「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

A first layer 7 coming into contact with the base member 2 and third layers 13 being lower most layers in the plurality of bosses 10 in the electroconductive layer 9 are formed by functional plating respectively, and fourth layers 14 being the layers other than the third layers 13 in the plurality of bosses 10 are formed by electroforming.例文帳に追加

導電層９においてベース部材２に接する第１の層７と複数の突起１０における最下層である第３の層１３とは各々機能めっきによって形成され、複数の突起１０における第３の層１３以外の層である第４の層１４は電鋳によって形成されている。 - 特許庁

The interconnections of gradient potentials V3 and V7 which are supplied to the N-type regions 64 and 66 of the same line respectively are formed in the same line of a third metal layer and second metal layer, respectively, and adjacently located up and down.例文帳に追加

同一行のＮ型領域６４及び６６にそれぞれ供給される階調電位Ｖ３とＶ７の配線は、それぞれメタル第３層及びメタル第２層の同一行に形成されて、上下に隣り合っている。 - 特許庁

At the third process, the substrate 2 is tightly set on the sealing cap 18 so that the concave part 18a and the laminated layer 10 face each other, thus making up an airtight container 13 containing the laminated layer 10.例文帳に追加

第３工程は、封止キャップ１８の凹部１８ａと積層体１０とが対向するように、封止キャップ１８上に支持基板２を気密的に配設し、積層体１０を収納する気密容器１３を形成する。 - 特許庁

One front-end sides as the mutual heteropoles of pairs of the terminals 3 of a third electric dipole-layer capacitor are superposed and joined mutually on the front-end sides of the residual terminals 3 of the second electric dipole-layer capacitor.例文帳に追加

次に、２番目の電気二重層キャパシタの残る端子３の先端側に３番目の電気二重層キャパシタの１対の端子３の異極同士となる一方の先端側を重ね合わせて互いに接合する。 - 特許庁

A height of the lower layer plug 15 is made to be a third or less of a contact hole 13 and approximately 50 nm, thereby preventing the copper in the upper layer plug 16 from diffusing toward the silicon substrate 1 while reducing a resistance value.例文帳に追加

下層プラグ１５の高さをコンタクトホール１３の１／３以下で、５０ｎｍ程度とすることで、抵抗値を低下させつつも上層プラグ１６の銅がシリコン基板１側に拡散するのを防止することができる。 - 特許庁

Signal wiring 16 connected to the signal terminals 11 is formed in the second wiring layer 8 and signal wiring 17 connected to the signal terminals 12 is formed in the third wiring layer 9 to constitute a differential transmission line.例文帳に追加

信号端子１１に接続された信号配線１６は第二配線層８に、信号端子１２に接続された信号配線１７は第三配線層９に形成され、差動伝送路を構成している。 - 特許庁

A current non-injection region is provided adjacent to at least one of the end faces of the semiconductor laser in the lengthwise direction of a resonator, and the semiconductor laser is equipped with a region where the refractive index of a current block layer is equal to that of a third clad layer.例文帳に追加

少なくとも一方の共振器方向端面近傍に電流非注入領域が形成されるとともに、電流ブロック層の屈折率が第３クラッド層の屈折率と同一である領域を有する。 - 特許庁

(e) A third group III nitride semiconductor layer 41 emitting light due to the conduction is formed on the second group III nitride semiconductor layer 34, by reducing the temperature of the substrate 31 to a second temperature less than the temperature in the step (d).例文帳に追加

（ｅ）基板３１を工程（ｄ）における温度以下の第２の温度にして、第２の３族窒化物半導体層３４上に、通電により発光が行われる第３の３族窒化物半導体層４１を形成する。 - 特許庁

Annular power wirings 4, 5 for supplying a predetermined voltage to the first micro cell 2c are formed by using the wirings of a third wiring layer 11 and a fourth wiring layer 13 which are arranged around the first micron cell 2c.例文帳に追加

第１マクロセル２ｃに所定の電圧を供給する環状の電源線４、５を、第１マクロセル２ｃの周囲であって第３配線層１１および第４配線層１３の配線により形成する。 - 特許庁

