「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The fourth layer 15 includes a third portion 15n located on the first portion 2 and a fourth portion 15p located on the second portion 16.例文帳に追加

第４の層１５は、第１の部分２の上に位置する第３の部分１５ｎと、第２の部分１６の上に位置する第４の部分１５ｐとを含む。 - 特許庁

A conductive thin film 9 electrically connected to the base layer metal thin film 13 and a third metal thin films 10 and 11 to be reflection electrodes are provided.例文帳に追加

下地金属薄膜１３と電気的に接続された導電性薄膜９と反射電極である第３の金属薄膜１０、１１とを備えている。 - 特許庁

A first layer of a third metal adherent to the second metal is pre-plated on the first surface in a thickness suitable for bonding wire attachment.例文帳に追加

上記第２の金属に付着された第３の金属の第１の層は、その第１の表面をワイヤーボンディング取付けするのに適する厚みにめっきされている。 - 特許庁

At least one of the teeth part 15 of the first electrode 16 is electrically connected to a third electrode wiring 12 formed in a second wiring layer.例文帳に追加

そして、第１の電極１６は、少なくとも１つの歯部１５が、第２の配線層に形成された第３の電極配線１２と電気的に接続されている。 - 特許庁

Next, an etch-back step of simultaneously etching the second and the third color layers 46 and 50 throughout till the first color layer 33 is exposed is performed.例文帳に追加

次に、第１の着色層３３が露呈するまで第２及び第３の着色層４６，５０を同時に全面エッチングするエッチバック工程を行う。 - 特許庁

In the third step, data lines 171, 173, 175, 179 including a source electrode 173 and a drain electrode 175 are formed on the ohmic contact layer.例文帳に追加

第３段階では、抵抗性接触層上にソース電極１７３及びドレーン電極１７５を含むデータ線１７１、１７３、１７５、１７９が形成される。 - 特許庁

After a part of the second translucent film 182 that is overlapped with the reflection patterns 7z and 9z for the monitor is removed, a third translucent layer 17 is formed.例文帳に追加

また、第２透光膜１８２のモニター用反射パターン７ｚ、９ｚに重なる部分を除去した後、第３透光膜１７を形成する。 - 特許庁

Finally, the photo-sensitive film 4 is removed, and the micro opening pattern in the substrate is formed between the lower layer 2 and the third film 5.例文帳に追加

最後に感光性膜４を選択除去することによって、下層２と第三の膜５の間に基板への微細な開口パターンを形成することができる。 - 特許庁

A second green sheet 10b composed of a third paint is formed in the surface of the first green sheet 10a in which the first electrode patten layer 12a is formed.例文帳に追加

第１電極パターン層１２ａが形成された第１グリーンシート１０ａの表面に第３塗料から成る第２グリーンシート１０ｂを形成する。 - 特許庁

The sticking surface of the substrate includes a first predetermined region coated with a coating layer and a third predetermined region including a part of the first predetermined region.例文帳に追加

基板の貼付面は、被覆層によって被覆された第一所定領域と、第一所定領域の一部を含む第三所定領域とを有している。 - 特許庁

A part S of the insulation layer 48 existing between the mutually adjacent transmission display areas T is formed with third film thickness thinner than the first film thickness.例文帳に追加

互いに隣り合う透過表示領域Ｔの間に在る絶縁層４８の一部分Ｓは、第１膜厚よりも薄い第３膜厚に形成される。 - 特許庁

A strip line conductor layer 2 is provided in a ceramic dielectric 1 having first and second main faces 6 and 7 and first, second, third and fourth side faces.例文帳に追加

第１及び第２の主面６、７と第１、第２、第３及び第４の側面とを有するセラミック誘電体１の中にストリップライン導体層２を設ける。 - 特許庁

In addition, trenches 16 are formed through the third and second semiconductor layers 15 and 14 to reach the first semiconductor layer 13.例文帳に追加

第３の半導体層１５及び第２の半導体層１４を貫いて第１の半導体層１３に達するようにトレンチ１６が設けられている。 - 特許庁

The dielectric layer is disposed between the auxiliary electrode and the reflection electrode and constructs a third capacitor unit along with the auxiliary electrode and the reflection electrode.例文帳に追加

誘電層は、補助電極と反射電極との間に設けられ、補助電極及び反射電極とともに第３のキャパシタ装置を構成する。 - 特許庁

The third step is executed with the above point-group analyzing program for calculating the profile of the reacting material layer from the above point-group data.例文帳に追加

前記第３ステップは、前記点群データから前記最上の反応物質層の外形を計算するため、前記点群解析プログラムにより実行される。 - 特許庁

The bottom pole layer 10 has first, second, third and fourth layers 10a, 10b, 10d and 10f and coupling layers 10c, 10e and 10g.例文帳に追加

