「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic layer is located on the third surface or the fourth surface of the wings of the second tape body and includes a magnetic material.例文帳に追加

吸着層は、前記第２テープ体翼部の第３表面および第４表面の両者のうちいずれかに設け、磁性物質を含む。 - 特許庁

The third electrode penetrates the second electrode, electrically connected to the second electrode, and forms a Schottky contact to the second semiconductor layer.例文帳に追加

第３電極は、第２電極を貫通し、第２電極に電気的に接続され、第２半導体層に対してショットキー接触を形成する。 - 特許庁

For all windows in the second and third layers, kato-mado (foliate-top window) are arranged, and in the top layer ornamental sotomawaribuchi (long and rod-like dressed lumber put in the part of ceiling surface and wall surface meeting) and koran (banister) are attached. 例文帳に追加

二重目以上の窓はすべて華頭窓を配し、最上階には実用でない外廻り縁と高欄を付けている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the same manner, the inclusion of the insulating member 13, and the single-layer alignment winding of third winding layers 21a, 21a, and so on and thereafter are repeated.例文帳に追加

以下、同様にして、絶縁部材１３の介装および第３層以降の巻線層２１ａ，２１ａ，…の単層整列巻きを繰り返している。 - 特許庁

The fourth organic light-emitting layer 437 is formed on the first sub-pixel area, the second sub-pixel area, and the third sub-pixel area.例文帳に追加

第４の有機発光層４３７は、第１のサブ画素領域、第２のサブ画素領域及び第３のサブ画素領域上に配置される。 - 特許庁

The internal layer 10 includes a plurality of first ceramic layers 12, a plurality of internal circuit constituent conductors 14 and a plurality of third ceramic layers 16.例文帳に追加

内層部１０は、複数の第１のセラミック層１２と、複数の内部回路要素導体１４と、複数の第３のセラミック層１６とを含む。 - 特許庁

A second internal electrode 31 included in the first electrode layer 20 is electrically connected to third and fourth terminal electrodes 3 and 4.例文帳に追加

第１の電極層２０に含まれる第２の内部電極３１は、第３及び第４の端子電極３、４と電気的に接続される。 - 特許庁

In an applicator for the protective layer forming material, a roller mechanism part 34 is installed as an end effector in the tip part of the third arm 46 of a robot 16a.例文帳に追加

保護層形成材の塗布装置において、ロボット１６ａの第３アーム４６の先端部にエンドエフェクタとしてローラ機構部３４を設ける。 - 特許庁

On one side of a liquid crystal layer 13, a first electrode 14 is provided, and on the other side of the liquid crystal layer, a second electrode 20, composed of a plurality of individual electrodes 21a-21e, and a third electrode 26 are provided.例文帳に追加

液晶層１３の一方の側に第１の電極１４、もう一方の側に複数の個別電極２１ａ〜２１ｅからなる第２の電極２０と第３の電極２６とを設ける。 - 特許庁

A second reflection layer, a second liquid crystal layer, the third substrate and a second polarizing plate are disposed in this order on the second surface of the first substrate and thereby the second reflection type liquid crystal display is formed.例文帳に追加

第一基板の第二面には、第二反射層、第二液晶層、第三基板、および第二偏光板が順序どおりに設置されることによって、第二反射型液晶ディスプレイが形成される。 - 特許庁

A third pattern ITO is aligned to a first pattern G formed in the mth layer (m: a positive integer), and second patterns S and D formed in the nth layer (n: a positive integer) on a substrate P.例文帳に追加

基板Ｐの第ｍ層（ｍは正の整数）に形成された第一パターンＧと、第ｎ層（ｎは正の整数）に形成された第二パターンＳ、Ｄとに対して第三パターンＩＴＯを位置合わせする。 - 特許庁

On the surface of the third layer 14g positioned opposite to the first layer 14e, a plurality of grooves 14c extended linearly in parallel to a light-incident surface 14d and structured of curved surfaces are arranged.例文帳に追加

第１の層１４ｅと反対に位置する第３の層１４ｇの面に、光入射面１４ｄと平行に直線状に延在し、曲面から構成される複数の溝１４ｃが配されている。 - 特許庁

The plurality of third semiconductor regions 25a, 25b configure a plurality of photodiodes together with the plurality of first semiconductor regions 23a, 23b, the first semiconductor layer 21, and the second semiconductor layer 22.例文帳に追加

複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂは、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂ、第１半導体層２１及び第２半導体層２２と共に複数のフォトダイオードを構成する。 - 特許庁

