「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

Second and third wiring layers 40 and 42 set to the ground potentials are provided which face each other through the bit lines of the first paired bit line BM/BM and the inter-layer insulating film 32, being the same layer as the second paired bit line BS/BS.例文帳に追加

第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳと同層で、第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭの各々のビット線と層間絶縁膜３２を介してそれぞれ対向し、互いにグランド電位に設定される第２，第３の配線層４０，４２を有する。 - 特許庁

A second element has: a second body region 31 which is formed in the element forming film adjacent to the first element; a second impurity diffusion layer 7; and a third impurity diffusion layer 9 which is formed in the element forming film and reaches the insulating film.例文帳に追加

第２の素子は、第１の素子に隣接し、素子形成膜に形成される第２のボディ領域３１と、第２の不純物拡散層７と、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達した第３の不純物拡散層９とを有する。 - 特許庁

The transfer method of functional region that selectively transfers a functional region 101 bonded and arranged on the release layer 115 of a first substrate 100 having the release layer 115 to a second substrate 200 includes first to third steps.例文帳に追加

分離層１１５を有する第１の基板１００の分離層１１５上に接合されて配されている機能性領域１０１を選択的に第２の基板２００に移設する機能性領域の移設方法は第１乃至第３の工程を含む。 - 特許庁

The first electrode is connected to the first hard magnetic layer, the second electrode is connected to the third hard magnetic layer, the central electrode is connected to the second hard magnetic electrode, and the first and second soft magnetic layers are formed into domain wall-holding parts each holding a domain wall.例文帳に追加

第１の硬質磁性層に第１電極を接続し、第３の硬質磁性層に第２電極を接続し、第２の硬質磁性層に中央電極を接続し、第１及び第２の軟質磁性層は磁壁を保持する磁壁保持部とする。 - 特許庁

Slow axes of the first and third phase difference layers are in parallel to the second direction, a slow axis of the second phase difference layer is vertical to the first absorption axis, and a slow axis of the fourth phase difference layer is vertical to the second absorption axis.例文帳に追加

第１、第３位相差層の遅相軸は、第２方向に対して平行であリ、第２位相差層の遅相軸は、第１吸収軸に対して垂直であリ、第４位相差層の遅相軸は、第２吸収軸に対して垂直である。 - 特許庁

The first conductive layer connects to the first and second high concentration diffusion regions, and a second conductive layer electrically contacts and connects to the third high concentration diffusion region.例文帳に追加

フィールド酸化層は、第一高濃度拡散区、第二高濃度拡散区と第三、第四高濃度拡散区を隔離し、第一導電層は、第一及び第二高濃度拡散区を連接し、第二導電層は、第三高濃度拡散区と接触して電気連接する。 - 特許庁

First through third main electrodes are provided on one major surface 10 of an annular varistor element 1, having a high resistance layer 1b comprising an oxide on the surface of a semiconductor layer 1a, and an annular auxiliary electrode 5 is provided on the other major surface 11.例文帳に追加

半導体層１ａの表面上に酸化物から成る高抵抗層１ｂを有するリング状バリスタ素体１の一方の主面１０の上に第１〜第３の主電極を設け、他方の主面１１にリング状の補助電極５を設ける。 - 特許庁

The plasmon antenna comprises a magnetic core for forming a first side face facing the main magnetic pole layer and a plasmon generating layer which converges toward a pointed end which covers the magnetic core and faces the optical waveguide and generates a second and a third side faces.例文帳に追加

プラズモンアンテナは、主磁極層と面する第１の側面を形成する磁性コアと、その磁性コアを覆い光導波路と対向する尖端部へ向かうように収束し第２および第３の側面を形成するプラズモン生成層とを含む。 - 特許庁

One wiring layer 22 as two terminal electrodes is formed close to a first side as a short side of the ceramic substrate 2 and the other wiring layer 22 is formed close to a third side as a short side opposed to the first side.例文帳に追加

