「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

A first reflection layer 11 and a first shading layer 12 are laminated in order at the first region 1 among planes of an observer 7 side of a supporting body 8, a second decoration layer 14 on which patterns composing a design shape including a first decoration layer 13 and characters are formed are laminated in order in the second region 2, and a first diffusion layer 31 is laminated in the third region 3.例文帳に追加

支持体８の観察者７側の面のうち、第１の領域１には第１の反射層１１、第１の遮光層１２が順に積層され、第２の領域２には第１の加飾層１３と文字を含む意匠形状を構成するパターンが形成された第２の加飾層１４が順に積層され、第３の領域３には第１の拡散層３１が積層されている。 - 特許庁

The external electrode 20 has a configuration in which a first electrode layer connected to the internal electrode 14, a second electrode layer (conductive resin layer) containing a cured product of containing a polyphenol compound having a side chain consisting of an aliphatic group, a third electrode layer made of Ni and a fourth electrode layer made of Sn are formed in this order from the base 10 side.例文帳に追加

外部電極２０は、内部電極１４と接続された第１の電極層、脂肪族基からなる側鎖を有するポリフェノール化合物を含有する熱硬化性樹脂の硬化物を含む第２の電極層（導電性樹脂層）、Ｎｉからなる第３の電極層及びＳｎからなる第４の電極層が、素体１０側からこの順に形成された構成を有している。 - 特許庁

The color filter comprises a dielectric multilayer film DF formed in a first color-filter layer 411R, a dielectric multilayer film DF formed in a second color-filter layer 411G and a dielectric multilayer film DF formed in a third color-filter layer 411B, each of the layers being laminated so as to have mutually the same layer structure and have a differing layer thickness.例文帳に追加

第１カラーフィルタ層４１１Ｒにおいて形成されている誘電多層膜ＤＦと、第２カラーフィルタ層４１１Ｇにおいて形成されている誘電多層膜ＤＦと、第３カラーフィルタ層４１１Ｂにおいて形成されている誘電多層膜ＤＦとのそれぞれを、互いに同じ層構成になるように層が積層され、かつ、層厚が互いに異なるように形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises: a first step of growing a layer constituting the second semiconductor layer on the first semiconductor layer; a second step of ion-injecting a first-conductivity-type impurity into the entire surface of the layer; and a third step of selectively ion-injecting a second-conductivity-type impurity into portions to be the second semiconductor regions of the layer.例文帳に追加

そして、その製造方法は、前記第１半導体層の上に前記第２半導体層を構成する層を成長する第１の工程と、前記層の全面に第１導電形の不純物をイオン注入する第２の工程と、前記層の前記第２半導体領域となる部分に第２導電形の不純物を選択的にイオン注入する第３の工程と、を備える。 - 特許庁

A specific inductive capacity of the insulating layer is more than three times a specific inductive capacity of the luminescent layer, a ratio of a thickness of the insulating layer to the luminescent layer is more than one-third, and a voltage applied to the luminescent layer is more than 80% of a voltage applied to an entire element.例文帳に追加

透明電極、発光層、絶縁層及び背面電極を有するエレクトロルミネッセンス素子において、該絶縁層の比誘電率が、該発光層の比誘電率の３倍以上であって、且つ絶縁層の発光層に対する厚みの比が1／３以上であり、該発光層へかかる電圧が、素子全体にかかる電圧の８０％以上であることを特徴とする分散型エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The photoelectric converter also includes: a second laminated portion provided on the second lower electrode layer and comprising a third semiconductor layer having a first conductivity type and a fourth semiconductor layer having a second conductivity type which are laminated in the order; and a connection conductor provided in a groove located between the first laminated portion and the second laminated portion and electrically connecting the second semiconductor layer with the second lower electrode layer.例文帳に追加

また、該光電変換装置は、第２下部電極層の上に設けられた、第１導電型の第３半導体層と第２導電型の第４半導体層とが順に積層されている第２積層部と、第１積層部と第２積層部との間に位置する溝部に設けられた、第２半導体層と第２下部電極層とを電気的に接続する接続導体とを備えている。 - 特許庁

In the circuit substrate 50 in which solder balls 65 composed of a lead(Pb)-free solder are connected to an electrode 55, the electrode 55 has a first layer 51 mainly composed of copper(Cu), a second layer 52 mainly composed of nickel(Ni) and formed on the first layer, and a third layer 54 mainly composed of a tin-nickel(Sn-Ni) alloy and formed on the second layer.例文帳に追加

