「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

This region 15 not covered with the protection film 8 is arranged on the outside, the lower side, or combined areas of the stress relief layer 5 (a second insulation layer), and the region 15 is covered with at least either of the stress relief layer 5 or the surface protection film 6 (a third insulation layer).例文帳に追加

この保護膜８を除去した領域１５は、応力緩和層５（第２の絶縁層）の外側、下側、さらに組み合わせた場所に設けられ、応力緩和層５あるいは表面保護膜６（第３の絶縁層）の少なくともいずれかによって覆われる。 - 特許庁

The actuator includes a movable part where a plurality of layers including a first layer, a second layer having a larger thermal expansion coefficient than the first layer, and a third layer having a larger heat conductivity than the first and second layers are layered and which is deformed according to heating.例文帳に追加

アクチュエータは、第１層と、該第１層よりも大きな熱膨張率を持つ第２層と、第１および第２層よりも大きな熱伝導率を持つ第３層とを含む複数層が積層されるとともに、加熱に応じて変形する可動部を備える。 - 特許庁

A storage part M of a DB server 1 includes a first layer DB3, a second layer DB 5, a third layer DB 7, a fourth layer DB 9, a status point master DB 10, a flow point master DB 11, a warehouse master DB 12, an assets source master DB 13 and an exchange rate DB 14.例文帳に追加

ＤＢサーバ１の記憶部Ｍは、１層ＤＢ３、２層ＤＢ５、３層ＤＢ７、４層ＤＢ９、ステータスポイントマスタＤＢ１０、フローポイントマスタＤＢ１１、倉庫マスタＤＢ１２、資産元マスタＤＢ１３および為替レートＤＢ１４を含んで構成される。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step for forming a first layer having cavities on a base surface, a step for adding a second layer having A as the main ingredient and for drying, and a step for adding a third layer having A as the main ingredient to the upper portion of the second layer and for drying.例文帳に追加

基体表面に空隙を有する第一の層を形成する工程とＡを主成分とする第二の層を付与し、乾燥する工程と、第二の層上に、Ａを主成分とする第三の層を付与し、乾燥する工程とを有する事を特徴とする - 特許庁

The refractive index of the second dielectric layer 13 is made lower than that of the first dielectric layer 12 and the third dielectric layer 14, and the optical absorptance in an amorphous state of the recording layer 16 is made lower than that in a crystal state.例文帳に追加

第２誘電体層１３の屈折率を、第１誘電体層１２及び第３誘電体層１４の屈折率よりも低くし、記録層１６の非晶質状態における光吸収率を、結晶状態における光吸収率よりも低くする。 - 特許庁

A buried current block layer 10 in which a first buried layer 7 made of p-type InP, a second buried layer 8 made of n-type InP and a third buried layer 9 made of semi-insulated Fe-doped InP are sequentially laminated is formed on both sides of the ridge 6.例文帳に追加

リッジ部６の両側には、ｐ型ＩｎＰからなる第１埋め込み層７、ｎ型ＩｎＰからなる第２埋め込み層８、半絶縁性ＦｅドープＩｎＰからなる第３埋め込み層９が順に積層された埋め込み電流ブロック層１０が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor element part 10 has an auxiliary capacitor 12, 13 formed on a substrate 11, a first insulating layer 15, a semiconductor layer 16, a gate insulating layer 17, a gate electrode 18, a second insulating layer 19, first light shielding layer 21a, 21b, third insulating layer 22, source electrode 24a and drain electrode 24b, fourth insulating layer 27, and pixel electrode 29.例文帳に追加

半導体素子部１０は、基板１１上に形成された補助容量１２、１４と、第１絶縁層１５と、半導体層１６と、ゲート絶縁層１７と、ゲート電極１８と、第２絶縁層１９と、第１遮光層２１ａ、２１ｂと、第３絶縁層２２と、ソース電極２４ａおよびドレイン電極２４ｂと、第４絶縁層２７と、画素電極２９とを備える。 - 特許庁

An antireflection layer 138 as a third layer for at least some wavelengths of emitted light is sandwiched between a barrier layer 137 as a first layer for preventing intrusion of water or oxygen into the organic EL element 150 and an organic intermediate layer 139 as a second layer for relaxing stress of the barrier layer.例文帳に追加

発光素子として例えば有機ＥＬ素子１５０を用い、有機ＥＬ素子１５０への水分や酸素の浸入を防ぐ第１層としてのバリア層１３７と、バリア層の応力を緩和するための第２層としての有機中間層１３９間との間に位置し、射出光の少なくとも一部の波長に対して、第３の層としての反射防止層１３８を挟んだ。 - 特許庁