The resistance change element 10 includes: an ion conductive layer 14 in which a metal ion can be conducted; and a first electrode 12, a second electrode 16 and a third electrode 17 that are in contact with the ion conductive layer 14.例文帳に追加

抵抗変化素子１０は、金属イオンが伝導可能なイオン伝導層１４と、イオン伝導層１４と接する第１電極１２、第２電極１６および第３電極１７と、を備えている。 - 特許庁

A second high frequency circuit substrate includes a third dielectric material layer, a slot formed therein, a fourth dielectric material layer, and a high frequency transmission line formed therein.例文帳に追加

第２の高周波回路基板には、第３の誘電体層と、第３の導体層で形成されたスロットと、第４の誘電体層と、第４の導体層に形成された高周波伝送線路が形成されている。 - 特許庁

When a groove for removing a SiGe layer is formed by an SBSI method, an SOI layer 5 is formed in a shape having a first region 5a, a second region 5b and a third region 5c.例文帳に追加

ＳＢＳＩ法において、ＳｉＧｅ層を除去するための溝を形成する際に、ＳＯＩ層５を第１領域５ａ、第２領域５ｂ及び第３領域５ｃを有する形状に形成する。 - 特許庁

On the other hand, in the forth layer 14 forming the engaging male part 3a, a plurality of notches 15 are formed at intervals in the circumferential direction so that these depths do not attain the third layer 13.例文帳に追加

一方、嵌合雄部３ａを形成する第４層１４には、切溝１５が、その深さが第３層１３に至らないように周方向に間隔を隔てて複数箇所に形成されている。 - 特許庁

The film serving as the mask layer is etched to form the wiring trench pattern whose bottom surface is configured by a surface of the third low dielectric constant film LOWK3c, thereby forming the mask layer SIO2d.例文帳に追加

マスク層となるべき膜をエッチングし、底面が第３の低誘電率膜ＬＯＷＫ３ｃの表面により構成される配線溝パターンを形成することにより、マスク層ＳＩＯ２ｄが形成される。 - 特許庁

A vacuum cell 29 has a vacuum layer 37 enclosed with a spacer 36 and a third and fourth substrate 34 and 35, thereby easily forming the vacuum layer 37 independently of a light source 28.例文帳に追加

真空セル２９がスペーサ３６と第３及び第４基板３４，３５とに囲まれた真空層３７を有することとしたので、真空層３７自体を光源２８と独立して容易に形成できる。 - 特許庁

The conductive element comprises a substrate having a first, a second and a third wave surfaces, a first layer formed on the first wave surface, and a second layer formed on the second wave surface.例文帳に追加

導電性素子は、第１の波面、第２の波面および第３の波面を有する基体と、第１の波面上に設けられた第１の層と、第２の波面上に形成された第２の層とを備える。 - 特許庁

The gate electrode layer 640 has at least one through-hole 642, and a third N type impurity layer 624 is provided in the P type well region 614 being opposite to the through-hole 642.例文帳に追加

ゲート電極層６４０は、少なくとも一つの貫通孔６４２を有し、貫通孔６４２に対向するＰ型ウエル領域６１４に、第３のＮ型不純物層６２４が設けられている。 - 特許庁

A first ohmic electrode 106 and a second ohmic electrode 107 are formed on both sides of the third nitride semiconductor layer 108 on the semiconductor layer laminate 103.例文帳に追加

半導体層積層体１０３の上における第３の窒化物半導体層１０８の両側方には、それぞれ第１のオーミック電極１０６及び第２のオーミック電極１０７が形成されている。 - 特許庁

The third layered body 13 has a dielectric layer as a ceramic layer 17 and its thickness is equal to 5% of the total thickness of the second layered body 12 and the fourth layered body 14.例文帳に追加

第３積層体１３は、セラミック層１７としての誘電体層を有すると共に、その肉厚は、第２積層体１２と第４積層体１４を合わせた肉厚の５％の肉厚とされている。 - 特許庁

The lap winding portion includes a second layer conductor 83a and a third layer conductor 83b spaced apart by a second pitch from each other, a U-shaped bend 85, and a pair of joint side ends 87a and 87b.例文帳に追加

重ね巻部は互いに第２ピッチ離れた第２層導体８３ａ及び第３層導体８３ｂと、Ｕ字状曲げ部８５と、閉じた一対の接合側端部８７ａ及び８７ｂとを含む。 - 特許庁

Then, a first etching mask 19A is formed on the optical waveguide layer 15 in a second region 3B and the third region 3C, and the optical waveguide layer 15 in a first region 3A is removed by using it.例文帳に追加