電極５５に、鉛（Ｐｂ）フリー半田から成る半田ボール６５を接続される回路基板５０において、前記電極５５は、銅（Ｃｕ）を主成分とする第１の層５１と、前記第１の層上に形成されたニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２の層５２と、前記第２の層上に形成された錫ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）合金を主成分とする第３の層５４とを有する。 - 特許庁

The light emitting element comprises a semiconductor layer containing a polymer having the repeated unit represented by a general formula (I); a structure which has a first electrode contacted with the semiconductor layer for injecting holes into the semiconductor layer, and has a second electrode contacted with the semiconductor layer for injecting electrons into the semiconductor layer; and a third electrode provided on the structure via an insulator.例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する重合体を含有する半導体層と、この半導体層に接し、半導体層へ正孔を注入するための第一の電極および半導体層へ電子を注入するための第二の電極を設けてなる構造体と、該構造体に絶縁体を介して設けた第三の電極とからなる。 - 特許庁

A negative electrode for the lithium secondary battery uses material electrochemically storing/releasing lithium as an active material, and comprises: a first layer 2 mainly comprising the active material formed on a current collector 1; a second layer 3 mainly comprising a conductive material formed on the first layer; and a third layer 4 mainly comprising the active material formed on the second layer.例文帳に追加

電気化学的にリチウムを吸蔵・放出可能な材料を活物質とするリチウム二次電池用負極であって、この活物質を主剤として集電体１上に形成された第１の層２と、導電剤を主剤として第１の層上に形成された第２の層３と、活物質を主剤として第２の層上に形成された第３の層４とからなる。 - 特許庁

This manufacturing method for semiconductor wafer is provided with a first step for preparing a base wafer, a second step for forming a first buffering layer on the prepared base wafer, a third step for forming a semiconductor layer on the first buffering layer and a fourth step for separating the base wafer.例文帳に追加

ベース基板を準備する第１段階と、前記準備されたベース基板上に第１緩衝層を形成する第２段階と、前記第１緩衝層上に半導体層を形成する第３段階と、前記ベース基板を分離する第４段階とを含む半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

The first layer 13A1 has a first surface that is arranged on the front side in a travelling direction of a recording medium with respect to an edge of a magnetic pole layer 12 on the medium facing surface, a second surface that faces the magnetic pole layer 12, and a third surface that is on the opposite side of the second surface.例文帳に追加

第１層１３Ａ１は、媒体対向面において磁極層１２の端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された第１の面、磁極層１２に対向する第２の面、および第２の面とは反対側の第３の面を有している。 - 特許庁

The other layer is layered on the rear side of the surface layer, and a base sheet material is further layered on the backside as a third layer 13.例文帳に追加

ブロック体として、バレーボールが当たる表面層として、比較的反発性に優れた第１層１１か、衝撃吸収性に優れた第２層１２のいずれか一方を用い、他方をその表面層の後側に重ねて配設し、さらに裏側にベース板材を第３層１３として積層した構造とした。 - 特許庁

The composite chemical-mechanical polishing pad 300 has a polishing layer 304 with a first compressibility, an intermediate layer 312 with a second compressibility less than the first compressibility, and a lower layer 314 with a third compressibility greater than the second compressibility and less than the first compressibility.例文帳に追加

複合ケミカルメカニカル研磨パッド３００は、第一の圧縮性を有する研磨層３０４と、第一の圧縮性よりも低い第二の圧縮性を有する中間層３１２と、第二の圧縮性よりも高く、第一の圧縮性よりも低い第三の圧縮性を有する下層３１４とを有する。 - 特許庁

A plurality of first conductivity type third semiconductor regions 25a, 25b having impurity concentrations higher than those of the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 22 are provided in the second semiconductor layer 22 under the plurality of first semiconductor regions 23a, 23b at intervals therebetween.例文帳に追加

不純物濃度が第１半導体層２１及び第２半導体層２２よりも高濃度である第１導電型の複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂが、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂの下方に間隔をあけて、第２半導体層２２中に設けられる。 - 特許庁