The printed wiring board 15 includes a conductive layer 19 having a signal line 24 and a ground line 25, a second insulating layer 20 laminated on the conductive layer with openings 28 opened above the ground line, a ground layer 21 laminated on a second insulating layer, covering the signal line and electrically connected to the ground line, and a third insulating layer 22 covering the ground layer.例文帳に追加

プリント配線板１５は、信号ライン２４およびグランドライン２５を有する導体層１９と、導体層に積層され、グランドラインの上に開口する開口部２８を有する第２の絶縁層２０と、第２の絶縁層に積層され、信号ラインを覆うとともにグランドラインに電気的に接続されたグランド層２１と、グランド層を覆う第３の絶縁層２２と、を含む。 - 特許庁

There are provided a substrate 1, a first conductivity type first silicon layer 3 formed on an upper surface side of the substrate 1, a silicon oxide layer 4 formed on the first silicon layer 3, an intrinsic microcrystalline second silicon layer 5 formed on the silicon oxide layer 4, and a third silicon layer 6 of an opposite conductivity type to the first conductivity type formed on the second silicon layer 5.例文帳に追加

基板１と，基板１の上面側に形成された，第１導電型の第１シリコン層３と，第１シリコン層３の上に形成された酸化シリコン層４と，酸化シリコン層４の上に形成された，真性の，微結晶の第２シリコン層５と，第２シリコン層５の上に形成された，第１導電型と反対導電型の第３シリコン層６とを備えている。 - 特許庁

This presents a nitride semiconductor light emitting device that includes a p-type nitride layer, an active layer including a quantum well structure, and an n-type nitride semiconductor layer all formed on a semiconductor substrate, wherein the active layer includes a first nitride semiconductor layer, a second nitride semiconductor layer, and a third nitride semiconductor layer whose compositions are different from one another, as well as its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板上に形成された、ｐ型窒化物半導体層と、量子井戸構造を含む活性層と、ｎ型窒化物半導体層と、を含み、活性層は、互いに組成の異なる、第１の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層と、第３の窒化物半導体層と、を含んでいる窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁

An interpolation capacitor C112 is formed with a compounded capacitor of a capacitor formed between a first wiring layer 123 constituting a gate electrode of a transistor 111 and a polysilicon layer 126 as a semiconductor layer, a capacitor formed between the polysilicon layer and a second wiring layer 128, and a capacitor formed between the second wiring layer 128 and a third wiring layer 130.例文帳に追加

補間容量Ｃ１１２は、トランジスタ１１１のゲート電極を形成する第１配線層１２３と半導体層であるポリシリコン層１２６との間に形成される容量、ポリシリコン層と第２配線層１２８との間に形成される容量、さらに第２配線層１２８と第３配線層１３０との間に形成される容量の合成容量により形成されている。 - 特許庁

The method for producing the coated paper comprises forming a coated layer containing pigment and an adhesive on base paper, forming a first layer by a film transfer coating process, then forming a second layer and a third layer by a blade coating process and using a hot-air drier utilizing hot air at ≥190°C and <270°C for drying after forming the third layer.例文帳に追加

原紙上に、顔料および接着剤を含有する塗工層を形成した塗工紙の製造方法において、フィルム転写塗工方式で第一層目を形成した後に、ブレード塗工方式で第二層、第三層を形成し、第三層目の乾燥に熱風温度が１９０℃以上２７０℃未満の熱風を用いた熱風乾燥機を使用することを特徴とする印刷用塗工紙の及びその製造方法。 - 特許庁

The center of the groove part exists between the first intersection and a third intersection P3 where a third virtual line L3 extending from a tire-width direction end part of a maximum-width belt layer 13B along the maximum-width belt layer outwardly in the tire-width direction intersects.例文帳に追加

溝部の中心が、バットレス部における、第１の交差部と、最大幅ベルト層１３Ｂのタイヤ幅方向端部から最大幅ベルト層に沿ってタイヤ幅方向外方へ延長した第３の仮想線Ｌ３が交わる第３交差部Ｐ３との間に存する。 - 特許庁

The third polysilicon layer also used for the plate electrode 60 is formed in the regions excluding the DRAM cell region 400 so as to turn the third polysilicon layer into a silicide for the formation of a wiring 67 as well as a resistant element 70.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルのプレート電極６０にも用いられる第３ポリシリコン層をＤＲＡＭセル領域４００以外の領域にも形成し、その第３ポリシリコン層をシリサイド化して配線６７を形成し、また第３ポリシリコン層からなる抵抗素子７０を形成している。 - 特許庁