次に、第２の領域３Ｂ及び第３の領域３Ｃの光導波層１５上に第1エッチングマスク１９Ａを形成し、これを用いて第1の領域３Ａの光導波層１５を除去する。 - 特許庁

In this magnetic detecting element, hard bias layers 18 are formed on both sides of the free magnetic layer 15 and second antiferromagnetic layers 21 are formed on third antiferromagnetic layers formed on both side areas 15a of the magnetic layer 15.例文帳に追加

フリー磁性層１５の両側にハードバイアス層１８を形成するとともに、前記フリー磁性層１５の両側領域上の第３反強磁性層上に第２反強磁性層２１を形成する。 - 特許庁

The third layer weft 23 to the fifth layer weft 25 are respectively shifted by one weft at the maximum in the longitudinal direction and arranged relatively to the weft just above each of the wefts and the constitution is somewhat moderate in the triplicity.例文帳に追加

そして、第３層緯糸２３〜第５層緯糸２５は、それぞれ直上の緯糸に対して最大緯糸１本分、縦方向にずれて配置され、若干三重性が緩和されている構成である。 - 特許庁

Capacitors of a second layer, a third layer, etc., have the same structure by planarizing, and superior polarization characteristic, whose hysteresis shape is square can be obtained, even if lamination of ferroelectric substance capacitors is performed.例文帳に追加

また、平坦化により、2層目以降のキャパシタも同一の構造を有し、強誘電体キャパシタの積層化を行っても、角型のヒステリシス形状の良好な分極特性を得ることが可能となる。 - 特許庁

A polarizing plate 10 is disposed in the display face side of the third substrate 9, while a polarization selective reflecting layer 3, a back light 2, and an absorbing layer 1 are disposed in the back face side of the first substrate 4.例文帳に追加

第３の基板９の表示面側には、偏光板１０が配置され、第１の基板４の背面側には、偏光選択反射層３、バックライト２、吸収層１が配置されている。 - 特許庁

In the third construction work period, a temporary sheave unit 34 and the nacelle 23 are removed, and a final sheave unit 26 is used to enable elevating operation of a car 31 extending over the lower layer shaft 3 and the upper layer shaft 2.例文帳に追加

第三期工事では、仮設シーブユニット34及びゴンドラ23を撤去すると共に、本設シーブユニット26を用いて下層昇降路３と上層昇降路２に跨るかご31の昇降運転を可能とする。 - 特許庁

Therefore, a surge voltage ΔV_DS is restrained from occurring between the drain region (a first semiconductor layer 20) and the source region (a third semiconductor layer 70) when the semiconductor device is switched off.例文帳に追加

したがって、半導体装置１がオフするときにドレイン領域（第１の半導体層２０）とソース領域（第３の半導体層７０）間に発生するサージ電圧ΔＶ_ＤＳの発生を抑制する。 - 特許庁

A third N-type semiconductor layer 18 having a large diffusion coefficient is diffused on and near one surface of a first N-type semiconductor layer 2, which is highly doped with an impurity having a small diffusion coefficient.例文帳に追加

拡散係数の小さい不純物が高濃度に有する第１Ｎ型半導体層２の一方の表面とその近傍に，拡散係数の大きい第３Ｎ型半導体層１８を拡散させる。 - 特許庁

A second interconnection layer 214 is formed on the first interconnection layer, and includes a third runner 216 to be connected with the first runner, and a fourth runner 218 to be connected with the second runner.例文帳に追加

第２の相互接続層２１４が、第１の相互接続層上に形成されており、第１のランナーに接続される第３のランナー２１６と、第２のランナーに接続される第４のランナー２１８とを含む。 - 特許庁

The organic semiconductor device has a continuous first electrode, an insulation layer and a second electrode having many holes, a continuous organic semiconductor layer, and a continuous third electrode.例文帳に追加

連続的な第一の電極と、多数の孔が形成された絶縁層及び第二の電極と、連続的な有機半導体層と、連続的な第三の電極と、を有する有機半導体素子とする。 - 特許庁

A third flat interconnection layer 20 on the second flat interconnection layer 18, has several line conductors 22 which are isolated by dielectric materials and contact electrical conduction vias selectively.例文帳に追加

第２の平坦な相互接続層１８上の第３の平坦な相互接続層２０は、誘電体材料によって分離され、導電バイアに選択的に接触している複数のライン導体２２を有する。 - 特許庁

