「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce visibility of non-light-emitting ranges between organic layers arranged in parallel with a substrate in an organic electroluminescent (EL) device having the first organic layer 2, the second organic layer 3, and the third organic layer 5 which respectively emit light of different colors.例文帳に追加

互いに異なる色を発光する第１の有機層２と第２の有機層３と第３の有機層５を有する有機ＥＬ装置において、基板に対して並置される有機層間の非発光領域を視認されることを軽減することを目的とする。 - 特許庁

The second layer 8 has a thickness of 1.0-10 μm and a porocity of 10-70%, so that effect of delaying thermal conduction is surely achieved, and satisfactory electrical conduction is ensured between the first layer 7 and the third layer 9.例文帳に追加

また、第２層８は、１．０〜１０μｍの厚みおよび１０〜７０％の気孔率を有するようにされ、それによって、熱伝導を遅らせる効果が確実に達成され、かつ第１層７と第３層９との間での良好な電気的導通を確保する。 - 特許庁

The first and second diodes share a first diffusion layer connected to the ground potential line, and the third and fourth diodes share a second diffusion layer which is connected to the power supply voltage line and has a different conductivity property from the first diffusion layer.例文帳に追加

第１および第２のダイオードは、接地電位線に接続された第１の拡散層を共有し、第３および第４のダイオードは、電源電圧線に接続された、第１の拡散層とは異種の導電性の第２の拡散層を共有している構成である。 - 特許庁

To enhance efficiency by absorbing the light penetrating a multiple quantum well layer again by a third semiconductor layer, and to enhance energy efficiency by decreasing the number of layers in the multiple quantum well layer thereby suppressing recombination on the interface.例文帳に追加

多重量子井戸層を透過した光を再度第３の半導体層により吸収させて効率を向上させ、かつ、多重量子井戸層における層数を減らすことを可能にすることで界面における再結合を抑制し、エネルギー変換効率を向上させる。 - 特許庁

In a multilayer substrate 101, a dielectric containing Teflon (registered trademark) is stuck onto a first layer substrate 101a, a dielectric made of glass and epoxy is stuck onto a second layer substrate 101b and a third layer substrate 101c, and a through hole for function module mounting is provided.例文帳に追加

多層基板１０１は、第１層基板１０１ａにテフロン（登録商標）を含有する誘電体、第２層基板１０１ｂ及び第３層基板１０１ｃにガラス及びエポキシからなる誘電体を貼り合せ、機能モジュール搭載用の貫通穴が設けられている。 - 特許庁

The light guide plate 14 has a thickness of 0.5 to 4 mm, and a three-layered structure of a first layer 14e containing an optical path change element, a second layer 14f not containing the optical path change element and a third layer 14g not containing the optical path change element.例文帳に追加

導光板１４の厚さが０．５〜４ｍｍであり、導光板１４は、光路変更要素を含む第１の層１４ｅと、光路変更要素を含まない第２の層１４ｆと、光路変更要素を含まない第３の層１４ｇとの３層構造である。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes a buffer layer 102 formed of a first GaN-based semiconductor, a carrier travelling layer 103 formed of a second GaN-based semiconductor, a carrier supply layer 104 formed of a third GaN-based semiconductor, on a substrate 101.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、基板１０１上に形成された第１のＧａＮ系半導体からなるバッファ層１０２と、第２のＧａＮ系半導体からなるキャリア走行層１０３と、第３のＧａＮ系半導体からなるキャリア供給層１０４とを備えている。 - 特許庁

The tuning type optical all pass filter 20 is provided with a multilayered waveguide structure which is supported by a substrate 21 consisting of a first layer in which a waveguide optical ring resonator 23 is provided, a second layer as a spacer 24 and a third layer in which a curved waveguide 25 is provided.例文帳に追加

同調型光学オールパスフィルタ２０は、導波光学リング共振器２３を設けた第１層と、スペーサ２４としての第２層と、曲線導波管２６を設けた第３層からなる基板２１により支持される多層導波構造を備える。 - 特許庁

A source region of each MOSFET is electrically connected to a common pad 200 for the source through a contact plug 102a, a first wiring layer 100a, a via 112a, a second wiring layer 110a, a via 122a, and a third wiring layer 120a.例文帳に追加

