「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

The sintered friction member 10 containing iron or its alloy as a main component comprises: a first layer 11 formed by sintering material powder superior in friction characteristics; a second layer 12 formed by sintering material powder superior in adhesive characteristics, and a third layer 13 formed by sintering material powder superior in reinforcing characteristics.例文帳に追加

鉄又は鉄合金を主成分とした焼結摩擦部材１０，１０は、摩擦特性に優れた材料粉末が焼結されてなる第１層１１と、接着特性に優れた材料粉末が焼結されてなる第２層１２と、補強特性に優れた材料粉末が焼結されてなる第３層１３とを含む。 - 特許庁

In the photosensor, a first double-gate photosensor PSA becoming a light receiving part of the uppermost layer, a second double-gate photosensor PSB becoming a light receiver of an intermediate layer, and a third double-gate photosensor PSC becoming a light receiving part of the lowermost layer, are laminated and formed on one face side of a transparent insulating substrate SUB.例文帳に追加

フォトセンサは、透明な絶縁性基板ＳＵＢの一面側に、最上層の受光部となる第１のダブルゲート型フォトセンサＰＳＡと、中間層の受光部となる第２のダブルゲート型フォトセンサＰＳＢと、最下層の受光部となる第３のダブルゲート型フォトセンサＰＳＣと、が積層形成された構成を有している。 - 特許庁

The side of the transparent substrate of the light-emitting diode having a first side substantially vertical to the light-emitting surface of the light-emitting layer at the side near the light-emitting layer and a second side sloped to the light-emitting surface at the side distant from the light-emitting layer forms a third electrode on the backside of the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有している発光ダイオードに対し、第３の電極を透明基板裏面に形成する。 - 特許庁

The network connection method comprises: a first step for canceling the transmission of a position registration request for a layer 3 after establishing the connection of a layer 2; a second step for executing an authentication sequence according to an authentication information request from a base station and a third step for transmitting the position registration request of the layer after ending the authentication sequence.例文帳に追加

レイヤ２コネクションの確立後、レイヤ３について位置登録要求を送信しない第１のステップと、基地局からの認証情報要求に応じて、認証シーケンスを実行する第２のステップと、認証シーケンスの終了後、レイヤ３について位置登録要求を送信する第３のステップとを有する。 - 特許庁

On the substrate of a semiconductor memory device, there are formed in succession extendedly from its drain region to its source region a first polysilicon layer 61 containing crystal grains having a smallest average size, a second polysilicon layer 62 containing crystal grains having a large average size, and a third polysilicon layer 63 containing crystal grains having still larger average size.例文帳に追加

基板上に、ドレイン領域からソース領域に向かって、平均的なサイズが最も小さい結晶粒を含む第１ポリシリコン層６１と、平均的に大きな結晶粒を含む第２ポリシリコン層６２と、さらに平均的に大きな結晶粒を含む第３ポリシリコン層６３とを順に形成する。 - 特許庁

A source electrode 7 formed with a source pad 7A is formed on a gate insulating film 3, first-third contact holes 20, 30, 40 are appropriately formed on a passivation layer 9 which is formed on the source electrode 7 and on the gate insulating film 3, and a pixel electrode 6 is formed from a transparent electrode layer which is provided on the passivation layer 9.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３の上にソースパッド７Ａが形成されたソース電極７を形成し、ソース電極７の上に形成したパッシベーション層９とゲート絶縁膜３に第１〜第３コンタクトホール２０、３０、４０を適宜形成し、パッシベーション層９上に設けた透明電極層にて画素電極６を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal device is provided with a first substrate having a first surface, a second substrate having a second surface, a liquid crystal layer arranged between the first and second surfaces, a polarizing layer arranged between the first surface and the liquid crystal layer, and a light source for emitting light allowed to be made on a third surface of the first substrate.例文帳に追加

液晶装置は、第１面を有する第１基板と、第２面を有する第２基板と、第１面と第２面との間に配置される液晶層と、第１面と液晶層との間に配置される偏光層と、第１基板の第３面に入射させるための光を射出する光源とを備える。 - 特許庁