二つの端子電極である一方の配線層２２は、セラミック基板２の短辺である第１辺に近接して形成されており、他方の配線層２２は、第１辺に対向する短辺である第３辺に近接して形成されている。 - 特許庁

A forth glass layer 34 is formed between a second talc 22 filled in a holder 20 and an inner circumferential face 19 of the holder 20, and a third glass layer 33 is also formed between the second talc 22 and an outer circumferential face 18 of a detection element 10.例文帳に追加

ホルダ２０内に充填される第２滑石２２と、ホルダ２０の内周面１９との間に第４ガラス層３４が形成され、第２滑石２２と検出素子１０の外周面１８との間にも第３ガラス層３３が形成される。 - 特許庁

The display panel includes a plurality of sun-pixels, each of which is provided with one of a first color layer of red, a second color layer of blue, and third and fourth color layers of two kinds of colors, arbitrarily selected from among hues ranging from blue to yellow.例文帳に追加

表示パネルには、複数のサブ画素が設けられ、赤系の第１着色層、青系の第２着色層、青から黄までの色相の中で任意に選択された第３及び第４の２種類の色の着色層のいずれかをサブ画素に備える。 - 特許庁

And, a direction formed by projecting a longitudinal direction of the third semiconductor region on a front face of a semiconductor layer of the first conductivity type has an angle of 90±30 degrees with respect to a direction from the front face of the semiconductor layer to a rear face thereof.例文帳に追加

ここで、第３の半導体領域の長手方向を第１導電型の半導体層の表面に投影した方向が、第１導電型の半導体層の表面から裏面に向かう方向に対し、９０±３０度の角度を有している。 - 特許庁

The arithmetic circuit 22 subtracts a K-fold magnified second detected signal and a L-fold magnified third detected signal from a first detected signal, using the constants K and L which are decided corresponding to the interlayer spacing between the reproducing information layer and the adjacent information layer.例文帳に追加

演算回路２２は、再生情報層と隣接情報層との層間隔に応じて決定される定数Ｋ及びＬを用い、第１の検出信号からＫ倍された第２の検出信号及びＬ倍された第３の検出信号を差し引く。 - 特許庁

A second substance is added to stabilize the film quality in the first light-emitting layer, and a third substance as a host material for diffusing the first substance as the emission center substance is contained in the second light-emitting layer.例文帳に追加

なお、第１の発光層には膜質を安定化させるために第２の物質が添加されており、また、第２の発光層には発光中心物質である第１の物質を分散させるためのホスト材料として第３の物質が含まれている。 - 特許庁

The lower magnetic pole layer 10 has a first layer 10a arranged in a position to face the thin-film coils 13 and 18, and second and third layers 10b and 10d arranged in positions closer to an air bearing surface 30 than the thin-film coils 13 and 18.例文帳に追加

下部磁極層１０は、薄膜コイル１３，１８に対向する位置に配置された第１の層１０ａと、薄膜コイル１３，１８よりもエアベアリング面３０に近い位置に配置された第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｄを有している。 - 特許庁

In the third process, the absorptive main body 2 and the peeling sheet are joined, the adhesive material 11 for oozing is oozed to the surface of the nonwoven fabric sheet 3 by pressurization, and the adhesive layer 11A and the tackiness layer 12A are joined with each other and fused.例文帳に追加

第３工程では吸収性本体２剥離シートを接合すると同時に滲出用接着剤１１を、加圧により不織布シート３の表面に滲出させて接着層１１Ａを粘着層１２Ａと互いに接合して融合させる。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device comprises: first, second and third power supply wirings (WP1, WP2, WP3) and a plurality of first signal wirings (WS1), which are formed on an upper layer of a semiconductor substrate; and at least one second signal wiring (WS2) formed on an upper layer on the first signal wirings (WS1).例文帳に追加

第１，第２，第３の電源配線(WP1,WP2,WP3)および複数の第１の信号配線(WS1)は、半導体基板の上層に形成され、少なくとも１つの第２の信号配線(WS2)は、複数の第１の信号配線(WS1)の上層に形成される。 - 特許庁