下部磁極層１０は、第１の層１０ａ、第２の層１０ｂ、第３の層１０ｄ、第４の層１０ｆおよび連結層１０ｃ，１０ｅ，１０ｇを有している。 - 特許庁

The protruded striped part 20 is not extended in the end face neighborhood region 30A including the window structure 30, and a p-type third clad layer 17 is left behind.例文帳に追加

窓構造３０を含む端面近傍領域３０Ａでは突条部２０が延在しておらず、ｐ型第３クラッド層１７が残存している。 - 特許庁

The carrying amount C, D of Rh per unit specific surface area on third alumina and the Ce-Zr-Nd multicomponent oxide of the upper layer is determined such that the latter is grater in the amount.例文帳に追加

また、上層の第３アルミナ及びＣｅ・Ｚｒ・Ｎｄ複酸化物への単位比表面積当たりのＲｈの担持量Ｃ，Ｄは後者を多くする。 - 特許庁

The coefficient of linear thermal expansion of the second polyimide resin layer 122 is smaller than the coefficient of linear thermal expansion of the first to third polyimide resin layers 121, 123.例文帳に追加

第２のポイリミド樹脂層１２２の線熱膨張係数は、第１および第３のポイリミド樹脂層１２１，１２３の線熱膨張係数よりも小さい。 - 特許庁

A first insulating film 2, a second insulating film 3, a third insulating film 4, an anti-reflection film 5, and a resist film 6 are formed on lower layer wiring in order.例文帳に追加

下層配線１の上に第１の絶縁膜２、第２の絶縁膜３、第３の絶縁膜４、反射防止膜５およびレジスト膜６を順に形成する。 - 特許庁

An abrasive grain layer 24 is formed by providing a first, a second, a third ring-like abrasive grain layers 24A, 24B, 24C, at a surface 22A of a base 22.例文帳に追加

台金２２の一面２２ａにリング状の第一砥粒層２４Ａ，第二砥粒層２４Ｂ，第三砥粒層２４Ｃを設けて砥粒層２４を構成する。 - 特許庁

Next, an etch-back step 30 simultaneously etching the second and the third color layers 46 and 50 throughout till the first color layer 33 is exposed.例文帳に追加

次に、第１の着色層３３が露呈するまで第２及び第３の着色層４６，５０を同時に全面エッチングするエッチバック工程３０を行う。 - 特許庁

The inner end 101e of a winding region and the leading-out wiring layer 10A are electrically coupled by a third connection part 9A in a contact region.例文帳に追加

巻き線領域の内側終端部１０１ｅと、引出配線層１０Ａとは、コンタクト領域において、第３接続部９Ａにより電気的に連結されている。 - 特許庁

The thin film pattern 102-3 of the third layer is arranged at a position not to be laid on top of the stamp regions 105-1 and 105-2 of the first and second layers.例文帳に追加

３層目の薄膜パターン１０２−３は１層目および２層目のスタンプ領域１０５−１、１０５−２に重ならない位置に配置される。 - 特許庁

Therefore, voltage-current characteristics of a connection part between the gate electrode 11 and third semiconductor layer 5 have linearity and the controllability of light emission is improved.例文帳に追加

したがって、ゲート電極１１と第３半導体層５との接続部位における電圧−電流特性が線形性を有し、発光の制御性が向上する。 - 特許庁

Patterning is performed in a photo resist layer 59 formed on a color filter array 58 to remove a photo resist on boundaries from first to third colored layers 41, 54 and 57.例文帳に追加

カラーフィルタアレイ５８上に形成したフォトレジスト層５９にパターニングして第１〜第３の着色層４１，５４，４６の境界上のフォトレジストを取り除く。 - 特許庁

Third semiconductor layers 10 of a first conductive type contacting the gate insulating film 7 are selectively disposed on the surface of the second semiconductor layer 3.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜７と接した第１導電形の第３の半導体層１０が、前記第２半導体層３の表面に選択的に配置される。 - 特許庁

In a longitudinal transistor 10, the first and third epitaxial layers act as a source and a drain, and a second epitaxial layer acts as a channel.例文帳に追加

縦型トランジスタ１０において、第１及び第３のエピタキシャル層はソース及びドレインとして機能し、第２のエピタキシャル層はチャネルとして機能する。 - 特許庁

Then, second dry etching is carried out on the first insulating film 2 with the third insulating film 4 as a mask to form a wiring groove up to the lower layer wiring 1.例文帳に追加

その後、第３の絶縁膜４をマスクとして第１の絶縁膜２に第２のドライエッチングを行い、下層配線１に至る配線溝を形成する。 - 特許庁

The connection layer 12 includes a third heat-meltable material having a melting point lower than melting points of the first and the second heat-meltable materials.例文帳に追加