A first magnetic layer 101 for recording information, a second magnetic layer 102 for adjusting an exchange coupling force and a third magnetic layer 103 for moving a magnetic wall of a recording mark to reproduce the information are laminated on a transparent substrate at least and magnetic hyper resolution technology is used to improve a recording density in a line recording direction.例文帳に追加

透明基板上に、少なくとも情報を記録する第１の磁性層１０１、交換結合力調整用の第２の磁性層１０２、記録マークの磁壁を移動させて情報を再生するための第３の磁性層１０３を積層し、磁気超解像度技術を使うことにより、線記録方向の記録密度を上げる。 - 特許庁

The aluminum alloy clad material is provided with a first layer 1 consisting of Al-Si-base brazing filler metal and a second layer 2 of ≥50 μm in thickness consisting of an aluminum alloy containing ≥0.2 mass% Mg and is provided with a third layer 3 containing 0.2 to 3.5 mass% Mg.例文帳に追加

アルミニウム合金クラッド材において、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材からなる第１層１を設け、Ｍｇの含有量が０．２質量％以下のアルミニウム合金からなり厚さが５０μｍ以上である第２層２を設け、０．２乃至３．５質量％のＭｇを含有するアルミニウム合金からなる第３層３を設ける。 - 特許庁

The image display deice has stacking structure of a scanning line lower electrode GL-L embedded in a groove MZ formed by working the main surface of an insulating substrate SUB1 which is a first substrate, a first insulating layer INS1, a signal line electrode DL, a second insulating layer INS2, a third insulating layer INS3, and a scanning line upper electrode GL-H.例文帳に追加

第１の基板となる絶縁基板ＳＵＢ１の主面を加工した溝ＭＺに埋設した走査線下部電極ＧＬ−Ｌ、第１絶縁層ＩＮＳ１、信号線電極ＤＬ、第２の絶縁層ＩＮＳ２、第３の絶縁層ＩＮＳ３、および走査線上部電極ＧＬ−Ｈの積層構造とする。 - 特許庁

Besides, a first layer including control wiring of the switch element, a second layer including a main electrode of the switch element and a third layer including bias wiring of the photoelectric transducing element have multilayer structures in said order, and the third layer includes a signal line for transferring at least a signal from the photoelectric transducing element.例文帳に追加

光電変換素子とスイッチ素子とから構成される画素を有する光電変換装置であって、前記光電変換素子を構成する半導体層と、前記スイッチ素子を構成する半導体層が異なる層から形成され、前記スイッチ素子の制御配線を含む第１の層と、前記スイッチ素子の主電極を含む第２の層と、前記光電変換素子のバイアス配線を含む第３の層がこの順で多層構造を有しており、前記第３の層が少なくとも前記光電変換素子からの信号を転送する信号線を含んでいる。 - 特許庁

This transducer includes a first waveguide configured to focus an electromagnetic wave to a focal region, and a second waveguide defining an opening having an end positioned adjacent to the focal region, the second waveguide including a first metallic layer, and second and third layers positioned on opposite sides of the first metallic layer, wherein the first metallic layer has a first propagation constant larger than propagation constants of the second and third layers.例文帳に追加

装置は、電磁波を焦点領域に合焦させるように構成された第１の導波路と、前記焦点領域に隣接して配置された端部を有する開口部を画定する第２の導波路とを含み、前記第２の導波路は、第１の金属層と、前記金属層の両側に配置された第２および第３の層とを含み、前記第１の金属層は、前記第２および第３の層の伝搬定数より大きい第１の伝搬定数を有する。 - 特許庁

An interlayer dielectric film is formed thereon and the guard ring 3 is connected to a third Al wiring layer connected to a ground potential via a contact 1 formed in the interlayer dielectric film.例文帳に追加

これらの上に層間絶縁膜が形成され、この層間絶縁膜に形成されたコンタクト１を介してガードリング３は接地された第３のＡｌ配線層に接続されている。 - 特許庁

In the fourth step, a second bonding layer is arranged on a second functional region 102 on the first substrate, or a region, to which the second functional region is to be transferred, on a third substrate.例文帳に追加

