「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

An SiO2 film 12 is formed on the second GaN semiconductor layer 300, and an (n) electrode is formed on the SiO2 film 12 and the third GaN semiconductor layer 400.例文帳に追加

第２のＧａＮ系半導体層３００上にＳｉＯ_2 膜１２が形成され、このＳｉＯ_2 膜１２上および第３のＧａＮ系半導体層４００上にｎ電極が形成される。 - 特許庁

The third dielectric layer 13 being an intermediate layer has a relatively higher dielectric constant ε1 than the dielectric constant ε2 of the first and second dielectric layers 11, 12.例文帳に追加

中間層である第３の誘電体層１３は、第１および第２の誘電体層１１，１２の誘電率ε２よりも、相対的に高い誘電率ε１を有している。 - 特許庁

Since the semiconductor layer 7 can be formed after the second and third electrodes 5 and 6 are formed, the semiconductor layer 7 is not damaged by the heat etc., generated at the time of processing the electrodes.例文帳に追加

半導体層７は、第２および第３の電極５，６を形成した後に成膜できるので、電極の加工の際に生じる熱などで半導体層７がダメージを受けることが無い。 - 特許庁

Third, bismuth in the bismuth layered compound in the dielectric layer 5 is unlikely to thermally diffuse into the metal in the electrode layer 5.例文帳に追加

第３に、バッファ層４が拡散バリア層として機能するため、誘電体層５中のビスマス層状化合物のうちのビスマスが電極層３中の金属に熱的に拡散しにくくなる。 - 特許庁

A cavity 130 is provided adjacent to and nearly parallel with the ridge stripe-shaped third clad layer 109 in the first current block layer 112.例文帳に追加

第１電流ブロック層１１２内に、上記リッジストライプ形状の第３クラッド層１０９近傍に、かつ、上記第３クラッド層１０９に略平行に、空洞部１３０が設けられている。 - 特許庁

A method for manufacturing the magnetic head includes a process in which the groove parts 25a, 25b1 and 25b2 are formed in a nonmagnetic layer by using an etching mask layer having a first-third aperture parts.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法は、第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を用いて非磁性層に溝部２５ａ，２５ｂ１，２５ｂ２を形成する工程を備えている。 - 特許庁

The semiconductor device also comprises a third region of a second conductivity type formed on the surface of the semiconductor layer, a fourth region of the first conductivity type formed on the surface of the semiconductor layer within the third region, and a gate electrode disposed on the surface of the third region between the second and the fourth region via a gate insulating film.例文帳に追加

また、半導体層の表面に形成された、第２導電型の第３領域と、第３領域内の前記半導体層の表面に形成された、第１導電型の第４領域と、第２領域と前記第４領域との間の第３領域の表面上にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、を具備する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device comprises a first GaAs layer, a second InAs thin film layer having many InAs quantum dots formed on the first GaAs layer, a third InGaAs layer formed on the second InAs thin film layer having many InAs quantum dots, and a fourth GaAs layer formed on the third InGaAs layer, wherein the As_2 is used as the As material.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１層のＧａＡｓ層と、前記第１層のＧａＡｓ層上に形成される第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層と、前記第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層上に形成される第３層のＩｎＧａＡｓ層と、前記第３層のＩｎＧａＡｓ層上に形成される第４層のＧａＡｓ層からなる半導体発光素子であって、前記Ａｓ原料をＡｓ_２としたことを特徴とする。 - 特許庁

The wiring is made into three-layer structure composed of: a first layer consisting of oxidation resistant metal; a second layer consisting of aluminum or mainly consisting of aluminum thereon; and a third layer consisting of the oxidation resistant metal formed thereon, and the wiring has a layer having metal oxide, which is electrically connected to the wiring.例文帳に追加

配線は、耐酸化性金属からなる第１の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第２の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第３の層からなる３層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。 - 特許庁

A first conductive layer formed of a high melting point metal such as Cr, a second conductor layer with a layer formed of conductive oxide or noble metal, a dielectric layer and a third electrode layer are laminated one by one on a base substrate consisting of an Fe-base conductive member, and a capacitor is formed.例文帳に追加

Ｆｅを主成分とする導電性部材からなるベース基板上に、Ｃｒ等の高融点金属からなる第１の導電体層、導電性酸化物あるいは貴金属からなる層を有する第２の導電体層、誘電体層、第３の電極層を順次積層してキャパシタを形成する。 - 特許庁

A high-frequency semiconductor device 21 is constructed such that heat arising from it is conducted through a grounding via-hole 27 in order to a first grounding layer 28, a first via-hole 30, a first auxiliary grounding layer 31, an adhesive material layer 35, a second grounding layer 32, a second via-hole 33 and a third grounding layer 34.例文帳に追加