The first semiconductor diffusion layer reaches to a second position from the top surface of the semiconductor layer located among the plurality of trenches and has a third impurity concentration lower than the second impurity concentration.例文帳に追加

第１半導体拡散層は、複数のトレンチの間に位置する半導体層の上面から第２の位置に達し且つ第２の不純物濃度より小さい第３の不純物濃度を有する。 - 特許庁

By opening a first valve VL1 and a third valve VL3, oxygen is filled in a cathode electrode layer 11 from an oxygen tank 31, and hydrogen is filled in an anode electrode layer 12 from a hydrogen tank 21.例文帳に追加

第１のバルブＶＬ１及び第３のバルブＶＬ３を開き、カソード電極層１１には酸素タンク３１から酸素を充填し、アノード電極層１２には水素タンク２１から水素を充填する。 - 特許庁

A groove 17 which at least reaches the lower surface of the core layer 13 is provided between the part immediately above the third linear part 13c of the second upper clad layer 16 and the part immediately above the plane part 18.例文帳に追加

第２上部クラッド層１６の、第３直線部１３ｃの直上部分と平面部１８の直上部分との間に、少なくともコア層１３の下面にまで達する溝１７が設けられる。 - 特許庁

The superposed winding portions include a second layer conductor 83a and a third layer conductor 83b separated by a second pitch, a U-shape bent portion 85, and a pair of jointing side ends 87a and 87b of with the ends open.例文帳に追加

重ね巻部は第２ピッチ離れた第２層導体８３ａ及び第３層導体８３ｂと、Ｕ字状曲げ部８５と、先端が閉じた一対の接合側端部８７ａ及び８７ｂとを含む。 - 特許庁

In the third and fourth steps, the photoresist layer 13 is irradiated with laser light, and subsequently laser reaction marks 14 are removed with a developer so as to form a pit line 15 expressing binary data on the photoresist layer 13.例文帳に追加

第３，第４ステップにて、フォトレジスト層１３にレーザ光を照射した後、現像液でレーザ反応跡１４を除去してフォトレジスト層１３に２値化データを表すピット列１５を形成する。 - 特許庁

The first substrate and the second substrate may be joined by heating via a first joint layer, a second joint layer, and a third joint layer stacked in this order between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

第１の基板と第２の基板の間に、第１接合層と第２接合層と第３接合層と順に積層し、第１接合層と第２接合層と第３接合層とを介して、第１の基板と第２の基板を加熱して接合してもよい。 - 特許庁

The oxygen separation membrane 10 is made to a composition gradient structure in which a first layer 12 with a small reduction expansion ratio and a low oxygen permeation performance and a third layer 16 are superposed on a second layer 14 with a large reduction expansion ratio and a high oxygen permeation performance.例文帳に追加

酸素分離膜１０は、還元膨張率が大きく且つ酸素透過性能の高い第２層１４に、還元膨張率が小さく且つ酸素透過性能の低い第１層１２，第３層１６が積層された組成傾斜型になる。 - 特許庁

An optical film structure includes a base board and a multilayer film structure formed on the base board, and the multilayer film structure has the first refraction matching layer, the second refraction matching layer and the third layer, with these layers being sequentially laminated, in this order, from the nearest position to the base board.例文帳に追加

光学フィルム構造は、基板と、前記基板上に形成された多層膜構造とを含み、前記多層膜構造は、前記基板に最も近い位置から順に第一屈折整合層と第二屈折整合層と第三層とを積層してなる。 - 特許庁

The semiconductor-layer laminate 102 includes a first nitride-semiconductor layer 122, a second nitride-semiconductor layer 123, and a p-type third nitride semiconductor 124 formed sequentially on the substrate 101.例文帳に追加

半導体層積層体１０２は、基板１０１の上に順次形成された第１の窒化物半導体層１２２、第２の窒化物半導体層１２３及びｐ型の第３の窒化物半導体層１２４を含む半導体層積層体１０２と有している。 - 特許庁

Source images of a second layer 34 and a third layer 36 in layered data 139 in which images are represented with different resolutions are read out respectively (S20, S22), some of tile images in a second layer image 34b are compressed normally (S24).例文帳に追加

画像を異なる階層度で表した階層データ１３９における第２階層３４および第３階層３６の原画像をそれぞれ読み出し（Ｓ２０、Ｓ２２）、第２階層画像３４ｂのタイル画像のいくつかを通常通り圧縮する（Ｓ２４）。 - 特許庁