「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, a shot key barrier electrode 13 is formed of the first metallic layer 19 made of the Pd silicide, the second metallic layer 20 made of the Ti silicide, the fourth metallic layer 22 made of the Ti, Al, and Si, and the third metallic layer 21 made of the Al.例文帳に追加

このようにして、Ｐｄシリサイドからなる第１金属層１９と、Ｔｉシリサイドからなる第２金属層２０と、ＴｉとＡｌとＳｉとからなる第４金属層２２と、Ａｌからなる第３金属層２１と、から構成されたショットキバリア電極１３を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing process of electronic component, expansion of plating can be prevented, when a second metal electrode layer 34 and a third metal electrode layer 36 are formed, by forming a glass layer 40 at an edge of a first metal electrode layer 32 on the front surface of a ceramic raw material 10.例文帳に追加

この電子部品の製造方法では、セラミック素体１０の表面上に第１の金属電極層３２の縁にガラス層４０を形成することで、第２の金属電極層３４及び第３の金属電極層３６を形成する際のめっき伸びを防止できる。 - 特許庁

A machining object work includes an underlayer member having a surface layer portion consisting of a first material, an absorbing layer formed of a second material with close contact on the surface of the underlayer member, and a covering layer formed of a third material with close contact on the surface of the absorbing layer.例文帳に追加

第１の材料からなる表層部を有する下地部材と、下地部材の表面に密着し第２の材料で形成された吸収層と、吸収層表面に密着し第３の材料で形成された被覆層とを有する加工対象物を準備する。 - 特許庁

The metal layer 2 has at least a first metal layer 21 which is brought into ohmic contact with the laminated semiconductor section 10, a second metal layer 22 composed of Ag, and a third metal layer 23 composed of a metal that can be bonded to the substrate 1 at low temperatures.例文帳に追加

本発明では、金属層２が、半導体積層部１０とオーミック接触させる第１金属層２１と、Ａｇからなる第２金属層２２と、導電性基板１と低温接着可能とする金属からなる第３金属層２３とを少なくとも有していることに特徴がある。 - 特許庁

In the method of manufacturing a multilayer substrate, a first wiring layer 18A and a second wiring layer 18B are formed on both main surfaces of a first insulating film 12A in internal layers, and a third wiring layer 18C and a fourth wiring layer 18D in external layers are formed to cover the wiring layers in the internal layers.例文帳に追加

本形態の多層基板の製造方法では、内層の第１絶縁膜１２Ａの両主面に第１配線層１８Ａおよび第２配線層１８Ｂを形成し、更に、内層の配線層を被う外層の第３配線層１８Ｃおよび第４配線層１８Ｄを形成している。 - 特許庁

The second layer 103 is a layer in which a scoop-shaped conductor pattern along the width center of conductor patterns in the first layer 102 and the third layer 104 and an L-shaped conductor pattern 111 used to form a loop 117 so as to face the bent part of the J-shaped conductor pattern 106 are arranged.例文帳に追加

第２層１０３は、第１層１０２及び第３層１０４の導体パターンの幅中心に沿って柄杓型導体パターンと、Ｊ字状導体パターン１０６の屈曲部と向かい合ってループ１１７を形成するようなＬ字状導体パターン１１１とを配した層である。 - 特許庁

The outer wall of a kiln for a multistage ceramic industry according to this invention comprises a first layer 39 where fire-bricks 13 are stacked; a second layer 41 of high temperature fire resisting fibers 15 to surround the periphery of the first layer 39; and a third layer 43 formed of a decorative outer wall material 17 to improve appearance.例文帳に追加

本発明の多段窯業用窯の外壁は、耐火煉瓦１３を積み上げた第１層３９と、この第１層３９の周囲を取り巻く高温耐火繊維１５の第２層４１と、外観の美観を高める装飾外壁材１７からなる第３層４３とで構成される。 - 特許庁

A semiconductor device in an embodiment comprises: in sequence, a first electrode 13; a first semiconductor layer 1 of a first conductivity type; a second semiconductor layer 2 of a first conductivity type; a third semiconductor layer 3 of a second conductivity type; and a fourth semiconductor layer 4 of a first conductivity type.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１の電極１３、第１導電形の第１の半導体層１、第１導電形の第２の半導体層２、第２導電形の第３の半導体層３、第１導電形の第４の半導体層４を順に備える。 - 特許庁