高周波半導体素子２１から発生した熱を、接地用ビアホール２７を介して、順次、第１のグランド層２８、第１のビアホール３０、第１の補助グランド層３１、接着材層３５、第２のグランド層３２、第２のビアホール３３および第３のグランド層３４へと伝導するように高周波半導体装置が構成される。 - 特許庁

An epitaxial silicon wafer includes a bulk wafer having a first doping concentration, a first epitaxial layer formed over the bulk wafer, the first epitaxial layer having a second doping concentration which is higher than the first doping concentration, and a second epitaxial layer formed over the first epitaxial layer, the second epitaxial layer having a third doping concentration which is lower than the second doping concentration.例文帳に追加

本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、第１ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、該バルクウェーハ上に前記第１ドーピング濃度より高い第２ドーピング濃度を有する第１エピタキシャル層と、該第１エピタキシャル層上に前記第２ドーピング濃度より低い第３ドーピング濃度を有する第２エピタキシャル層とを備える。 - 特許庁

In the display device with a plurality of organic EL elements formed on a substrate (10), a protective layer is formed on the organic EL elements, and the protective layer includes a first protective layer (15) made of an inorganic material, a second protective layer made of resin and with concave microlenses (16a) formed, and a third protective layer (17) made of an inorganic material.例文帳に追加

有機ＥＬ素子が基板（１０）上に複数形成された表示装置において、有機ＥＬ素子の上に保護層を形成し、その保護層は、無機材料からなる第１の保護層（１５）と、樹脂からなり、凹状のマイクロレンズ（１６ａ）が形成された第２の保護層と、無機材料からなる第３の保護層（１７）とを有する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a first wiring layer 19 and a second wiring layer 22 each formed in a ring shape so as to trace the outline of the light-receiving region of a photodiode PD, and thereby all of the first wiring layer 19, the second wiring layer 22 and a third wiring layer 25 are arranged to surround an upper part of the photodiode PD.例文帳に追加

第１配線層１９、第２配線層２２のそれぞれを、ホトダイオードＰＤの受光領域の輪郭をなぞるようなリング形状に形成することによって、第１配線層１９、第２配線層２２、第３配線層２５の全てがホトダイオードＰＤ上部を取り囲むように配置する。 - 特許庁

To improve heat release characteristics, and to reduce heat stress of an resin insulating layer due to difference in heat expansion coefficient, improve adhesion of a metal layer and the resin insulating layer, and reduce inductance of a circuit even when difference in heat expansion coefficient of a first metal layer and a third metal layer is large, in a wiring board with a heat generating part being mounted.例文帳に追加

発熱部品を実装した配線板において、放熱特性を向上させ、かつ、第１金属層と第３金属層の熱膨張率差が大きい場合にも、熱膨張率差による樹脂絶縁層の熱応力を低減し、金属層と樹脂絶縁層との密着性を向上させ、回路のインダクタンスを小さくする。 - 特許庁

This semiconductor device has an electrode layer 1, a semiconductor layer 2, and a second electrode layer 3, which are successively layered in this order, and a first electrical insulation layer 4 and a third electrode layer 5, which are formed vertically in this order so as to be brought into contact with one-side sidewalls of the layered layers 1, 2, and 3.例文帳に追加

第１の電極層１、半導体層２及び第２の電極層３が順次積層された半導体装置において、それらの層の一方の側壁に接するように垂直方向に立てて設けた第１の電気絶縁層４及び第３の電極層５を順次有する半導体装置とする。 - 特許庁

The third sub-layer may have a magnetic anisotropy that is less than that of the second sub-layer of each of the magnetic islands and/or may serve as an interlayer, extending between the first sub-layer and the soft magnetic under-layer of the recording medium, and having a structure to help to produce the greater anisotropy of the first magnetic sub-layer.例文帳に追加

第３のサブレイヤは各磁気アイランドの第２のサブレイヤよりも小さい磁気異方性を有し、かつ／または記録媒体の第１のサブレイヤおよび軟磁性下層間を延びる中間層として働くことができ、第１の磁気サブレイヤのより大きな異方性を作り出すのを助ける構造を有する。 - 特許庁

A buried layer 111 which contributes to the constriction of a current is provided on each side 131b of a mesa stripe 131a, at least, composed of a first conductivity-type first clad layer 103, an active layer 103, and a second conductivity- type second clad layer 107, and a second conductivity-type third clad layer 121 is provided on all the surface.例文帳に追加