The second electroconductor is configured so that a third electroconductor arranged in a second hole formed at the first interlayer insulation layer and a fourth electroconductor arranged in a third hole formed at the second interlayer insulation layer can be laminated and electrically connected to each other.例文帳に追加

この第２の導電体は第１の層間絶縁層に配された第２のホールに配された第３の導電体と、第２の層間絶縁層に配された第３のホールに配された第４の導電体とが、積層され電気的に接続された構成である。 - 特許庁

The first core layer in a third region A3 disposed on the opposite side from the second region about the first region as a reference and coming into contact with the first region is removed to expose the end surface of the first core layer at a border between the first region and third region.例文帳に追加

第１の領域を基準として第２の領域とは反対側に配置され、第１の領域に接する第３の領域Ａ３内の第１のコア層を除去し、第１の領域と第３の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。 - 特許庁

Then, after an insulation film 20 is so deposited by plasma CVD method as to cover the third layer interconnections 11L3, another insulation film 15c is deposited by HDP-CVD method on top of the insulation film 20 to completely fill in spaces between adjacent interconnections of the third layer interconnections 11L3.例文帳に追加

続いて、この第３層配線１１Ｌ３を覆うように、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜２０を堆積した後、その上にＨＤＰ−ＣＶＤ法により絶縁膜１５ｃを堆積して第３層配線１１Ｌ３の隣接間を隙間無く埋め込む。 - 特許庁

The first ionomer resin layer, an unstretched amorphous polyethylene terephthalate resin layer containing an inorganic filler, a pattern layer, the second ionomer resin layer, and the third ionomer resin layer are formed at least in this order on a backer layer containing an ethylene-vinyl acetate copolymer resin containing an inorganic filler as a main component.例文帳に追加

無機充填剤を含有するエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を主体とするバッカー層の上に、第一アイオノマー樹脂層、無機充填剤を含有する非延伸の非結晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂層、絵柄層、第二アイオノマー樹脂層、第三アイオノマー樹脂層が少なくともこの順に設けられてなることを特徴とする。 - 特許庁

A first layer 211 for emitting light corresponding to the intensity of entering radiation, a second layer 212 for converting light outputted from the first layer 211 into electric energy, and a third layer 213 for outputting a signal based on accumulation of the electric energy acquired by the second layer 212 and the accumulated electric energy are formed on a fourth layer 214.例文帳に追加

入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層２１１と、第１層２１１から出力された光を電気エネルギーに変換する第２層２１２と、第２層２１２で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号を出力する第３層２１３を第４層２１４上に形成する。 - 特許庁

A first layer 2 infiltrated with a water-soluble-silicate inorganic compound is formed in a surface layer 1 of a concrete structure; a second layer 3 made of an aqueous color coating serving as a pattern coat is formed on the surface of the first layer 2; and additionally, a third layer 4 made of a diamond-catalytic glass coating serving as a top coat is formed on the surface of the second layer 3.例文帳に追加

コンクリート構造物の表層１に水溶性シリケート無機化合物を浸透させた第１層２を形成して、該第１層２の表面にパタンコートとなる水性カラー塗料よりなる第２層３を形成したうえ、さらに、該第２層３の表面にトップコートとなるダイヤ触媒ガラス皮膜よりなる第３層４を形成する。 - 特許庁

This film is manufactured by co-extruding a film laminated with a resin layer comprising at least one kind of polyethylene as the first layer, a pressure-sensitive flexible layer comprising an acrylic block copolymer as the second layer, and a resin layer comprising at least one kind of polyethylene selected from the group comprising a medium density polyethylene or high density polyethylene as the third layer, sequentially in this order.例文帳に追加

第１層に少なくとも１種のポリエチレンからなる樹脂層、第２層にアクリル系ブロック共重合体からなる粘着性柔軟層、第３層に中密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンから選択される少なくとも１種のポリエチレンからなる樹脂層を順次積層したフィルムを共押出成形することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

Next, a first upper layer insulation film, a first upper layer re-wiring, a second upper layer insulation film, a second upper layer re-wiring 44 and a third upper layer insulation film 45 are sequentially formed in a laminate, and a connection terminal formed on a flexible wiring board 83 is connected to the connection pad of the upper layer re-wiring 44 of any one of uppermost layers.例文帳に追加