各ＭＯＳＦＥＴのソース領域は、コンタクトプラグ１０２ａ、第１の配線層１００ａ、ビア１１２ａ、第２の配線層１１０ａ、ビア１２２ａおよび第３の配線層１２０ａを経由して共通のソース用パッド２００に電気的に接続されている。 - 特許庁

The wound dressing includes a first layer having hydrophobic property and having unevenness on a contact surface that faces the wound surface, a second layer including an absorptive material, and a third layer including a sheet impermeable to liquid.例文帳に追加

疎水性を有し、かつ、創傷面に対面する接触面に凹凸を有する第１層と、吸収性を有する材料を備えた第２層と、液体を透過させない性質を有するシートを備えた第３層とを含むことを特徴とする創傷被覆材。 - 特許庁

The second layer 12 is composed of Al_xGa_1-xN (0<x<1) having a composition x varying in the thickness direction such that the composition x of the surface touching the third layer 13 is higher than the composition x of the surface touching the first layer 11.例文帳に追加

第二層１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ<１）により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、第三層１３に接する表面の組成ｘが、第一層１１に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布を有している。 - 特許庁

In the third step, a first etching is made to the extent that the resin remains on the part of the second layer corresponding to the pattern and the rest part of the first layer is exposed and a second etching is made to the remaining resin and the exposed first layer.例文帳に追加

第３ステップでは、パターンに対応する部分の第２の層上に樹脂が残存し、かつ他の部分の第１の層が露出した状態となるまで第１のエッチングを行い、残存した樹脂と露出した第１の層に対して第２のエッチングを行う。 - 特許庁

(2) The phase transition optical recording medium has a lower interface layer consisting of the oxides of the one or more elements (precluding Zr) selected from the groups 2 to 14 of the third period to sixth period of periodic table between the lower protective layer and the recording layer.例文帳に追加

（２）下部保護層と記録層との間に、Ｚｒの酸化物と、周期律表の第３周期〜第６周期の２族〜１４族から選ばれる１種以上の元素（但し、Ｚｒは除く）の酸化物からなる下部界面層を有する（１）記載の光記録媒体。 - 特許庁

In the plastic container on the surface of which the thin films are formed, the plastic container is characterized by successively laminating a first layer with a high refractive index, a second layer with a low refractive index, and a third layer with a high refractive index on the surface of the plastic substrate.例文帳に追加

表面に薄膜が形成されたプラスチック容器において、プラスチック基材表面に高屈折率を有する第１層、低屈折率を有する第２層、高屈折率を有する第３層が順次積層されてなることを特徴とするプラスチック容器である。 - 特許庁

The first layer 13a and the third layer 13c are formed by using materials, for example, having the nature causing the stress of compression and the second layer 13b held therebetween is formed by using a material having the nature conversely causing the stress of tension.例文帳に追加

更に、第１層１３ａ及び第３層１３ｃは例えば性質が圧縮の応力を生じる材料を用いて形成し、これらに挟まれる第２層１３ｂは上記とは逆に性質が引張の応力を生じる材料を用いて形成する。 - 特許庁

A second GaN semiconductor layer 300 is formed on the upper surface of the step part 140, and at the same time, a third GaN semiconductor layer 400 is formed on the SiO2 film 6 due to the growth in the crosswise direction of the second GaN semiconductor layer 300.例文帳に追加

段差部４０の上面上に第２のＧａＮ系半導体層３００が形成されるとともに、第２のＧａＮ系半導体層３００の横方向の成長により、ＳｉＯ_2 膜６上に第３のＧａＮ系半導体層４００が形成される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device includes: a stacked layer structure 1s comprising a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 2, and a light-emitting layer 3 installed between the first and second semiconductor layers; a first electrode 7; a second electrode 4o; a third electrode 4s; and a fourth electrode 4p.例文帳に追加