Then, after a silicon oxide film 108 is formed, a contact hole is formed to the PAD section 105 through the second conductive layer and silicon oxide film 108 on the PAD section 105, and a third conductive layer which becomes an aluminum wiring 110 is formed in the contact hole.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜１０８を形成した後に、 ＰＡＤ部１０５上の第二導電層とシリコン酸化膜１０８に、ＰＡＤ部１０５まで達するコンタクトホールを形成し、アルミ配線１１０となる第三導電層を形成する。 - 特許庁

A PN diode is therefore formed between the first layer and the third layer, and the PN diode has a lower breakdown voltage than the horizontal HEMT, so that the HEMT is protected from a high electric field and prevented from being degraded.例文帳に追加

このためＰＮダイオードが上記第１層および第３層の間で形成され、ＰＮダイオードは横型ＨＥＭＴより低いブレークダウン電圧を有することにより、ＨＥＭＴを高い電界から保護することができ、ＨＥＭＴの劣化を防止できる。 - 特許庁

The resin content per unit volume of the prepreg constituting either one of the second layer 2 and the third layer 3 is 25 %, and the synthetic resin content per unit volume of the prepregs forming the residual two layers is 20 %.例文帳に追加

第２層２又は第３層３の何れか一方の層を構成するプリプレグの単位体積当たりの合成樹脂の含有量が２５％であり、残りの２層を構成するプリプレグの単位体積当たりの合成樹脂の含有量が２０％である。 - 特許庁

In particular for improving a dispersion hindering ability for gasoline and the thermal stability, the third layer contains thermoplastic polyester substantially and the fourth layer contains thermoplastic ether-ester elastomer(TEEE) or thermoplastic polyester elastomer substantially.例文帳に追加

特にガソリンに対する拡散阻止能力とより高い熱的な安定性を改善するため、第三の層は本質的に熱可塑性ポリエステルを含み、第四の層は本質的に熱可塑性エーテルエステルエラストマー(TEEE)又は熱可塑性ポリエステルエラストマーを含んでいる。 - 特許庁

The first and the third layer 10a, 10c which are the same temperature sensitive magnetic material are designed to have the same thickness while the second layer 10b is designed to have the thickness to minimize thermal deformation due to difference in thermal expansion coefficient.例文帳に追加

同じ感温磁性材である第１の層１０ａおよび第３の層１０ｃとは、同じ厚さ寸法とし、それに対する第２の層１０ｂの厚さ寸法も、熱膨張率の違いに起因する熱変形を最小限とするべく設定する。 - 特許庁

Then, a second etching mask 19B is formed throughout the first semiconductor laminate 22 in the first region 3A and the optical waveguide layer 15 in the third region 3C, and the light waveguide layer 15A in the second region 3B is removed by using it.例文帳に追加

次に、第1の領域３Ａの第１半導体積層２２上及び第３の領域３Ｃの光導波層１５Ａ上にわたって第２エッチングマスク１９Ｂを形成し、これを用いて第２の領域３Ｂの光導波層１５Ａを除去する。 - 特許庁

A second electrode 5 and a third electrode 6 are provided confronting a first electrode 3 with a dielectric substance layer 4 interposed, and two feeding conditions are provided to be changed over, one to feed the first 3 and second electrodes 5 and the other to feed the first 3 and third electrodes 6.例文帳に追加

誘電体層４を間にして第一電極３と対向する第二電極５と第三電極６とを備え、第一電極３と第二電極５とに給電する給電条件と、第一電極３と第三電極６とに給電する給電条件とを変え得るように構成する。 - 特許庁

Furthermore, a third trench 115 is formed on the surface of the n-type layer 106 in a region not opposing the auxiliary electrode 109 with a depth reaching the p-electrode 103, and a p-pad electrode 114 is formed on the p-electrode 103 exposed on a bottom face of the third trench 115.例文帳に追加

また、ｎ型層１０６表面であって、補助電極１０９と対向しない領域に、ｐ電極１０３に達する深さの第３の溝１１５が形成され、第３の溝１１５底面に露出したｐ電極１０３上にｐパッド電極１１４が形成されている。 - 特許庁