The method for manufacturing the gas barrier film has a first process for coating a polyester base material with a specific composition and drying the coated base material to form the gas barrier layer, a second process for ageing the base material having the gas barrier layer formed thereto and a third process for applying lamination to the gas barrier layer.例文帳に追加

特定の組成物をポリエステル基材上に塗布し乾燥してガスバリア層を形成する第一の工程と、該ガスバリア層を形成した基材をエージングする第二の工程と、該ガスバリア層上にラミネートする第三の工程を有するガスバリア性フィルムの製造方法。 - 特許庁

Consequently, as compared with a case without the cupric oxide layer 14 and the cuprous oxide layer 15, the adhesion is improved between the second upper layer rewiring 13 consisting of copper and a third insulating film (overcoat film) 17 consisting of a polyimide or epoxy based resin or the like, and moisture resistance can be improved.例文帳に追加

これにより、酸化第２銅層１４および酸化第１銅層１５が無い場合と比較して、銅からなる第２の上層再配線１３とポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第３の絶縁膜（オーバーコート膜）１７との密着性が向上し、耐湿性を向上することができる。 - 特許庁

The photoconductive element includes: the photoconductive layer (1) for generating a carrier by the radiation of exciting light (5); a first electrode arranged on the photoconductive layer (1); a second electrode arranged on the photoconductive layer (1) while having a gap relative to the first electrode; and a third electrode (3).例文帳に追加

光伝導素子は、励起光（５）の照射によりキャリアを発生させるための光伝導層（１）と、光伝導層（１）に配置される第１の電極と、第１の電極に対して間隙を有し且つ光伝導層（１）に配置される第２の電極と、第３の電極（３）とを有する。 - 特許庁

A cathode electrode 36 is formed on the fourth layer 21, a gate electrode 37 is formed on the third layer 22 partially exposed by etching, and a short circuit electrode 63 connects the fourth layer 24 partially exposed by etching to the substrate 51 exposed by etching.例文帳に追加

第４層２１の上にはカソード電極３６が形成され、エッチングにより一部露出された第３層２２上にゲード電極３７が形成され、エッチングにより一部露出された第４層２４上とエッチングによって露出された基板５１との間を短絡電極６３で接続する。 - 特許庁

The corrosion preventing structure for a marine steel structure steel member is characterized in that a corrosion preventing protective cover including a first layer formed of plastic or metal, a second layer formed of a buffer material, and a third layer including a rust inhibitor, is mounted to a steel member of the marine steel structure through magnets.例文帳に追加

プラスチックまたは金属からなる第１層と、緩衝材からなる第２層と、防錆剤を含む第３層とからなる防食用保護カバーを、磁石を介して海洋鋼構造物の鋼部材に装着したことを特徴とする海洋鋼構造物鋼部材の防食構造。 - 特許庁

Thereby, on the second seal layer 94, the flake-shape particles with large diameter are entangled each other and thus, shape stability can be secured, and in the first seal layer 92 and the third seal layer 96, irregularities on the surface become small, thereby, sufficient gas sealing performance can be secured.例文帳に追加

これにより、第２シール層９４では、径の大きな薄片状粒子同士が絡み合うことにより形状安定性を確保できるとともに、第１シール層９２及び第３シール層９６では、表面の凹凸が小さくなるので、十分なガスシール性を確保することができる。 - 特許庁

A first region R1 of the function layer which faces the first gate electrode and a second region R2 of the function layer which faces the second gate electrode are different in charge storage capability from a third region R3 of the function layer which is between the first region and second region.例文帳に追加

機能層のうちの第１ゲート電極に対向する第１領域Ｒ１、及び、機能層のうちの第２ゲート電極に対向する第２領域Ｒ２の電荷蓄積能は、機能層のうちの第１領域と第２領域との間の第３領域Ｒ３とは異なる。 - 特許庁

The first porous body 74a reduces a layer thickness of the first hollow fiber membrane layer 76a to increase a charging ratio of the hollow fiber membrane 78, and the third porous body 74c reduces a layer thickness near an outlet section 88 to form a clearance gap 92 to the outlet section 88.例文帳に追加

第１多孔体７４ａは、第１中空糸膜層７６ａの層厚さを小さくして、中空糸膜７８の充填率を上げる一方、第３多孔体７４ｃは、出口部８８近傍の層厚さを小さくして、前記出口部８８との間に隙間９２を形成する。 - 特許庁