第１半導体層１と、第２半導体層２と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層３と、を有する積層構造体１ｓと、第１電極７、第２電極４ｏ、第３電極４ｓ及び第４電極４ｐと、を備えた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The wavelength converting device 100 comprises a first layer 10 having a photonic band gap, a second layer 20 which has a photonic band gap partly overlapping with the photonic band gap of the first layer 10 and shifting to a lower-frequency (a long-wavelength side), and a third layer which is formed between them and can vary in effective refractive index with time.例文帳に追加

波長変換装置１００は、フォトニックバンドギャップを有する第１の層１０と、第１の層１０のフォトニックバンドギャップと一部重なり、低周波数（長波長）側にずれたフォトニックバンドギャップを有する第２の層２０と、それらの間に形成された、時間と共に実効屈折率を変化可能な第３の層とから成る。 - 特許庁

A power semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 1 of a first conductivity type; a second semiconductor layer 2 of the first conductivity type; a third semiconductor layer 3 of a second conductivity type; a fourth semiconductor layer 4 of the second conductivity type; a first main electrode 5; and a second main electrode 6.例文帳に追加

本発明の実施形態の電力用半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層１と、第１導電形の第２の半導体層２と、第２導電形の第３の半導体層３と、第２導電形の第４の半導体層４と、第１の主電極５と、第２の主電極６と、を備える。 - 特許庁

Each first conductor is connected to a data layer of a column of the first magnetoresistive elements, each second conductor is connected to a data layer of a column of the second magnetoresistive elements, and each third conductor is arranged between a reference layer of a row of the first magnetoresistive elements and a reference layer of a row of the second magnetoresistive elements.例文帳に追加

各第１の導体は第１の磁気抵抗素子の列のデータ層に接続され、各第２の導体は第２の磁気抵抗素子の列のデータ層に接続され、各第３の導体は第１の磁気抵抗素子の行の基準層と第２の磁気抵抗素子の行の基準層との間に配置される。 - 特許庁

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of about 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded onto the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12.例文帳に追加

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。 - 特許庁

The gas separation membrane, which separates at least one type of acidic gas from a gas mixture, includes: a porous first layer; a second layer which is a separation active layer containing a compound having its molecular weight and interacting with the acidic gas of not more than 15,000, and a third layer with high gas permeability.例文帳に追加

ガス混合物から少なくとも１種の酸性ガスを分離するためのガス分離膜であって、多孔質の第一層と、前記酸性ガスと相互作用し得る分子量が１５，０００以下の化合物を含有する分離活性層である第二層と、ガス透過性の高い第三層とを有するガス分離膜。 - 特許庁

The read sensor includes first and second Co-Fe buffer layers in the lower and upper portions of a keeper layer structure respectively, third and fourth Co-Fe buffer layers in the lower and upper portions of a reference layer structure, and a fifth Co-Fe buffer layer in the lower portion of a detection layer structure respectively.例文帳に追加

この読出しセンサは、それぞれキーパ層構造の下側部分と上側部分にある第１と第２のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、それぞれ基準層構造の下側部分と上側部分にある第３と第４のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、検知層構造の下側部分にある第５のＣｏ−Ｆｅバッファ層を含む。 - 特許庁

The sheet S for decorative molding is constituted by successively laminating a first layer 1 comprising a transparent thermoplastic resin, a second layer 2 comprising a polyolefinic resin and a third layer 3 coming into contact with the second layer and comprising a mixed resin of an acrylonitrile/butadiene/styrene copolymer resin (ABS resin) and a polyolefinic resin from a surface side.例文帳に追加

加飾成形用シートＳを、表側から順に、透明な熱可塑性樹脂からなる第一層１、ポリオレフィン系樹脂からなる第二層２、第二層に接して、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体樹脂（ＡＢＳ樹脂）とポリオレフィン系樹脂との混合樹脂からなる第三層３を積層した構成とする。 - 特許庁

A cover layer 20D of the diffraction element 20 is constituted of a cover lower layer 20Du made of a second UV cured resin 100B and joined to a diffraction pattern PTc for a CD and a cover upper layer 20Do made of a third UV cured resin 100C and joined to the cover lower layer 20Du.例文帳に追加