On a third region R3 of the surface 301S1, a schottky gate electrode 304 having schottky contact with the third region R3 and having a thickness ≥5 μm is formed, and on the back face of the semi-insulating substrate 305, a metal layer 306 formed by a vapor deposition method or the like is arranged.例文帳に追加

表面３０１Ｓ１の第３領域Ｒ３上には、第３領域Ｒ３とのショットキー接触を有する厚み５μ以上のショットキーゲート電極３０４が形成され、半絶縁性基板３０５の裏面上には、蒸着法等によって形成された金属層３０６が配設される。 - 特許庁

The semiconductor device includes first wiring 211a formed on a semiconductor substrate; third wiring 231a formed at a layer higher than the first wiring 211a; and a first via 221a connecting the first wiring 211a to the third wiring 231a.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の上に形成された第１の配線２１１ａと、第１の配線２１１ａよりも上層に形成された第３の配線２３１ａと、第１の配線２１１ａと第３の配線２３１ａとを接続する第１のビア２２１ａとを備えている。 - 特許庁

First and second amorphous silicon layers 2 and 3 having different impurity concentrations are laminated, a third amorphous silicon layer 4 is formed on the side wall of the laminated structure, and an HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4, thus constituting the storage electrode 1.例文帳に追加

不純物濃度の異なる第１，第２のアモルファスシリコン層２，３が積層され、その積層構造の側壁に第３のアモルファスシリコン層４が形成され、第２，第３のアモルファスシリコン層３，４の表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて蓄積電極１が構成される。 - 特許庁

The thin air cell comprises an electricity generating element, having an air diffusing paper and a water repellent film, sealed with an outer package composed of a first and a third sheet layers covering the air pole side and the negative pole side and a second sheet layer which is located between the peripheral parts of the first and the third sheet layers, and jointed to both the sheet layers.例文帳に追加

空気拡散紙および撥水膜を有する発電要素を、その空気極側および負極側を覆う第一および第三のシート層、両シート層の周縁部間に位置し、両シート層に接合された第二シート層からなる外装体で密閉した薄型空気電池。 - 特許庁

In addition, contact uniformity in a surface direction of the p-type metal electrode p and the p-type gallium-nitride ohmic-contact layer are reinforced, thereby local light-emitting caused by unevenness of the second contact spreading metal layer in the third contact spreading metal layer is effectively prevented, and driving voltage is reduced, thereby making outer quantum efficiency improved.例文帳に追加

且つ、効果的に、ｐ型金属電極とｐ型窒化ガリウムオーム接触層の面方向の接触均一性を強化して、第二接触分布金属層の第三分布接触金属層中での分布が不均一のために生じる局部発光の現象を防止し、動作電圧を低下させて、外部量子効率を向上させる。 - 特許庁

A surface facing an electric discharge space of a second dielectric layer 3 which covers address electrodes 2 formed on a non-display substrate 1, is covered with a third dielectric layer 5, and electric discharge suppressors which are formed on positions facing the second dielectric layer 3 and between respective adjacent electric discharge cells 7 along the address electrodes 2.例文帳に追加

非表示面基板１に形成されるアドレス電極２を被覆する第二誘電体層３の放電空間と対向する面を第三誘電体層５で被覆し、アドレス電極２に沿った方向に隣り合う放電セル７の間で、かつ、第二誘電体層３と対向する位置に形成される放電抑止体を形成する。 - 特許庁

An angle between an absorption axis of the polarizer and a lag axis of the first optical compensating layer is 10° to 30°, an angle between the absorption axis of the polarizer and a lag axis of the second optical compensating layer is 70° to 95° and an angle between the absorption axis of the polarizer and a lag axis of the third optical compensating layer is 70° to 95°.例文帳に追加

偏光子の吸収軸と第１の光学補償層の遅相軸とのなす角度は１０°〜３０°であり、偏光子の吸収軸と第２の光学補償層の遅相軸とのなす角度は７０°〜９５°であり、偏光子の吸収軸と第３の光学補償層の遅相軸とのなす角度は７０°〜９５°である。 - 特許庁