第４工程では、第１の基板上の第２の機能性領域１０２又は第３の基板上の第２の機能性領域の移設予定領域に第２の接合層を設ける。 - 特許庁

The AlN composition y of the undoped Al_xGa_1-xN third barrier layer 5A is preferably in a range of 0.7≤y≤1, and its film thickness ranges from 0.3 to 5 nm.例文帳に追加

さらに、好ましくは、アンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ第三障壁層５ＡのＡｌＮ組成ｙは、０．７≦ｙ≦１の範囲であり、その膜厚は、０．３ｎｍから５ｎｍまでの範囲とする。 - 特許庁

A first mask 10' having a wiring groove pattern is formed by etching the first mask forming layer from the top of the third mask 12', and the connection hole 13 is dug to the middle of the etching blocking film 7.例文帳に追加

第３マスク12’上から第１マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第１マスク10'を形成し、エッチング阻止膜7の途中まで接続孔13を掘り下げる。 - 特許庁

A first impurity region 5, a second impurity region 6, a third impurity region 7, a fourth impurity region 8 and a fifth impurity region 9 are formed in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層には、第１不純物領域５、第２不純物領域６、第３不純物領域７、第４不純物領域８および第５不純物領域９が形成されている。 - 特許庁

A nose wire 20 with flexibility and shape retention is filled in a part to cover the nose between the second and third layer filter sheets of the covering part 8.例文帳に追加

覆い面部８の第２層濾紙シートと第３層濾紙シートとの間で鼻を覆う箇所に相当する箇所に可撓性および保形性を有するノーズワイヤ２０が埋め込まれる。 - 特許庁

In a scribe region 3, the cap metal layer 32 connected to the lower wire 25 is formed between the surface of the third interlayer insulating film 27 and the passivation film 33.例文帳に追加

一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

In transmitting and receiving third harmonic waves by using the three-layer piezoelectric body, the directions of polarization of three layers is partially arranged in a reverse opposite direction without laminating three layers with the aligned directions of polarization.例文帳に追加

３層圧電体を用いて３次高調波を送受波するにあたって、その３層を分極方向を揃えて積層するのではなく、一部の向きを逆方向にする。 - 特許庁

Third light p3 having an angle smaller than a predetermined angle with respect to the first boundary layer 11, of the totally reflected second light p2, is directly reflected on a reflection surface 2a of the collimator 2.例文帳に追加

全反射した第２の光ｐ２のうち、第１の境界層１１に対して所定の角度より小さい角度の第３の光ｐ３は、直接コリメータ２の反射面２ａで反射する。 - 特許庁

A second transparent conducting layer 258 is formed adjacent to the second optical sensor, and a second outside electrode 256 and a third pixel electrode 262 are electrically connected with the substrate 200.例文帳に追加

第２の透明導電層２５８が、第２の光センサに隣接して形成され第２の外側電極２５６及び第３のピクセル電極２６２を基板２００に電気的に接続する。 - 特許庁

The photoelectric conversion layer 4 is isolated to a first photoelectric conversion region 6, a second photoelectric conversion region 7, and a third photoelectric conversion region 8 via an element isolation region 5.例文帳に追加

光電変換層４は、素子分離領域５により、第１光電変換領域６、第２光電変換領域７および第３光電変換領域８に分離されている。 - 特許庁

After removing the photoresist layer 10, the silicon substrate 1 is thermally oxidized, and an SiO_2 film 8c that is thinner than the second gate insulating film 8b is formed at the third region R3.例文帳に追加

次に、ホトレジスト層１０を除去した後に、シリコン基板１を熱酸化し第３の領域Ｒ３に第２のゲート絶縁膜８ｂよりも薄いＳｉＯ２膜８ｃを形成する。 - 特許庁

The light-shielding layer has a thickness of 20 nm or more and 95.2 nm or less and has a third optical density that gives a sum of the first optical density and the second optical density of 3.0 or more.例文帳に追加