本発明の回折素子２０におけるカバー層２０Ｄは、第２のＵＶ硬化樹脂１００Ｂでなり、ＣＤ用回折パターンＰＴｃに接合されたカバー下層２０Ｄｕと、第３のＵＶ硬化樹脂１００Ｃでなり、当該カバー下層２０Ｄｕに接合されたカバー上層２０Ｄｏとによって構成されるようにする。 - 特許庁

The second switch SW2 includes a second diffusion layer region 14 of a second conductive n-type formed on the substrate 15, a third diffusion layer region 11a of the first conductive p-type surrounded by the second diffusion layer region 14, and a second MOS transistor 10a formed on the second diffusion layer region 11a.例文帳に追加

第２スイッチＳＷ２は、基板１５上に形成された第２導電型Ｎの第２拡散層領域１４と、第２拡散層領域１４に囲まれた第１導電型Ｐの第３拡散層領域１１ａと、第２拡散層領域１１ａ上に形成された第２ＭＯＳトランジスタ１０ａとを備える。 - 特許庁

The device has a configuration such that a ground line is formed for supplying the grounding voltage GND to a metal wiring layer 206 of a third layer (3M) of the upper layer of metal wiring layers 207, 208 so as to be electrically connected to the metal wiring layers 204, 209 of the second layer (2M), respectively via contact holes 215 and 216.例文帳に追加

金属配線層２０７，２０８の上層の第３層（３Ｍ）の金属配線層２０６に接地電圧ＧＮＤを供給する接地線を形成し、コンタクトホール２１５および２１６をそれぞれ介して第２層（２Ｍ）の金属配線層２０４，２０９と電気的に結合した構造となっている。 - 特許庁

Further, a handling wafer (510) is joined on the third layer, and the substrate is removed from a second surface facing a first surface, and the first layer (203) is partially made to be thin from the second surface, and as a result, after making the layer thin, the first layer (203) has a thickness smaller than the minimum thickness for the epitaxial growth.例文帳に追加

さらに、第３の層上にハンドリングウェーハ（５１０）が接合され、第１の面と対向する第２の面から基板が取り除かれ、第１の層（２０３）が、第２の面から部分的に薄層化され、その結果、薄層化の後に、第１の層（２０３）は、エピタキシャル成長のための最小厚さより少ない厚さを有する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element that has a current constriction structure, which is excellent in crystallinity of a regrowth layer (third layer) formed on a current constriction layer (second layer) and has excellent current stopping characteristics, and then has element characteristics and reliability improved, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

電流狭窄層（第２の層）上に形成される再成長層（第３の層）の結晶性が良好であるとともに、良好な電流阻止特性を有する電流狭窄構造を有し、これにより素子特性および信頼性が改善された窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A third repairing electric connection layer for a first source/drain electrode isolated from the first repairing electric connection layer by an insulation is provided, and a fourth repairing electric connection layer for a second source/drain electrode isolated from the second repairing electric connection layer is provided above the second laser repairing points is provided.例文帳に追加

第１レーザ修復点上方に絶縁層により第１修復用電気接続層から隔離される第１ソース／ドレイン電極の第３修復用電気接続層を、第２レーザ修復点上方に第２修復用電気接続層から隔離される第２ソース／ドレイン電極の第４修復用電気接続層を提供する。 - 特許庁

The third glass ceramic layer 14 is formed in a partial area including a formation area of the conductor pattern 13 between the first glass ceramic layer 11 and the second glass ceramic layer 12, and has a thermal expansion coefficient included in a range between the thermal expansion coefficient of the conductor pattern 13 and that of the second glass ceramic layer 12.例文帳に追加

第３ガラスセラミック層１４は、第１ガラスセラミック層１１と第２ガラスセラミック層１２との間において導体パターン１３の形成領域を含む部分的領域に形成されており、導体パターン１３の熱膨張率と第２ガラスセラミック層１２の熱膨張率との間の範囲に含まれる熱膨張率を有している。 - 特許庁

The light-emitting element part comprises a luminous layer 80 that emits light by electroluminescence, a first electrode 30 and a second electrode 50 for injecting charges into the luminous layer 80, and a third electrode 40 that is arranged for the luminous layer 80 through a first insulating layer 60a and functions as a mirror.例文帳に追加