The second impurity diffusion layer 31A and the third impurity diffusion layer 21B are formed adjacently to each other with an element separation region 15 provided across a boundary between the first well and the second well, therebetween.例文帳に追加

第２不純物拡散層３１Ａと第３不純物拡散層２１Ｂとは、第１ウェルと第２ウェルとの境界上に跨って設けられた素子分離領域１５を挟んで隣接して形成されている。 - 特許庁

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁

A floating gate 45 of a memory transistor MT is formed of a first layer gate electrode material film L1, and a control gate 6 is formed of laminated film of a second and a third layer gate electrode material films L2, L3.例文帳に追加

メモリトランジスタＭＴの浮遊ゲート４は第１層ゲート電極材料膜Ｌ１により形成され、制御ゲート６は第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３の積層膜により形成される。 - 特許庁

The luminous layer 14 of the first substrate 11 and the luminous layer 24 of the second substrate 21 are bonded with pressure to the cathodes 32 and 33, respectively, at a position where the first anode 12 is symmetrical with the second anode 22 while interposing the third substrate therebetween.例文帳に追加

第一基板１１の発光層１４および第二基板２１の発光層２４が、第一陽極１２と第二陽極２２とが第三基板を挟んで対称となる位置で陰極３２，３３に圧着される。 - 特許庁

The horizontal HEMT further includes a second conduction type semiconductor substance which is complementary to the first conductive type, and a third layer 13 disposed at least partially in the first layer 11.例文帳に追加

さらに、上記横型ＨＥＭＴは、上記第１導電型に対して相補的な第２導電型の半導体物質を有し、少なくとも部分的に上記第１層１１の中に配置された第３層１３を有する。 - 特許庁

Then, the cured resin layer is stripped from the third die 15 and a diffraction optical element 16 which is made of the glass substrate 12 and the ultraviolet curing resin layer 14 and is formed of the relief pattern on the boundary surface is completed (process (f)).例文帳に追加

そして、第３の金型１５から剥離すると、ガラス基板１２と紫外線硬化型樹脂層１４とからなり、その境界面にレリーフパターンが形成された回折光学素子１６が完成した（ｆ）。 - 特許庁

For this semiconductor laser element, an etching stop layer 107, p- second and third clad layers 108 and 109 and a contact layer 110 are formed in a striped ridge shape, and a current injection region 120 is constituted.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、エッチングストップ１０７層、ｐ−第二及び第三クラッド層１０８、１０９、及びコンタクト層１１０がストライプ状リッジ形に形成され、電流注入領域１２０を構成する。 - 特許庁

The laminate sheet material comprises the following first layer and at least two types of layers, with a single layer for each type, selected from the second, third and fourth layers.例文帳に追加

本発明の積層シート状物は、下記第１層を少なくとも１層有し、さらに、第２層、第３層、及び第４層からなる群より選ばれる２種類以上の層を少なくとも各１層有することを特徴とする。 - 特許庁

Further, the end of the gate electrode 8 overlaps with the first diffusion layer 2 or the second diffusion layer 3, which pinching the laminated first insulation films 4, 4a, the second insulation films 5, 5a and the third insulation films 6, 6a.例文帳に追加

また、ゲート電極８の端部は、上記積層する第１絶縁膜４，４ａ、第２絶縁膜５，５ａ、第３絶縁膜６，６ａを挟んで第１拡散層２あるいは第３拡散層３とオーバラップしている。 - 特許庁

Further, since the first layer 12 and the third layer 16 are sufficiently thin, even if the oxygen permeation performance of a mixed transmission body constituting this is low, the high oxygen permeation performance of the whole of the oxygen separation membrane can be obtained.例文帳に追加

また、第１層１２，第３層１６は十分に薄いので、これを構成する混合伝導体の酸素透過性能が低くとも、酸素分離膜全体の高い酸素透過性能を得ることができる。 - 特許庁

The electrode 15 is constituted of a first electrode layer 15a deposited of nickel (Ni), a second electrode 15b deposited of nickel (Ni) or copper (Cu), and a third electrode layer 15c deposited of tin (Sn).例文帳に追加

