「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

Between a semiconductor layer 10 where a channel is formed, and an electrode 30m that controls the channel, a first insulating film 21, second insulating film 22, and third insulating film 23 are provided in this order from the semiconductor layer 10 side.例文帳に追加

本デバイスは、チャネルが形成される半導体層１０と、チャネルを制御する電極３０ｍとの間に、半導体層１０側から順に、第１絶縁膜２１、第２絶縁膜２２および第３絶縁膜２３を有する。 - 特許庁

A storage circuit: (1) stores the first intermediate signal; and (2) transmits (a) a second intermediate signal having the plurality of coefficients of the target layer or (b) a third intermediate signal having the plurality of coefficients of the base layer.例文帳に追加

記憶回路は、（１）前記第１中間信号を格納し、（２）（ａ）前記ターゲットレイヤの前記複数の係数を備える第２中間信号、又は（ｂ）前記ベースレイヤの前記複数の係数を備える第３中間信号を送信する。 - 特許庁

To improve the adhesiveness of an air permeation suppressing film to a rubber member or a rubber layer to be laminated with, without the need of forming an additional adhesive layer or addition of a third ingredient deteriorating characteristics of the film to the film.例文帳に追加

別途接着層を設ける必要がなく、かつ特性を低下させる第３成分を空気透過抑制フィルムに添加しなくても、被貼り合わせ部材であるゴム部材やゴム層に対する接着性を改善できるようにする。 - 特許庁

The method comprises a step of disposing on the second wiring layer a plurality of spare wires along a first direction, and disposing on the third wiring layer a plurality of spare wires along a second direction orthogonal to the first direction.例文帳に追加

この方法は、前記第２配線層に、第１方向に沿って複数のスペア配線を配置し、前記第３配線層に、前記第１方向に直交する第２方向に沿って複数のスペア配線を配置する工程を備える。 - 特許庁

Furthermore, the average linear expansion coefficient (B) of a second insulator layer 23 in the substrate in-plane direction between 25°C and glass transition point is equal to the average linear expansion coefficient (C) of a third insulator layer 25 in the substrate in-plane direction between 25°C and glass transition point.例文帳に追加

また、第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しい。 - 特許庁

The optical disk recorder body 3 assigns, to operation of a shortcut key on the remote controller 4, operation for displaying a user-specified menu specified by the user among the plural second layer menus and the plural third layer menus.例文帳に追加

光ディスクレコーダ本体３は、リモコン４の短縮キーの操作に、複数の第２階層のメニュー及び複数の第３階層メニューのうち、ユーザの指定したメニューであるユーザ指定メニューを表示させるための操作を割当てる。 - 特許庁

First and second internal electrodes 21, 25 are arranged so that they oppose each other while sandwiching a dielectric layer 9, and third and fourth internal electrodes 31, 35 are arranged so that they oppose each other while sandwiching the dielectric layer 9.例文帳に追加

第１及び第２の内部電極２１，２５は誘電体層９を間に挟んで互いに対向するように位置し、第３及び第４の内部電極３１，３５は誘電体層９を間に挟んで互いに対向するように位置する。 - 特許庁

The light absorbing layer 3 and the cap layer 4 under the third region surrounding the second region are of the second conductivity, and the distribution of the impurity concentration in its thickness direction is roughly equal to that under the first region.例文帳に追加

第２の領域を取り囲む第３の領域の下方の光吸収層及びキャップ層が第２導電型とされ、その厚さ方向に関する不純物濃度分布が第１の領域の下方におけるそれとほぼ等しい。 - 特許庁

Twelve high-speed signal wires 301 and twelve ground wires 305 are alternately arranged in the first layer 361 and the remaining six high-speed signal wires 301 and the six ground wires 305 are alternately arranged in the third layer 363.例文帳に追加

第１層３６１には、１２本の高速信号線３０１と１２本のグラウンド線３０５とが交互に配置され、第３層３６３には、残りの６本の高速信号線３０１と６本のグラウンド線３０５とが交互に配置される。 - 特許庁

In a third process, an isolation groove 111 which penetrates the second substrate 100 and second isolation layer 115 from the surface of the second substrate 100 on the opposite side from the surface where the second isolation layer 115 is present is provided before or after the second process.例文帳に追加