少なくとも第１導電型の第１クラッド層１０３、活性層１０５および第２導電型の第２クラッド層１０７からなるメサストライプ部１３１ａの両側１３１ｂに電流狭窄に寄与する埋め込み層１１１が設けられ、その上に全面に第２導電型の第３クラッド層１２１が設けられている。 - 特許庁

In more detail, the plurality of the layers 3 and 3 are composed of a first layer 3a showing watermelon seeds, a second layer 3b showing fresh sarcocarp, a third layer 3c showing pericarp, a fourth layer 3d showing a part between the fresh sarcocarp 3b and the pericarp 3c, and a fifth layer 3e surrounding the periphery of the watermelon design.例文帳に追加

すなわち、前記複数の層３、３は、スイカの種を表わす第１の層３ａと、果肉を表わす第２の層３ｂと、皮を表わす第３の層３ｃと、果肉３ｂと皮３ｃとの間の部分を表わす第４の層３ｄと、スイカの絵柄の周囲を取巻く第５の層３ｅとから構成されている。 - 特許庁

A decorative sheet S is constituted by laminating a first layer 1 comprising a base material sheet, a second layer 2 containing an org. pigment as a colorant and having a pattern layer formed by printing and a third layer 3 having a whole solid layer containing an inorg. pigment as a main component of a colorant formed to the entire surface thereof by printing or coating.例文帳に追加

装飾シートＳは、基材シートからなる第一層１と、有機顔料を着色剤として含み印刷等で形成された絵柄層を有する第二層２と、全面に印刷、塗工等で形成された無機顔料を着色剤の主成分として含む全ベタ層からなる第三層３とが積層された構成とする。 - 特許庁

A first diffusion layer 25 having N type conductivity, a second diffusion layer 26 having P^+ type conductivity, a third diffusion layer 8 having N type conductivity, and a fourth diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ型である複数の第１拡散層２５、導電型がＰ^＋型である複数の第２拡散層２６、導電型がＮ型である第３拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第４拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a semiconductor substrate 21 of the first conductivity type, a first diffusion layer 22 of the first conductivity type, a second diffusion layer of the second conductivity type formed inside the first diffusion layer 22, and a third diffusion layer 27 of the first conductivity type selectively formed on the surface of the second diffusion layer 23.例文帳に追加

半導体装置１０は、第１導電型の半導体基板２１と、第１導電型の第１の拡散層２２と、第１の拡散層２２の内部に形成された第２導電型の第２の拡散層２３と、第２の拡散層２３の表面に選択的に形成され第１導電型の第３の拡散層２７とを備える。 - 特許庁

A shield layer 66 is exposed in the third section Y3, but the length of the conductive resin layer 65 from a jacket end part 61b to the opening edge 65b of the conductive resin layer 65 is formed to be longer than the length of the shield layer 66 from the jacket end part 61b to a shield layer end part 66b.例文帳に追加

第３区間Ｙ３では、シールド層６６が露出しているが、ジャケット端部６１ｂからシールド層端部６６ｂまでのシールド層６６の長さよりもジャケット端部６１ｂから導電性樹脂層６５の開口縁６５ｂまでの導電性樹脂層６５の長さの方が長くなるよう形成されている。 - 特許庁

A vessel body 10 includes: a first layer 110 of hollow shape formed of polyethylene terephthalate; a second layer 120 knit from glass fiber and put over the outside of the first layer 110; and a third layer 130 formed by winding reinforcing fibers impregnated with resin, around the second layer 120 and solidifying it.例文帳に追加

容器本体１０は、ポリエチレンテレフタレートにより構成された中空形状の第１層１１０と、この第１層１１０の外側に被せられた、ガラス繊維で編まれた第２層１２０と、第２層１２０の周囲に、樹脂を含侵させた強化繊維を巻き付けて固化された第３層１３０とからなる。 - 特許庁

The magnetic memory element 10 comprises a first magnetic layer 1 having a fixed magnetization direction, a second magnetic layer 2 having a variable magnetization direction and functioning as a memory carrier, both magnetic layers 1, 2 layered via a non-magnetic conductive layer 4, and a third magnetic layer 3 having a fixed magnetization direction which forms a magnetic tunnel junction with the second magnetic layer.例文帳に追加

磁化の向きが固定された第１の磁性層１と、磁化の向きが可変で記憶担体となる第２の磁性層２とが、非磁性導体層４を挟んで積層され、第２の磁性層と磁化の向きが固定された第３の磁性層３とが磁気トンネル接合を形成して成る磁気記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The luminous diode manufacturing method includes the steps of providing a substrate; making a first epitaxial layer grow on the substrate under a first growth condition; making a process changeover layer grow on the first epitaxial layer under a second growth condition; and making a second epitaxial layer grow on the process switchover layer under a third growth condition.例文帳に追加