次に、第１の上層絶縁膜、第１の上層再配線、第２の上層絶縁膜、第２の上層再配線４４、第３の上層絶縁膜４５を順次、積層状に形成し、フレキシブル配線板８３に形成された接続端子をいずれかの前記最上層の上層再配線４４の前記接続パッドに接続する。 - 特許庁

A wavelength transformation part 3 has a first layer which is piled on the face of a glass plate 2 for emitting a blue light and transforms the blue light into a green light, a second layer which is piled on the first layer and transforms the green light into a red light, and the third layer which is piled on the first layer or the second layer and composed of a material which absorbs the ultraviolet light.例文帳に追加

波長変換部３は、ガラスプレート２の青色光の出射面に堆積され、青色光を緑色光に変換する第１層と、その第１層に堆積され、緑色光を赤色光に変換する第２層と、第１層又は第２層に堆積され、紫外線を吸収する材料から構成した第３層とを有する。 - 特許庁

The silicon germanium epitaxial layer includes: a first silicon germanium epitaxial layer having a doping profile where a germanium concentration gradually increases; a second silicon germanium epitaxial layer grown over the first silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with high concentration; and a third silicon germanium epitaxial layer grown over the second silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with low concentration.例文帳に追加

シリコンゲルマニウムエピタキシャル層は、ゲルマニウム濃度が漸進的に増加するドーピングプロファイルを有する第１シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、高濃度のＰ型不純物がドーピングされた第２シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、低濃度のＰ型不純物がドーピングされた第３シリコンゲルマニウムエピタキシャル層とを備える。 - 特許庁

The first magnetic layer 1 consists of a perpendicular magnetization film having smaller resistance against magnetic force on domain walls and having large mobility of domain walls compared to the third magnetic layer 3 at a temp. near the reproducing temp.例文帳に追加

第１磁性層１は、再生温度近傍の温度において第３磁性層３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなる。 - 特許庁

A third opening 5c for exposing the first semiconductor-layer 3 is then made by etching the insulation layer 2 in the second opening 5b thereby enlarging the second opening 5b.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において絶縁層２をエッチングして第２開口５ｂを拡大することにより、第１半導体層３を露出させる第３開口５ｃを形成する。 - 特許庁

Electric connection part 2a, 3a and 4a for connection, auxiliary power supply parts 2b, 3b and 4b for independent display, a liquid crystal layer, and an electrophoresis layer are formed in a first, second and third display panels 2, 3 and 4.例文帳に追加

第１、第２、第３表示パネル２，３，４に接続用の電気接続部２ａ，３ａ，４ａ、独立表示用の補助電源部２ｂ，３ｂ，４ｂ、液晶層、電気泳動層を形成する。 - 特許庁

A second conductive layer 15b having a third width W3 by which a difference between the first width W1 and the second width W2 is compensated is formed on a side wall of the first conductive layer 15a.例文帳に追加

第１の幅Ｗ１と第２の幅Ｗ２の差を補償するように第３の幅Ｗ３を有する第２導電層１５ａが第１導電層１５ａの側壁に形成されている。 - 特許庁

The second transistor 3-1 is disposed on a third impurity diffusion layer 210 provided on the second impurity diffusion layer 206-12, so as to constitute a portion of the pixels, and is connected to the first transistor 2-1.例文帳に追加

第２トランジスタ3-1は、第２不純物拡散層206-12上の第３不純物拡散層210上に設けられ、画素の一部を構成すると共に、第１トランジスタ2-1に接続される。 - 特許庁

Cell power wirings 170 which are provided on a fourth wiring layer located on more on the substrate side than the third wiring layer are connected to the strap power wirings 140 by cell power wiring contacts 180.例文帳に追加

第３の配線層より基板側の第４の配線層に設けられたセル電源配線１７０とストラップ電源配線１４０とがセル電源配線用コンタクト１８０で接続される。 - 特許庁

The fourth semiconductor layer 20 is etched into a mesa shape for a gate electrode 24, and has an end (etching surface) ED creating a stepped portion S against the third p-type semiconductor layer 18.例文帳に追加

第４の半導体層２０は、ゲート電極２４のためにメサ状にエッチングされ、第３の半導体層１８との間に段差部Ｓを生じさせる端部（エッチング面）ＥＤを有する。 - 特許庁

The signal line group includes a first signal line 11 formed in a first wiring layer, a second signal line 12 and a third signal line 13 which are formed in a second wiring layer.例文帳に追加