The conducting line terminal structure comprises a conducting member, an insulating layer covering a first region of the conductive member, a flattening layer which is on a second region of a conductive material and covers the first region of the insulating layer, and a conducting layer which is electrically connected to a third region of the conductive member.例文帳に追加

導電部材、前記導電部材の第一の領域を覆う絶縁層、前記導電材料の第二の領域の上にあり、前記絶縁層の第一の領域を覆う平坦化層、および前記導電部材の第三の領域に導電接続した導電層を含む導線端子構造。 - 特許庁

The first layer laminating material 1, the second layer laminating material 21 and the third layer laminating material, all of which are thinner than the substrate material 3 comprising a synthetic resin, are laminated on the back surface of the substrate material 3 and, if necessary, at least one printing layer 4 is provided to the opposite surface of the substrate material 3.例文帳に追加

合成樹脂よりなる基材３の片面にこの基材３よりも薄い合成樹脂よりなる第１層目の積層材１、第２層目の積層材２１、第３層目の積層材を積層し、基材３の反対面に必要に応じ一層以上の印刷層４を有する。 - 特許庁

The p-side wiring layer has a wiring surface formed on the first insulating layer on the opposite side from the semiconductor layer, and a second p-side wiring layer which is provided in a shape along a third surface of different plane orientation from a first surface and a second surface, and has an L-sectioned part.例文帳に追加

ｐ側配線層は、第１の絶縁層における半導体層に対する反対側に形成された配線面、および第１の面及び第２の面と異なる面方位の第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｐ側配線層を有する。 - 特許庁

A second photoresist pattern 110 is formed, and a part of the n^+-GaAs layer 109 and the n-GaAs layer 102 are subjected to wet etching to form a gate recess 111, and furthermore, a second compound semiconductor layer 103 and a third compound semiconductor layer 104 are formed.例文帳に追加

次に、第２のフォトレジストパターン１１０を形成し、ｎ^＋−ＧａＡｓ層１０９およびｎ−ＧａＡｓ層１０２の一部をウェットエッチングしてゲートリセス１１１を形成し、さらに第２の化合物半導体層１０３および第３の化合物半導体層１０４を形成する。 - 特許庁

This laminate has a first layer formed of a heat-resistant rubber, a second layer formed of an adhesive resin composed mainly of a fluororesin and a third layer formed of the fluororesin, arranged in that order, on the base, characterized in that the second layer comprises a silicone resin.例文帳に追加

基体上に、耐熱性ゴムからなる第１の層、フッ素樹脂を主成分とする接着樹脂からなる第２の層、及びフッ素系樹脂からなる第３の層が順次設けられた積層体であり、前記第２の層が、少なくともシリコーンレジンを含有することを特徴とする積層体。 - 特許庁

A graphite having high thermal conductivity is utilized as a second layer (2B) between the first layer (2A) and the third layer (2C) to diffuse the heat generated from the semiconductor chip 1 into a wide range in the graphite layer, and transmit the heat to a heat sink body 3, thereby efficiently dissipating the heat.例文帳に追加

そして第１層（２Ａ）と第３層（２Ｃ）の間の第２層（２Ｂ）として、熱伝導性の高いグラファイトを利用して、半導体チップ１から発生した熱を、グラファイト層内で広範囲に拡散してヒートシンク本体３に伝達することで、効率よく放熱することができる。 - 特許庁

A reactive surface relief type hologram film 1a of a first layer is used as a base, and a multiple thin laminated film 2a×N of a second layer and a printed pattern 3a of a third layer are laminated on a hologram film, and an emboss transparent film or plate 4a of a fourth layer is laminated thereon to form a laminated structure.例文帳に追加

第１層の反射表面レリーフ型ホログラムフィルム（１ａ）を基材とし、その上に第２層の多重薄膜積層フィルム（２ａ×Ｎ）と、第３層の印刷パターン（３ａ）を重ね、さらに第４層のエンボス透明フィルム又はプレート（４ａ）を重ねた積層構造にしたことを特徴とする。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 7 forming the substrate of the semiconductor chip 1, a first wiring layer 8, a first interlayer film 9, a second wiring layer 10, a second interlayer film 11, a third wiring layer 12, and an uppermost layer wiring coating film 15 are laminated from the side of the semiconductor substrate 7 in this order.例文帳に追加

半導体チップ１の基体をなす半導体基板７上には、第１配線層８、第１層間膜９、第２配線層１０、第２層間膜１１、第３配線層１２および最上層配線被覆膜１５が半導体基板７側からこの順に積層されている。 - 特許庁

