a plurality of electrode wiring parts which have respectively widths of W1, W2, W3 becomes ≤300 μm.例文帳に追加

Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の幅を持った複数の電極配線部分の最大幅が３００μｍ以下になるように、ゲート絶縁膜３上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜から成る第２層の電極配線４、およびタンタル薄膜から成る第３層の電極配線５を積層形成する。 - 特許庁

The lamp body 30 has, on an outer edge of itself, a connection part 40 rotatably connected to the rotating body 20, and can be rotated with respect to the rotating body 20 being the second layer by rotation and by using the connection part 40 as a rotating axis by including the stratified form using the lamp body being itself as a third layer.例文帳に追加

灯体３０は、自己の外縁に回転体２０に対して回動可能に接続する接続部４０し、回動により第２層である回転体２０に対して自己である灯体を第３層とする層状態を含め、接続部４０を回動軸として回動可能である。 - 特許庁

The upper magnetic pole layer comprises a first portion 15a, located in the area which includes the area which faces the thin film coils 12, 18, a second portion 15b which forms the magnetic pole portion, and a third portion 15c for connecting the first portion 15a to the lower magnetic pole layer.例文帳に追加

上部磁極層は、薄膜コイル１２，１８に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分１５ａと、磁極部分を形成する第２の部分１５ｂと、第１の部分１５ａと下部磁極層とを接続するための第３の部分１５ｃとを有している。 - 特許庁

Titanium nitride film (third TiN film 13) is formed in a covering state of the sacrificial layer pattern made of the second HCD-SiN film 9, and the film is patterned, thereby forming an oscillating beam (structure pattern) 13a of which end is supported on the substrate surface across the sacrificial layer pattern.例文帳に追加

第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを覆う状態で窒化チタン膜（第３ＴｉＮ膜１３）を成膜し、これをパターニングすることによって犠牲層パターンを跨いでその下地面上に端部が支持された振動ビーム（構造体パターン）１３ａを形成する。 - 特許庁

Further, the third crushed layer 1g and fourth crushed layer 1h nearby the reverse surface side of the semiconductor wafer 1W are formed only in an intersection region of dicing lines to prevent chipping while suppressing a decrease in flexural strength of the semiconductor chip.例文帳に追加

さらに、半導体ウエハ１Ｗの前記裏面側近傍の第３の破砕層１ｇ及び第４の破砕層１ｈをダイシングラインの交差領域のみに形成することにより、半導体チップの抗折強度の低下を抑制しつつ、チッピングの発生を防止することができる。 - 特許庁

An impedance matching layer 164, 168 are formed of a material having the same acoustic impedance to the first acoustic impedance, have a second or third thicknesses 192, 194, and are mounted on the upper side and bottom side 166, 170 of the poled piezoelectric material layer 154.例文帳に追加

インピーダンス整合層１６４、１６８は第１の音響インピーダンスと同様の音響インピーダンスを有する材料から形成され、第２または第３の厚さ１９２、１９４を有し、有ポール圧電材料層１５４の上部側及び底部側１６６、１７０に取り付けられる。 - 特許庁

An organic EL display device 1 includes a color filter 15 on a driving substrate 10 side, and includes a third electrode 14 in addition to a first electrode 17 and a second electrode 20 for supplying driving current to a display functional layer (organic EL layer 19).例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１は、駆動基板１０側にカラーフィルタ１５を有する構造において、表示機能層（有機ＥＬ層１９）へ駆動電流を供給するための第１電極１７および第２電極２０に加え、第３電極１４を設けた構造となっている。 - 特許庁

To enable a specific person who has been decided previously to unlock private information on the computer network of the Internet or the like, while reserving the safety that the third party can not unlock the information, and to stratify respective pieces of the information into layer depending on the level of its importance, so that the person can unlock in each layer.例文帳に追加

インターネット等のコンピュータネットワーク上の非公開の情報を予め決められた特定の人には解錠でき、第三者には解錠できない安全性を有するとともに、その情報の重要度により階層に分け、これらの階層毎に、解錠できるようにする。 - 特許庁

