「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The nonwoven fabric laminate is equipped with a first layer comprising a nonwoven fabric 11 made of a thermoplastic resin, a second layer comprising a design film made of a thermoplastic resin, and the third layer comprising a nonwoven fabric 13 made of a thermoplastic resin.例文帳に追加

この不織布積層体１は、熱可塑性樹脂製の不織布１１よりなる第一層と、熱可塑性樹脂製の意匠性フィルム１２よりなる第二層と、熱可塑性樹脂製の不織布１３よりなる第三層とを備えている。 - 特許庁

The multilayer structure is formed by coextruding a multilayer laminate into a flexible non-oriented film, wherein the multilayer laminate has at least a first layer 11 of the polyester, a second layer 12 of an adhesive and a third layer 13 containing the nylon or a nylon blend.例文帳に追加

ポリエステルの第一層１１、接着剤の第二層１２とナイロンまたはナイロンブレンドを含む第三層１３を少なくとも有する多層積層体を同時押出し成形により軟質の未延伸フィルムに積層した多層構造体。 - 特許庁

In addition, a second wiring layer 40 and a third wiring layer 42, which are set to the ground potential, are provided, in the same layer as the second bit line pair BS, /BS, opposed with each other via each bit line and interlayer insulation film 32.例文帳に追加

第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳと同層で、第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭの各々のビット線と層間絶縁膜３２を介してそれぞれ対向し、互いにグランド電位に設定される第２，第３の配線層４０，４２を有する。 - 特許庁

The second absorption layer 23 has second high absorption polymer grains 42 whose water absorption time is shorter than that of first high absorption polymer grains 27 and whose water retension magnification is lower than that of the grains 27 which grains are included in the first absorption layer 21 and the third absorption layer 23.例文帳に追加

第２吸収層２３は、第１，第３吸収層２１，２３に含まれる第１高吸収性ポリマー粒子２７よりも吸水時間が短く、保水倍率の低い第２高吸収性ポリマー粒子４２が使用される。 - 特許庁

Similarly, a third alloy layer 3c, a fourth alloy layer 3d, and a fifth alloy layer 3e are laminated to form the Au-Sn alloy laminate solder 3 of the thickness d consisting of fiver thin film alloy layers (d1+d2+d3+d4+d5).例文帳に追加

以下同様にして順番に第３次合金層３ｃ、第４次合金層３ｄ及び第５次合金層３ｅを積層して５層（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５）の薄膜合金層から成る厚さｄのＡｕ−Ｓｎ合金積層ハンダ３を形成する。 - 特許庁

A p-type base layer 150 has a first peak, a second peak and a third peak in a thickness direction in an impurity profile.例文帳に追加

ｐ型ベース層１５０は、厚さ方向の不純物プロファイルにおいて、第１のピーク、第２のピーク、及び第３のピークを有している。 - 特許庁

On the third layer 53, a circular arc shaped GND pattern 57 is formed which is arranged around an output shaft 30 of the electric motor.例文帳に追加

第３の層５３に、電動モータの出力軸３０の回りに配置された円弧状のＧＮＤパターン５７が形成されている。 - 特許庁

Then, the partial through hole conductor 1 5 having a lid is connected to the third conductor layer 35 via a plurality of second via conductors 33.例文帳に追加

そして、一部の蓋付スルーホール導体１５と第３導体層３５とは、複数の第２ビア導体３３を介して接続されている。 - 特許庁

The second, third and fourth mask films are removed and the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material.例文帳に追加

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。 - 特許庁

A resin, for example, is used as the first, second interposing layers 31, 32 in order to improve corrosion resistance to the solution more than the third interposaing layer 33.例文帳に追加

第１、第２介在層３１，３２として、例えば樹脂を用い、第３介在層３３より溶液に対する耐蝕性を高くする。 - 特許庁

In a third method, the textured layer is deposited under conditions that favor three-dimensional growth, and then optionally annealed.例文帳に追加

第３の方法では、テクスチャ加工層は、三次元の成長に有利な条件下で堆積され、次に任意選択的に焼き鈍しされる。 - 特許庁

There is also provided a fourth step of forming a region in which the aluminum base was exposed by removing the barrier layer following the third step.例文帳に追加

また、第３の工程に続いて、バリア層を除去し、アルミニウム基材が露出した領域を形成する第４の工程を有する。 - 特許庁

A first lens layer L1 is located right above a light source 2, and second and third lens layers L2, L3 are located non-right above the light source 2.例文帳に追加

第１レンズ層Ｌ１は光源２の直上位置にあり、第２，第３レンズ層Ｌ２，Ｌ３は光源２の非直上位置にある。 - 特許庁

On the first and the second insulating layers 41 and 42, a third insulating layer 43 is formed so as to cover the wiring patterns W1a and W2a, and W1b and W2b.例文帳に追加