Conditions (n_t1-n_l)×(n_l-n_t2)≤0 and n_t1<n_l are satisfied, where n_t1 and n_t2 denote refractive indexes of a second layer 012 and a third layer 013 optically adjacent to the first layer in both sides of the first layer and made of isotropic media at the central wavelength.例文帳に追加

第１の層の両側において該第１の層に光学的に隣接し、等方性媒質により形成された第２の層０１２及び第３の層０１３の上記中心波長での屈折率をそれぞれｎ_t1，ｎ_t2とするとき、（ｎ_t1−ｎ_ｌ）・（ｎ_ｌ−ｎ_t2）≦０，ｎ_t1＜−ｎ_ｌを満足する。 - 特許庁

Furthermore, a third insulating layer 32 like solder resist is laminated so as to cover the re-wiring 30, a bump 34 is inserted and formed in a pierced hole 32a which is formed in the third insulating layer 32 so as to be continuously connected to the re-wiring 30, and the bump is connected to the re-wiring 30.例文帳に追加

そして、再配線３０を覆うようにソルダレジストなどの第３絶縁層３２が積層されており、再配線３０に連通するように第３絶縁層３２に形成された貫通孔３２ａにはバンプ３４が挿入されるように形成され、再配線３０と接続されている。 - 特許庁

In the wiring board 10, the film thickness ha of the first region 42 of the dielectric layer 40 positioned between the third conductor 50 and the first conductor 20 is thicker than the film thickness hb of the second region 44 of the dielectric layer 40 positioned between the third conductor 50 and the second conductor 30.例文帳に追加

配線基板１０では、第３の導体５０と第１の導体２０との間に位置する誘電体層４０の第１領域４２の膜厚haの方が、第３の導体５０と第２の導体３０との間に位置する誘電体層４０の第２領域４４の膜厚hbより大きい。 - 特許庁

Width of the conductive layer 25 formed to the third surface 26 is wider than that of the conductive layer 25 formed to the first and second surfaces 18a, 18b and the third surface 26 is formed on the basis of surface symmetry for the symmetrical surface of the first and second surfaces 18a, 18b.例文帳に追加

第３の面２６に形成される導電層２５の幅が第１および第２の面１８ａ，１８ｂに形成される導電層２５の幅よりも広く設定され、第１および第２の面１８ａ，１８ｂに関する対称面に対して第３の面２６が面対称である。 - 特許庁

The actuator has a fixed part which is constituted integrally with the third layer or is constituted to be brought into contact with the third layer, and has a heat-radiating region, including a heat conduction part having a larger heat conductivity than the first and second layers, and in which the movable part is fixed.例文帳に追加

また、該アクチュエータは、第３層と一体的に構成されるか、または第３層と接触するように構成され、且つ第１および第２層よりも大きな熱伝導率を持つ熱伝導部を含む放熱領域を有するとともに、可動部が固定される固定部を備える。 - 特許庁

A p type gap layer and a p type clad layer in the semiconductor layered body are etched and first to third ridge stripes 23A to C respectively configuring first to third waveguides 22A to C are formed on a higher region of the step structure 14 in the [0-1-1] orientation.例文帳に追加

半導体積層体のうち、ｐ型キャップ層及びｐ型クラッド層がエッチングされ、第１から第３導波路２２Ａ〜Ｃをそれぞれ構成する第１から第３リッジストライプ２３Ａ〜Ｃが、ステップ状構造１４の高領域上に〔０１−１〕方向に形成されている。 - 特許庁

It is therefore capable of preventing the wire that should be left from being etched by the film thickness reduction of the resist 21, and preventing a focus deviation during patterning of the third wiring layer 7 by an exposure machine, thereby preventing the occurrence of linewidth variations of the third wiring layer 7.例文帳に追加

したがって、レジスト２１の膜減りによって残すべき配線がエッチングされることを防止できると共に、露光機による第３配線層７のパターニング時のフォーカスずれを抑制でき、第３配線層７の線幅にバラツキが生じることを防止することが可能となる。 - 特許庁

For preventing defects during deposition, only the third insulation film in the part for forming a contact hole is removed, and the light emitting element comprising a positive electrode, an organic compound layer, and a negative electrode is formed on the third insulation film.例文帳に追加