電極部１５は、ニッケル（Ｎｉ）で成膜された第１の電極層１５ａ、ニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）で成膜された第２の電極層１５ｂ及び錫（Ｓｎ）で成膜された第３の電極層１５ｃとからなる。 - 特許庁

Light hardening is carried out by light irradiating parts 31c, 32c while injecting nitrogen gas by gas injecting mechanisms 31a, 32a by light irradiating devices 24a, 24b after forming the second layer and after forming the third layer.例文帳に追加

前記第２層形成後および第３層形成後、光照射装置２４ａ、２４ｂでガス噴射機構３１ａ、３２ａにより窒素ガスを噴射しながら光照射部３１ｃ、３２ｃにより光硬化する。 - 特許庁

In the plane view from the side of the object F, the light shielding layer BM overlaps with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加

対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭは第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 - 特許庁

Each of the third layer 407 and the fourth layer 403 has an optical film thickness that corresponds to the light to be transmitted, and the physical film thickness of the overall color filter 306 is also made different corresponding to each of the light beams to be transmitted.例文帳に追加

第３の層４０７および第４の層４０３は、透過対象の光に応じた光学膜厚を有しており、カラーフィルタ３０６全体の物理膜厚も透過させる光色毎に異なっている。 - 特許庁

A groove G1 is formed on the under face of the silicon layer 300, and right and left both end positions of the groove G1 are etched vertically upward to thereby engrave grooves, and hereby the third layer 300 is separated into a center weight body and right and left pedestals.例文帳に追加

シリコン層３００の下面に溝Ｇ１を形成し、更に、この溝Ｇ１の左右両端位置を垂直上方にエッチングして溝を堀り、第３層３００を中央の重錘体と左右の台座に分離する。 - 特許庁

A first portion 2 of the third layer CLa has the second conductivity type, has a high peak value of the impurity concentration as compared to the peak value of the impurity concentration of the second layer 1, and a second portion 16 has the first conductivity type.例文帳に追加

第３の層ＣＬａの第１の部分２は第２導電型を有し第２の層１の不純物濃度のピーク値に比して高い不純物濃度のピーク値を有し、第２の部分１６は第１導電型を有する。 - 特許庁

A removing process step of removing the lower clad layer and the upper clad layer to the form of belts 50 and 51 from the top of the substrate 1 along a position cut in the fourth step during the third step and the fourth step.例文帳に追加

第３の工程と第４の工程との間に、第４の工程で切断される位置に沿って、下部クラッド層および上部クラッド層を基板１上から帯５０，５１状に除去する除去工程を行う。 - 特許庁

The third structure uses, for example, a structure of superposing two superlattice thin pieces sliced from a unidimensional superlattice composed of a periodic structure of an electric conductor layer and a dielectric layer by dislocating an azimuth by 90 degrees.例文帳に追加

第３の構造としては、例えば、導電体層と誘電体層との周期構造体からなる１次元超格子を薄片化した２枚の超格子薄片を９０度方位をずらして重ねたものを用いる。 - 特許庁

The second electrode 8 and the third electrode 9 are each provided at one side and the other side of the first electrode 10 on the fourth semiconductor layer 6, and are ohmic-joined to the fourth semiconductor layer 6.例文帳に追加

第２電極８及び第３電極９は、第４半導体層６の上において、第１電極１０の一方側及び他方側にそれぞれ設けられ、第４半導体層６とオーミック接合している。 - 特許庁

A third layer is made of one and more materials having a small Z/A (atomic number/ atomic weight) ratio generated from the second layer and decreasing the electron and proton passing through the first and second layers and the photoelectron.例文帳に追加

第３層は、第１及び第２層を通過する電子及び陽子とともに、光電子を減じる比率が前記第２層から発した小なるZ/A（原子番号／原子量）を有する１つ以上の材料からなる。 - 特許庁

The read sensor is provided with a first and second soft ferromagnetic(FM) layers 58, 60 which are separated from each other by a first spacer layer 62, and a third and fourth soft FM layers 64, 66 which are separated from each other by a second spacer layer 68.例文帳に追加