接続層１２は、第１および上記第２の熱融解可能材料の融点よりも低い融点をもつ第３の熱融解可能材料を含む。 - 特許庁

A third belt 36 advances at a second speed different from the first speed and selectively contacts with a rotatable part of the shell 52 at the upper layer of the label.例文帳に追加

第３のベルト３６が第１の速度と異なる第２の速度で進み、ラベルの上の層であるシェルの回転可能部分５２と選択的に接触する。 - 特許庁

A gate electrode 12 of a peripheral circuit transistor Q is formed of the laminated film of the second and the third layer electrode films L2, L3.例文帳に追加

周辺回路トランジスタＱのゲート電極１２は、第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３の積層膜により形成される。 - 特許庁

Also, a third internal electrode 23 and a fourth internal electrode 24 are disposed in the same layer and the other end faces of the internal electrodes face each other.例文帳に追加

また、第３の内部電極２３と第４の内部電極２４とは同一の層に配されており、これらの内部電極の他端面は互いに対向している。 - 特許庁

Thereafter, on the first diamond semiconductor region 1, a high concentration doped layer 7 (comprising the second and third diamond semiconductor regions) is formed by doping an impurity.例文帳に追加

その後、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、不純物がドープされた高濃度ドープ層７（第２及び第３のダイヤモンド半導体領域）を形成する。 - 特許庁

Only when the RF signal level after focus-in is not lower than the third threshold, tracking servo is performed, so that overrun of the tracking servo in an unrecorded layer is prevented.例文帳に追加

フォーカスイン後のＲＦ信号レベルがしきい値以上である場合のみトラッキングサーボを実行することで、未記録層でのトラッキングサーボの暴走を防止する。 - 特許庁

The second capacitor 13 is configured by alternately laminating third and fourth internal electrodes 25 and 27 through the dielectric layer 10.例文帳に追加

第２のコンデンサ部１３は、誘電体層１０を介して第３及び第４の内部電極２５、２７が交互に積層されることにより構成される。 - 特許庁

The manufacturing method still also includes a third process (step S140) of heating and pressing a laminate structure including the electrolyte membrane, the low-molecular-weight electrolyte layer and the above electrode.例文帳に追加

また、電解質膜と低分子量電解質層と前記電極とを含む積層構造を、加熱プレスする第３の工程（ステップＳ１４０）を備える。 - 特許庁

The barrier layer is formed of a third semiconductor or insulating material having a band gap larger that that of the first and second semiconductors.例文帳に追加

障壁層は、第１及び第２の半導体のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する第３の半導体もしくは絶縁材料で形成されている。 - 特許庁

On the surface of the substrate, there is formed a third semiconductor layer doped with the first dopant in a medium concentration and subjected to a small convex and concave processing.例文帳に追加

上記基板の表面上には、第１ドーパントで中濃度にドープされ、さらに微小凹凸加工されている第３半導体層を形成する。 - 特許庁

Third layer wiring 5c connected at its one end with a pad electrode 4a formed in a test chip 3 extends in the first scribed line 12a.例文帳に追加

テストチップ３内に形成されたパッド電極４ａにその一方端が接続された第３層配線５ｃが、第１のスクライブライン１２ａ内に延びている。 - 特許庁

The electron-emitting element includes a first cathode, a second cathode, a third cathode, an insulating layer, a gate electrode, and an electron-emitting material.例文帳に追加

本発明に係る電子放出素子は、第１のカソード電極、第２のカソード電極、第３のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。 - 特許庁

A third layer wire 17 and a bonding pad 71, both of which are made of aluminum alloys, are partially formed on a second interlayer insulating film 14.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４上には、いずれもアルミニウム合金から成る、第３層配線１７及びボンディングパッド７１が部分的に形成されている。 - 特許庁

The InP layer 11 has a small dielectric constant and reduces the electrostatic capacitance between the pad section 18-1 and a third electrode film 19.例文帳に追加

このｉ型ＩｎＰ層１１は，誘電率が小さく，パッド部１８−１と第３電極膜１９との間の静電容量の低減に寄与する。 - 特許庁

This device is attained by forming a sheet layer dropping stage H2 between the second carrying device 40 and the third carrying device 50.例文帳に追加

これは、第二搬送装置（４０）と第三搬送装置（５０）の間にはシ−ト層用の落下段（Ｈ２）が形成されていることによって達成される。 - 特許庁

The third is a countermeasure reflection route 6 which is one of characteristics of the system, fulfilling a role of relating the audit system 1 with the three-layer structure 7.例文帳に追加

３つ目は前記監査体制１と三層構造７を関連付けるパイプの役割を果し、本発明の特徴の一つといえる対策反映ルート６である。 - 特許庁