An inequality of S1+S2<S3 is satisfied, wherein S1 is an area where the first electrode 12 and the ion conductive layer 14 are in contact with each other, S2 is an area where the second electrode 16 and the ion conductive layer 14 are in contact with each other, and S3 is an area where the third electrode 17 and the ion conductive layer 14 are in contact with each other.例文帳に追加

第１電極１２とイオン伝導層１４とが接する面積をＳ１、第２電極１６とイオン伝導層１４とが接する面積をＳ２、第３電極１７とイオン伝導層１４が接する面積をＳ３としたとき、Ｓ１＋Ｓ２＜Ｓ３である。 - 特許庁

A switch integrated circuit device is in an epitaxial structure having first to third nondoped layers 41-43 in which an AlGaAs layer and an InGaP layer are laminated repeatedly, and a stable layer 44.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層とＩｎＧａＰ層を繰り返し積層した第１〜第３ノンドープ層と安定層を有するエピタキシャル構造とし、Ｄ型ＨＥＭＴの第２ゲート電極を第３ノンドープ層（ＡｌＧａＡｓ層）上に設け、Ｅ型ＨＥＭＴの第１ゲート電極を第１ノンドープ層上に設ける。 - 特許庁

This method for measuring and analyzing a thin film three-layer structure is a method for analyzing a thin film three-layer structure by using the spectroscopic ellipsometer in case where first and third layers among thin-film three layers on a substrate include an optical constant common to both while a second layer has a different optical constant.例文帳に追加

本発明による薄膜３層構造を測定し解析する方法は、基板上の薄膜３層のうち第１層と第３層がともに共通する光学定数を含み、第２層が異なる光学定数である場合の分光エリプソメータを用いた薄膜３層構造の解析方法である。 - 特許庁

The minimum thickness of the tunnel insulation layer 105 is set to the value which realizes the anti- parallel condition in the magnetizing direction of the third magnetic layer 103 and fourth magnetic layer 104, while the maximum thickness thereof is set depending on the thickness which is enough to generate magnetic resistance effect due to the spin tunnel.例文帳に追加

そして、トンネル絶縁層１０５の膜厚は、最小値が、第３磁性層１０３と第４磁性層１０４の磁化方向が反平行な状態が実現されるような膜厚であり、最大値が、スピントンネルによる磁気抵抗効果が生じる膜厚により設定される。 - 特許庁

A ring-shaped second trench 6, penetrating the fourth semiconductor layer 4 and the third semiconductor layer 3 and reaching the second semiconductor layer 2, forms a first region having the element region therein and a second region surrounding the outer circumference of the first region.例文帳に追加

環状構造の第２のトレンチ６が、前記第４の半導体層４及び前記第３の半導体層３を貫通して前記第２の半導体層２に達して、素子領域を内側に有する第１の領域と、前記第１の領域を外側で取り囲む第２の領域とを形成する。 - 特許庁

The light emitting element part includes a light emitting layer 80 emitting light by electroluminescence, a plurality of first electrodes 30 and second electrodes 50 for injecting electron into the light emitting layer 80, and a third electrode 40 arranged to the light emitting layer 80 through insulation layers 60.例文帳に追加

発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための複数の第１電極３０および第２電極５０と、発光層８０に対して絶縁層６０を介して配置された第３電極４０と、を含む。 - 特許庁

The method comprises a first process SA1 of forming a luminescent layer in film on a substrate, a second process SA2 of putting the luminescent layer filmed on the substrate under heating treatment in an inert gas atmosphere, and a third process SA3 of exposing the heat-treated luminescent layer to the inert gas atmosphere for a given period of time.例文帳に追加

基板上に発光層を成膜する第１工程ＳＡ１と、基板上に成膜された発光層を不活性ガス雰囲気下で加熱処理する第２工程ＳＡ２と、加熱処理された発光層を活性ガス雰囲気下に所定時間さらす第３工程ＳＡ３とを有している。 - 特許庁

On each of the front faces of reels R1, R2 and R3, a multilayer structure object projection panel having a third layer (middle panel 202) projecting an object by emitting light insert-held between a first layer (outer panel 201) and a second layer (inner panel 203) formed of transparent members is arranged.例文帳に追加

回胴Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の前面に、透明な部材で形成される第１の層（外パネル２０１）と第２の層（内パネル２０３）の間に、光を照射することによってオブジェクトを投影する第３の層（中パネル２０２）が挟持された多層構造オブジェクト投影パネルを配置する。 - 特許庁