A first sub input open stab 13 and a first sub output open stab 16 are disposed proximately within a second conductor layer while confronting side surfaces, and a second sub input open stab 14 and a second sub output open stab 17 are disposed proximately within a third conductor layer while confronting side surfaces.例文帳に追加

第２導体層に側面を対向させて近接配置された第１サブ入力オープンスタブ１３及び第１サブ出力オープンスタブ１６を配置し、第３導体層に側面を対向させて近接配置された第２サブ入力オープンスタブ１４及び第２サブ出力オープンスタブ１７を配置した。 - 特許庁

Or, the core body is extruded from the first extrusion molding machine to be molded by a first mold die to be allowed to run through a second mold die and the intermediate adhesive layer comprising a soft synthetic resin from a second extrusion molding machine and the protective coating layer from a third extrusion molding machine are successively fused and laminated to the core body in the second mold die.例文帳に追加

また、芯体を第１押出し成形機より第１金型ダイスで成形し、その後第２金型ダイス内を走行中に中間接着層の軟質合成樹脂の第２押出し成形機と、第３押出し成形機の保護被膜層を順次融着積層した成形方法である。 - 特許庁

In the semiconductor device wherein a first layer wiring M1, a second wiring layer M2, and a third wiring M3 are situated under a plurality of electrode pads PD1-PDn arranged in the active region, the occupancy of each wiring in the region of the electrode pads PD is made uniform.例文帳に追加

半導体チップのアクティブ領域に配置された複数の電極パッドＰＤ１〜ＰＤｎ下の第１層配線Ｍ１、第２層配線Ｍ２および第３層配線Ｍ３の配線層毎に、電極パッドＰＤの領域内に配置される配線の占有率が均一になるようにした。 - 特許庁

To provide a method for forming the dielectric layer of a semiconductor memory device, which enhances the electrical characteristics of the semiconductor memory device by densifying the film when a dielectric layer having a laminate structure of first, second and third insulating layers is formed.例文帳に追加

第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜の積層構造を有する誘電体膜を形成するにあたり、膜質を緻密化させることにより、半導体メモリ素子の電気的特性を向上させることができる半導体メモリ素子の誘電体膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In a laminate 110 of this laminated inductor, a first layer of first ferrite sheets 115 having a high permeability, a second layer of second ferrite sheets 116 having permeability lower than that of the first ferrite sheets 115, and a non magnetic third sheet 117 interposed between the first and second layers are laminated integrally with each other.例文帳に追加

積層体１１０は、強透磁率の第１フェライトシート１１５と、該シート１１５より低い透磁率の第２フェライトシート１１６と、第１フェライトシート１１５と第２フェライトシート１１６の間に配置した非磁性の第３フェライトシート１１７とを一体に積層してなる。 - 特許庁

A first gas discharge groove portion 340 is formed on the exposed surface of the solder mask layer 330, does not extend through the solder mask layer 330, is connected to the first opening 331 and extends to sides 313, 314 of the surface 311, and does not couple together with the second opening 332 and the third opening 333.例文帳に追加

第一排気溝部３４０は、はんだマスク層３３０の露出表面に形成され、はんだマスク層３３０を貫通せず、第一開口３３１に接続して表面３１１の側辺３１３、３１４に伸び、第二開口３３２と第三開口３３３とに連結しない。 - 特許庁

Then, in the third process, the barrier rib forming material layer 120 is calcined with a pattern plate 15 pressed on the top portion of the patterned barrier rib forming material layer 120, thereby the barrier rib 110 is formed which has a top portion 110A of a shape corresponding to the contact face 15A.例文帳に追加

そして、第３工程において、パターニングされた隔壁形成材料層１２０の頂部に型板１５を押し当てた状態で隔壁形成材料層１２０を焼成することで、当接面１５Ａに対応する形状の頂部１１０Ａを備えた隔壁１１０を形成する。 - 特許庁