The light emitting module is manufactured by laminating at least a solar cell part 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting part 2 consisting of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third substrate 21 sequentially.例文帳に追加

発光モジュールは少なくとも、太陽電池部１と、第１の接着層１６と、第２の透光性絶縁基板（透明ＰＥＴ）１７と、第２の金属層（回路パターン）１８と、発光素子（チップＬＥＤ）１９からなる発光部２と、第２の接着層２０と、第３の基板２１とが、順次積層されてなる。 - 特許庁

The coil device has a structure in which a first metal magnetic layer 161 of a relative permeability μ1 is formed between coil conductors in a spiral portion, a second metal magnetic layer 162 of a relative permeability μ2 is formed on an outer leg portion and an intermediate leg portion, and a third metal magnetic layer 163 of a relative permeability μ3 is formed above and below a conductor pattern 140.例文帳に追加

スパイラル部におけるコイル導体間に比透磁率μ１の第１金属磁性層１６１を形成し、外足部及び中足部に比透磁率μ２の第２金属磁性層１６２を形成し、導体パターン１４０の上下には比透磁率μ３の第３金属磁性層１６３を形成する。 - 特許庁

The light emitting module is laminated in an order of at least a solar cell 1, a first adhesive layer 16, a second translucent insulating substrate (transparent PET) 17, a second metal layer (circuit pattern) 18, a light emitting portion 2 made of a light emitting element (chip LED) 19, a second adhesive layer 20, and a third substrate 21.例文帳に追加

発光モジュールは少なくとも、太陽電池部１と、第１の接着層１６と、第２の透光性絶縁基板（透明ＰＥＴ）１７と、第２の金属層（回路パターン）１８と、発光素子（チップＬＥＤ）１９からなる発光部２と、第２の接着層２０と、第３の基板２１とが、順次積層されてなる。 - 特許庁

The sheet is obtained by laminating a first layer comprising a biodegradable filament nonwoven fabric, having weedkilling effect and formed with micropores for promoting germination, a second layer biodegradable and keeping plant seeds and a third layer comprising biodegradable web and having water retaining ability.例文帳に追加

生分解性を有する長繊維不織布にて構成されかつ防草効果を有するとともに発芽促進用の微小孔が形成された第１の層と、生分解性を有するとともに植物種子を保持した第２の層と、生分解性を有するウェブにて構成され保水性能を有する第３の層とが積層されている。 - 特許庁

This method of manufacturing the plastic material includes a first step of pretreating the surface of the plastic molded article, a second step of forming the first layer film of copper on the surface of the pretreated molded article by a vacuum film forming method, and a third step of forming the second layer film on the surface of the first layer film by the vacuum film forming method.例文帳に追加

また、本発明の製造方法は、プラスチック成形品の表面を前処理する第１工程、前処理済みの該成形品の表面に銅の第１層被膜を真空成膜法で形成する第２工程、および該第１層被膜の表面に上記第２層被膜を真空成膜法で形成する第３工程からなる。 - 特許庁

The method includes a first process for injecting N-type impurities in a dicing portion in a P-type semiconductor region, at the rear face of the semiconductor wafer; a second process for forming the first layer over the entire rear face of the semiconductor wafer; and a third process for forming the second layer, on the rear face of the first layer by a wet plating method.例文帳に追加

この方法は、半導体ウェハの裏面のＰ型の半導体領域のダイシング部に、Ｎ型の不純物を注入する第１工程と、半導体ウェハの裏面全体に第１層を形成する第２工程と、湿式めっき法によって第１層の裏面に第２層を形成する第３工程とを含んでいる。 - 特許庁

The method of manufacturing catalyst includes a first process of forming a coating layer made of an inorganic oxide coating catalyst precursor particles consisting of metal atoms (for example, Pt, Ru), a second process of burning the catalyst precursor particles with the coating layer formed, and a third process of removing the coating layer.例文帳に追加