The transparent conductive film is composed of a transparent base material film 2, and a first conductive layer 31 made of ITO (tin-doped indium oxide), a second conductive layer 32 made of silver, a third conductive layer 33 made of ITO, which are laminated in order by sputtering.例文帳に追加

本発明は、透明な基材フィルム２と、基材フィルム２の表面にスパッタリングにより順次積層形成された、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）からなる第１導電層３１、Ａｇ（銀）からなる第２導電層３２、ＩＴＯからなる第３導電層３３とを有する。 - 特許庁

Between a substrate 101 and an active layer 106, a first nitride semiconductor layer 103 of n-type, a second nitride semiconductor 104 which comprises n-type impurity to form an n-type electrode and comprises a third nitride semiconductor layer 105 of an n-type in this order starting from the substrate 101 side.例文帳に追加

基板と活性層との間に基板側から順にｎ型の第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物を有しｎ型電極が形成される第２の窒化物半導体と、ｎ型の第３の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体素子である。 - 特許庁

The third well 24 is formed so that a depletion layer 24a may be formed under the well 24, and the well 24 may be connected to the semiconductor substrate 10 through the depletion layer 24a when a positive voltage of a prescribed value is impressed upon the first impurity diffusing layer 22.例文帳に追加

第１不純物拡散層２２に所定値の正電圧が印加された場合に、第３ウエル２４の下に空乏層２４ａが形成され、空乏層２４ａを介して第３ウエル２４と半導体基板１０とが接続するように、第３ウエル２４が形成されている。 - 特許庁

This wire tool forms a first layer by applying chemical primer treatment on a surface of a wire 11, thereafter forms a second layer by applying light hardening resin (adhesive), and thereafter, forms a third layer and others by applying mixed solution 22 of light hardening resin, abrasive grains and an additive.例文帳に追加

ワイヤ１１表面に化学的プライマ処理を施して第１層を形成し、次いで光硬化性樹脂（接着剤）を塗布して第２層を形成した後、さらに光硬化性樹脂と砥粒および添加物との混合溶液２２を塗布することによって第３層以降を形成する。 - 特許庁

The surface of the sand core 7 is coated with a three-layered structure consisting of a primer coating agent containing TiO2 applied on the lowermost layer, a ceramic coating agent essentially consisting of SiO2 and MgO applied as a second layer and a flaky graphite coating agent applied as a third layer.例文帳に追加

砂中子７の表面は、最下層に塗布されるＴｉＯ_2を含有する下塗りコート剤、第２層として塗布されるＳｉＯ_2とＭｇＯを主成分とするセラミック系コート剤、第３層として塗布される鱗片状黒鉛コート剤とからなる３層構造で被覆されている。 - 特許庁

There are provided shoes particularly, sports shoes having an insole layer 1 having first opening part 2, 3, a support layer 10 having second opening parts 11 and 12 partially overlapping with the first opening parts 2 and 3 and an outsole layer 30 having at least one third opening part 33, 34 and 35 partially overlapping with at least the second opening parts 11 and 12.例文帳に追加

第1の開口部(2,3)を有するインソール層(1)、部分的に第1の開口部(2,3)と重なる第2の開口部(11,12)を有する支持層(10)および第2の開口部(11,12)と少なくとも部分的に重なる少なくとも一つの第3の開口部(33,34,35)を有するアウトソール層(30)を有する靴、特に運動靴を提供する。 - 特許庁

A rear surface resin layer 30 is formed on the rear surface of the substrate in order to negate a stress imparted to the substrate 1 by the lower clad layer 3 and the resin layer for the optical waveguide before the first process, after the first process and before the second process or after the second process and before the third process.例文帳に追加

第１の工程の前、または、第１の工程後で第２の工程の前、もしくは、第２の工程後で第３の工程前に、下部クラッド層３および光導波路用樹脂層が基板１に与える応力をうち消すための裏面樹脂層３０を基板の裏面に形成する。 - 特許庁

The plating 15A consisting of four layers contains a first plating layer 11 of Ni or Ni alloy, a second plating 12 of Pd or Pd alloy, a third plating layer 13 of Ag or Ag alloy, and fourth plating layer 14 of Au or Au alloy.例文帳に追加