第３の工程では、第２の工程の前或いは後に、第２の基板１００の第２の分離層１１５がある面の反対側の面から第２の基板１００と第２の分離層１１５を貫通する分離溝１１１を設ける。 - 特許庁

A light leakage modulator 8 on the rear side 34 of the light guide body is formed with a composite layer 80 having first and second refraction index regions 81, 82 with refraction indexes n1, n2 (ng>n1, n2>n1), and a third refraction index layer 83 with a refraction index n3 (n3>n1).例文帳に追加

導光体裏面３４上の漏光モジュレータ８は、屈折率ｎ１，ｎ２（ｎｇ＞ｎ１，ｎ２＞ｎ１）の第１及び第２の屈折率領域部８１，８２を有する複合層８０と、屈折率ｎ３（ｎ３＞ｎ１）の第３屈折率層８３とを備える。 - 特許庁

Iron ore and returns are used as a nuclear particle 1, and raw materials except limestone and coke are allowed to adhere as a second layer 2 to the surface of the nuclear particle, and further, limestone and coke are allowed to adhere as a third layer 3 to the outer side thereof, followed by pelletizing.例文帳に追加

鉄鉱石と返鉱を核粒子１とし、その表面に第二層２として石灰石とコークス以外の原料を付着させ、さらにその外側に第三層３として石灰石とコークスを付着させて造粒する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of conducting an ion implantation for an implanting layer (7-1) for controlling a threshold of a MOS transistor and an implanting layer (7-2) for controlling a second threshold, and forming a third Si oxide film 8 to become a gate oxide film of the transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの閾値制御用注入層（７−１）、第２の閾値制御用注入層（７−２）のためのイオン注入を行い、ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜となる第３のＳｉ酸化膜８を形成する。 - 特許庁

Also, the second insulating layer 8 has a second opening 8a for exposing the upper surface of the wiring 6 on the wiring 6, and a third metal layer 7 is formed in a region exposed from the second opening 8a in the wiring 6.例文帳に追加

また、第２の絶縁層８は配線６上に配線６上面を露出させる第２開口部８ａを有し、配線６のうち、第２開口部８ａから露出した領域上には第３の金属層７が形成されている。 - 特許庁

The sacrifice layer and the conductor layer 7, the first and second dielectric films 17 and 18, and the second and third conductors 24 and 25 are concurrently made from the same material and by the same process, respectively.例文帳に追加

犠牲層と導電体層７、第１の誘電体膜１７と第２の誘電体膜１８、第２の導電体２４と第３の導電体２５とは、それぞれ同じ材料および同じ工程により併行して設けられている。 - 特許庁

The laminated organic solar cell comprises a first photoelectrical conversion layer 2 provided between a first electrode 1 and a second electrode 3, and a second photoelectrical conversion layer 4 provided between the second electrode 3 and a third electrode 5.例文帳に追加

第１の電極１と第２の電極３の間に第１の光電変換層２を備えると共に、第２の電極３と第３の電極５の間に第２の光電変換層４を備えた積層型有機太陽電池に関する。 - 特許庁

Especially, the n-type impurity of the second nitride semiconductor 104 is Sn, while the third nitride semiconductor layer 015 has smaller Sn content than an n-type undoped layer or the second nitride semiconductor 104.例文帳に追加

特に、第２の窒化物半導体のｎ型不純物がＳｎであると共に第３の窒化物半導体がｎ型不純物無添加層若しくは第２の窒化物半導体よりもＳｎ含有量が少ないことの窒化物半導体素子である。 - 特許庁

To provide an embedded-ridge type semiconductor laser, whose operating voltage is low, and whose efficiency is high and is capable of suppressing high resistance of a third upper clad layer in the upper region of the edge face on a ridge, by including Al in a current block layer.例文帳に追加

電流ブロック層がＡｌを含むことに起因する、リッジ上端面の上部の領域における第３上部クラッド層の高抵抗化を抑制し、動作電圧が低く、高効率な埋込リッジ型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A first insulating film 102 as an inter-layer insulating film, a second insulating film 103 which is harder to be etched than a third insulating film, and a third insulating film 104 for forming a wiring groove are formed in order on a conductive body 101, and then a contact hole 105 reaching the surface of the conductive body through the first third insulating films is formed.例文帳に追加