配線パターンＷ１ａ，Ｗ２ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ２ｂを覆うように、第１および第２の絶縁層４１，４２上に第３の絶縁層４３が形成されている。 - 特許庁

On the third wiring surface 33 there is disposed an inner layer wiring Lh31, which wiring Lh31 is connected to the slave chip 6.例文帳に追加

第３配線面３３には、層内配線Ｌｈ３１が配されており、層内配線Ｌｈ３１は、子チップ６に接続されている。 - 特許庁

A metallic wiring 16 is disposed on an uppermost third wiring layer and a pad 17 is connected to the metallic wiring 16.例文帳に追加

最上配線層である第３配線層には金属配線１６が配置され、この金属配線１６にパッド１７が接続される。 - 特許庁

Since the side wall rubber 16 and the reinforcing rubber layer 20 are conveyed by the third conveyor 46, one cutter section 50 is enough.例文帳に追加

本発明では、第３の搬送コンベア４６でサイドウォールゴム１６及び補強ゴム層２０を搬送するので、カッタ部５０が１台で済む。 - 特許庁

A third layer 20 consisting of the functionalising material such as a conductive material is deposited within the groove, and includes an optional immersion overlayer 22 thereon.例文帳に追加

溝には導電材料などの機能性材料からなる第３の層（２０）が堆積され、オプションの浸漬オーバーレイヤ（２２）をその上に含む。 - 特許庁

A light absorbing layer 24 is further formed in the area corresponding to the light-receiving area of the photodiode part 18, of the third silicon substrate 10.例文帳に追加

さらに、第３のシリコン基板１０のフォトダイオード部１８の受光領域に対応する領域に、光吸収層２４を形成する。 - 特許庁

The base materials of the third color layer 12 and the black matrix 13 are both acrylic resins and therefore the adhesion property between these is high as well.例文帳に追加

また、第３の色層１２及びブラックマトリクス１３の基材は、いずれもアクリル樹脂であるので、それらの間の密着性も高い。 - 特許庁

An electrode pattern based on a mixed function between a third-order spherical aberration function and a spherical wavefront function is arranged on the electrode layer 143.例文帳に追加

電極層１４３には、３次の球面収差関数と球面波関数の混合関数に基づく電極パターンが配される。 - 特許庁

A third connection conductive layer is provided through the supporting substrate and electrically connects the first and the second connection conductive layers and the wiring patterns.例文帳に追加

第３接続導電層は、支持基板を貫通して配設され、第１、第２接続導電層と、配線パターンと、を電気的に接続する。 - 特許庁

The insulating resin layer 12 includes first to third polyimide resin layers 121 to 123 successively laminated on the stainless steel foil 110.例文帳に追加

絶縁樹脂層１２は、ステンレス箔１１０上に順に積層された第１ないし第３のポイリミド樹脂層１２１〜１２３を含んでいる。 - 特許庁

A fine hole 29 is formed in the third layer, and an etching solution is fed through the fine hole 29, so that a solution feeding space 39 is formed.例文帳に追加

第３層に細孔２９を形成し、この細孔２９を介してエッチング液を供給し、液供給スペース３９を形成する。 - 特許庁

The melting point of the first fluoroplastic layer 2 may be made higher than the melting points of the second and third fluoroplastic layers 4 and 5.例文帳に追加

第１のフッ素樹脂層２の融点を、第２のフッ素樹脂層４及び第３のフッ素樹脂層５の融点よりも高くしてよい。 - 特許庁

The second, the third and the fourth mask films are removed while the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material.例文帳に追加

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。 - 特許庁

The second part 19b is positioned on the insulating layer 17 of the second and third regions 13b, 13c of the semiconductor region 13.例文帳に追加

第２の部分１９ｂは、半導体領域１３の第２および第３の領域１３ｂ、１３ｃの絶縁層１７上に位置する。 - 特許庁

A thickness of the second layer is selected so that the layered structure virtually shows an ohmic contact with the first, second, and third layers as a whole.例文帳に追加

第２の層の厚さは、層構造が第１、第２および第３の層全体で実質的にオーム接触を示すように選択される。 - 特許庁

The band gap energy (Eg2) of the group third-fifth compound semiconductor layer 14 is larger than the band gap energy (Eg1) of the GaAs board 12.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層１４のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ２）は、ＧａＡｓ基板１２のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１）よりも大きい。 - 特許庁

The third optical compensation layer is made of a material having an optically negative uniaxiality, wherein the material exhibits a tilted alignment.例文帳に追加

第３の光学補償層は、光学的に負の一軸性を示す材料から形成され、かつ、当該材料が傾斜配向している。 - 特許庁

The p-type second and p^+-type third diffused layers 12 and 13 are formed in two steps as the emitter layer of the thyristor.例文帳に追加

サイリスタのエミッタ層として、Ｐ型の第二拡散層１２およびＰ^＋型の第三拡散層１３の二段形成を行っている。 - 特許庁

Further, p-type third semiconductor layers 112, 113, 114, which form a stripe-like ridge 130, are provided on the second semiconductor layer 111.例文帳に追加