遮光層は２０ｎｍ以上９５．２ｎｍ以下の厚さを有し、第１の光学濃度及び第２の光学濃度との和が３．０以上である第３の光学濃度を有する。 - 特許庁

Then, a first groove 17A, a second groove 17B and a third groove 17C are formed on the midway in the direction of thickness of the N- type semiconductor layer 11 from the insulating film 13.例文帳に追加

その後、絶縁膜１３からＮ−型半導体層１１の厚さ方向の途中に至る複数の溝、即ち第１の溝１７Ａ、第２の溝１７Ｂ、第３の溝１７Ｃを形成する。 - 特許庁

The electrophoretic display device 1 includes a liquid layer dispersion medium 5 containing first particles A and second particles to be negatively charged, and third particles C to be positively charged.例文帳に追加

電気泳動表示装置１は、負に帯電する第１粒子Ａおよび第２粒子Ｂと、正に帯電する第３粒子Ｃとが含有した液層分散媒５を有している。 - 特許庁

The plus electrode layer 5 includes first to fourth plus split electrodes 51A to 54B, and a plus diagonal connection electrode 55A for connecting the first and third plus split electrodes 51A, 53A.例文帳に追加

プラス電極層５は、第１〜第４プラス分割電極５１Ａ〜５４Ｂと、第１及び第３プラス分割電極５１Ａ，５３Ａを接続するプラス対角接続電極５５Ａとを有する。 - 特許庁

A recess 9a present in tungsten 9 imbedded in a second via 8 results in a recess 10a in a third metal layer 10 formed on the second via 8.例文帳に追加

第２のビア８に埋め込まれたタングステン９には凹部９ａがあるので、このビア８上に形成された第３の金属層１０にはこの凹部９ａを反映して凹部１０ａが形成される。 - 特許庁

A barrier layer 80a to connect a TFT 30 and a pixel electrode 9a and to act as a third storage capacitor electrode of a storage capacitor 70 is formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板（１０）上に、ＴＦＴ（３０）と画素電極（９ａ）とを中継接続すると共に蓄積容量（７０）の第３蓄積容量電極となるバリア層（８０ａ）を形成する。 - 特許庁

When the AC voltage signal is applied between the second and third electrodes, an induced fluid flow is caused to form a reverse effect for peeling the boundary layer from the surface.例文帳に追加

第２および第３の電極にわたってＡＣ電圧信号が与えられると、表面から境界層流を剥離させる逆効果を形成する誘導流体流を引起す。 - 特許庁

A plurality of pieces of wiring 13, a columnar electrode 15, a sealing film 16 and a solder ball 17 are provided on a third upper layer insulating film 9 formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に設けられた第３の上層絶縁膜９上には複数の配線１３、柱状電極１５、封止膜１６および半田ボール１７が設けられている。 - 特許庁

In order to measure a characteristic of a layer filter having four terminals, arm-shaped first, second, third and fourth projecting parts 31, 32, 33, 34 are set to a printed circuit board 11.例文帳に追加

４個の端子を有する積層フィルタの特性を測定するためにプリント回路基板１１にアーム状の第１、第２、第３及び第４の突出部３１、３２、３３、３４を設ける。 - 特許庁

The top of the whole surface layer 18 has the arrangement of a first laminated body 12 for front part of the foot, a second laminated body 14 for a central part of the foot, and a third laminated body 16 for rear part of the foot.例文帳に追加

全面層１８上には、足の前部用の第１の積層体１２、足の中央部用の第２の積層体１４、足の後部用の第３の積層体１６が配置される。 - 特許庁

During an etching process when forming a contact hole CH on a third insulating film 513, a second insulating film 512 is so formed that the second insulating film 512 functions as an etching stopper layer.例文帳に追加

第３の絶縁膜５１３にコンタクトホールＣＨを形成する際のエッチング処理にて、第２の絶縁膜５１２が、エッチングストッパー層として機能するように、第２の絶縁膜５１２を形成する。 - 特許庁