発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための第１電極３０および第２電極５０と、発光層８０に対して第１絶縁層６０ａを介して配置され、かつミラーとして機能する第３電極４０と、を含む。 - 特許庁

In the field-effect transistor, the thin layer portion 6a of an AlGaN barrier layer 6 is formed on the V defect 13 of a second GaN layer 4 and the non-growth region G1 of a third GaN layer 5 continuous with the V defect 13, and thereby made thinner than a flat portion 6b without performing etching.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタは、ＡｌＧａＮ障壁層６の薄層部６ａは、第２のＧａＮ層４のＶ欠陥１３およびＶ欠陥１３に連なる第３のＧａＮ層５の非成長領域Ｇ１上に形成されているので、エッチングを行うことなく平坦部６ｂよりも薄くできる。 - 特許庁

A first diffusion layer 2 and a second diffusion layer 3 are formed on the main surface of a silicon substrate 1, while first insulation films 4, 4a, second insulation films 5, 5a and third insulation films 6, 6a are formed on the main surface of the silicon substrate 1 near the first diffusion layer 2 and the second diffusion layer 3 by partially laminating them.例文帳に追加

シリコン基板１の主面に第１拡散層２および第２拡散層３が形成され、第１拡散層２あるいは第２拡散層３の近傍のシリコン基板１主面に、第１絶縁膜４，４ａ、第２絶縁膜５，５ａ、第３絶縁膜６，６ａが積層し部分的に形成される。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board with a buildup structure and a method for manufacturing it by which connection between the first layer and the third layer and between the nth layer and the (n-1)th layer can be performed in high density and with a small number of steps and a structure of the multilayer wiring board which causes no blowing up of solder can be obtained.例文帳に追加

ビルドアップ構造の多層配線基板において、１層と３層、ｎ層と（ｎ−１）層間の接続を高密度に、かつ少ない工程数で行うことができると共に、半田のふき上がりが発生しない構造の多層配線基板を得ることができる多層配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Third antiferromagnetic layers 33 are formed on both the side end parts C of the free magnetic layer 28 through the non-magnetic layer 32, so that both the side end parts of the second antiferromagnetic layer 31 are charged with an antiferromagnetic property and the magnetization of both the side end parts C of the layer 28 is tightly fixed.例文帳に追加

前記フリー磁性層２８の両側端部Ｃ上には前記非磁性層３２を介して第３反強磁性層３３が形成されており、前記第２反強磁性層３１の両側端部Ｃは反強磁性の性質を帯びて前記フリー磁性層２８の両側端部Ｃの磁化は強固に固定される。 - 特許庁

The semiconductor element 1 has a first multilayered film structure 2, in which at least a first layer 4 and a second layer 5 are alternately laminated on the side of the Si substrate 1, and a second multilayer film structure 3, in which at least a third layer 6 and a fourth layer 7 are alternately laminated on the first multilayer film structure 2.例文帳に追加

この半導体素子１は、Ｓｉ基板１の側に、少なくとも第１の層４と第２の層５とを交互に積層した第１多層膜構造２と、第１多層膜構造２の上に、少なくとも第３の層６と第４の層７とを交互に積層した第２多層膜構造３と、を有している。 - 特許庁

A laminate 100 is obtained by laminating, in the following order, a first prepreg 201 including a first glass fiber base material layer 101, one or more layers of a second prepreg 202 including an organic fiber base material layer and not including a glass fiber base material layer, and a third prepreg 203 including a second glass fiber base material layer 102.例文帳に追加

第一ガラス繊維基材層１０１を含有する第一プリプレグ２０１と、有機繊維基材層を含みガラス繊維基材層を含まない１層以上の第二プリプレグ２０２と、第二ガラス繊維基材層１０２を含有する第三プリプレグ２０３と、をこの順に積層して得られる積層板１００である。 - 特許庁

The layer SP is formed by a first region 124A for exposing a red color filter layer 24R on the uppermost surface, and a second region 124B for exposing a green color filter layer 24G on the uppermost surface and the third region 124C for exposing a blue color filter layer 24B on the uppermost surface.例文帳に追加