The upper-layer conductive layer 32 is connected to the connecting pad 6 for the other capacitor on the semiconductor substrate 4 via the third connecting wiring 28, a columnar electrode 21 formed on the top face of the connecting pad section of the second connecting wiring 16 and the second connecting wiring 16.例文帳に追加

そして、上層導電層３２は、第３の接続配線２８、第２の接続配線１６の接続パッド部上面に設けられた柱状電極２１および第２の接続配線１６を介して、半導体基板４上の他方のコンデンサ用接続パッド６に接続されている。 - 特許庁

Thereby, only the second relay layer 400 and the pixel electrode 9aa can be reliably electrically connected without being affected by formation accuracy of the contact hole 85 and patterning accuracy of the second relay layer 400 extended from the contact hole 85 along the surface of a third interlayer insulating film 43.例文帳に追加

これにより、コンタクトホール８５の形成精度及びコンタクトホール８５から第３層間絶縁膜４３の表面に沿って延びる第２中継層４００のパターニング精度等に影響されることなく、確実に第中継層４００及び画素電極９ａａのみを電気的に接続できる。 - 特許庁

The films 13 have a three-layered structure from the first layer 13a being in contact with the chip 10 to the third layer 13c situated outermost and exhibit good transmission characteristics in the state in which the films are sealed by a resin 200 and the state in which the films are not sealed by the same.例文帳に追加

光学多層膜１３は、半導体チップ１０に接する第１層１３ａから最外に位置する第３層１３ｃまでの３層構造を有しており、樹脂２００による封止された状態と封止されない状態とで良好な透過特性を発揮する。 - 特許庁

The solder plating ball comprises a ball-like core 10 made of a first metal material, at least one first plating layer 12 which is provided so as to surround the core and made of a second metal material, and at least one second plating layer 14 provided to surround the core and made of a third metal material.例文帳に追加

第１金属材料からなるボール状のコア１０と、コアを包囲するように設けられ、第２金属材料からなる少なくとも１つの第１めっき層１２と、コアを包囲するように設けられ、第３金属材料からなる少なくとも１つの第２めっき層１４とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, the gate electrode is formed using the first conductive layer, the gate wiring is formed using the first conductive layer and the second conductive layer, the source electrode is formed using the third conductive layer, and the source wiring is formed using the third conductive layer and the fourth conductive layer.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 - 特許庁

The negative electrode 2b is connected to a third conductive layer 9 through the intermediary of the conductive adhesive agent 8, and a current collector 9 is connected to a connection terminal 10, extending between the casing 1a and the lid 1b.例文帳に追加

負極２ｂは、導電性接着剤８を介して第３導電層９と接続されており、集電体９は、収容部１ａと蓋１ｂとの間に延伸して接続端子１０と接続している。 - 特許庁

The first internal electrode layer 20 has a first internal electrode 22 extending to be led out to the first and second side faces 4 and 6, and a second internal electrode 24 extending to be led out to the third side face 8.例文帳に追加

第１の内部電極層２０は、第１及び第２の側面４、６に引き出されるように伸びる第１の内部電極２２と、第３の側面８に引き出されるように伸びる第２の内部電極２４とを有する。 - 特許庁

The hard magnet layer is patterned to form a first pattern 43A covering the MR elements 42C, 42D and second and third patterns 43B, 43C holding the MR elements 42A, 42B therebetween in the in-plane direction.例文帳に追加

ハードマグネット層をパターニングし、ＭＲ素子４２Ｃ，４２Ｄを覆う第１のパターン４３Ａと、面内方向においてＭＲ素子４２Ａ，４２Ｂを挟むように第２および第３のパターン４３Ｂ，４３Ｃとを形成する。 - 特許庁

The bulk-heterojunction organic photoelectric conversion element is characterized in that an active layer is obtained by adding a third component to a system, i.e., a mixture of a polythiophene derivative and a C60 derivative.例文帳に追加