導電体１０１上に層間絶縁膜として第１の絶縁膜１０２、第３の絶縁膜よりエッチングされにくい第２の絶縁膜１０３、配線溝を形成するための第３の絶縁膜１０４を順に成膜した後、これら第１〜第３の絶縁膜を貫通し導電体の表面に達するコンタクトホール１０５を形成する。 - 特許庁

In the porous resilient material layer 13 formed by mixing rubber chips, an urethane group binder, and hard aggregate as a third constituent material together and molding this mixture, a porosity is 10-50%, a mean grain diameter of the third constituent material is 0.01-0.5 mm, and a mixing ratio of the third constituent material to the whole aggregate is 10-90 wt.%.例文帳に追加

多孔質弾性材層１３は、ゴムチップに、ウレタン系等のバインダー及び硬質骨材である第３成分材料を混合し成形して形成され、空隙率が１０〜５０％であり、第３成分材料の平均粒径が０．０１〜０．５ｍｍであり、かつ第３成分材料の配合量が全骨材に対して１０〜９０重量％である。 - 特許庁

A sensor unit used in the pressure-detecting device is comprises a first electrode, a second electrode placed so as to overlap the first electrode, a third electrode placed so as to overlap the second electrode, a first dielectric layer placed between the first and the second electrode, and a second dielectric layer having different elastic modulus from the first dielectric layer, placed in between the second and the third electrode.例文帳に追加

圧力検出装置に用いられるセンサ部は、第１電極と、第１電極と重なるように設けられる第２電極と、第２電極と重なるように設けられる第３電極と、第１電極と第２電極との間に設けられる第１誘電体層と、第２電極と第３電極との間に設けられる、第１誘電体層とは弾性率の異なる第２誘電体層とからなる。 - 特許庁

The index guide type heterostructure nitride laser structure 100 has a first waveguide layer, a second waveguide layer, a multiple quantum well structure 145 interposed between the first and second waveguide layers, a ridge structure 111 having first, second and third faces, and a buried layer 155 existing on the first, second and third faces of the ridge structure 111.例文帳に追加

インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造１００は、第１導波層及び第２導波層並びに前記第１導波層と前記第２導波層との間に配置される多重量子井戸構造１４５を有し、第１、第２及び第３の面を有するリッジ構造１１１と、前記リッジ構造１１１の前記第１、第２及び第３の面の上に存在する埋め込み層１５５とを有する。 - 特許庁

A first layer is composed of a propylene_α-olefin random copolymer and a propylene homopolymer by a metallocene catalyst, a second layer is composed of a specific ethylene_α-olefin-based polymer and high density polyethylene, a third layer is composed of a specific propylene_α-olefin random copolymer, and a fusion peak temperature and fusion viscosity of each layer is controlled to predetermined values.例文帳に追加

第１層が、メタロセン触媒によるプロピレン・α−オレフィンランダム共重合体とプロピレン単独重合体、第２層が特定のエチレン・α−オレフィン系重合体と高密度ポリエチレン、第３層が特定のプロピレン・α−オレフィンランダム共重合体の組成であり、各層の融解ピーク温度と溶融粘度を所定の値に制御する。 - 特許庁

The process for manufacturing a concrete having a fiber-reinforced layer comprises (1) a first process of forming a freshly mixed concrete layer in a container having a bottom, (2) a second process of spraying a fiber material on the freshly mixed concrete layer to form the fiber-reinforced layer, and (3) a third process of aging and hardening the freshly mixed concrete.例文帳に追加

繊維補強層を有するコンクリートを製造する方法であって、（１）底部を有する容器に生コンクリート層を形成する第１工程、（２）前記生コンクリート層上に繊維質物質を散布し、繊維補強層を形成する第２工程、（３）生コンクリートを養生硬化する第３工程、を含む繊維補強層を有するコンクリートの製造方法に係る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the TFT array substrate provided with at least a first conductive film, an insulation layer, a semiconductor layer, a second conductive film and a third conductive film (or a reflector film) on an insulation substrate, the second conductive film, the semiconductor layer and the insulation layer are patterned with one photoengraving step and the second conductive film is over-etched.例文帳に追加