触媒の製造方法は、金属原子（例えば、Ｐｔ、Ｒｕ）からなる触媒前駆体粒子を被覆する無機酸化物による被覆層を形成する第１工程と、被覆層が形成された触媒前駆体粒子を焼成処理する第２工程と、被覆層を除去する第３工程とを有する。 - 特許庁

As one embodiment of this invention, a first layer responding to operation input to a computing device and including a semitransparent surface, a second layer utilizing plural surfaces composed of semitransparent electrical conductive material, a third layer having luminous material generating light, in response to operation input which are built in, are provided.例文帳に追加

本発明の一実施例として計算装置に対する操作入力に応答し、半透明の表面を含む第１の層とさらに半透明の導電材料によって構成される複数の表面を利用する第２の層と操作入力に応答して光を生成する発光材料を組み込んだ第３の層をさらに備える。 - 特許庁

This gas sensor 1 is equipped with the cylindrical main metal fitting 2; the detection element 25 inserted into the main metal fitting 2 and fixed thereto; and the first sealing layer 51A, the second sealing layer 51B and the third sealing layer 51C filled between the main metal fitting 2 and the detection element 25, for sealing the interval.例文帳に追加

ガスセンサ１は、筒状の主体金具２と、主体金具２に挿入され固定された検出素子２５と、主体金具２と検出素子２５との隙間に充填され、これらの間を封止する第１充填封止層５１Ａ，第２充填封止層５１Ｂ，第３充填封止層５１Ｃとを備える。 - 特許庁

This negative electrode for the secondary battery having a multilayer structure contains a first negative electrode layer 2a whose main component is carbon; a second negative electrode layer 3a whose main component is a film-shaped material capable of transmitting a lithium component; and a third negative electrode layer 4a whose main component is lithium and/or a compound containing lithium.例文帳に追加

炭素を主成分とする第１負極層２ａと、リチウム成分を透過できる膜状材料を主成分とする第２負極層３ａと、リチウム、および／またはリチウムを含有する化合物を主成分とする第３負極層４ａとを含む多層構造を有する二次電池負極とする。 - 特許庁

The biaxially oriented laminated film is characterized in that it composed of at least two layers, where the layer composing at least one side surface layer is made of polyester having a limiting viscosity of not less than 0.65, and where the surface layer contains a third component except a main structural component within a range of 2.0-10.0 mol%.例文帳に追加

少なくとも２層からなる二軸配向積層フィルムであって、少なくとも一方の表層を構成する層が極限粘度０．６５以上のポリエステルからなり、当該表層が主たる構成成分以外の第三成分を２．０〜１０．０モル％の範囲で含有することを特徴とする二軸配向積層フィルム。 - 特許庁

The multilayer ceramic layer comprises first two ceramic layers 2, 3 into which the electronic component housing recess 7 is formed, a second ceramic layer 4 into which the side recesses 9 are formed, and a third ceramic layer 5 located between these layers, where neither the housing recess 7 nor the side recess 9 is formed.例文帳に追加

そして、多層のセラミック層は、電子部品収納用凹部７が形成された２層の第１セラミック層２，３と、側面凹部９が形成された１層の第２セラミック層４と、これらの間に位置し、電子部品収納用凹部７及び側面凹部９のいずれも形成されていない１層の第３セラミック層５とを備える。 - 特許庁

In a suspension substrate 1 with a circuit, a second base insulating layer 3, a first metal thin film 6, a metal foil 4, a second metal thin film 7, a first base insulating layer 5, a third metal thin film 9, a conductor pattern 8, a fourth metal thin film 10, and a cover insulating layer 11 are sequentially formed on a metal supporting substrate 2.例文帳に追加

回路付サスペンション基板１において、金属支持基板２の上に、第２ベース絶縁層３、第１金属薄膜６、金属箔４、第２金属薄膜７、第１ベース絶縁層５、第３金属薄膜９、導体パターン８、第４金属薄膜１０およびカバー絶縁層１１を順次形成する。 - 特許庁