さらに、第二半導体層１１１上にストライプ状のリッジ１３０をなすｐ型の第三半導体層１１２，１１３，１１４を備える。 - 特許庁

The third optical compensation layer 14 is formed of a material presenting optically negative uniaxiality and the material is obliquely aligned.例文帳に追加

第３の光学補償層１４は、光学的に負の一軸性を示す材料から形成され、かつ、前記材料が傾斜配向している。 - 特許庁

A third oxide film 17 is formed on sidewalls of a first polysilicon layer 14 and a bottom face of an exposed substrate 10 by an oxidation treatment.例文帳に追加

酸化処理により、第１ポリシリコン層１４の側壁及び露出した基板１０の底面に第３酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

Thereafter, openings for grooves are formed in the second and first mask layers 8 and 7 by performing etching from the above of the third mask layer 10.例文帳に追加

その後、第３マスク層１０上からのエッチングにより、第２マスク層８および第１マスク層７に溝用開口を形成する。 - 特許庁

The third layer 313 contains cobalt of y atom%, and iron of (100-y) atom%, and is made of alloy, where y is from 65 to 80.例文帳に追加

第３層３１３は、コバルトをｙ原子％、鉄を（１００−ｙ）原子％含み、ｙが６５以上８０以下である合金よりなる。 - 特許庁

A third internal electrode 31 included in the second electrode layer 30 is electrically connected to fifth and sixth terminal electrodes 5 and 6.例文帳に追加

第２の電極層３０に含まれる第３の内部電極３１は、第５及び第６の端子電極５、６と電気的に接続される。 - 特許庁

In a third method, the texture working layer is deposited under a condition that is advantageous for three dimensional growth, and then arbitrarily selectively annealed.例文帳に追加

第３の方法では、テクスチャ加工層は、三次元の成長に有利な条件下で堆積され、次に任意選択的に焼き鈍しされる。 - 特許庁

The thermal expansion coefficient of each layer has the following relation: the third interlayer insulation film 44<stress relaxation film 46<pixel electrode 9a.例文帳に追加

また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。 - 特許庁

The third layer elastic body 5 has a shape, gradually thinning from the upper part toward the pressure-sensing element 2.例文帳に追加

この第２層弾性体４上には、感圧素子２の圧力検出部位から上方に向かって第３層弾性体５が積層されている。 - 特許庁

The second semiconductor layer has a third region 4 including second conduction type impurities, whose impurity concentration is equivalent to or higher than that of the second region 3, and a fourth region 6 of a second conduction type formed inside the third region 4 and having the impurity concentration higher than that of the third region 4.例文帳に追加

第２半導体層は、不純物濃度が第２領域３と同等かそれよりも高い第２導電型の不純物を含む第３領域４と、該第３領域４の内部に形成され第３領域４よりも不純物濃度が高い第２導電型の第４領域６とを有している。 - 特許庁

Furthermore, a third interlayer insulating film 212 is formed, then a capacitor linking connection hole 213 is formed by taking advantage of a part of the third insulating film on the capacitor and a part of the third and second insulating film on the pad, and a buried local interconnection wire 214 is formed of a second conductive layer.例文帳に追加

さらに第３層間絶縁２１２を形成後、キャパシタ上の第３絶縁膜の一部とパッド上の第３、第２絶縁膜の一部をして、キャパシタ連結用接続孔２１３を形成し、それを第２伝導層で埋込み局所的相互接続線２１４を形成する。 - 特許庁

The organic electroluminescent includes a first electrode 2, a first functional layer 3 having at least a first organic luminescent layer, a second electrode 4, a second functional layer 5 having at least a second organic luminescent layer, and a third electrode 6, all of which are stacked on a support base 1 in sequence.例文帳に追加

支持基板１上に第一電極２と、少なくとも第一の有機発光層を有する第一の機能層３と、第二電極４と、少なくとも第二の有機発光層を有する第二の機能層５と、第三電極６と、を順次積層してなる有機ＥＬパネルである。 - 特許庁

Second conductor wires 111-116 are positioned on a plane opposite to a plane whereon a first insulating layer 101 and a second insulating layer 102 come close to each other and to a plane of a fourth insulating layer 104 that comes close to a third insulating layer 103.例文帳に追加

第２の導体配線１１１〜１１６は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面、及び、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置している。 - 特許庁

The lower part of each ohmic electrode 14 is formed to pierce the second group III-V nitride semiconductor layer 13 and the third group III-V nitride semiconductor layer 21 and to reach a region on the lower side than a two-dimensional electron-gas layer of the first group III-V nitride semiconductor layer 12.例文帳に追加

第１のオーミック電極１４は、下部が第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３及び第３のIII−Ｖ族窒化物半導体層２１を貫通し且つ第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２における２次元電子ガス層よりも下側の領域に達するように形成されている。 - 特許庁