読取りセンサは、第１スペーサ層によって互いに分離された第１及び第２ソフト強磁性（ＦＭ）層と、第２スペーサ層によって互いに分離された第３及び第４ソフトＦＭ層と、を有する。 - 特許庁

The interconnect lines of gradient potentials V3 and V7 which are supplied to the N type regions 64 and 66 of the same column respectively are formed in the same column of third metal layer and second metal layer, respectively, and adjacently located up and down.例文帳に追加

同一行のＮ型領域６４及び６６にそれぞれ供給される階調電位Ｖ３とＶ７の配線は、それぞれメタル第３層及びメタル第２層の同一行に形成されて、上下に隣り合っている。 - 特許庁

By etching the laminated layer using the plug consisting of the third metal film 111 and the first patterned interlayer insulating film 107 as a mask, a metal wiring composed of the laminated layer is formed.例文帳に追加

前記積層膜に対して、第３の金属膜１１１からなるプラグ及びパターン化された第１の層間絶縁膜１０７をマスクにしてエッチングを行なって、前記積層膜からなる金属配線を形成する。 - 特許庁

Rewiring is further executed to a member composed by forming a third insulation layer (in a semi-cured state) covering the insulation layer 44, thereafter superposing a first structure with a conductor to be connected to the projecting parts 43b through the rewiring formed therein on a second structure manufactured through a process similar to that of it, and thermally curing the third insulation layer to be integrated.例文帳に追加

さらに、絶縁層４４を覆う第３の絶縁層（半硬化状態）を形成後、上記再配線を介して突起部４３ｂに接続される導体が形成された第１の構造体と、これと同様の工程を経て作製された第２の構造体とを重ね合わせ、第３の絶縁層を熱硬化させて一体化したものに対し、さらに再配線を行う。 - 特許庁

A gate electrode 7a is electrically connected to a gate wiring 11 applied with a gate voltage, and dummy gate electrodes 7b and 7c are connected to a first float wiring 12 electrically connected to a first float layer 3b; and a second float layer 3c is electrically connected to a second float wiring 13, and a third float layer 3d is electrically connected to a third float wiring 14.例文帳に追加

ゲート電極７ａをゲート電圧が印加されるゲート配線１１に電気的に接続し、ダミーゲート電極７ｂ、７ｃを第１フロート層３ｂに電気的に接続される第１フロート配線１２に接続すると共に、第２フロート層３ｃを第２フロート配線１３に電気的に接続し、さらに、第３フロート層３ｄを第３フロート配線１４に電気的に接続した構造とする。 - 特許庁

A liquid crystal panel substrate includes a connecting plug 15 conductively connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer sandwiching a second interlayer insulation film 11 under a shading film through an opening 12a provided in the shading film 12 composed of a second metal layer and a pixel electrode composed of a third metal layer sandwiching a third interlayer insulation film 13 on the shading film, in a pixel region.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

The liquid crystal panel substrate is provided with a connecting plug 15 connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer and the pixel electrode composed of a third metal layer across a 2nd interlayer insulating film 11 under the shading film and a third interlayer insulating film 13 over the shading first metal layer through an opening 12a provided in the shading film 12.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

A liquid crystal panel substrate includes a connecting plug 15 connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer under a second interlayer insulation film 11 under a shading film 12 composed of a second metal layer and a pixel electrode composed of a third metal layer on a third interlayer insulation film 13 on the shading film through an opening provided in the shading film 12, in a pixel region.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

This biotissue prosthesis 1 comprises a first layer 2 consisting of a tubular stent composed of a bioabsorbable material, a second layer 3 attached to the surface of the first layer 2 and including nucleated cell and cytokine effective in the angiogenesis, and a membranous third layer 4 clampingly covering the second layer 3 between itself and the first layer 2 and constituted by mixing platelet-rich plasma with calcium chloride solution.例文帳に追加

生体吸収性材料からなる筒状のステントからなる第１層２と、該第１層２の表面に付着させられた、血管新生に有効な有核細胞およびサイトカインを含む第２層３と、該第２層３を第１層２との間に挟んで被覆する多血小板血漿と塩化カルシウム溶液とを混合して構成された膜状の第３層４とを備える生体組織補填体１を提供する。 - 特許庁