また、成膜時の不良を防止するためにコンタクトホールが形成される部分の第３の絶縁膜のみ除去し、第３の絶縁膜上に陽極、有機化合物層、および陰極からなる発光素子を形成する。 - 特許庁

There are formed n^+-type first to third divided regions 9, 10, and 11 in the first to third photoelectric conversion regions 6, 7, and 8 at predetermined depths respectively from the surface of the photoelectric conversion layer 4.例文帳に追加

第１ないし第３光電変換領域６，７，８内には、光電変換層４の表面からそれぞれ所定深さの位置に、ｎ^+型の第１ないし第３分割領域９，１０，１１が形成されている。 - 特許庁

A solder mask layer 330 is formed on the surface 311 and has a first opening 331, a second opening 332 and a third opening 333 exposing the groups of first, second and third fingers 321, 322 and 323, respectively.例文帳に追加

はんだマスク層３３０は表面３１１に形成され、第一組、第二組、第三組フィンガー３２１、３２２、３２３群をそれぞれ露出する第一開口３３１、第二開口３３２および第三開口３３３を有する。 - 特許庁

The method for hydrocracking wax comprises circulating wax from a first catalytic layer of a catalytic reaction part to a third catalytic layer in the presence of hydrogen in a fixed bed reactor equipped with a catalytic reaction part in which the first catalytic layer containing a first amorphous solid acid, a second catalytic layer containing zeolite and the third catalytic layer containing a second amorphous solid acid are arranged in this order.例文帳に追加

本発明のワックスの水素化分解方法は、第１の非結晶性固体酸を含有する第１の触媒層、ゼオライトを含有する第２の触媒層、及び第２の非結晶性固体酸を含有する第３の触媒層がこの順序で配置された触媒反応部を備える固定床反応装置において、水素の存在下、ワックスを、触媒反応部の第１の触媒層から第３の触媒層に向けて流通させることを特徴とする。 - 特許庁

The magnetic anchoring layer 63 in the laminates 11, 31 constituting the first and the third MR elements, however, includes one more the first ferromagnetic layer 631 than the second ferromagnetic layer 632, while the magnetic anchoring layer 63 composing the second and the fourth MR elements includes both the second ferromagnetic layer 632 and the first ferromagnetic layer 631 of the same number in the order beginning from the magnetization free layer 61 side.例文帳に追加

但し、第１および第３のＭＲ素子を構成する積層体１１，３１における磁化固着層６３は、第１の強磁性層６３１を第２の強磁性層６３２よりも１つ多く含み、第２および第４のＭＲ素子を構成する磁化固着層６３は、磁化自由層６１の側から順に第２の強磁性層６３２と第１の強磁性層６３１とを同数ずつ含む。 - 特許庁

A polyimide film for constituting an insulation layer of a flexible board composed of this insulation layer laid on a conductor layer has a three- layer structure composed of a first, second and third polyimide layers 1, 2, 3, the second layer 2 uses one having approximately the same thermal linear expansion coefficient as the conductor, and the first polyimide layer 1 adjacent the conductor layer is made of sulfo group-contg. polyimide.例文帳に追加

導体層上に絶縁層が配設されてなるフレキシブル基板の当該絶縁層を構成するためのポリイミドフィルムを、第１ポリイミド層１、第２ポリイミド層２及び第３ポリイミド層３の３層構造とし、第２ポリイミド層２として導体と略同一の熱線膨張係数を有するものを使用し、導体層に接する側に配設する第１ポリイミド層１をスルホン基含有ポリイミドから構成する。 - 特許庁

The second conductive layer 400 includes second and third lands 440, 450, is extended from the direction of the second land 440 and is electrically connected to a first region 252 in the lower semiconductor layer 250, and is extended from the direction of the third land 450 and is electrically connected to a second region 254 in the lower semiconductor layer 250.例文帳に追加

第２の導電層４００は、第２及び第３のランド４４０，４５０を含み、第２のランド４４０の方向から延出して下部半導体層２５０の第１の領域２５２と電気的に接続され、かつ第３のランド４５０の方向から延出して下部半導体層２５０の第２の領域２５４と電気的に接続されている。 - 特許庁

Thereby, the sheet material 2 mounted on the lowermost first element abuts the carbon paste layer 22B which is the second element from below, the sheet material 2 mounted on the second element abuts on the carbon paste layer 32B which is the third element from below, and the sheet material 2 mounted on the third element abuts on the carbon paste layer 42B which is the uppermost element.例文帳に追加