The third layer of minute pebble grains or stone pieces is sprayed through mixing a clear type acrylic emulsion coating material with minute pebble grains and stone pieces so as to make the surface of a paint film rougher.例文帳に追加

第三層目の微小石粒・石片の層はクリアータイプのアクリル系エマルジョン塗料と微小石粒・石片とを混ぜて塗膜の表面をより粗くするように吹きつける。 - 特許庁

For example, the pattern layer PT is respectively applied to a visible portion 12a around a lock part 22 on the middle frame 12 and to first and third visible portions 14a_1 and 14a_3 on the front frame 14 as shown in a figure 2.例文帳に追加

例えば、図２の中枠１２では施錠部２２周辺の視認部位１２ａに、前枠１４では第１，第３視認部位１４ａ_1，１４ａ_3に夫々模様層ＰＴを施す。 - 特許庁

A surface layer 23a having a composition ratio of O not less than 5% that of Si are formed on the upper surface of the third insulating film 23B comparing to the bottom surface of the film 23B.例文帳に追加

第３の絶縁膜２３Ｂの上面には、第３の絶縁膜２３Ｂの底面と比べてＳｉに対するＯの組成比が５％以上高い表面層２３ａが形成されている - 特許庁

In the semiconductor memory device, an upper face of a third underlayer electrode layer 33c of the capacitor element CP is formed into a concavo-convex structure, and a capacitor insulating film 34c is formed into a three-dimensional structure.例文帳に追加

半導体記憶装置において、キャパシタ素子ＣＰの第３下層電極層３３ｃの上面を凹凸構造してキャパシタ絶縁膜３４ｃを立体的構造にする。 - 特許庁

A third colored layer 25c is stacked on a base portion 40 comprising first and second colored layers 25a and 25b, and a tapered portion 28a is provided which can suppress rolling of the spherical spacer 32.例文帳に追加

第１及び第２着色層２５a、２５bからなる下地部４０上に第３着色層２５cを積層し、球状スペーサ３２の転動を抑制可能なテーパ部２８aを設ける。 - 特許庁

The third ESD layer 112 is n-GaN, where a characteristic value to be defined by the product of the Si concentration (/cm^3) and the film thickness (nm) is 0.9×10^20 to 3.6×10^20 (nm/cm^3).例文帳に追加

第３ＥＳＤ層１１２は、Ｓｉ濃度（／ｃｍ^3 ）と膜厚（ｎｍ）の積で定義される特性値が０．９×１０^20〜３．６×１０^20（ｎｍ／ｃｍ^3 ）のｎ−ＧａＮである。 - 特許庁

First layers being gate electrode layers 21a, 21b, second layers being drain-to-drain connecting layers 31a, 31b and third layers being drain-to- gate connecting layers 41a, 41b form a conductive layer for flip flops.例文帳に追加

第１層であるゲート電極層２１ａ、２１ｂと、第２層であるドレイン−ドレイン接続層と、第３層であるドレイン−ゲート接続層と、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁

Further, a first and a second internal leads 12, 22 are juxtaposed on the third layer 3-3 of the insulating layers 3, and are connected to the coil bodies 10, 20 via through holes 37b, 37b.例文帳に追加

そして、第１及び第２内側引き出し部１２，２２を絶縁層３の第３層３−３に並設して、コイル本体１０，２０にスルーホール３７ｂ，３７ｂを介して接続した。 - 特許庁

In the fourth step, a second bonding layer is arranged on a second functional region 102 on the first substrate, or a region, to which the second functional region is to be transferred, on a third substrate.例文帳に追加

第４工程では、第１の基板上にある第２の機能性領域１０２又は第３の基板上の第２の機能性領域の移設予定領域に第２の接合層を設ける。 - 特許庁

Further, a third through hole 18 is provided with a hole internal member having a height at least equal to that of the second through hole 17, thereby preventing slurry from entering the substrate layer 14.例文帳に追加

さらに、第３貫通孔１８には、少なくとも前記第２貫通孔１７の高さの孔内部材が設けられているので、下地層１４にスラリが浸入することを防ぐことができる。 - 特許庁