絶縁性基板上に少なくとも第１の導電膜、絶縁膜、半導体層、第２の導電膜および第３の導電膜（または反射膜）を有するＴＦＴアレイ基板の製造方法において、第２の導電膜、半導体層および絶縁膜を１回の写真製版工程でパターニングするとともに、第２の導電膜をオーバーエッチする。 - 特許庁

A quickly soluble sugar coated tablet comprises a first layer composed of a polymer soluble in water and an organic solvent and sucrose, a second layer composed of a polymer soluble in water and an organic solvent and sucrose, a third layer composed of sucrose and a fourth layer composed of a polymer and sucrose on an uncoated tablet and contains ≥50 wt% of sodium valproate.例文帳に追加

素錠の上に水および有機溶媒に可溶な高分子とショ糖からなる第一層、水および有機溶媒に可溶な高分子とショ糖からなる第二層、ショ糖からなる第三層および高分子とショ糖ほかからなる第四層で構成され、バルプロ酸ナトリウムを５０重量％以上を含有する速溶性糖衣錠。 - 特許庁

The cloth for camouflaging far infrared rays is constituted by laminating a metal thin film layer, a colorant-containing resin layer and a water repelling resin layer at least on one side of cloth in this order and characterized in that the water repellency measured based on a JIS L1092-19986.2 method of the surface of the water repelling resin layer is a third class or above.例文帳に追加

本発明の遠赤外線偽装布帛は、布帛の少なくとも片面に、金属薄膜層、着色剤含有樹脂層および撥水樹脂層をこの順に積層せしめ、前記撥水樹脂層表面のＪＩＳ Ｌ１０９２−１９９８６．２法に基づいて測定される撥水性が３級以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In a third mode, a silicon-on insulator radiation detector has a silicon layer formed on the insulating substrate, the silicon layer has the PNPN structure and a gate layer formed thereon, the gate layer has a PN gate, and latch-up occurs only in response to incident radiation in the radiation detector.例文帳に追加

第３の態様は、絶縁基板上に形成されたシリコン層を備えており、このシリコン層が、ＰＮＰＮ構造とＰＮＰＮ構造の上に形成されたゲート層とを備え、このゲート層がＰＮゲートを備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、シリコン・オン・インシュレータ放射線検出器である。 - 特許庁

The semiconductor device has a first conductive layer; a second conductive layer; an insulating layer formed between the first and second conductive layers and having a connection hole; and a third conductive layer connected to the first and second conductive layers, and having at least one part of an end formed in the inside of the connection hole.例文帳に追加

第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

This ceramics composite 10a has a double structure in which a mixed layer 103 is located in the interior of a reinforcing layer 105 in the ceramics composite 10a having the mixed layer 103 containing hydroxyapatite and a second ceramics material different from the hydroxyapatite and the reinforcing layer 105 composed of a third ceramics material different from the hydroxyapatite.例文帳に追加

ハイドロキシアパタイトとハイドロキシアパタイトと異なる第２のセラミックス材料とを含む混合層１０３と、ハイドロキシアパタイトと異なる第３のセラミックス材料からなる強化層１０５とを有するセラミックス複合体１０ａにおいて、複合体１０ａは強化層１０５の内部に混合層１０３が位置する２重構造を有するものとする。 - 特許庁

The above method comprises a first step to form a diffusion layer on a crystalline silicon substrate whose conductivity type is opposite to that of the diffusion layer, a second step to remove a part of the diffusion layer by etching using sodium silicate (Na_2SiO_3), and a third step to form a first electrode electrically connected to the diffusion layer and a second electrode electrically connected to the substrate.例文帳に追加

結晶系シリコン基板に逆導電型層となる拡散層を形成するステップと、この拡散層の一部を珪酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）でエッチング除去するステップと、この拡散層と電気的に接続する第１の電極及び前記基板と電気的に接続する第２の電極を形成するステップとを備える。 - 特許庁

The photodiode 10 includes a silicon film 11 provided with a first conductivity type first semiconductor region (a p-layer 6), an intrinsic semiconductor region (an i-layer 7), a first conductivity type second semiconductor region (a p-layer 8), and a second conductivity type third semiconductor region (an n-layer 9) in which the conductivity type is a reverse of the first conductivity type.例文帳に追加