この製造方法は、基板を提供し、第一成長条件の下で前記基板上に第一エピタキシー層を成長させ、第二成長条件の下で前記第一エピタキシー層上にプロセス転換層を成長させ、第三成長条件の下で前記プロセス転換層上に第二エピタキシー層を成長させるステップを含む。 - 特許庁

Then the display mode of the second liquid crystal layer 2 is determined corresponding to the display mode of the first liquid crystal layer 1 and the display mode of the third liquid crystal layer 3 is determined corresponding to the display modes of the first liquid crystal layer 1 and the second liquid crystal layer 2.例文帳に追加

そして、入射光Ａの前記各選択反射板上での偏光状態を、第１の液晶層１の表示モードに応じて第２の液晶層２の表示モードを決定し、第１の液晶層１及び第２の液晶層２の表示モードに応じて第３の液晶層３の表示モードを決定する。 - 特許庁

The III nitride semiconductor substrate 1 includes a first layer 11 composed of Al_aGa_1-aN (0≤a<1) having a constant composition a, a second layer 12 formed on the first layer 11, and a third layer 13 formed on the second layer 12 and composed of Al_bGa_1-bN (0<b≤1) having a constant composition b.例文帳に追加

III族窒化物半導体基板１は、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが一定である第一層１１と、この第一層１１上に形成される第二層１２と、第二層１２上に形成され、組成ｂが一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３とを備える。 - 特許庁

In the plane view from the side of an object F, the light shielding layer BM and the insulation layer 28 overlap with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁

One of the adjacent transmission lines is connected to the lines 73a, 74a in the uppermost layer through via conductors v3, v4, and has lines 73b, 74b in a central section formed in a third conductor layer (first conductor layer).例文帳に追加

隣接する伝送線路の一方は、最上層の線路７３ａ、７４ａとビア導体ｖ３、ｖ４を介して接続され、第３の導体層（第１導体層）に形成された中央区間の線路７３ｂ、７４ｂを有する。 - 特許庁

The cross-sectional structure of the heater wiring 50 has a level difference arranged such that the pattern width of the first conductive wiring layer 51b is wider than that of the second conductive wiring layer 52b and the third conductive wiring layer 53b.例文帳に追加

また、第１の導電性配線層５１ｂのパターン幅が、第２の導電性配線層５２ｂ及び第３の導電性配線層５３ｂのパターン幅よりも広く構成された段差を備えた断面構造を有している。 - 特許庁

In this thin-film solar battery, even if sneaking of the semiconductor layer 13 occurs when forming the semiconductor layer 13, the semiconductor layer can be prevented from being brought into contact with the metal film 16 by forming a third conductive transparent film 18 on the surface of the metal film.例文帳に追加

金属膜の表面上に第３導電性透明膜を形成することによって、半導体層を形成する際に、半導体層の回り込みが生じても、半導体層と金属膜の接触を防止できる。 - 特許庁

Subsequently, an insulation film 9 is formed on the second diffusion layer 3 and the third diffusion layer 4, and word lines 10 are arranged on the insulation film 9 formed on the diffusion layer and connected with the gate electrode 8.例文帳に追加

そして、第１拡散層２、第２拡散層３、第３拡散層４上に拡散層上絶縁膜９が形成され、拡散層上絶縁膜９上にワード線１０が配設され、ワード線１０は上記ゲート電極８に接続される。 - 特許庁

Thereby, a first layer protection membrane 21 covering the EL element 2 and a second layer protection membrane 22 covering more widely the first protection membrane on it are formed, and further, a third layer or more of the protection membranes can be formed in the same manner.例文帳に追加

これにより、ＥＬ素子２を覆う第１層の保護膜２１と、この第１層の保護膜上にこれをより幅広くカバーする第２層の保護膜２２とが形成され、さらに第３層以上の保護膜も同様に形成される。 - 特許庁

A supplementary capacitor 13 is formed over the first conductive layer, and its upper-side electrode 14 is electrically connected to a third conductive layer making up the upper-side shadow layer 4 through contacts CCN and MCN.例文帳に追加

補助容量１３は第一の導電層の上に重ねて形成されているとともに、その上側電極１４は上側遮光層４を構成する第三の導電層にコンタクトＣＣＮ及びＭＣＮを介して電気的に接続している。 - 特許庁