この４層のめっき１５Ａは、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層１１と、Ｐｄ又はＰｄ合金からなる第２めっき層１２と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第３めっき層１３と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第４めっき層１４とを有している。 - 特許庁

A second coloring layer 60 is formed so as to be buried in an opening section 59 which is formed on the first coloring layer 56 with a dry etching process, and a third coloring layer 64 is formed so as to be buried in an opening section 63 which is formed on the first and second coloring layers 56, 60 with a dry etching process.例文帳に追加

第１の着色層５６にドライエッチング処理で形成した開口部５９に埋め込むように第２の着色層６０を形成し、第１及び第２の着色層５６，６０にドライエッチング処理で形成した開口部６３に埋め込むように第３の着色層６４を形成する。 - 特許庁

This negative electrode is formed by laminating a first layer 2a containing a conductive material capable of storing/releasing lithium ions; a second layer 3a comprising lithium or a lithium alloy; and a third layer 4a having lithium ion conductivity formed thereon, on a current collector 1a in this order.例文帳に追加

集電体１ａ上に、リチウムイオンを吸蔵、放出し得る導電材料を含む第一の層２ａと、その上に形成されたリチウムまたはリチウム合金からなる第二の層３ａと、その上に形成されたリチウムイオン導電性を有する第三の層４ａと、を積層した構造の二次電池とする。 - 特許庁

When thermal expansion coefficients of the first current block layer 18, second current block layer 19 and third current block layer 22 are denoted by η1, η2 and η3 respectively and the thermal expansion coefficient of gallium nitride is denoted by ηg, ηg>η1, ηg>η2 and ηg<η3 are satisfied.例文帳に追加

第１の電流ブロック層１８、第２の電流ブロック層１９及び第３の電流ブロック層２２の熱膨張係数をそれぞれη１、η２及びη３とし、窒化ガリウムの熱膨張係数をηｇとすると、ηｇ＞η１、ηｇ＞η２及びηｇ＜η３とする。 - 特許庁

Film thickness of the semiconductor layer 11a of the first double-gate photosensor PSA is set to 50 nm, that of a semiconductor layer 11b of the second double-gate photosensor PSB to 150 nm, and that of a semiconductor layer 11c of the third double-gate photosensor PSC to 300 nm.例文帳に追加

ここで、第１のダブルゲート型フォトセンサＰＳＡの半導体層１１ａの膜厚は５０ｎｍ、第２のダブルゲート型フォトセンサＰＳＢの半導体層１１ｂの膜厚は１５０ｎｍ、第３のダブルゲート型フォトセンサＰＳＣの半導体層１１ｃの膜厚は３００ｎｍに設定されている。 - 特許庁

Moreover, the surface of the extension part 19 (the second conductive layer 18 within the element isolation region 16) is exposed, and a third conductive layer 21 is made through a second insulating film 20 on the second conductive layer 18, and a contact 23 is connected to the extension part 19.例文帳に追加

また、延在部分１９（素子分離領域１６内の第２の導電層１８）の表面を露出して、第２の導電層１８上に第２の絶縁膜２０を介して第３の導電層２１が形成され、延在部分１９にコンタクト２３が接続されている。 - 特許庁

In both terminal portions of a center electrode 23 in the final layer (the third layer), electrode thickness is enlarged by charging electrodes 24b, 25c formed within an opening 51c of the insulating film 51 formed on the side of a lower surface in both the terminal portions of the center electrode 23 in the final layer.例文帳に追加

最終層目（第３層目）の中心電極２３の両端部は、最終層目の中心電極２３の両端部の下面側に形成された絶縁膜５１の開口部５１ｃ内に形成されている充填電極２４ｂ，２５ｃにて電極厚みが厚くなっている。 - 特許庁

Between a memory controller circuit 11 mounted on a first circuit board layer 12 and a memory element 31 mounted on a third circuit board layer 32 for example, an input changeover circuit 21 mounted on a second circuit board layer 22 is arranged as an interface for the memory element 31.例文帳に追加

たとえば、１層目の回路基板層１２上に搭載されたメモリコントローラ回路１１と、３層目の回路基板層３２上に搭載されたメモリ素子３１との間に、上記メモリ素子３１のインターフェイスとして、２層目の回路基板層２２上に搭載された入力切り替え回路２１を配置する。 - 特許庁