フォトダイオード１０は、第１導電型の第１の半導体領域（ｐ層６）と、真性半導体領域（ｉ層７）と、第１導電型の第２の半導体領域（ｐ層８）と、導電型が第１導電型の逆となった第２導電型の第３の半導体領域（ｎ層９）とが設けられたシリコン膜１１を備えている。 - 特許庁

The third wiring layer includes a fifth wiring 17a located in the upper part of the first element region 1a, and a sixth wiring 17b located in the upper part of the second element region 1b and electrically connected to the third wiring 11b via the conductive pattern 14b for connection.例文帳に追加

第３配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第５配線１７ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて接続用導電パターン１４ｂを介して第３配線１１ｂに電気的に接続する第６配線１７ｂを具備する。 - 特許庁

To enhance environmental durability of a composite optical element including a third optical element composed of a resin layer between a first optical element and a second optical element and a shading member for suppressing generation of flare generated at an end of the third optical element.例文帳に追加

第１の光学要素と第２の光学要素の間に樹脂層からなる第３光学要素を備え、かつ、第３の光学素子の端部において発生するフレアの発生を抑える遮光部材を備えた複合光学素子の環境耐久性を高める。 - 特許庁

A light-emitting device WM according to one embodiment comprises a light transmission layer 1 containing a first and a second region and a third region interposed between the two regions and a light-emitting part 2 overlapping the second region or the second and the third regions.例文帳に追加

一実施形態に係る発光装置ＷＭは、第１及び第２領域とそれらの間に介在した第３領域とを含んだ光透過層１と、前記第２領域と又は前記第２及び第３領域と重なり合った発光部２とを具備する。 - 特許庁

A second variable resistance layer 15 is disposed between the second electrode 13 and a third electrode 16, and a second conductive filament having a growth rate different from that of the first conductive filament can grow up based on metal being supplied from the third electrode 16.例文帳に追加

第２可変抵抗層１５は、第２電極１３と第３電極１６との間に配置され、第３電極１６から供給される金属に基づいて、第１導電性フィラメントと成長速度の異なる第２導電性フィラメントが成長可能である。 - 特許庁

An upper groove 110 is formed by etching and removing only a third insulation film 108 among a cap layer 104 deposited on a lower interconnection 101, a first insulation film 105, an intermediate stopper film 10, a second insulation film 107 and the third insulation film.例文帳に追加

下層配線１０１上に積層されたキャップ層１０４、第１の絶縁膜１０５、中間ストッパ膜１０６、第２の絶縁膜１０７及び第３の絶縁膜１０８のうち、第３の絶縁膜１０８のみをエッチング除去して上溝１１０を形成する。 - 特許庁

This semiconductor photodiode device includes a semiconductor substrate, the first conductive type first semiconductor layer formed on the semiconductor substrate, the second semiconductor layer of high resistance formed on the first semiconductor layer, the first conductive type third semiconductor layer formed on the second semiconductor layer, and the second conductive type fourth semiconductor layer embedded in the second semiconductor layer, and the fourth semiconductor layer is separated by a fixed distance along a horizontal direction on a surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、該半導体基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層上に形成された高抵抗の第２の半導体層と、該第２の半導体層上に形成された第１導電型の第３の半導体層と、前記第２の半導体層中に埋め込まれた第２導電型の第４の半導体層からなり、前記第４の半導体層は、前記半導体基板の表面に水平方向に一定間隔で分離されていることを特徴とする半導体受光装置。 - 特許庁

The sintering degree of a second material which is a security layer material is set lower than the sintering degree of a third material which is an internal electrode material, the sintering degree of each of the second material and the third material, and/or a sintering degree of a surface between the second material and the third material, and a sintering degree of a first material which is a piezoelectric ceramic layer material.例文帳に追加

前記課題は、セキュリティ層材料である第２の材料の焼結度を、内部電極材料である第３の材料の焼結度と、該第２の材料および第３の材料それぞれにおける焼結を示す焼結度および／または該第２の材料と第３の材料との間の表面における焼結を示す焼結度と、圧電セラミック層材料である第１の材料の焼結度より低くすることによって解決される。 - 特許庁