In an outer covering sheet of an absorbent product, a first adhesive layer 45, a second adhesive layer 46 and a third adhesive layer 47 each extending in the lateral direction are formed on a second covering sheet 42 by spiral spray application.例文帳に追加

吸収性物品の外装シートでは、第２外装シート４２上に、左右方向に伸びる第１接着剤層４５、第２接着剤層４６および第３接着剤層４７がスパイラルスプレー塗工により形成される。 - 特許庁

A light-emitting range of the third organic layer 5 is located above or below the non-light-emitting ranges 200 existng between respective light-emitting ranges of the first organic layer 2 and the second organic layer 3 located in parallel with the substrate 10.例文帳に追加

第３の有機層５の発光領域が、基板１０に対して並置されている第１の有機層２と第２の有機層３の、それぞれの発光領域の間にある非発光領域２００の上又は下に位置している。 - 特許庁

A carbon content insulating film(third insulating film 106) whose density or carbon density is continuously changing to a thickness direction is used as an inter-layer insulating film between lower layer metallic wiring 104 and upper layer metallic wiring 113.例文帳に追加

下層金属配線１０４と上層金属配線１１３との間の層間絶縁膜として、密度又は炭素濃度が厚さ方向に連続的に変化する炭素含有絶縁膜（第３の絶縁膜１０６）を用いる。 - 特許庁

In the surface of a support 4 on the light source 19 side, a first reflection layer 7 and a first light shielding layer are stacked in order in the first area, and a light transmitting colored layer 9 is stacked in the second area 2 and the third area 3.例文帳に追加

支持体４の光源１９側の面のうち、第１の領域には、第１の反射層７、第１の遮光層が順に積層され、第２の領域２、第３の領域３には、光透過性着色層９が積層される。 - 特許庁

A covering part 8 to cover a nose and a mouth includes a nonwoven fabric sheet on a first layer, a filter paper sheet on a second and third layer, and the nonwoven fabric sheet on a fourth and fifth layer, which are layered in order from an ambient air side to a face side in its width direction.例文帳に追加

鼻と口を覆う覆い面部８は、外気側から顔面側の厚さ方向に、第１層に不織布シート、第２層及び第３層に濾紙シート、第４層及び第５層に不織布シートを順次積層している。 - 特許庁

A first capacitor part 11 having a first dielectric layer 2 and a second capacitor part 12 having a second dielectric layer 2', are integrated via a third dielectric layer 9 therebetween, that is thicker than those of the first and the second dielectric layers 2 and 2'.例文帳に追加

第１誘電体層２を有する第１コンデンサ部１１と、第２誘電体層２’を有する第２コンデンサ部１２とを、間に第１、第２誘電体層２、２’の厚みより厚い第３誘電体層９を介して一体化する。 - 特許庁

The diode comprises a first conductive type second semiconductor layer extending in a vertical direction to a substrate, and a second conductive type third semiconductor layer extending in a vertical direction to the substrate in contact with an upper surface of the second semiconductor layer.例文帳に追加

ダイオードは、基板に対して垂直方向に延びる第１導電型の第２半導体層と、第２半導体層の上面に接して基板に対して垂直方向に延びる第２導電型の第３半導体層とを備える。 - 特許庁

The third semiconductor layer 3 has a carrier-lifetime reducing region that is adjacent to the bottom surface of the fourth semiconductor layer 4, is spaced apart from the second semiconductor layer 2, and is processed so that the carrier lifetime becomes shorter.例文帳に追加

第３の半導体層３は、第４の半導体層４の底面と隣接し、第２の半導体層２とは離間し、キャリアライフタイムが短くなるように処理されたキャリアライフタイム低減領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

In such a pressure sensitive copy sheet, the agent layer can be provided on a rear surface of the third part of the base material, the developer layer can be provided on the rear surface of the second part of the base material, and further the second transferable self-color developing layer can be provided.例文帳に追加

このような感圧複写用紙は、発色剤層を基材の第３の部分裏面に、顕色剤層を基材の第２の部分裏面にも設け、さらに第２の転移性自己発色剤層を設けた構成とすることもできる。 - 特許庁

In the structure of Fig.6(B), a via contact part is formed on the third metal layer M3 of the metal laminate on the left end of the polysilicon layer PL with the power source line 9 composed of the fourth metal layer and formed in contact with the via contact thereon.例文帳に追加

図６（Ｂ）の構造において、ポリシリコン層ＰＬの左端上のメタル積層部の第３メタル層Ｍ３上にビアコンタクト部が形成され、その上に第４メタル層からなる電源線９がビアコンタクト部に接して形成される。 - 特許庁