The problems are solved by co-extruding a film 1 laminated with a resin layer comprising at least one kind of polyethylene as the first layer, the pressure-sensitive flexible layer comprising an acrylic block copolymer as the second layer, and a resin layer comprising at least one kind of polyolefin as the third layer, sequentially in this order, and by providing an embossment functioned as a discharge flow passage of the air bubble.例文帳に追加

第１層に少なくとも１種のポリエチレンからなる樹脂層、第２層にアクリル系ブロック共重合体からなる粘着性柔軟層、第３層に少なくとも１種のポリオレフィンからなる樹脂層を順次積層したフィルムを共押出成形し、さらに前記第２層の少なくとも一方の面に、気体の排出流路として機能するエンボスを設けることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

Next, the first spacer film is removed, impurities of the second conductivity-type are implanted into the surface layer part of the first region with use of the first gate electrode as a mask for third activation treatment and to form a third impurity diffusion region 111.例文帳に追加

次いで第１のスペーサ膜を除去し、第１のゲート電極をマスクとして第１領域の表層部に第２導電型の不純物を注入した後第３の活性化処理を行い、第３の不純物拡散領域１１１を形成する。 - 特許庁

The second wiring layer includes a fourth wiring 14a located in the upper part of the first element region 1a, and a conductive pattern 14b for connection located in the upper part of a part of the third wiring 11b and electrically connected to the third wiring 11b.例文帳に追加

第２配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第４配線１４ａと、第３配線１１ｂの一部の上方に位置していて第３配線１１ｂに電気的に接続している接続用導電パターン１４ｂを具備する。 - 特許庁

A piezoelectric layer 14 includes a first, second and third piezoelectric layers 14a, 14b and 14c in which each number of piezoelectric constant of the first and third piezoelectric layers 14a and 14c is not greater than that of the second piezoelectric 14b.例文帳に追加

圧電体層１４は、第１，第２，第３の３つの圧電体層１４ａ，１４ｂ，１４ｃで構成され、第１及び第３の圧電体層１４ａ，１４ｃの各圧電定数は、いずれも第２の圧電体層１４ｂよりも小さくなっている。 - 特許庁

This tire has a belt layer 7 including first, second and third belt plies 7A to 7C, and in the second and third belt plies 7B and 7C, an inter- cord distance Ys of the belt ply of the outside area YS is set smaller than an inter-code distance Yc of a central area YC.例文帳に追加

第１、第２、第３のベルトプライ７Ａ〜７Ｃを含むベルト層７を有し、第２、第３のベルトプライ７Ｂ、７Ｃは、外側領域ＹＳのベルトプライのコード間距離Ｙｓを、中央領域ＹＣのコード間距離Ｙｃよりも小としている。 - 特許庁

Then openings 10a for grooves are formed in the third mask layer 10, connecting openings 12b for connection holes are formed in the first and second mask layers 8 and 9 and first to third insulating films 4-6 by performing etching by using a resist pattern 11 as a mask, and the pattern 11 is removed.例文帳に追加

次に、第３マスク層１０に溝用開口１０ａを形成し、レジストパターン１１をマスクしたエッチングによって、第２マスク層９〜第３絶縁膜６に接続孔用の接続用開口１２ｂを形成し、レジストパターン１１を除去する。 - 特許庁

The manufacturing method of the laminate is equipped with a first step wherein a first metal layer 10 is coated with a solution containing a liquid crystalline polymer to form a liquid crystalline polymer layer 20, a second step wherein a second metal layer larger in thickness than the first metal layer is arranged on the liquid crystalline polymer layer to obtain a laminate, and a third step of pressing the laminate in the lamination direction.例文帳に追加

積層体の製造方法は、第１の金属層１０上に、液晶ポリマーを含む溶液を塗布して、液晶ポリマー層２０を形成する第１工程と、液晶ポリマー層上に、第１の金属層よりも厚さが大きい第２の金属層を配置して積層体を得る第２工程と、積層体を、積層方向にプレスする第３工程とを備える。 - 特許庁