バルクへテロ型有機光電変換素子において活性層がポリチオフェン誘導体とC６０誘導体の混合物である系に第３の成分を加えてなることを特徴とするバルクへテロ型有機光電変換素子。 - 特許庁

The second lens group 120 includes a third lens element 121, a second transparent body 122, a second buffer layer 123, and a fourth lens element 124, which are arranged in order from the object side OBJS toward the image surface 140 side.例文帳に追加

第２レンズ群１２０は、物体側ＯＢＪＳから像面１４０側に向かって順番に配置された、第３レンズエレメント１２１と、第２透明体１２２と、第２バッファ層１２３と、第４レンズエレメント１２４と、を含む。 - 特許庁

In a third means, hardness of the DLC film is increased and wear resistance is improved by depositing the DLC film after forming an intermediate layer of Si which contains one element of Fe, Ni and Co on the ABS surface.例文帳に追加

第３の手段は前記ＡＢＳ面にＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ元素の一つを含むＳｉの中間層を形成し、その後ＤＬＣ膜を成膜することによりＤＬＣ膜の硬度が上がり耐摩耗性が改善される。 - 特許庁

A first target 2, a second target 3, a moderate layer 4, and a third target 5 are successively formed from the axial center part of a center axis of a cylindrical radioactive waste treating target 1 to the radial outside of the center axis.例文帳に追加

円柱形状の放射性廃棄物処理用ターゲット１の中心軸の軸心部から第一ターゲット２、第二ターゲット３、モデレート層４、及び第三ターゲット５を前記中心軸の径方向外側に順次形成する。 - 特許庁

In a process of forming a first conductive wiring layer 11A by etching the first thin conductive film 11, an etching depth can be controlled by stopping the etching with the third conductive film 13.例文帳に追加

第１の導電膜１１をエッチングすることにより第１の導電配線層１１Ａを形成する工程では、第３の導電膜１３でエッチングがストップすることにより、エッチングの深さを制御することができる。 - 特許庁

A first insulation film 105, a second insulation film 106 containing aluminum, a third insulation film 107 with a thickness larger than the first insulation film 105 are formed on a carrier supply layer 104.例文帳に追加

キャリア供給層１０４の上には第１の絶縁膜１０５と、アルミニウムを含む第２の絶縁膜１０６と、第１の絶縁膜１０５より膜厚が厚い第３の絶縁膜１０７とが形成されている。 - 特許庁

The second barrier metal film 41-2 has a minute layer 41-2a which is formed by irradiation of cluster ions on a surface on the side of the third barrier metal film 41-3 and has a higher density than the other portions.例文帳に追加

第２のバリアメタル膜４１−２は、第３のバリアメタル膜４１−３側の表面部分において、クラスタイオン照射によって形成された、その他の部分より高い密度の緻密層４１−２ａを有する。 - 特許庁

In transmitting and receiving third harmonic waves by using a three-layer piezoelectric body, three layers are laminated in a manner that directions of polarization are partially reversed without laminating three layers with aligned directions of polarization, and the electrode layering is devised.例文帳に追加

３層圧電体を用いて３次高調波を送受波するにあたって、その３層を分極方向を揃えて積層するのではなく、一部の向きを逆方向にするとともに、電極引回しを工夫する。 - 特許庁

When transceiving a third harmonic wave using the three-layer piezoelectric body, the three layers are not laminated arranging a polarization direction of the three layers in order, while letting a direction of a part be inverse direction, and electrode wiring is devised.例文帳に追加

３層圧電体を用いて３次高調波を送受波するにあたって、その３層を分極方向を揃えて積層するのではなく、一部の向きを反方向にするとともに、電極引回しを工夫する。 - 特許庁

A first etching stopper film 107, a first interlayer insulating film 106, a second etching stopper film 105, a second interlayer insulating film 104 and a third interlayer insulating film 103 are stacked on a lower wiring layer 108.例文帳に追加

下層配線層１０８上に第一エッチングストッパ膜１０７、第一層間絶縁膜１０６、第二エッチングストッパ膜１０５、第二層間絶縁膜１０４、および第三層間絶縁膜１０３を積層する。 - 特許庁