この遮光層ＳＰは、赤色のカラーフィルタ層２４Ｒを最表面に露出する第１領域１２４Ａと、緑色のカラーフィルタ層２４Ｇを最表面に露出する第２領域１２４Ｂと、青色のカラーフィルタ層２４Ｂを最表面に露出する第３領域１２４Ｃと、によって形成されている。 - 特許庁

The third insulating film 14 is configured of an insulating film with a single layer containing oxygen or a laminate insulating film with a plurality of layers containing oxygen in the uppermost layer and lowermost layer, and the relative dielectric constants of the single layer insulating film and the laminate insulating films are set so as to be higher than the relative dielectric constant of the silicon oxide film.例文帳に追加

第３の絶縁膜１４は酸素を含む単層の絶縁膜あるいは最上層および最下層の各膜が酸素を含む複数層の積層絶縁膜からなり、かつ、前記単層絶縁膜および前記積層絶縁膜の比誘電率がシリコン酸化膜の比誘電率よりも大きい。 - 特許庁

The high reflective mirror is constituted by depositing a SiOx film 11 (first layer), UV shielding Al film 12 (second layer), metal oxide film 13 (third layer) and Ag film 14 as a reflection film (fourth layer) in this order on a substrate 10 and further forming a protective film or a reflection enhancing film 15, 16 thereon.例文帳に追加

基板１０上に、ＳｉＯｘ膜１１（第１層）、紫外線を遮蔽するＡｌ膜１２（第２層）、金属酸化膜１３（第３層）、反射膜としてのＡｇ膜１４（第４層）をこの順に積層し、さらにその上に保護膜ないし増反射層膜１５、１６を積層して高反射ミラーを構成する。 - 特許庁

An inclination of cords constituting the first layer 31 and the second layer 32, respectively, against the peripheral direction of a tread 22 is set in a range of an angle of 32 to 38°, and an inclination of cords constituting the third layer 33 and the fourth layer 34, respectively, against the peripheral direction of the tread 22 is set in a range of an angle of 18 to 30°.例文帳に追加

第１層３１及び第２層３２をそれぞれ構成するコードのトレッド２２の周方向に対する傾きが、３２〜３８°の角度の範囲とされ、第３層３３及び第４層３４をそれぞれ構成するコードのトレッド２２の周方向に対する傾きが、１８〜３０°の角度の範囲とされる。 - 特許庁

There is provided a granule having at least a three-layered layer structure including: a core particle; the ambroxol hydrochloride coating the core particle; a first layer containing a disintegrator and a binder; a second layer containing water-insoluble polymer and water-solubule polymer; and a third layer containing the ambroxol hydrochloride and the binder.例文帳に追加

少なくとも３層の層状構造を有する顆粒であって、核粒子、核粒子を被覆する塩酸アンブロキソール、崩壊剤および結合剤を含む第１の層、水不溶性高分子および水溶性高分子を含む第２の層、ならびに塩酸アンブロキソールおよび結合剤を含む第３の層を含んでなる顆粒。 - 特許庁

In the optical filter, a second layer which has a prescribed optical path length and has a function to attenuate light of a prescribed wavelength band and a third layer which protects and planarizes the second layer are provided on a first layer made of a transparent base material.例文帳に追加

具体的には、特に耐湿性能に優れた、樹脂層の吸湿によって生じる恐れのある光路長の部分的変化が防止され、光学特性の劣化の発生が有効に防止された、充分な信頼性を有する経済的な光学フィルタ、及びその製造方法、光量調節装置、及び撮影装置の提供。 - 特許庁

The film thicknesses from the first layer to the third layer counted from a substrate side of seven layers of antireflection films alternately laminated with SiO_2 layers and TiO_2 layers and the physical film thickness ratios of the SiO_2 layers and the TiO_2 layers are controlled and the optical thicknesses from the fourth layer up to the seventh layer are so controlled as not to be excessively increased.例文帳に追加

ＳｉＯ_2層とＴｉＯ_2層とを交互に積層させてなる７層の反射防止膜で、基板側から数えて１層目から３層目までの膜厚およびＳｉＯ_2層とＴｉＯ_2層の物理膜厚比を制御することと４層目から７層目までの光学膜厚を厚くなりすぎないように制御すること。 - 特許庁