信号線群は、第１の配線層に形成される第１の信号線１１と、第２の配線層に形成される第２の信号線１２および第３の信号線１３とを含む。 - 特許庁

The half absorption part 12 includes a first multilayer film 2 that reflects an exposure light, a first intermediate layer 3, a second multilayer film 4, a second intermediate layer 5, and a third multilayer film 6.例文帳に追加

半吸光部１２は、露光光を反射する第１の多層膜２と、第１の中間層３と、第２の多層膜４と、第２の中間層５と、第３の多層膜６とを含んでいる。 - 特許庁

A connection 207 concretely generates connecting-signal conductor data 901 and 902 using the difference of the height information of the fifth wiring-layer data 305 and the third wiring-layer data 303 as a length.例文帳に追加

具体的には、接続部２０７は、第５配線層データ３０５と第３配線層データ３０３の高さ情報の差分を長さとする接続信号線分データ９０１、９０２を生成する。 - 特許庁

The first magnetic layer 1 comprises a perpendicular magnetization film which is relatively small in magnetic wall coercive force and large in magnetic wall movement degree nearly at a reproduction temperature compared with the third magnetic layer.例文帳に追加

第１磁性層１は、再生温度近傍の温度において第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなる。 - 特許庁

Drain-to-gate electrode layers 131a, 131b used to connect the layers 121a, 121b to the layers 111a, 111b are situated in the third-layer conductive layer.例文帳に追加

第３導電層にはドレイン-ドレイン接続層１２１ａ、１２１ｂとゲート-ゲート電極層１１１ａ、１１１ｂとの接続に用いられる、ドレイン-ゲート接続層１３１ａ、１３１ｂが位置している。 - 特許庁

In materials of each of the cushioning member 30, hardness of the third layer 33 is set smaller than that of 31 and that of the second layer 32 based on the JIS standard K6253 as a hardness reference value.例文帳に追加

緩衝部材３０の各々の材料は、硬度基準値として、ＪＩＳ規格のＫ６２５３に基づき、第３層３３が３１および第２層３２より硬度が小さく設定されている。 - 特許庁

To provide an embedded ridge type semiconductor laser in which the crystalline deterioration of a third upper clad layer is prevented when a current block layer contains Al, an operating voltage is low and an efficiency is high.例文帳に追加

電流ブロック層がＡｌを含む場合における、第３上部クラッド層の結晶性劣化を防止し、動作電圧が低く高効率な埋込リッジ型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The bandgap wavelength of the second group III-V compound semiconductor of the first guide layer 17 is shorter than that of the third group III-V compound semiconductor of the second optical guide layer 19.例文帳に追加

第１のガイド層１７の第２のIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長は、第２の光ガイド層１９の第３のIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップ波長より短い。 - 特許庁

A picture frame shaped third shading layer 38 is formed on the rear surface side of the array substrate along its periphery and at least a part of it is arranged overlapping with the first shading layer.例文帳に追加

アレイ基板の裏面側には、その周縁に沿って額縁状の第３遮光層３８が形成され、その少なくとも一部は第１遮光層と重なって設けられている。 - 特許庁

Residual global wiring data 701 and 702 formed to third wiring-layer data 303, and fixed-signal conductor section data 402 formed to fifth wiring-layer data 305 are connected.例文帳に追加

第３配線層データ３０３に形成されている残余のグローバル配線データ７０１、７０２と、第５配線層データ３０５に形成されている固定信号線分データ４０２とを接続する。 - 特許庁

The ratio W/T of the wiring width W and the wiring film thickness T of the lower wiring layers of second layer or below is larger than the W/T of the upper wiring layers of third layer or above.例文帳に追加

２層目以下の下層配線層の配線幅Ｗと該配線膜厚Ｔとの比Ｗ／Ｔが、３層目以上の上層配線層の配線のＷ／Ｔよりも大きい。 - 特許庁

The third semiconductor region 12 has a first layer 8 and a second layer 40 extending in a first direction connecting the first semiconductor region 24 with the second semiconductor region 58.例文帳に追加

第３半導体領域１２は、第１半導体領域２４と第２半導体領域５８を結ぶ第１方向に沿って伸びている第１層８と第２層４０を有している。 - 特許庁

The covering layer 3 is etched by means of the third etching mask to form a salient pattern in the covering layer 3 and to uncover the first etching mask 4 and the first material 2.例文帳に追加

カバリング層３は、第３のエッチングマスクを用いてエッチングされ、カバリング層３における突出パターンが形成され、第１のエッチングマスク４および第１の材料２が露出される。 - 特許庁