As required, hydrolysis treatment is applied, and then, a third frame 30 having a gas permeation layer 33 is arranged, and a belt-shape metal thin plate 40b same as the transfer base material 1 is continuously arranged on it.例文帳に追加

必要な場合に、加水分解処理を施した後、ガス透過層３３を備えた第３フレーム３０を配置し、その上に前記搬送基材１と同等の帯状の金属薄板４０ｂを連続的に配置する。 - 特許庁

A second medium 12 is formed on a first medium 11 where an IDT electrode 14 is formed, and a sacrificial layer 15 comprising the same material as a third medium 13 is formed on the second medium 12 further.例文帳に追加

ＩＤＴ電極１４が形成されている第１の媒質１１の上に、第２の媒質１２を形成し、さらに、第２の媒質１２の上に、第３の媒質１３と同じ材料からなる犠牲層１５を形成する。 - 特許庁

On the third insulating layer 43, at a position over the wiring pattern for writing W1, a wiring pattern for writing W2 is formed, and at a position over the wiring pattern for reading R1, a wiring pattern for reading R2 is formed.例文帳に追加

第３の絶縁層４３上には、書込用配線パターンＷ１の上方位置に書込用配線パターンＷ２が形成され、読込用配線パターンＲ１の上方位置に読込用配線パターンＲ２が形成される。 - 特許庁

The friction material is an iron-based material and the third layer 13 as a reinforcing plate is of an iron-based material, thus eliminating plating required when joining heterogeneous metals such as copper with iron.例文帳に追加

また、摩擦材が鉄系材料であり、且つ補強板となる第３層１３が鉄系材料であるので、銅と鉄のような異種の金属を接合する際に必要とされるメッキ処理を省略することができる。 - 特許庁

The second and third hard layers are made of carbon-doped silicon oxide made from a source gas and an oxidation-reduction gas, while controlling the carbon content in the second hard layer as a function of the flow rate of the oxidation-reduction gas.例文帳に追加

第２及び第３ハード層は、酸化還元ガスの流量の関数として第２ハード層中の炭素含有率を制御しながら、ソースガス及び酸化還元ガスから形成された炭素ドープ酸化シリコンから成る。 - 特許庁

A part of the wiring metal layer outside the plurality of groove portions is removed to form first and second inter-interconnect regions IW1 and IW2 and first to third interconnects WR1 to WR3.例文帳に追加

配線金属層のうち複数の溝部の外側の部分を除去することによって、第１および第２の配線間領域ＩＷ１，ＩＷ２と第１〜第３の配線ＷＲ１〜ＷＲ３とが形成される。 - 特許庁

The second internal electrode layer 26 includes: a third internal electrode 28 extended while being extracted to first and second sides 4, 6; and a fourth internal electrode 30 extended while being extracted to a fourth side 10.例文帳に追加

第２の内部電極層２６は、第１及び第２の側面４、６に引き出されるように伸びる第３の内部電極２８と、第４の側面１０に引き出されるように伸びる第４の内部電極３０とを有する。 - 特許庁

Additionally, the first electrode layer is connected to the third one by a connection hole 311, and the drain electrode of the switch TFT is directly connected to the MIS type PD lower electrode 303, thus achieving the low-resistance contact.例文帳に追加

また、第１の電極層と第３の電極層を接続孔３１１で接続し、スイッチＴＦＴのドレイン電極とＭＩＳ型ＰＤ下部電極３０３とを直接接続することで、低抵抗のコンタクトを実現する。 - 特許庁

The first internal electrode layer 20 includes: a first internal electrode 22 extended while being extracted to first and second sides 4, 6; and a second internal electrode 24 extended while being extracted to a third side 8.例文帳に追加

第１の内部電極層２０は、第１及び第２の側面４、６に引き出されるように伸びる第１の内部電極２２と、第３の側面８に引き出されるように伸びる第２の内部電極２４とを有する。 - 特許庁