The first semiconductor region 233 contains a first conductivity type impurity, the second semiconductor region 234 and the third semiconductor layer 238 contain a second conductivity type impurity, the second semiconductor layer 236 contains a third conductivity type impurity different from the second conductivity type impurity, the second and third semiconductor layers 236, 238 are formed by selective growth, and the second semiconductor region 234 is aligned with the second contact hole 242.例文帳に追加

第１半導体領域２３３は、第１導電型不純物を含有し、第２半導体領域２３６および第３半導体層２３８は、第２導電型不純物を含有し、第２半導体層２３６は、第２導電型不純物とは異なる第３導電型不純物を含有し、第２および第３半導体層２３６、２３８は、選択成長により形成され、第２半導体領域２３４は第２コンタクトホール２４２に整合している。 - 特許庁

The end of the first insulating layer 1 projects further than the end of the second insulating layer 2 and the end of the third insulating layer 3 in the plan view so that the conductor layers 4 are exposed outside the second insulating layer 2 and the third insulating layer 3 at the end of the first insulating layer 1, respectively.例文帳に追加

第１の絶縁層１と、第１の絶縁層１の一方主面及び他方主面で且つ、平面視で第１の絶縁層１の端部に位置する領域にそれぞれ被着される一対の導体層４と、第１の絶縁層１の一方主面及び他方主面にそれぞれ積層される第２の絶縁層２及び第３の絶縁層３とからなり、導体層４が、第１の絶縁層１の端部において第２の絶縁層２及び第３の絶縁層３からそれぞれ露出するように、第１の絶縁層１の端部が、第２の絶縁層２の端部および第３の絶縁層３の端部よりも平面視で突出している。 - 特許庁

A crystal silicon thin film semiconductor device is characterized by the fact that a first polycrystalline silicon layer 3, which is, at least, partially turned porous, is provided on a substrate 1, and a PN junction is formed in the first polycrystalline silicon layer 3 or between a second polycrystalline silicon layer 4B which is provided coming into contact with the first polycrystalline silicon layer 3 and a third polycrystalline silicon layer 5.例文帳に追加

基板１の上に、少なくとも一部が多孔質化された第１の多結晶シリコン層３を有するとともに、前記第１の多結晶シリコン層３の中で、または前記多結晶シリコン層３に接して設けられた第２の多結晶シリコン層４Ｂおよび第３の多結晶シリコン層５の間に、ＰＮ接合が形成されていることを特徴とする結晶シリコン薄膜半導体装置を提供する。 - 特許庁

A conductive layer is formed by obliquely depositing third conductive material on the second electrode layer so that the first electrode layer or auxiliary electrode layer formed on one region, out of the regions, in which electricity is generated by light, and the second electrode layer formed in other one region, in which the electricity is generated by light, are electrically connected inside the trenches.例文帳に追加

さらに前記領域のうち光によって電気が生成される一つの領域に形成された前記第１電極層または、前記補助電極層と、光によって電気が生成される他の一つの領域に形成された前記第２電極層が前記トレンチ内部で電気的に連結されるように第３導電性物質を前記第２電極層上に斜めに蒸着して導電層を形成する。 - 特許庁

A photodetector includes a first light-blocking layer, a second light-blocking layer, a first photodiode over the first light-blocking layer, a second photodiode over the second light-blocking layer, a first color filter covering the first photodiode, a second color filter covering the second photodiode, and a third light-blocking layer formed of the first color filter and the second color filter and disposed between the first photodiode and the second photodiode.例文帳に追加

透光性基板上の第１の遮光層と、第２の遮光層と、第１の遮光層上の第１のフォトダイオードと、第２の遮光層上の第２のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードを覆う第１のカラーフィルターと、第２のフォトダイオードを覆う第２のカラーフィルターと、を有し、第１のフォトダイオードと第２のフォトダイオードとの間には、第１のカラーフィルター及び第２のカラーフィルターからなる第３の遮光層を有する。 - 特許庁

The semiconductor device at least includes a first semiconductor layer 101 of a first conductivity type made of a group III-V nitride semiconductor, a second semiconductor layer 102 formed on the first semiconductor layer 101 and made of an undoped group III-V nitride semiconductor, and a third semiconductor layer 103 formed on the second semiconductor layer 102 and made of the group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体から成る第１導電型の第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１の上に形成されたアンドープのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体から成る第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体から成る第２導電型の第３半導体層１０３とを少なくとも備える。 - 特許庁