このことにより、最下層の１枚目の素子に載置されたシート材２と下から２枚目の素子のカーボンペースト層２２Ｂとが当接し、２枚目の素子に載置されたシート材２と下から３枚目の素子のカーボンペースト層３２Ｂとが当接し、３枚目の素子に載置されたシート材２と最上層の素子のカーボンペースト層４２Ｂとが当接している状態となる。 - 特許庁

A third process includes a step of removing a desired part or the whole part of the etching mask layer 3a on the substrate obtained in the second step.例文帳に追加

第３工程が、第２工程で得られた基板におけるエッチングマスク層３ａの所望の一部、又は全部を除去する工程を有する。 - 特許庁

In the third step, a first release layer 115a is subjected to a process under a first condition to separate the first substrate from the functional region.例文帳に追加

第３工程では、第１の基板と第１の機能性領域を、第１の分離層１１５ａを第１の条件で処理して分離する。 - 特許庁

The side surface part 13 is also formed into a three-layer structure for covering an outer peripheral surface of the second foam body 16 with a third foam body 17.例文帳に追加

さらに、側面部１３については、第二発泡体１６の外周面を第三発泡体１７が覆う三層構造となっている。 - 特許庁

The at least one opening portion 322 is overlapped by at least one patch conductor 360 included in a third wiring layer L36.例文帳に追加

少なくともひとつの開口部３２２は、第３の配線層Ｌ３６に含まれる少なくともひとつのパッチ導体３６０によってオーバーラップされる。 - 特許庁

Over the first, second, and third dopant layers in the second conductive area, a fourth dopant layer of the second conductive type is formed.例文帳に追加

第２導電型領域における、第１、第２及び第３の不純物層上方に、第２導電型の第４不純物層を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is formed by sticking the third adhesive layer side of the elliptically polarizing plate 10 to at least one surface of a liquid crystal cell.例文帳に追加

液晶セルの少なくとも片面に、この楕円偏光板１０をその第三の粘着層側で貼着して、液晶表示装置とされる。 - 特許庁

A channel protection film 26 is formed on a third region 24 sandwiched between a first region 20 and a second region 22 of the semiconductor layer 18.例文帳に追加

半導体層１８の第１領域２０及び第２領域２２に挟まれる第３領域２４上にチャネル保護膜２６を形成する。 - 特許庁

A layer ranging from the top surface of a filled copper metal CUa to the third low dielectric constant film LOWK3c is removed by CMP (Chemical Mechanical Polishing) method.例文帳に追加

充填される銅金属ＣＵａの頂面から第３の低誘電率膜ＬＯＷＫ３ｃまでの層がＣＭＰ法により除去される。 - 特許庁

The barrier metal layer 41 has first to third barrier metal films 41-1, 41-2, 41-3 formed sequentially from the inner wall surface side of the wiring groove.例文帳に追加

バリアメタル層４１は、配線溝の内壁面側から順に形成された第１乃至第３のバリアメタル膜４１−１、２、３を有する。 - 特許庁

The second and third buffer layers are adjacent to an antiparallel coupling layer and have specific compositions to improve bidirectional anisotropic pinning properties.例文帳に追加

第２と第３のバッファ層は、反平行結合層に隣接し、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特別な組成を有する。 - 特許庁

To provide a counter and method of manufacturing the same, effectively showing a feeling of depth and a third dimension even in a counter of a multi-layer structure.例文帳に追加

多層構造のカウンタであっても、深み感や立体感を効果的に現出することができるカウンタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The first is an information transfer device 10 which is a layer 3 switch, the second are base station devices (21-23), and the third are radio terminal devices (31-34).例文帳に追加

第１はレイヤ３スイッチである情報転送装置１０、第２は基地局装置（２１〜２３）、第３は無線端末装置（３１〜３４）である。 - 特許庁

In the same way, the conductive spacer of the second element from the bottom is made to be abutted on or adjacently opposed to the carbon paste layer of the third element from the bottom.例文帳に追加

同様に、下から２枚目の素子の導電性スペーサを下から３枚目の素子のカーボンペースト層に当接又は近接対向させる。 - 特許庁

Each end face of the second and the third waveguides is formed further inside from a cleavage end surface of a semiconductor lamination layer body.例文帳に追加

第２の導波路及び第３の導波路の各両端面は、半導体積層体のへき開端面よりもそれぞれ内側に形成されている。 - 特許庁